Методы рентгенодифракционного анализа микроструктур Юнин П.А. План доклада 1. Дифрактометрия поликристаллов 2. Текстурный анализ 3. Дифрактометрия гетероэпитаксиальных структур 4. Малоугловая рентгеновская рефлектометрия Обратная решетка. Сфера Эвальда H h a* k b * l c * H hkl 1 d hkl A( H ) (r ) e 2 i ( H r ) dV s s0 H 2dhkl sin a s s0 h b s s0 k c s s0 l Дифракция на поликристаллическом образце 2dhkl sin Экспериментальные схемы дифрактометрии поликристаллов Геометрия Брэгга-Брентано θ/2θ-сканирование Геометрия параллельного пучка 2θ-сканирование Геометрия Дебая «на просвет» 2θ-сканирование Качественный и количественный фазовый анализ: пример - MgB2 powder experiment MgB2 94% PDF # 01-070-8030 Mg 6% PDF # 03-065-3365 2i → di Ii/I0 ICDD: International Centre of Diffraction Data База данных Powder Diffraction Files – набор di, Ii/I0, RIR I X K I X RIR K RIR RIR – Reference Intensity Ratio, интенсивность относительно эталона Корундовые числа RIR = I/Ic Определение параметров микроструктуры: пример nc-Si Fundamental Parameters Approach Lcr = 15 нм ε = 0.08 % K FWHM cos 4 Strain sin – размеры ОКР и Size микронапряжения по y-intercept slope уширению пиков, метод Вильямсона-Холла Текстурный анализ Ориентация XYZ кристалла ↔ XYZ образца (h k l) ↔ (, , ) Разориентация зерен в образце hkl, hkl, hkl Текстурный анализ: полюсные фигуры (100) Пример построения полюсной фигуры (100) для произвольно ориентированного элемента с кубической симметрией Пример построения полюсных фигур (0001) и (01-10) для элемента с гексагональной симметрией Полюсная фигура строится для выбранного набора кристаллографических плоскостей и представляет собой стереографическую проекцию нормалей семейства кристаллографических плоскостей, характеризуя их ориентацию относительно осей образца Текстурный анализ: схема эксперимента k 2 H hkl Фиксируем модуль и направление k в плоскости дифракции, задавая фиксированные углы образца и детектора 2. Затем наклонами по и поворотами по реализуются всевозможные положения образца. Выбранное k является «фильтром» – модуль определяет интересующий нас набор плоскостей (hkl), а направление связано с известной лабораторной с/к. Когда выполняются условия Лауэ, детектор регистрирует интенсивность дифрагированного пучка, которая характеризует долю зерен с данной ориентацией (,). Карта интенсивности I(,) представляет собой полюсную фигуру для выбранного кристаллографического направления {hkl}. Полюсные фигуры: осевая текстура GaN/polycor – осевая текстура (0001) с углом разориентации осей {0001} в отдельных зернах = 10 и изотропным распределением осей {10-10} и {01-10} в плоскости образца (0002) (11-22) Осевая текстура часто возникает как следствие особенностей технологического процесса изготовления образца, например, вытягивания проволоки или осаждения кристаллических материалов на плоские поверхности Полюсные фигуры: эпитаксиальный слой GaN/с-sapphire – эпитаксиальный монокристалл, на полюсной фигуре для рефлекса (11-22) видно 6 пиков, соответствующих гексагональной симметрии монокристалла Осевая текстура Эпитаксиальный кристалл (11-22) -скан (11-22) Дифрактометрия гетероэпитаксиальных структур Физические свойства полупроводниковых гетероструктур сильно зависят от их структурных особенностей. Метод РД позволяет определять множество структурных параметров эпитаксиальных кристаллических слоев Псевдоморфные и релаксированные слои R alayer asubstrate relaxed alayer asubstrate Отклоненный слой на подложке Вид обратной решетки для системы из отклоненного эпитаксиального слоя на подложке Вариации параметров решетки и конечные размеры ОКР Влияние вариаций параметров решетки, а также конечной толщины слоя и латеральных неоднородностей на форму узлов обратной решетки Мозаичность эпитаксиального слоя Влияние мозаичности эпитаксиального слоя на форму узлов обратного пространства Типы сканов обратного пространства Экспериментальная схема HRXRD Обработка результатов Непосредственное решение обратной задачи невозможно из-за потери информации о фазе при регистрации интенсивности дифрагированн ого излучения РД гетероэпитаксиальных структур: примеры 109 нм Si 15.6 нм Si0.84Ge0.16 (001) Si-sub Определение толщин и состава слоев в SiGe/Si структуре с КЯ по 2/ скану отражения (004) с 2х монохроматором и щелью перед детектором. РД гетероэпитаксиальных структур: примеры (044)- (004) Картирование обратного пространства: отражения (004) и (044)- для толстого слоя Si0.86Ge0.14/Si (001) с частичной релаксацией R = 0.66. Схема с 2хGe(220) монохроматором и анализатором. Для асимметричного отражения показан треугольник релаксации РД гетероэпитаксиальных структур: примеры СР 0 20 x Substrate GaAs (004) Определение среднего состава по нулевому пику СР на отражении (004) с 4xGe (220) монохроматором и 3xGe(220) анализатором. Определение толщины слоев по сателлитным пикам на отражении (004) с 4хGe(220) монохроматором и открытым детектором 58.8 нм GaAs 11.3 нм Al0.4Ga0.6As (001) GaAs-sub РД гетероэпитаксиальных структур: примеры 19.8 нм Si 6.6 нм Si0.74Ge0.26 x5 (001) Si-sub Определение толщин и состава слоев в SiGe/Si сверхрешетке по 2/ скану отражения (004) с 2хGe(220) монохроматором и щелью перед детектором Малоугловая рефлектометрия рентгеновского излучения q qz 2k sin rF (q) q Q qQ 2 Q q 2 16 re rF c 2 4 c 2 c el E qz z exp iqz z dz z x, y, z 2d 12 2 2 m 2d m2 2 2 x, y z2 w( z ) exp 2 2 2 2 1 2 q 2 R(q) rF (q) exp 2 Экспоненциальный спад интенсивности! 2dm m 2dm1 m 1 d 2(sin m 1 sin m ) 2 МУР: отражение от многослойных структур an 1 En 1 an11 EnR1 an1En an EnR 2 d n an exp i f n f n n21 2 n 2in 2 Rn 1,n a 4 n 1 Rn ,n 1 Fn 1,n Rn ,n 1 Fn 1,n 1 здесь Fn 1,n . f n 1 f n f n 1 f n Начинаем от полубесконечной подложки: Добавляем на подложку слои, заканчиваем поверхностью: R 1 IR E R I0 E1 - рекурсия 2 * R1,2 R1,2 Rn ,n 1 0 R1,2 МУР: определяемые параметры МУР: экспериментальные схемы Схема низкого разрешения для рефлектометрии тонких слоев Схема высокого разрешения для рефлектометрии толстых слоев МУР: примеры N Материал Толщина, нм Ширина интерфейса, нм Плотность г/см3 1 Mo 25.5 0.3 10.6 SUB Si - 0.9 2.32910 МУР: примеры 160 нм Co 20 нм CoFe подслой Подложка – стекло 3 нм оксид Совместный анализ методами HRXRD и XRR HRXRD XRR 0 Si Si1-xGex Substrate Si (001) z Сравнение с ВИМС Bruker D8 Discover в ИФМ РАН Фокусирущая оптика – параболическое зеркало Гёбеля для линейного фокуса или поликапиллярная линза для точечного Монохроматоры 2xGe(220)ACC или 4хGe(220) Блок щелей Система позиционирования образца – 2 лазера и видеокамера Детекторы – сцинтиляционны й или PSD 14 мм 2 192 канала Блок Pathfinder: переменная щель / щель Соллера 0,2 / анализатор 3xGe(220) Коллиматор пучка до 0,3 мм Эйлерова подвеска 5 степеней свободы + Tilt stage 2 степени свободы + 2 степени свободы гониометра 1 и 2