КАЗАХСТАНСКИЙ ФОРУМ ЭНЕРГЕТИКОВ Алматы, 1 ноября 2011 ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ ФОТОЭЛЕМЕНТЫ НА ОСНОВЕ ХАЛЬКОГЕНИДОВ М.Б.Дергачева, К.А.Уразов Казахсанско-Британский технический университет Алматы 050000, Толе Би,59 Институт органического катализа и электрохимии им. Д.В.Сокольского Алматы 050010 Кунаева 142 E-mail: [email protected] Прогнозируемая динамика мирового PV-рынка PV-рынок 1988-2004 г.г. 1600 1200 1000 800 1400 Мощность (МВатт) 1400 1200 1000 800 600 400 200 0 19 88 19 90 19 92 19 94 19 96 19 98 20 00 20 02 20 04 600 400 200 20 31 20 29 20 27 20 25 20 23 20 21 20 19 20 17 20 15 20 13 20 11 20 09 20 07 20 05 20 03 20 01 0 19 99 Совокупная установленная мощность (ГВатт) 1800 годы Рост совокупной установленной мощности фотоэлектрических преобразователей 1800 1600 PV-рынок 1988-2004 г.г. 1400 Мощность (МВатт) 1400 1200 1000 800 1200 1000 800 600 400 200 0 600 400 200 20 31 20 29 20 27 20 25 20 23 20 21 20 19 20 17 20 15 20 13 20 11 20 09 20 07 20 05 20 03 20 01 0 19 99 Совокупная установленная мощность (ГВатт) Прогнозируемая динамика мирового PV-рынка годы К 2031 году в мире планируется иметь совокупную установленную мощность фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) в 1700 ГВатт (для сравнения - в 2000 г. эта цифра равнялась 287.7 МВатт, а в 2004 г. – 1256 МВатта) Прогноз общемирового производства эл.энергии 2000-2040 г.г. (Источник - Solar Generation and IEA-PVPS) 100000 Всего эл.энергии (ТерраВатт) 10000 1000 производство "солнечной" эл. энергии общее производство эл.энергии 100 10 1 2000 Рост 15% в год Рост 34% в год Рост 27% в год 2010 2020 2030 2040 годы К 2040 г. «солнечная» энергетика должна занять заметную долю (~ 30%) в общемировом балансе произведенной электроэнергии. Цикличность развития п/п рынка в целом за 1987-2003 г.г. ежегодный темп роста/снижения в% 30 20 10 0 1987 1988 1989 1990 1991 1992 1993 1994 1995 1996 1997 1998 1999 2000 2001 2002 -10 -20 -30 годы Циклический характер развития электронной промышленности свидетельствует, о возможном спаде и понижении спроса на полупроводниковые материалы. Промышленно развитые государства, базируясь на 30 - летней истории развития ФЭП, инвестируют их производство и стремятся ослабить свою зависимость от поставщиков традиционных энергоносителей. Годы Стоимость 1 ВТ (Wp) 1980 30 $ 2004 3.50$ 2010 2.50$ Стоимость киловатт-часа эл. энергии, полученной с помощью ФЭП, хотя и снижается, но остается довольно высокой. Производство ФЭП по видам технологии и типам используемых материалов Тонкопленочные фотоэлементы Тонкопленочные солнечные элементы на основе CdS/CdTe В Институте разработан способ изготовления каскадного солнечного элемента на основе композиций CdS/CdTe. Это позволяет начать работы по изготовлению солнечной батареи с использованием элемента CdS/CdTe со степенью преобразования солнечного излучения не менее 10-13%. Тонкослойные фотоэлектрические модули на основе селенида меди- индия. Разработан электрохимический способ получения пленок CuInSe2 Структуры медьиндиевого селенида позволяют получать фотоэлементы с к.п.д. 15-20% Полупроводниковое соединение CdxHg1-xTe. Разработан способ получения и изготовлены образцы пленок соединения CdxHg1-xTe (КРТ), имеющего высокую чувствительность к инфракрасному излучению в области длин волн (8-13мкм) и применяющегося в приборах ночного видения нового поколения. СХЕМА ФОТОЭЛЕМЕНТА стекло/SnO2/CdS/CdTe Ni 3 мкм1 4 мкм1 CdTe CdS 1 мм0,2 стекло 2,6 см 0,2 мкм0,01 Установка и проверка солнечной панели на основе CdS/CdTe Сборка панели с большей площадью Разработка способа изготовления тонкопленочного солнечного элемента свет ZnO+ZnO:Al Проводящий слой CdS Абсорбирующие слои Cu(In,Ga)Se2 Mo Проводящая подложка Стекло Содержание основных элементов в пленке CuInSe2 после обработки в аргоновой плазме ( ат. %). Потенциал, мВ - 250 Вид обработки Ar-плазма Cu Se In 18,51 43,30 15,78 150оС -400 Ar-плазма 150оС 19,10 40,05 20.50 -550 Ar-плазма 150оС 19,30 43,46 21,23 Для исследования влияния термического отжига в аргоновой плазме и аргоне на состав, морфологию, кристалличность и размер зерен пленок CuInSe2 их получали методом электроосаждения в потенциостатическом режиме в широком диапазоне потенциалов от -0,25 В до –0,6 В. Спектр РФА электроосажденной пленки CuInSe2 на Mo-электроде 120 Mo 100 80 004/200 intensity 60 40 20 116/312 112 0 15 20 25 30 35 40 45 50 2, 55 deg 60 65 70 75 80 85 90 Микрофотографии электроосажденных пленок CuInSe2 на Мо-пластинках 1) Разработана технология получения тонких пленок CdS химическим методом. 2) Разработана технология получения стекла покрытой проводящей тонкой пленкой молибдена, с помощью магнетронного напыления. 3) Разработан метод электрохимического осаждения тройного соединения. 4) В разработке получения пленок медь-индиевого диселенида есть возможность изменять состав соединения, а точнее частично заменить индий на галлий. Это даст возможность увеличить ширину запрещенной зоны полупроводниковой пленки. 4) Дальше эти технологии будут развиваться и прогнозируемая эффективность преобразования фотоэлемента на основе тройного соединения будет составлять около 14-15%. Спасибо за внимание!