Document 4402742

Физические основы микро – и
нано электроники
Якутенков Александр
Аркадьевич
Группа 5212
№
п/п
Фамилия Имя Отчество
обучающегося
1
Ахметшин Рифат Ринатович
2
Березина Яна Сергеевна
Тема работы или проекта
Дата
выдачи
задания
21.03.16
Изложить принцип работы биполярного
транзистора.
Построить выходную зависимость Iк от
Vбк для Si p-n-p транзистора в схеме с ОБ
при Iэ= 3 мА и
Т=300 К. Концентрация примеси: база
3.0E+14 1/см3, эмиттер 2.0E+17 см3,
коллектор 3.0E+14 1/см3. Подвижность носителей заряда: n- 950
см2/(Вс), p- 250 см2/(Вс). Время жизни
носителей заряда 0.150 мкс.
Металлургическая ширина базы 3.5 мкм,
коллектора 6 мкм, эмиттера 4 мкм.
Площади переходов одинаковы и
равны 5.0E-5 см2. Ширину нейтральной
области базы считать при Vбк=2В Задание
№15
Изложить принцип работы биполярного
21.03.16
транзистора.
Построить выходную зависимость Iк от Vбк
для Si n-p-n транзистора в схеме с ОБ при
Iэ= 2 мА и
Т=300 К. Концентрация примеси: база
6.0E+15 1/см3, эмиттер 8.0E+17 см3,
коллектор 7.0E+14 1/см3. Подвижность носителей заряда: n- 1100
см2/(Вс), p- 400 см2/(Вс). Время жизни
носителей заряда 0.200 мкс.
Металлургическая ширина базы 1.0 мкм,
коллектора 4 мкм, эмиттера 3 мкм.
Площади переходов одинаковы и
равны 2.0E-5 см2. Ширину нейтральной
области базы считать при Vбк=2В Задание
№16
3
Бикчантаева Рашида
Шамилевна
4
Гайфуллин Фанис
Фирдусович
5
Гараев Рамис Илхамович
Изложить принцип работы биполярного
21.03.16
транзистора.
Построить выходную зависимость Iк от Vбк
для Ge n-p-n транзистора в схеме с ОБ при
Iэ= 1 мА и
Т=300 К. Концентрация примеси: база
2.0E+15 1/см3, эмиттер 2.0E+16 см3,
коллектор 3.0E+15 1/см3. Подвижность носителей заряда: n- 1750
см2/(Вс), p- 850 см2/(Вс). Время жизни
носителей заряда 0.350 мкс.
Металлургическая ширина базы 3.0 мкм,
коллектора 7 мкм, эмиттера 12 мкм.
Площади переходов одинаковы
и равны 3.0E-5 см2. Ширину нейтральной
области базы считать при Vбк=2В задание
№17
Изложить принцип работы биполярного
21.03.16
транзистора.
Построить выходную зависимость Iк от Vбк
для Ge n-p-n транзистора в схеме с ОБ при
Iэ= 5 мА и
Т=300 К. Концентрация примеси: база
7.0E+14 1/см3, эмиттер 8.0E+15 см3,
коллектор 2.0E+14 1/см3. Подвижность носителей заряда: n- 2100
см2/(Вс), p- 950 см2/(Вс). Время жизни
носителей заряда 0.090 мкс.
Металлургическая ширина базы 5.0 мкм,
коллектора 7 мкм, эмиттера 9 мкм.
Площади переходов одинаковы и
равны 4.0E-5 см2. Ширину нейтральной
области базы считать при Vбк=2В Задание
№18
Изложить принцип работы биполярного
21.03.16
транзистора.
Построить выходную зависимость Iк от Vбк
для Ge p-n-p транзистора в схеме с ОБ при
Iэ= 7 мА и
Т=300 К. Концентрация примеси: база
6.0E+14 1/см3, эмиттер 4.0E+15 см3,
коллектор 3.0E+14 1/см3. Подвижность носителей заряда: n- 1900
см2/(Вс), p- 770 см2/(Вс). Время жизни
носителей заряда 0.120 мкс.
Металлургическая ширина базы 8.0 мкм,
коллектора 15 мкм, эмиттера 15 мкм.
Площади переходов одинаковы
и равны 2.0E-5 см2. Ширину нейтральной
области базы считать при Vбк=2В Задание
№19
6
7
8
Гарифуллин Айнур
Нурисламович
Изложить принцип работы биполярного
21.03.16
транзистора.
Построить выходную зависимость Iк от Vбк
для Ge p-n-p транзистора в схеме с ОБ при
Iэ= 3 мА и
Т=300 К. Концентрация примеси: база
3.0E+15 1/см3, эмиттер 3.0E+16 см3,
коллектор 4.0E+15 1/см3. Подвижность носителей заряда: n- 1800
см2/(Вс), p- 650 см2/(Вс). Время жизни
носителей заряда 0.300 мкс.
Металлургическая ширина базы 3.0 мкм,
коллектора 12 мкм, эмиттера 6 мкм.
Площади переходов одинаковы
и равны 8.0E-5 см2. Ширину нейтральной
области базы считать при Vбк=2В Задание
№20
Гарифуллин Рустем Раисович Изложить принцип работы биполярного
21.03.16
транзистора.
Построить выходную зависимость Iк от Vбк
для Ge n-p-n транзистора в схеме с ОБ при
Iэ= 8 мА и
Т=300 К. Концентрация примеси: база
4.0E+15 1/см3, эмиттер 2.0E+16 см3,
коллектор 2.0E+15 1/см3. Подвижность носителей заряда: n- 2000
см2/(Вс), p- 600 см2/(Вс). Время жизни
носителей заряда 0.250 мкс.
Металлургическая ширина базы 4.0 мкм,
коллектора 13 мкм, эмиттера 17 мкм.
Площади переходов одинаковы
и равны 3.0E-5 см2. Ширину нейтральной
области базы считать при Vбк=2В Задание
№21
Ефимова Марина Витальевна Изложить принцип работы биполярного
21.03.16
транзистора.
Построить выходную зависимость Iк от Vбк
для Ge n-p-n транзистора в схеме с ОБ при
Iэ= 3 мА и
Т=300 К. Концентрация примеси: база
5.0E+16 1/см3, эмиттер 7.0E+17 см3,
коллектор 6.0E+15 1/см3. Подвижность носителей заряда: n- 1800
см2/(Вс), p- 700 см2/(Вс). Время жизни
носителей заряда 0.140 мкс.
Металлургическая ширина базы 6.0 мкм,
коллектора 14 мкм, эмиттера 7 мкм.
Площади переходов одинаковы
и равны 10.0E-5 см2. Ширину нейтральной
области базы считать при Vбк=2В Задание
№22
9
Курбанов Алишер
Давлатович
10 Набиуллин Булат Ленарович
11 Сагдиева Айгуль Ренатовна
Изложить принцип работы биполярного
21.03.16
транзистора.
Построить выходную зависимость Iк от Vбк
для Ge p-n-p транзистора в схеме с ОБ при
Iэ= 1 мА и
Т=300 К. Концентрация примеси: база
3.0E+16 1/см3, эмиттер 2.0E+17 см3,
коллектор 4.0E+15 1/см3. Подвижность носителей заряда: n- 1900
см2/(Вс), p- 900 см2/(Вс). Время жизни
носителей заряда 0.090 мкс.
Металлургическая ширина базы 2.0 мкм,
коллектора 9 мкм, эмиттера 8 мкм.
Площади переходов одинаковы и
равны 12.0E-5 см2. Ширину нейтральной
области базы считать при Vбк=2В Задание
№23
Изложить принцип работы биполярного
21.03.16
транзистора.
Построить выходную зависимость Iк от Vбк
для Si p-n-p транзистора в схеме с ОБ при
Iэ= 5 мА и
Т=300 К. Концентрация примеси: база
3.0E+15 1/см3, эмиттер 7.0E+17 см3,
коллектор 4.0E+15 1/см3. Подвижность носителей заряда: n- 950
см2/(Вс), p- 300 см2/(Вс). Время жизни
носителей заряда 0.150 мкс.
Металлургическая ширина базы 4.0 мкм,
коллектора 12 мкм, эмиттера 11 мкм.
Площади переходов одинаковы
и равны 7.0E-5 см2. Ширину нейтральной
области базы считать при Vбк=2В Задание
№24
Изложить принцип работы биполярного
21.03.16
транзистора.
Построить выходную зависимость Iк от Vбк
для Si n-p-n транзистора в схеме с ОБ при
Iэ= 4 мА и
Т=300 К. Концентрация примеси: база
8.0E+15 1/см3, эмиттер 3.0E+17 см3,
коллектор 5.0E+15 1/см3. Подвижность носителей заряда: n- 1000
см2/(Вс), p- 290 см2/(Вс). Время жизни
носителей заряда 0.100 мкс.
Металлургическая ширина базы 2.5 мкм,
коллектора 11 мкм, эмиттера 10 мкм.
Площади переходов одинаковы
и равны 2.5E-5 см2. Ширину нейтральной
области базы считать при Vбк=2В Задание
№25
12 Советников Дмитрий
Владимирович
Изложить принцип работы биполярного
21.03.16
транзистора.
Построить выходную зависимость Iк от Vбк
для Si n-p-n транзистора в схеме с ОБ при
Iэ=10 мА и
Т=300 К. Концентрация примеси: база
5.0E+16 1/см3, эмиттер 3.0E+17 см3,
коллектор 7.0E+15 1/см3. Подвижность носителей заряда: n- 1100
см2/(Вс), p- 300 см2/(Вс). Время жизни
носителей заряда 0.250 мкс.
Металлургическая ширина базы 3.0 мкм,
коллектора 10 мкм, эмиттера 9 мкм.
Площади переходов одинаковы
и равны 5.0E-5 см2. Ширину нейтральной
области базы считать при Vбк=2В Задание
№26
21.03.16
13 Фѐдоров Сергей Геннадьевич Изложить принцип работы биполярного
транзистора.
Построить выходную зависимость Iк от Vбк
для Ge p-n-p транзистора в схеме с ОБ при
Iэ=12 мА и
Т=300 К. Концентрация примеси: база
4.0E+15 1/см3, эмиттер 8.0E+16 см3,
коллектор 3.0E+15 1/см3. Подвижность носителей заряда: n- 1900
см2/(Вс), p- 770 см2/(Вс). Время жизни
носителей заряда 0.170 мкс.
Металлургическая ширина базы 7.0 мкм,
коллектора 15 мкм, эмиттера 12 мкм.
Площади переходов одинаковы
и равны 6.0E-5 см2. Ширину нейтральной
области базы считать при Vбк=2В Задание
№27
21.03.16
14 Хайруллин Ирек Рашитович Изложить принцип работы биполярного
транзистора.
Построить выходную зависимость Iк от Vбк
для Si p-n-p транзистора в схеме с ОБ при
Iэ=11 мА и
Т=300 К. Концентрация примеси: база
5.0E+16 1/см3, эмиттер 3.0E+18 см3,
коллектор 8.0E+15 1/см3. Подвижность носителей заряда: n- 900
см2/(Вс), p- 270 см2/(Вс). Время жизни
носителей заряда 0.140 мкс.
Металлургическая ширина базы 2.0 мкм,
коллектора 8 мкм, эмиттера 5 мкм.
Площади переходов одинаковы и
равны 7.0E-5 см2. Ширину нейтральной
области базы считать при Vбк=2В Задание
№28
15 Шакиров Раиль Рустемович
Руководитель
Изложить принцип работы биполярного
21.03.16
транзистора.
Построить выходную зависимость Iк от Vбк
для Si n-p-n транзистора в схеме с ОБ при
Iэ=15 мА и
Т=300 К. Концентрация примеси: база
2.0E+16 1/см3, эмиттер 9.0E+17 см3,
коллектор 3.0E+15 1/см3. Подвижность носителей заряда: n- 800
см2/(Вс), p- 250 см2/(Вс). Время жизни
носителей заряда 0.200 мкс.
Металлургическая ширина базы 1.0 мкм,
коллектора 9 мкм, эмиттера 6 мкм.
Площади переходов одинаковы и
равны 8.0E-5 см2. Ширину нейтральной
области базы считать при Vбк=2В Задание
№29
/
/