Список вопросов для подготовки к экзаменам по дисциплине

Список вопросов для подготовки к экзаменам по дисциплине «Электроника»
и «Электроника и электротехника, ч.1» для групп ЭР-11, 12, 14,15,16,17 – 12.
1. Кристаллическая решетка полупроводника. Образование свободных
носителей заряда. Уравнение электронейтральности полупроводника с
донорной и акцепторной примесями.
2. Энергетические
диаграммы
собственного
и
примесных
полупроводников. Уровень Ферми. Образование свободных носителей
заряда.
3. Концентрация свободных носителей заряда в собственном и
примесном полупроводниках. Зависимость от температуры.
4. Дрейф носителей заряда в однородных полупроводниках.
Подвижность. Ток дрейфа. Удельная проводимость.
5. Зависимость удельной проводимости полупроводника от температуры.
6. Токи дрейфа и токи диффузии носителей заряда в однородных
полупроводниках. Подвижность, коэффициент диффузии.
7. P-n переход, структура, энергетическая диаграмма, контактная
разность потенциалов, ширина перехода.
8. Вольт-амперная характеристика перехода. Токи дрейфа и диффузии.
Инжекция.
9. Влияние температуры, сопротивления базы и материала на вольтамперную характеристику p-n перехода.
10.Пробой p-n перехода. Виды пробоя, механизм возникновения и
развития пробоя.
11.Емкость p-n перехода. Барьерная и диффузионная емкость, механизм
возникновения, зависимость от приложенного напряжения.
12.Работа p-n перехода в импульсном режиме: подключение к источнику
тока различной амплитуды, переключение от прямого напряжения на
обратное.
13.Модели диодов на основе p-n перехода.
14.Разновидности диодов; выпрямительные НЧ и ВЧ, варикапы,
стабилитроны.
15.Биполярный транзистор, структура, режимы работы, схемы включения.
16.Транспортные потоки носителей заряда в биполярном транзисторе.
Принцип работы биполярного транзистора.
17.Основные статические характеристики биполярного транзистора при
включении с общим эмиттером. Предельные режимы работы.
18.Схемотехнические способы обеспечения режима покоя биполярного
транзистора.
19.Дифференциальные параметры биполярного транзистора.
20.Модели биполярного транзистора.
21.Полевые транзисторы с управляющим p-n переходом. Структура и
принцип работы.
22.Статические характеристики полевых транзисторов с управляющим p-n
переходом, предельные режимы работы, дифференциальные
параметры.
23.Эффект электрического поля в МДП структуре.
24.Структура и принцип работы МДП полевого транзистора. Статические
характеристики.
25.Ключ на биполярном транзисторе и его механический аналог. Принцип
работы, быстродействие.
26.Базовый логический элемент транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ
– элемент). Принцип работы.
27.Операционный усилитель. Основные выполняемые функции.