Формирование предложно-падежных конструкций у младших
реклама
Формирование предложно-падежных конструкций у младших школьников с ОНР Нарушение грамматического строя речи является важным звеном на этапе овладения ребенком письменной речью, в дальнейшем этот фактор определяет успешность школьника. Для того, чтобы повысить учебную мотивацию, необходимо в своей работе использовать различные виды картинок, тематические презентации, речевой материал. Именно, такая форма работы позволяет сформировать способность фиксировать внимание на грамматической форме слова с помощью окончания, пространственных отношений, выраженных предлогом, а также, развивает навыки употребления существительных в единственном и множественном числе и определенном падеже, позволяет закреплять навыки словоизменения существительных по падежам, как с предлогами, так и без них. Коррекционно-логопедическая работа по формированию падежных окончаний проводится поэтапно. В начале проводится работа по развитию понимания и формирования навыка самостоятельного употребления падежных окончаний существительных в В.п., Р.п.. Затем формируются навыки самостоятельного употребления падежных окончаний существительных в Д.п., Т.п., П.п. Далее отрабатывается использование падежных окончаний существительных в различных падежах. Соответственно параллельно идет работа над правильным использованием в речи предлогов. Работа над падежным окончанием начинается с формирования модели простого предложения по схеме: субъект + действие + объект. Далее идет работа с речевым материалом: проговаривание и заучивание словосочетаний, фраз, содержащих форму прорабатываемого падежа. При данном виде работы можно использовать мнемотехнику. Правильное употребление предлогов начинается с развития пространственно-временных отношений, при этом используются графические схемы с соответствующими предлогами. Составление фраз по пиктограммам по схемам: предлог + субъект + объект или субъект + действие + предлог + объект. Закрепление предложно-падежных форм идет на речевом материале, с использованием ИКТ.
