РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН) ЭЛЕКТРОННОЕ ПОРТФОЛИО аспиранта Зенченко Николая Владимировича Направление подготовки: 11.06.01 Электроника, радиотехника и системы связи Направленность: 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники Квалификация выпускника: Исследователь. Преподавательисследователь Форма обучения: очная Срок обучения: 4 года Москва 2014 1. АВТОБИОГРАФИЯ. 1.1 Учёба в ВУЗе: Какую специальность Если получил в результате Факультет Год не Год окончания учебного или окончания окончил, поступления заведения, указать отделение или ухода то с какого № диплома или курса ушел удостоверения Название учебного заведения и его местонахождение МИРЭА, Москва Электроники 2009 2014 Микросистемная техника, 1.2 Работа: Месяц и год вступления ухода 2008 2011 2013 2014 2014 Должность с указанием учреждения, организации, предприятия ООО «Фокслинк», менеджер проектов и разработок. ИСВЧПЭ РАН, лаборант ИСВЧПЭ РАН, инженерисследователь. Местонахождение учреждения, организации, предприятия Москва Москва Москва Владение иностранными языками: английский Хобби и увлечения: Авиамоделирование, музыкальные иснтрументы, страйкбол. Личные качества: ответственный, широкий кругозор, высокие моральные качества. 2. МОИ ДОСТИЖЕНИЯ ДО ПОСТУПЛЕНИЯ В АСПИРАНТУРУ. Окончил музыкальную школу №86, прошел курсы английского языка и получил сертификат «Pre-intermediate», далее изучал язык самостоятельно. Закончил школу со средним баллом за последние два года обучения 4,9. 3. ДОСТИЖЕНИЯ В РЕЗУЛЬТАТЕ ОСВОЕНИЯ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЙ ПРОГРАММЫ АСПИРАНТУРЫ 3.1 Публикации Публикации Название Расчет тепловых режимов HEMT-транзисторов на основе гетероструктуры AlGaN/GaN Моделирование нестационарных тепловых режимов HEMTтранзистора. Расчет теплораспределяющего элемента конструкции для мощных СВЧ-транзисторов Выходные данные Кол-во п.л. Электронный вариант публикации Нано- и микросистемная техника, 2014, № 11 6 (172), с. 43-48 Нано- и микросистемная техника, 2014, № 12 4 (173), с. 3-6 Микроэлектроника, 2015, том 44, № 4, с. 269- 6 274 3.2 Мои достижения: Тематика научноисследовательской работы Краткое описание награды (приза), гранта, патента, свидетельства 3.3 Публичное представление исследовательской работы: результатов Электронный вариант документа о награждении научно- Не принимал участие. 3.4.Освоение образовательной программы аспирантуры: Курс Предмет Оценка / Зачет Аттестация 1 2 3 4 Английский язык История и философия науки Физические основы наноэлектроники Физика поверхности полупроводников для наноэлектроники Метаморфная технология эпитаксиального выращивания полупроводниковых наногетероструктур отлично хорошо Зачет Зачет Зачет Аттестован