полупроводники и их свойства

Реферат
Научная работа включает: 33 страниц, 18 иллюстраций и 3 использованных
литературных источников.
Объектами данной работы является полупроводники. Цель работы: анализ
применения полупроводников в науке и технике. В основной части работы даны методы
исследования
физики
полупроводников,
полученные
результаты,
основные
конструктивные, технологические и технико-эксплуатационные характеристики. На
основе них сделаны соответствующие выводы. Представлена к рассмотрению программа
нахождения параметров диодов и транзисторов. Анализ возможностей использования
полупроводников показал, что полупроводники могут широко использоваться в
различных электронных устройствах.
2
Содержание:
Введение…………………………………………………………………………………..3
1. Физика полупроводников…………………………………….......................................4
1.1 Зонная структура полупроводников…………………………. …………...4
1.2 Терминология и основные понятия………………………….. …………..5
1.3 Статистика электронов и дырок в полупроводниках…………………..6
1.4 Кон-ция Эл-в и дырок в примесном полупроводнике……………….....11
1.5
Определение положения уровня Ферми…………………………………12
1.6 Проводимость полупроводников………………………..............................13
1.7
Токи в полупроводниках………………………………………………….14
1.8 Неравновесные носители………………………………………………….15
1.9
Уравнение непрерывности………………………………………………..17
2. Полупроводниковые диоды…………………………………………………………….18
2.1. Характеристики идеального диода на основе p-n перехода……………..18
2.2. Выпрямление в диоде…………………………………………………………19
2.3. Характеристическое сопротивление………………………………………..19
2.4. Влияние температуры на характеристики диодов………………………..20
3.Транзисторы……………………………………………………………………………..21
3.1. Принцип работы транзистора…………………………………………………22
3.2.Параметры транзистора как элемента цепи…………………………………23
3.3.Типы транзисторов………………………………………………………………25
3.4.Технологические разновидности биполярных транзисторов……………...26
4.Программа расчета параметров диода и транзистора……………………………..27
Заключение………………………………………………………………………………...32
Список использованной литературы…………………………………………………..33
3
Введение
Электроника представляет собой бурно развивающуюся отрасль науки и техники. Она
изучает физические основы и практическое применение различных электронных
приборов. К физической электронике относят: электронные и ионные процессы в газах
и проводниках. На поверхности раздела между вакуумом и газом, твердыми и жидкими
телами. К технической электронике относят изучение устройства электронных
приборов и их применение. Область, посвященная применению электронных приборов
в промышленности, называется Промышленной Электроникой. Одним из
фундаментальных понятий электроники и радиотехники вообще является понятие
“полупроводник”. Поэтому в данной работе мы будем рассматривать именно сферу
этого понятия.
ПОЛУПРОВОДНИКИ, вещества, электропроводность которых при комнатной
температуре имеет промежуточное значение между электропроводностью металлов (106104 Ом-1 см-1) и диэлектриков (10-8-10-12 Ом-1). Характерная особенность
полупроводников - возрастание электропроводности с ростом температуры; при низких
температурах электропроводность полупроводников мала; на нее влияют свет, сильное
электрическое поле, потоки быстрых частиц и т.д. Высокая чувствительность
электропроводности к содержанию примесей и дефектов в кристаллах также характерна
для полупроводников. К полупроводникам относится большая группа веществ (Ge, Si и
др.). Носителями заряда в полупроводниках являются электроны проводимости и дырки.
В идеальных кристаллах они появляются всегда парами, так что их концентрации равны.
В реальных кристаллах, содержащих примеси и дефекты структуры, равенство
концентраций электронов и дырок может нарушаться и проводимость осуществляется
практически только одним типом носителей (смотри также Зонная теория, Твердое тело).
Особенности полупроводников определяют их применение (смотри Полупроводниковые
приборы).Все эти свойства позволили проводникам стать одними из самых важных
материалов в радиотехнике.
4
1. Физика полупроводников
1.1. Зонная структура полупроводников
Согласно постулатам Бора энергетические уровни для электронов в изолированном атоме
имеют дискретные значения. Твердое тело представляет собой ансамбль отдельных атомов,
химическая связь между которыми объединяет их в кристаллическую решетку. Если твердое
тело состоит из N атомов, то энергетические уровни оказываются N-кратно вырожденными.
Электрическое поле ядер, или остовов атомов, выступает как возмущение, снимающее это
вырождение. Дискретные моноэнергетические уровни атомов, составляющие твердое тело,
расщепляются в энергетические зоны. Решение квантовых уравнений в приближении сильной
или слабой связи дает качественно одну и ту же картину для структуры энергетических зон
твердых тел. В обоих случаях разрешенные и запрещенные состояния для электронов
чередуются и число состояний для электронов в разрешенных зонах равно числу атомов, что
позволяет говорить о квазинепрерывном р-пределении энергетических уровней внутри
разрешенных зон.
Наибольшее значение для электронных свойств твердых тел играют верхняя и следующая за
ней разрешенные зоны энергий. В том случае, если между ними нет энергетического зазора,
то твердое тело с такой зонной структурой является металлом. Если величина энергетической
щели между этими зонами (обычно называемой запрещенной зоной) больше 3 эВ, то твердое
тело является диэлектриком. И, наконец, если ширина запрещенной зоны Eg лежит в
диапазоне (0,1 - 3,0) эВ, то твердое тело принадлежит к классу полупроводников. В
зависимости от сорта атомов, составляющих твердое тело, и конфигурации орбит валентных
электронов реализуется тот или иной тип кристаллической решетки, а, следовательно, и
структура энергетических зон. На рисунке 1.1 приведена структура энергетических уровней в
изолированном атоме кремния, а также схематическая структура энергетических зон,
возникающих при сближении этих атомов и образовании монокристаллического кремния с
решеткой так называемого алмазоподобного типа.
Верхняя, не полностью заполненная, энергетическая зона в полупроводниках получила
название зоны проводимости. Следующая за ней энергетическая зона получила название
валентной зоны. Энергетическая щель запрещенных состояний между этими зонами
называется запрещенной зоной. На зонных диаграммах положение дна зоны проводимости
обозначают значком EC, положение вершины валентной зоны - EV, а ширину запрещенной
зоны - Eg.
Поскольку в полупроводниках ширина запрещенной зоны меняется в широком диапазоне, то
вследствие этого в значительной мере меняется их удельная проводимость. По этой причине
полупроводники классифицируют как вещества, имеющие при комнатной температуре
удельную электрическую проводимость σ от 10-8 до 106 Ом⋅см, которая зависит в сильной
степени от вида и количества примесей, структуры вещества и внешних условий:
температуры, освещения (радиации), электрических и магнитных полей и т.д.
Для диэлектриков ширина запрещенной зоны Еg > 3 эВ, величина удельной проводимости σ <
10-8 Ом⋅см, удельное сопротивление ρ = 1/σ > 108 Ом⋅см. Для металлов величина удельной
проводимости σ > 106 Ом⋅см.
5
Рис. 1.1. Структура энергетических уровней в изолированном атоме кремния, а также схематическая
структура энергетических зон, возникающих при сближении этих атомов и образовании
монокристаллического кремния
1.2. Терминология и основные понятия
Полупроводники, или полупроводниковые соединения, бывают собственными и примесными.
Собственные полупроводники - это полупроводники, в которых нет примесей (доноров и
акцепторов). Собственная концентрация ni - концентрация носителей заряда в собственном
полупроводнике (электронов в зоне проводимости n и дырок в валентной зоне p, причем n = p
= ni). При Т = 0 в собственном полупроводнике свободные носители отсутствуют (n = p = 0).
При Т > 0 часть электронов забрасывается из валентной зоны в зону проводимости. Эти
электроны и дырки могут свободно перемещаться по энергетическим зонам. Дырка - это
способ описания коллективного движения большого числа электронов (примерно 1023 см-3) в
неполностью заполненной валентной зоне. Электрон - это частица, дырка - это квазичастица.
Электрон можно инжектировать из полупроводника или металла наружу (например, с
помощью фотоэффекта), дырка же может существовать только внутри полупроводника.
Легирование - введение примеси в полупроводник, в этом случае полупроводник называется
примесным. Если в полупроводник, состоящий из элементов 4 группы (например, кремний
или германий), ввести в качестве примеси элемент 5 группы, то получим донорный
полупроводник (у него будет электронный тип проводимости), или полупроводник n-типа.
Если же ввести в качестве примеси элемент 3 группы, то получится акцепторный
полупроводник, обладающий дырочной проводимостью (р-тип) (рис. 1.2).
6
Рис. 1.2. Энергетические схемы полупроводников n-типа (а) и p-типа (б)
Для того, чтобы использовать для описания движения электронов и дырок в полупроводниках
классические представления, вводятся понятия эффективных масс электрона и дырки mn* и
mp* соответственно. В этом случае уравнения механики a = F/m*, или dp/dt = F, будут
справедливы, если вместо массы свободного электрона (электрона в вакууме) m0 в эти
уравнения подставить эффективную массу электрона mn* (p = mn*·v). Эффективная масса
учитывает влияние периодического потенциала атомов в кристалле полупроводника на
движение электронов и дырок и определяется уравнениями дисперсии.
1.3. Статистика электронов и дырок в полупроводниках
Равновесные процессы - процессы, происходящие в телах, которые не подвергаются внешним
воздействиям. В состоянии термодинамического равновесия для данного образца кристалла
при заданной температуре существует определенное распределение электронов и дырок по
энергиям, а также значения их концентраций. Вычисление концентраций основных и
неосновных носителей заряда составляет главную задачу статистики электронов и дырок в
кристаллах.
Рассматриваемая задача распадается на две части: чисто квантовомеханическую - нахождение
числа возможных квантовых состояний электронов и статистическую - определение
фактического распределения электронов по этим квантовым состояниям при
термодинамическом равновесии.
1.3.1. Распределение квантовых состояний в зонах
7
Стационарные состояния электрона в идеальном кристалле характеризуются квазиимпульсом
р. Запишем принцип неоднородностей Гейзенберга для квазиимпульсов dpx, dpy и dpz:
(1.1)
Перемножим соответственно левые и правые части этих соотношений. Получим
(1.2)
где
и
, то есть dp - это некоторый объем в пространстве
квазиимпульсов px, py, pz, то есть внутри зоны Бриллюэна, а dV - некоторый объем внутри
полупроводника. При этом объем dV - не обязательно бесконечно малая величина. Он может
быть и конечным. Для расчета концентраций носителей заряда (то есть числа носителей в
единице объема полупроводника) выделим внутри кристалла единичный объем dV = 1 см3.
Тогда из (1.2) получим dp ≤ h3. То есть внутри объема dp = h3 в зоне Бриллюэна может иметь
место только одно квантовое состояние, которое как бы размыто по всему этому объему.
Итак, h3 - это объем одной "квартирки" в зоне Бриллюэна, в которую можно поместить только
два электрона с разными спинами, и не более. Поэтому число квантовых состояний,
соответствующее элементу объема dp в зоне Бриллюэна и рассчитанное на единицу объема
кристалла, равно dp/h3 - то есть числу "квартирок" в объеме dp. При заполнении зоны
проводимости электронами заполняются вначале самые нижние уровни. Зона проводимости одномерная относительно энергии (рис. 1.3а). Зона Бриллюэна - трехмерная (px, py, pz) (рис.
1.3б). Заполнение зоны Бриллюэна начинается с самых малых значений квазиимпульса p.
Поэтому в качестве dp надо выбрать элемент объема, заключенный между двумя очень
близкими изоэнергетическими поверхностями (см. рис. 1.3б). Внутри этого тонкого шарового
слоя радиусом p и толщиной dp число квантовых состояний будет равно:
(1.3)
Рис. 1.3. Диаграмма для расчета плотности квантовых состояний:
а - распределение электронов по энергии в зоне проводимости;
б - зона Бриллюэна для расчета плотности состояний
Определим число квантовых состояний в зоне проводимости в узком интервале энергий от Е
до Е+dЕ, рассчитанное на единицу объема кристалла. Его можно представить в виде N(E)dE,
где N(E) есть плотность состояний.
8
Вблизи дна зоны проводимости для случая изотропного параболического закона дисперсии
энергия электрона
(1.4)
где ЕC - энергия, соответствующая дну зоны проводимости. Для удобства эффективную массу
электрона mn будем писать без звездочки. Из (1.4) получим
, то есть
и
. Подставляем в (1.3), имеем
(1.5)
Отсюда
(1.6)
Аналогичная формула получается и для валентной зоны, но только вместо (Е - ЕC) напишем
(ЕV - Е), а вместо mn - эффективную массу дырки mp.
Как видно из (1.6), плотность квантовых состояний возрастает по мере удаления от дна зоны
проводимости.
1.3.2. Концентрация носителей заряда и положение уровня Ферми
Электроны, как частицы, обладающие полуцелым спином, подчиняются статистике ФермиДирака. Вероятность того, что электрон будет находиться в квантовом состоянии с энергией
Е, выражается функцией Ферми-Дирака:
(1.7)
Здесь F - электрохимический потенциал, или уровень Ферми. Из (1.7) видно, что уровень
Ферми можно определить как энергию такого квантового состояния, вероятность заполнения
которого равна 1/2.
Вид функции Ферми-Дирака схематически показан на рисунке 1.4. При Т = 0 она имеет вид
разрывной функции. Для E < F она равна 1, а значит, все квантовые состояния при E < F
заполнены электронами. Для E > F функция f = 0 и соответствующие квантовые состояния
совершенно не заполнены. При Т > 0 функция Ферми изображается непрерывной кривой и в
узкой области энергий, порядка нескольких kT, в окрестности точки E = F быстро изменяется
от 1 до 0. Размытие функции Ферми тем больше, чем выше температура.
9
Рис. 1.4. Функция распределения плотности состояний в зоне проводимости N(E),
функции Ферми-Дирака f и Больцмана fБ
Вычисление различных статистических величин значительно упрощается, если уровень
Ферми F лежит в запрещенной зоне энергий и удален от края зоны ЕC хотя бы на 2kT (в
некоторых учебниках пишут ЕC - Е > kT). Тогда в распределении (1.7) единицей в
знаменателе можно пренебречь и оно переходит в распределение Максвелла - Больцмана
классической статистики. Это случай невырожденного полупроводника:
(1.8)
Концентрация электронов в зоне проводимости равна:
(1.9)
Отметим, что в качестве верхнего предела в написанном интеграле мы должны были бы взять
энергию верхнего края зоны проводимости. Но, так как функция f для энергий E > F
экспоненциально быстро убывает с увеличением E, то замена верхнего предела на
бесконечность не меняет значения интеграла. Подставляем в (1.9) выражения (1.6) и (1.8).
Расчет интеграла несложен. Получим
(1.10)
где
(1.11)
Величина NC получила название эффективной плотности состояний в зоне проводимости.
10
В случае невырожденного полупроводника, когда уровень Ферми лежит выше потолка
валентной зоны хотя бы на 2kT, то есть F - EC > 2kT (в некоторых учебниках пишут F - EC >
kT), функция Ферми-Дирака для дырок fp имеет вид
(1.12)
а концентрация дырок в валентной зоне
(1.13)
где EV - энергия, соответствующая потолку валентной зоны, а NV рассчитывается по
уравнению (1.11), если вместо mn взять эффективную массу дырки mp. Величина NV эффективная плотность состояний в валентной зоне.
Отметим, что в (1.9) перед интегралом появился множитель 2, что связано с тем, что на
каждом уровне энергии могут находиться два электрона с противоположными спинами
(принцип Паули).
Для расчета n и p по уравнениям (1.10) и (1.13) необходимо знать положение уровня Ферми F.
Однако произведение концентраций электронов и дырок для невырожденного
полупроводника не зависит от уровня Ферми, хотя зависит от температуры:
(1.14)
Это уравнение используется для расчета p при известном n или, наоборот, для расчета n при
известном p. Величина ni при некоторых температурах для конкретных полупроводников
приводится в справочниках.
1.4. Концентрация электронов и дырок в собственном полупроводнике
Напомним, что полупроводник называется собственным, если в нем отсутствуют донорные и
акцепторные примеси. В этом случае электроны появляются в зоне проводимости только за
счет теплового заброса из валентной зоны, тогда n = p (рис. 1.5).
Рис. 1.5. Заброс из валентной зоны
При отсутствии внешних воздействий (освещение, электрическое поле и т.д.) будем
обозначать концентрации свободных электронов и дырок с индексом нуль, то есть n0 и p0
соответственно. При n0 = p0 из (1.14) получаем:
11
(1.15)
Напомним, что значком ni принято обозначать концентрацию собственных носителей заряда в
зоне проводимости и в валентной зоне. Для расчета NC и NV используется формула (1.11). Как
следует из соотношения (1.15), концентрация собственных носителей определяется в
основном температурой и шириной запрещенной зоны полупроводника. На рисунке 1.6
представлена зависимость концентрации собственных носителей от температуры для
наиболее распространенных полупроводников - кремния, германия, арсенида и фосфида
галлия. Видно, что при изменении ширины запрещенной зоны в диапазоне от 0,6 эВ для
германия до 2,8 эВ для фосфида галлия собственная концентрация ni при комнатной
температуре изменяется от значения 1013 см-3 до 101 см-3.
Рис. 1.6. Зависимость концентрации собственных носителей от температуры для наиболее
распространенных полупроводников - кремния, германия, арсенида и фосфида галлия
1.4. Концентрация электронов и дырок в примесном полупроводнике
Уравнение (1.14) справедливо только для равновесных носителей заряда, то есть в отсутствие
внешних воздействий. В наших обозначениях
(1.16)
Пусть полупроводник легирован донорами с концентрацией ND. При комнатной температуре
в большинстве полупроводников все доноры ионизованы, так как энергии активации доноров
составляют всего несколько сотых электронвольта. Тогда для донорного полупроводника
(1.17)
12
Рис. 1.7. Зонная диаграмма полупроводника n-типа
Концентрацию дырок в донорном полупроводнике найдем из (1.16):
(1.18)
Соответственно если полупроводник легирован акцепторами с концентрацией NA, то
(1.19)
Рис. 1.8. Зонная диаграмма полупроводника p-типа
1.5. Определение положения уровня Ферми
В предыдущих рассуждениях мы считали, что уровень Ферми задан. Посмотрим теперь, как
можно найти положение уровня Ферми.
Для собственного полупроводника уравнение электронейтральности приобретает вид p - n = 0
или p = n. Если ширина запрещенной зоны полупроводника достаточно велика (Eg много
больше kT) и если эффективные массы электронов mn и дырок mp одного порядка, то уровень
Ферми будет достаточно удален от краев зон (EC - F > 2kT и F - EV > 2kT) и полупроводник
будет невырожденным.
Подставляя (1.10) и (1.13) в уравнение p + pD - n - nA = 0, имеем:
(1.20)
Отсюда вычисляем F. Уравнение (1.20) - это уравнение первого порядка относительно
exp(F/kT).
Это дает
(1.21)
13
где через Ei = (1/2)*(EV + EC) обозначена энергия середины запрещенной зоны. При выводе
правого выражения для F величина (NC/NV) была заменена на (mn/mp) с помощью уравнения
(1.11).
Для случая mn* = mp* энергия Ферми в собственном полупроводнике находится посреди
запрещенной зоны F = (EC + EV)/2.
Положение уровня Ферми зависит от того, какие другие величины заданы. Если известны
концентрации носителей заряда в зонах n и p, то значение F можно определить из формул
(1.10) и (1.13). Так, для невырожденного полупроводника n-типа имеем:
(1.22)
Аналогично для невырожденного полупроводника p-типа
(1.23)
Из выражений (1.22 и 1.23) видно, что чем больше концентрация основных носителей, тем
ближе уровень Ферми к краю соответствующей зоны. Для донорного полупроводника n0 = ND
(1.17), тогда
(1.24) Для акцепторного полупроводника p0 = NA (1.19),
тогда
(1.25)
1.6. Проводимость полупроводников
При приложении электрического поля к однородному полупроводнику в последнем
протекает электрический ток. При наличии двух типов свободных носителей - электронов и
дырок - проводимость σ полупроводника будет определяться суммой электронной σn и
дырочной σp компонент проводимости σ=σn+σp. Величина электронной и дырочной
компонент в полной проводимости определяется классическим соотношением:
(1.26)
где μn и μp - подвижности электронов и дырок соответственно.
Для легированных полупроводников концентрация основных носителей всегда существенно
больше, чем концентрация неосновных носителей, поэтому проводимость таких
полупроводников будет определяться только компонентой проводимости основных
носителей. Так, для полупроводника n-типа
(1.27)
Величина, обратная удельной проводимости, называется удельным сопротивлением:
14
(1.28)
Здесь ρ - удельное сопротивление, обычно измеряемое в единицах [Ом·см]. Для типичных
полупроводников, используемых в производстве интегральных схем, величина удельного
сопротивления находится в диапазоне ρ = (1-10) Ом·см.
Подставляя соотношение (1.10) в (1.11), получаем
где ND концентрация доноров в полупроводнике n-типа в условиях полной ионизации доноров,
равная концентрации свободных электронов n0.
В отраслевых стандартах для маркировки полупроводниковых пластин обычно используют
следующее сокращенное обозначение типа: КЭФ-4,5. В этих обозначениях первые три буквы
обозначают название полупроводника, тип проводимости, наименование легирующей
примеси. Цифры после букв означают удельное сопротивление, выраженное во внесистемных
единицах, - Ом·см. Например, ГДА-0,2 - германий, дырочного типа проводимости,
легированный алюминием, с удельным сопротивлением ρ = 0,2 Ом·см; КЭФ-4,5 - кремний,
электронного типа проводимости, легированный фосфором, с удельным сопротивлением ρ =
4,5 Ом·см.
1.7. Токи в полупроводниках
Как уже отмечалось выше, проводимость, а следовательно, и ток в полупроводниках
обусловлены двумя типами свободных носителей. Кроме этого, также есть две причины,
обуславливающие появление электрического тока, - наличие электрического поля и наличие
градиента концентрации свободных носителей. С учетом сказанного плотность тока в
полупроводниках в общем случае будет суммой четырех компонент:
(1.29)
где J - плотность тока, jnE - дрейфовая компонента электронного тока, jnD - диффузионная
компонента электронного тока, jpE - дрейфовая компонента дырочного тока, jpD диффузионная компонента дырочного тока.
Выражение для каждой из компонент тока дается следующими соотношениями:
(1.30)
где Dn - коэффициент диффузии электронов, связанный с подвижностью электронов μn
соотношением
. Аналогичные соотношения существуют для коэффициентов
диффузии дырок Dp и подвижности дырок μp.
15
1.8. Неравновесные носители
Образование свободных носителей заряда в полупроводниках связано с переходом
электронов из валентной зоны в зону проводимости. Для осуществления такого перехода
электрон должен получить энергию, достаточную для преодоления запрещенной зоны. Эту
энергию электрон получает от ионов решетки, совершающих тепловые колебания. Таким
образом, преодоление запрещенной зоны электроном происходит обычно за счет тепловой
энергии решетки. Концентрация носителей заряда, вызванная термическим возбуждением в
состоянии теплового равновесия, называется равновесной.
Однако помимо теплового возбуждения появление свободных носителей заряда может быть
связано с другими причинами, например, в результате облучения фотонами или частицами
большой энергии, ударной ионизации, введения носителей заряда в полупроводник из
другого тела (инжекция) и др. Возникшие таким образом избыточные носители заряда
называются неравновесными. Таким образом, полная концентрация носителей заряда равна:
(1.31)
(1.32)
где n0 и p0 - равновесная концентрация, а Δn и Δp - неравновесная концентрация электронов и
дырок. Если возбуждение избыточных электронов производилось из валентной зоны, а
полупроводник однородный и не содержит объемного заряда, то концентрация избыточных
электронов равна концентрации избыточных дырок:
(1.33)
После прекращения действия механизма, вызвавшего появление неравновесной
концентрации носителей, происходит постепенное возвращение к равновесному состоянию.
Процесс установления равновесия заключается в том, что каждый избыточный электрон при
встрече с вакантным местом (дыркой) занимает его, в результате чего пара неравновесных
носителей исчезает. Явление исчезновения пары носителей получило название рекомбинации.
В свою очередь возбуждение электрона из валентной зоны или примесного уровня,
сопровождающееся появлением дырки, называется генерацией носителей заряда.
На рисунке 1.9 G - это темп генерации, а R - темп рекомбинации свободных носителей заряда
в собственном полупроводнике.
Рис. 1.9. Генерация и рекомбинация свободных электронов и дырок в полупроводниках
16
Скорость (темп) рекомбинации R пропорциональна концентрации свободных носителей
заряда:
(1.34)
где γ - коэффициент рекомбинации. При отсутствии освещения (в темноте) G=G0 и
, величины n0 и p0 иногда называют темновыми концентрациями свободных
электронов и дырок соответственно. Из формул (1.30) и (1.14) получим:
(1.35)
где Eg = EC - EV - ширина запрещенной зоны. Таким образом, G0 будет больше в узкозонных
полупроводниках и при высоких температурах.
Если в полупроводнике нет электрического тока и объемных зарядов, то изменение во
времени неравновесных концентраций электронов и дырок в зонах определяется
уравнениями:
(1.36)
Скорости (темпы) генерации и рекомбинации имеют две составляющие:
(1.37)
где ΔG, ΔR - темпы генерации и рекомбинации только неравновесных электронов, то есть ΔG
- это темп генерации электронов и дырок за счет освещения полупроводника,
и
. Используя равенство (1.31), (1.32) и (1.34), уравнение (1.36) можно свести к
следующему:
(1.38)
Рассмотрим процесс рекомбинации неравновесных носителей заряда (то есть при
выключении освещения в момент времени t = 0). Общее решение уравнения (1.38) довольно
сложное. Поэтому рассмотрим два частных случая.
В собственном полупроводнике при сильном освещении
. Из (1.38) получим:
(1.39)
где Δn0 - начальная концентрация неравновесных носителей заряда. Спад концентрации
происходит по параболическому закону.
В донорном полупроводнике в случае полной ионизации доноров n0 = ND, p0 << n0. Будем
также считать, что Δn << ND. Уравнение (1.38) сводится к виду:
17
(1.40)
где введено обозначение:
(1.41)
Уравнение (1.40) легко решается:
(1.42)
Величина τ имеет смысл среднего времени электронов в зоне проводимости. Полученные
решения иллюстрируются на рисунке 1.10. Из (1.42) видно, что процесс рекомбинации
описывается экспоненциальной зависимостью от времени, причем среднее время жизни
представляет собой такой отрезок времени, за который концентрация избыточных носителей
изменяется в "е" раз.
В заключение отметим, что неравновесные носители заряда появляются только в том случае,
если энергия фотонов при освещении полупроводника превышает ширину запрещенной зоны
(hν > Eg).
Рис. 1.10. Спад неравновесной концентрации электронов во времени в донорном
полупроводнике
1.9. Уравнение непрерывности
Динамика изменения неравновесных носителей по времени при наличии генерации и
рекомбинации в полупроводнике, а также при протекании электрического тока определяется
уравнением непрерывности. Для полупроводника n-типа уравнение непрерывности будет
описывать динамику изменения концентрации дырок pn:
(1.43)
где Jp - дырочный ток, включающий дрейфовую и диффузионную компоненту, Gp - темп
генерации неравновесных носителей, а Rp - темп рекомбинации.
18
Уравнение непрерывности - это уравнение сохранения числа частиц в единице объема. Это
уравнение показывает, как и по каким причинам изменяется концентрация неравновесных
дырок со временем. Во-первых, концентрация дырок может изменяться из-за дивергенции
потока дырок, что учитывает первое слагаемое. Во-вторых, концентрация дырок может
изменяться из-за генерации (ударная ионизация, ионизация под действием света и т. д.). Втретьих, концентрация дырок может изменяться из-за их рекомбинации, что учитывает третье
слагаемое.
2. Полупроводниковые диоды
Введение
Полупроводниковым диодом называют нелинейный электронный прибор с двумя
выводами. В зависимости от внутренней структуры, типа, количества и уровня
легирования внутренних элементов диода и вольт-амперной характеристики свойства
полупроводниковых диодов бывают различными. В данном разделе будут рассмотрены
следующие типы полупроводниковых диодов: выпрямительные диоды на основе p-n
перехода, стабилитроны, варикапы, туннельные и обращенные диоды.
2.1. Характеристики идеального диода на основе p-n перехода
Основу выпрямительного диода составляет обычный электронно-дырочный переход. Как
было показано в главе 2, вольт-амперная характеристика такого диода имеет ярко
выраженную нелинейность, приведенную на рисунке 4.1(а,б), и описывается уравнением
(4.1). В прямом смещении ток диода инжекционный, большой по величине и представляет
собой диффузионную компоненту тока основных носителей. При обратном смещении ток
диода маленький по величине и представляет собой дрейфовую компоненту тока
неосновных носителей. В состоянии равновесия суммарный ток, обусловленный
диффузионными и дрейфовыми токами электронов и дырок, равен нулю.
J  J s e VG  1 ,
(4.1)


j pE  j nD  j nE  j pD  0
19
Рис. 4.1. Параметры полупроводникового диода
а) вольт-амперная характеристика б) конструкция корпуса
Для анализа приборных характеристик выпрямительного диода важными являются такие
дифференциальные параметры, как коэффициент выпрямления, характеристичные
сопротивления и емкости диода в зависимости от выбора рабочей точки.
2.2. Выпрямление в диоде
Одним из главных свойств полупроводникового диода на основе p-n перехода является
резкая асимметрия вольт-амперной характеристики: высокая проводимость при прямом
смещении и низкая при обратном. Это свойство диода используется в выпрямительных
диодах. На рисунке 4.2(а) приведена схема, иллюстрирующая выпрямление переменного
тока в диоде.
Рассмотрим, каков будет коэффициент выпрямления идеального диода на основе p-n
перехода. Для этого рассчитаем по уравнению (4.1) коэффициент выпрямления К как
отношение прямого тока к обратному току диода при значениях напряжения U =  0,01 В;
0,025 В; 0,1 В; 0,25 В; 1 B. Получаем:
J
e VG  1
.
(4.2)
K     VG
J
e
1
Учтем, что величина -1 при комнатной температуре составляет -1 = 0,025 В. Результаты
расчета приведены в следующей таблице.
VG, B
K, отн. ед.
 0,01
1,0
0,025
1,1
0,1
0,25
1
Как следует из таблицы и соотношения (4.2), при значениях переменного напряжения,
модуль которого VG меньше, чем тепловой потенциал kT/q, полупроводниковый диод не
выпрямляет переменный ток. Коэффициент выпрямления достигает приемлемых величин
при значениях VG по крайней мере в 4 раза больших, чем тепловой потенциал kT/q, что
при комнатной температуре Т = 300 К соответствует значению напряжения VG =  0,1 В.
2.3. Характеристическое сопротивление
Различают два вида характеристического сопротивления диодов: дифференциальное
сопротивление rD и сопротивление по постоянному току RD.
Дифференциальное сопротивление определяется как
1
dU  dI 
kT / q
1
.
(4.3)
rD 

 js e V  js  js   I  I s  

dI  dU 
I  Is
На прямом участке вольт-амперной характеристики диода дифференциальное
сопротивление rD невелико и составляет значение несколько Ом. Действительно, при
значении прямого тока диода I = 25 мА и значении теплового потенциала kT/q = 25 мВ
величина дифференциального сопротивления rD будет равна rD = 1 Ом. На обратном
участке вольт-амперной характеристики диода дифференциальное сопротивление rD
стремится к бесконечности, поскольку в идеальных диодах при обратном смещении ток не
зависит от напряжения.
Сопротивление по постоянному току RD определяется как отношение приложенного
напряжения VG к протекающему току I через диод:
U I 
RD    
I U 
1

U
.
I 0 e U  1
(4.4)
20
На прямом участке вольт-амперной характеристики сопротивление по постоянному току
больше, чем дифференциальное сопротивление RD > rD, а на обратном участке – меньше
RD < rD.
В точке вблизи нулевого значения напряжения VG << kT/q значения сопротивления по
постоянному току и дифференциального сопротивления совпадают. Действительно,
разложив экспоненту в ряд в соотношении (4.4), получаем:
kT 1
RD 
 rD .
(4.5)
q I0
Используя характерное значение для обратного тока диода I0 = 25 мкА, получаем
величину сопротивления диода в нулевой точке RD0 = rD0 = 1 кОм.
Рис. 4.2. Приборные характеристики выпрямительных диодов
а) схема, иллюстрирующая выпрямление переменного тока с помощью диода; б) зависимость
дифференциального сопротивления диода ГД402 от величины тока при прямом смещении; в)
зависимость емкости диода от обратного напряжения
2.4. Влияние температуры на характеристики диодов
Как уже отмечалось, при прямом смещении ток диода инжекционный, большой по
величине и представляет собой диффузионную компоненту тока основных носителей. При
обратном смещении ток диода маленький по величине и представляет собой дрейфовую
компоненту тока неосновных носителей. Зависимость тока от напряжения определяется
соотношением: J  J s e VG  1 .
Для несимметричного p-n+ перехода NA << ND концентрация неосновных носителей в pобласти существенно выше, чем в n-области np0 >> pn0. Обратный ток в этом случае


E
g

n2
обусловлен дрейфовой электронной компонентой np0  i ~ e kT , поскольку
nn0
ni  N C N V e

Eg
2 kT
.
21

Eg
Обратный ток диода в этом случае будет I 0  const  e
.
Вблизи комнатной температуры Тк при ее небольших отклонениях можно записать:
1 1 T
 ~
, тогда температурная зависимость тока преобразуется к следующему виду:
Tê T
Tê
2 kT
I 0 T   I R Tê eT .
(4.20)
Величина коэффициента  для различных полупроводников будет следующей: для
германия Ge = 0,09 град-1 до T = 700, для кремния Si = 0,13 град-1 до Т = 1200.
В практических случаях используют понятие температуры удвоения обратного тока
диода. Соотношение (4.20) преобразуется к следующей форме, при этом
T
I 0 T   I 0 T0 2 * ,
(4.21)
T
ln 2
где T * 
– температура удвоения тока, величина этой температуры будет равна:
a
T* = 10; 8; 7; 5, при значениях  = 0,07; 0,03; 0,1; 0,13.
Из соотношения (4.21) и значения температуры удвоения тока T* = 10 следует простое
правило: обратный ток диода удваивается при увеличении температуры на каждые 10ºС.
Рис. 4.8. Вольт-амперные характеристики диода ГД107
а) при прямом смещении б) при обратном смещении в) температурная зависимость
прямого тока диода
3.Транзисторы
Биполярный транзистор представляет собой полупроводниковый прибор, состоящий из
трёх областей с чередующимися типами электропроводности, пригодный для усиления
мощности.
Эти области разделяются электронно-дырочными переходами(э-д переходами).
Особенность транзистора состоит в том, что между его э-д переходами существует
взаимодействие - ток одного из электродов может управлять током другого. Такое
22
управление возможно, потому что носители заряда, инжектированные через один из э-д
переходов могут до другого перехода, находящегося под обратным напряжением, и
изменить его ток.
Каждый из переходов транзистора можно включить либо в прямом, либо в обратном
направлении. В зависимиости от этого различают три режима работы транзистора:
1.Режим отсечки - оба э-д перехода закрыты, при этом через транзистор обычно идёт
сравнительно небольшой ток;
2.Режим насыщения - оба э-д перехода открыты;
3.Активный режим - один из э-д переходов открыт, а другой закрыт.
В режиме отсечки и режиме насыщения управление транзистором почти отсутствует. В
активном режиме такое управление осуществляется наиболее эффективно, причём
транзистор может выполнять функции активного элемента электрической схемы.
Область транзистора, расположннная между переходами называется базой(Б).
Примыкающие к базе оласти чаще всего делают неодинаковыми. Одну из них
изготовляют так, чтобы из неё наиболее эффективно происходила инжекция в базу, а
другую - так, чтобы соответствующий переход наиличшим образом осуществлял
экстракцию инжектированных носителей из базы.
Область транзистора, основным назначением которой является инжекция носителей в
базу, называют эмиттером(Э), а соответствующий переход эмиттерным.
Область, основным назначением которой является экстракцией носителей из базы коллектор(К), а переход коллекторным.
Если на Э переходе напряжение прямое, а на К переходе обратное, то включение
транзистора считают нормальным, при противоположной полярности - инверсным.
Основные характеристики транзистора определяются в первую очередь процессами,
происходящими в базе. В зависимости от распределения примесей в базе может
присутствовать или отсутстввать электрическое поле. Если при отсутствии токов в базе
существует электрическое поле, которое способствует вижению неосновных носителей
заряда от Э к К, то транзистор называют дрейфовым, усли же поле в базе отсутствует бездрейфовый(диффузионный).
3.1. Принцип работы транзистора
Когда ключ разомкнут, ток в цепи эмиттера(далее Э) отсутствует. При этом в цепи
коллектора(К) имеется небольшой ток, называемый обратным током К и обозначаемый
Iкбо. Этот ток очень мал,так как при обратном смещении К перехода потенциальный
барьер велик и непреодолим для основных носителей- дырок коллектора и свободных
электронов базы. К легирован примесью значительно сильнее, чем база. Вследствие этого
неосновных носителей в коллекторе значительно меньше, чем в базе, и обратный ток К
создаётся главным образом неосновными носителями: дырками, генерируемыми в базе в
результате тепловых колебаний, и электронами, генерируемыми в К.
Замыкание ключа в цепи Э приводит к появлению тока в этой цепи, так как смещение
эмиттерного p-n перехода в прямом направлении понижает потенциальный барьер для
дырок, переходящих из Э в Б, и для электронов переходящих иэ Б в Э. Мы рассматриваем
23
только дырки так как только они создают пририщение коллекторного тока. Говорят что
дырки инжектируются в базу.
В базе обыкновенного транзистора электрическое поле отсутствует, поэтому дальнейшее
движение инжектированых дырок определяется процессом диффузии. Так как толщина
базы транзистора много меньше длины свободного пробега дырки до рекомбинации, то
большая часть инжектированных дырок достигает коллекторного перехода, благодаря
чему коллекторный ток усиливается. Лишь очень небольшая часть дырок рекомбенирует.
3.2.Параметры транзистора как элемента цепи
Транзистор является управляемым элементом цепи. Если на входе транзистора нет
управляющего сигнала , то является пассивным элементом. Если к входу транзистора
приложено переменное напряжение ,то транзистор приобретает свойства активного
элемента и отдаёт мощность нагрузке. В усилительном режиме на входе транзистора
действует переменное напряжение, поэтому он является активным четырёхполюсником.
Если переменные напряжения на переходах транзистора достаточно малы, токи в нём
оказываются линейными функциями этих напряжений. Транзистор можно рассматривать
как линейный четырёхполюсник.
Переменные величины i1, u1, i2, u2, характеризующие электрические свойства
транзистора, взаимно связаны. Если любые две из них заданы, то оставшиеся
определяются однозначно по параметрам транзистора. За независимые переменные можно
принять две любые из этих величин, а две другие - представить в виде функции
независимях переменных.
Параметры холостого хода транзистора (z-параметры)
Параметры короткого замыкания (y-параметры)
Смешанная система параметров (h-параметры)
Параметры холостого хода (z-параметры)
Вводя новые обозначения для частных производных, имеющих размерность
сопротивлений, и заменяя дифференциалы токов и напряжений комплексными
амплитудами малых переменных сигналов( U и I ), получаем:
U1 = Z11 I1 + Z12 I2; (1)
U2 = Z21 I1 + Z22 I2, (2)
где Z11, Z12, Z21, Z22 - характеристические сопротивления транзистора.
24
Характеристические сопротивления называют параметрами холостого хода, так как они
определяются при условии холостого хода входа или выхода по переменному току т.е при
равенстве нулю однго из токов в уравнениях (1) и (2).
Входное сопротивление транзистора при холостом ходе на выходе:
Z11 = U1/I1, при I2 = 0
Сопротивление обратной связи (обратной передачи) при холостом ходе на выходе:
Z12 = U1/I2, при I1 = 0
Сопротивление прямой передачи (сопротивление усиления) при холостом ходе на выходе:
Z21 = U2/I1, при I2 = 0
Выходное сопротивление транзистора при холостом ходе на входе:
Z22 = U2/I2, при I1 = 0
Зависимость z-параметров от режима работы легко выражается аналитически.
Недостатком является трудность измерения параметра Z11, т.е осуществления режима
холостого хода по переменному току на
Параметры короткого замыкания (y-параметры)
Зависимость токов от напряжения можно записать так (I1, U1, I2, U2-комплексные
амплитуды малых переменных сигналов):
I1 = Y11 U1 + Y12 U2;
I2 = Y21 U1 + Y22 U2,
где Y11, Y12, Y21, Y22 - характеристические проводимости четырёхполюсника, которые
определяются при условии короткого замыкания входа или выхода транзистора по
переменному току.
Входная проводимость при коротком замыкании выхода:
Y11 = I1/U1, при U2 = 0
Проводимость обратной связи (обратной передачи) при коротком замыкании входа:
Y12 = I1/U2, при U1 = 0
Проводимость прямой передачи (усиления) при коротком замыкании выхода:
Y21 = I2/U1, при U2 = 0
Выходная проводимость при коротком замыкании входа:
Y22 = I2/U2, при U1 = 0
Смешанная система параметров (h-параметры)
Выражения для токов и напряжений можно записать так (I1, U1, I2, U2-комплексные
амплитуды малых переменных сигналов):
25
U1 = h11 I1 + h12 U2;
I2 = h21 I1 + h22 U2,
где h11, h12, h21, h22 - гибридные (смешанные) параметры четырёхполюсника.
В отличие от y- и z-параметров h-параметры имеют различную размерность. Это
объясняется тем, что в качестве независимых параметров взяты различные по
размерностям величины - входной ток I1 и выходное напряжение U2.
Входное сопротивление:
h11 = U1/I1, при U2 = 0
Коэффициент обратной связи по напряжению:
h12 = U1/U2, при I1 = 0
Коэффициент передачи по току (коэффициент усиления):
h21 = I2/I1, при U2 = 0
Выходная проводимость:
h22 = I2/U2, при I1 = 0
Достоинством системы h-параметров является лёгкость измерения её параметров.
3.3.Типы транзисторов:
Биполярный n-р-n-транзистор
n-р-n-транзистор, являющийся основным элементом биполярных ИМС (рис. 2),
изготавливают по планарной эпитаксиальной технологии. Все остальные элементы ИМС
выполняют в том же технологическом цикле.
Эпитаксиальный слой п (коллектор транзистора) принято называть коллекторным слоем
(хотя на его основе можно, например, изготовить и резистор): диффузионный слой р (база
транзистора) - базовым слоем, диффузи онный слой n+ (эмиттер транзистора) эмиттерным. Базовый слой - всегда диффузионный, поэтому в интегральных микросхемах
используются только дрейфовые транзисторы. Пунктиром на рис. 2 показан путь тока
между коллектором К и эмиттером Э (базовый ток на несколько порядков меньше, им
пренебрегают). От К ток проходит к Э через большое сопротивление коллекторного слоя в
горизонтальном направлении rkk и сопротивление в вертикальном направлении r*kk.
Вертикальная составляющая сопротивления коллекторного слоя мала (r*kk << rkk),
поэтому общее сопротивление в цепи коллектора определяется величиной rkk. Чтобы
уменьшить rkk, в транзистор вводят дополнительный элемент - скрытый
26
сильнолегированный n+ слой. Тогда основная часть тока от коллектора к эмиттеру
проходит по низкоомному участку n+, сопротивление коллекторного слоя получается
небольшим (уменьшается почти в 20 раз). Рабочий интегральный транзистор п-р-п связан
в структуре с «паразитным» транзистором р-п-р (Э', Б' и К' на рис. 2). Последний
неизбежно получается, так как структура четырехслойна, и есть еще слой р (подложка).
Если паразитный транзистор заперт (на эмиттере Э' - минус, на базе Б' - плюс), то n-р-nтранзистор работает в активном режиме. Но если паразитный транзистор отперт (на
эмиттере Э' - плюс, на базе Б' - минус), в его эмиттерной цепи течет ток I, в
коллекторной-ток aрпр * I и часть тока ответвляется в подложку, минуя рабочий n-р-nтранзистор. В этом случае последний оказывается в режиме насыщения. Коллекторный
ток Ik рабочего p-n-p-транзистора уменьшается на величину тока, уходящего в подложку.
Таким образом «паразитный» транзистор, отсасывая часть тока, ухудшает свойства
рабочего транзистора. Для того чтобы избежать ухудшения параметров транзистора в
режиме переключения, необходимо резко уменьшить ток aрпр' через паразитный
транзистор в подложку. К сожалению, ток I уменьшить нельзя, следовательно, нужно
уменьшить коэффициент aрпр. Известно, что a ~ 1 - 1/2 * (W / L)^2, где W - толщина базы,
а L - диффузионная длина. Чтобы уменьшить а, следует увеличить W или уменьшить L
3.4Технологические разновидности биполярных транзисторов
Среди многочисленных разновидностей транзисторов наибольшее распространение
получили сплавные, сплавно-диффузионные, диффузионно-планарные, мезапланарные и
эпитаксиально-планарные транзисторы (рис. 1). Сплавные транзисторы (преимущественно
германиевые) изготовляют по сплавной технологии получения p-n-переходов.
Транзисторная структура с двумя близко расположенными p-n-переходами показана на
рис. 2, а одна из наиболее распространенных конструкций сплавного транзистора - на рис.
3 (где 1 - кристалл Ge; 2 - кристаллодержатель; 3 - электрод эмиттера; 4 - электрод
коллектора; 5 - базовое кольцо; 6 - корпус; 7 - основание; 8 - выводы). В сплавных
транзисторах трудно сделать очень тонкую базу, поэтому они предназначены только для
низких и средних частот, их могут выпускать на большие мощности, до десятков ватт. В
мощных транзисторах электронно-дырочные переходы выполняют большой площади,
вывод коллектора соединяется с корпусом. Основание корпуса для лучшего охлаждения
изготавливают в виде массивной медной пластины, которую монтируют на теплоотводе
или на шасси электронной схемы. Недостатки сплавных транзисторов - сравнительно
невысокая предельная частота fa 20 МГц, значительный разброс параметров и некоторая
нестабильность свойств транзистора во времени. Сплавно-диффуэионные транзисторы
изготавливают сочетанием сплавной технологии с диффузионной. В этом случае
наплавляемая навеска содержит как донорные (сурьма), так и акцепторные (индий)
примеси. Навески размещают на исходной полупроводниковой пластине и прогревают.
При сплавлении образуется эмиттерный переход. Однако при высокой температуре
одновременно с процессом плавления происходит диффузия примесей из расплава в глубь
кристалла. Примеси доноров и акцепторов распределяются по толщине кристалла при
этом неравномерно, так как разные примеси диффундируют на разную глубину
(например, диффузия сурьмы идет скорее, чем индия). В кристаллов результате
образуется диффузионный базовый слой n-типа с неравномерным распределением
примесей (получается «встроенное» в базу электрическое поле). Коллектором служит
исходная пластинка герма-ния p-типа. Перенос неосновных носителей через базовую
область осуществляется в основном дрейфом во «встроенном» электрическом полем
транзисторы поэтому называют дрейфовыми. Толщина базы транзисторов .может быть
уменьшена до 0,5-1 мкм. Рабочие частоты достигают 500-1000 МГц. Широкий диапазон
частот является основным достоинством этой разновидности транзисторов. К недостаткам
относятся низкие обратные напряжения на эмиттере из-за сильного легирования
эмиттерной области, а также трудности в разработке транзисторов на высокие напряжения
27
и большие мощности. В последние годы при изготовлении дрейфовых транзисторов
широко используется метод двойной диффузии. В этом случае базовая и эмиттерная
области получаются при диффузии примесей п- и p-типа в исходную пластинку
полупроводника. Такие транзисторы изготавливают в виде планарных структур и мезаструктур.
4.Программа расчета параметров диода и транзистора
Данная программа написана на языке программирования Pascal. Суть программы состоит
в том, что по вводимым данным программа, с помощью физических формул,
рассчитывает параметры диода и транзистора.
Основные расчетные формулы:
U1
U 2  const
I1
U1
h12 
I1  const
U 2
I
h21  2 U 2  const
I1
I 2
h22 
I1  const
U 2
h11 
h21э
16..60
-входное сопротивление
-коэффициент обратной связи по напряжению
-коэффициент передачи по току
-выходная проводимость
Паспортные данные биполярного транзистора МП39:
IК мах , мА
UКэмах ,В
UКбмах ,В
20
-15
-20
РКмах ,мВт
150 103
Схемы исследования биполярного транзистора:
Результаты полученных измерений:
Семейство входных характеристик транзистора Uбэ=f(Iб) при Uкэ=const
Uкэ=0
Iб,мА
0,06
0,1
0,2
0,3
0,8
28
В
Uкэ=5
В
Uбэ,В
0,1
0,12
0,14
0,16
0,12
Iб,мА
Uбэ,В
0,1
0,15
0,2
0,18
0,4
0,22
0,6
0,25
0,8
0,27
1
0,28
Семейство выходных характеристик транзистора Iк=f(Uкэ) при Iб=const
Iб=0.2 мА
Iб=0.4 мА
Iб=0.56мА
Uкэ, В
Iк, мА
Uкэ, В
Iк, мА
Uкэ, В
Iк, мА
0,2
1
0,2
2,3
0,2
3,2
2
1,6
1
4
1
6,8
3
1,7
2
4,2
2
7
4
1,8
4
4,4
3
7,1
7
1,9
6
4,6
4
7,2
10
1,95
10
4,9
6
7,6
Семейство прямой передачи по току Iк=f(Iб) при Uкэ=const
Uкэ=2В
Uкэ=9В
Iб,мА
Iк,мА
Iб,мА
Iк,мА
0,2
1,8
0,2
2,2
0,4
4,2
0,4
5,2
0,6
7,2
0,6
9,2
h11э= (Uбэ’’’-Uбэ’’)/(Iб’’’-Iб’’) при Uкэ=Uкэ’’
h11э=0,125 Ом
h12э= (Uбэ’’’-Uбэ’)/(Uкэ’’-Uкэ) при Iб=Iб’’’
h12э=0,012
h22э=(Iк’’-Iк’)/(Uкэ’’-Uкэ’) при Iб=const
h22э=0,1 Cм
h21э=(Iк’’’-Iк’)/(Iб’’’-Iб’’) при Uкэ=const
h21э=17,5
29
Текст программы расчета параметров транзистора и диода.
program parametr; {программа расчета диодов, транзисторов}
uses CRT;
{подключение модуля CRT}
30
var ch,ch1:char;
i:integer;
{символьные переменные для определения нажатой клавиши}
procedure clear; {процедура очистки экрана с сохранением заголовка
программы}
begin
gotoXY(1,2);
{установка позиции курсора}
for i:=1 to 23 do
{цикл зарисовки содержимого экрана цветом фона}
write('
');
end;
procedure tell(xPos,yPos:byte; s:string; color:byte); {процедура, выводящая}
begin
{надпись s в позиции экрана xPos,yPos цветом color}
textColor(color);
{установка цвета color}
gotoXY(xPos,yPos);
{установка позиции курсора}
writeln(s);
{вывод надписи}
end;
procedure fiz_po_h; {расчет физ. парам. транз. по h-параметрам}
var n:byte;
y,h1,h2,h3,h4,r1,r2,r3,r4,a:real;
begin
clear;
{вызов процедуры очистки экрана}
tell(5,4,'РАСЧЕТ ФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ТРАНЗИСТОРА ПО h-ПАРАМЕТРАМ:',0);
tell(5,6,'Выберите вариант схемы включения:',0);
tell(15,7,'[1]...С общим эмиттером',1);
tell(15,8,'[2]...С общей базой',1);
tell(15,9,'[3]...С общим коллектором',1);
repeat
ch1:=readKey;
{ожидание нажатия клавиши}
if ch1='1' then n:=1;
if ch1='2' then n:=2;
if ch1='3' then n:=3;
until (ch1='1')or(ch1='2')or(ch1='3');
writeln;
if n=1 then writeln(' Выбрана схема с ОЭ');
if n=2 then writeln(' Выбрана схема с ОБ');
if n=3 then writeln(' Выбрана схема с ОК');
writeln;
textColor(0);
{ввод данных для расчета}
write(' Введите сопротивление эмттера Rэ=');readln(r1);
write(' Введите сопротивление базы Rб=');readln(r2);
write(' Введите сопротивление коллектора Rк=');readln(r3);
write(' Введите коэффициент передачи тока эмиттера А=');readln(a);
clear;
{очистка экрана}
if n=1 then
{расчет для схемы с ОЭ}
begin
y:=r1+r3-a*r3;
h1:=r2+r1*r3/y;
h2:=r1/y;
h3:=(a*r3-r1)/y;
h4:=1/y;
end;
if n=2 then
{расчет для схемы с ОБ}
begin
y:=r2+r3;
h1:=r1+((1-a)*r2*r3)/y;
h2:=r2/y;
h3:=-(r2+a*r3)/y;
h4:=1/y;
end;
if n=3 then
{расчет для схемы с ОК}
31
begin
y:=r1+r3-a*r3;
h1:=r2+r1*r3/y;
h2:=r3*(1-a)/y;
h3:=-r3/y;
h4:=1/y;
end;
clear;
{очистка экрана}
textColor(0);
{вывод результатов расчета}
tell(5,4,'Результаты расчета:',1);
writeln('
Входное сопротивление h11=',h1);
writeln('
Коэффициент обратной связи по напряжению h12=',h2);
writeln('
Коэффициент передачи по току h21=',h3);
writeln('
Выходная проводимость h22=',h4);
ch1:=readKey;
{ожидание нажатия клавиши}
end;
procedure h_po_fiz; {расчет физ. парам. транз. по h-параметрам}
var n:byte;
h1,h2,h3,h4,r1,r2,r3,r4,a:real;
begin
clear;
{очистка экрана}
tell(5,4,'РАСЧЕТ ФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ТРАНЗИСТОРА ПО h-ПАРАМЕТРАМ:',0);
tell(5,6,'Выберите вариант схемы включения:',0);
tell(15,7,'[1]...С общей базой',1);
tell(15,8,'[2]...С общим эмиттером',1);
repeat
ch1:=readKey;
{ожидание нажатия клавиши}
if ch1='1' then n:=1;
if ch1='2' then n:=2;
until (ch1='1')or(ch1='2');
writeln;
if n=1 then writeln(' Выбрана схема с ОБ');
if n=2 then writeln(' Выбрана схема с ОЭ');
writeln;
textColor(0);
write(' Введите входное сопротивление h11=');readln(h1);
write(' Введите коэффициент обратной связи по напряжению h12=');readln(h2);
write(' Введите коэффициент передачи по току h21=');readln(h3);
write(' Введите коэффициент входную проводимость h22=');readln(h4);
if n=1 then
{расчет для схемы с ОБ}
begin
r1:=h1-(1+h3)*h2/h4;
r2:=h2/h4;
r3:=(1-h2)/h4;
r4:=-(h2+h3)/h4;
a:=-(h2+h3)/(1-h2)
end;
if n=2 then
{расчет для схемы с ОЭ}
begin
r1:=h2/h4;
r2:=h1-(1+h3)*h2/h4;
r3:=(1+h3)/h4;
r4:=(h2+h3)/h4;
a:=(h2+h3)/(1+h3)
end;
clear;
{очистка экрана}
textColor(0);
{вывод результатов расчета}
tell(5,4,'Результаты расчета:',1);
writeln('
Сопротивление эмиттера Rэ=',r1:3:3);
writeln('
Сопротивление базы Rб=',r2:3:3);
writeln('
Сопротивление коллектора Rк=',r3:3:3);
32
writeln('
Сопротивление Rм=',r4:3:3);
writeln('
Коэффициент передачи тока эмиттера А=',a:3:3);
ch1:=readKey;
{ожидание нажатия клавиши}
end;
procedure tranzMenu; {процедура меню расчета транзистора}
begin
clear;
{очистка экрана}
tell(5,5,'ВАРИАНТЫ РАСЧЕТА ТРАНЗИСТОРА:',0);
tell(10,6,'[1] ... Расчет физических параметров по h-параметрам',1);
tell(10,7,'[2] ... Расчет h-параметров по физическим параметрам',1);
tell(5,10,'Другие клавиши - возврат в главное меню',8);
ch1:=readKey;
{ожидание нажатой клавиши}
if ch1='1' then h_po_fiz;
{если нажата 1, то вызов процедуры h_po_fiz }
if ch1='2' then fiz_po_h;
{если нажата 2, то вызов процедуры fiz_po_h}
{если нажата другая клавиша, то возврат в главное меню}
end;
procedure diodParam;
{процедура расчета характеристик диода}
var It,It0,Io,Io0,t,I,U,r:real;
begin
clear;
{очистка экрана}
tell(5,5,'Расчет характеристик диода',0);
writeln;
textColor(1);
{ввод данных для расчета}
write(' Введите тепловой ток диода при t=20 град.С Iт(to)=');read(It0);
write(' Введите обратный ток диода при t=20 град.С Iобр(to)=');read(Io0);
write(' Введите рабочую температуру, град.С. t=');read(t);
write(' Введите ток проходящий через диод, А I=');read(I);
write(' Введите сопротивление базы, Ом rб=');read(r);
clear;
{очистка экрана}
{расчет и вывод результатов}
tell(5,5,'Результаты расчета:',0);
textColor(1);
It:=It0*exp(0.09*(t-20));
writeln('
Тепловой ток при температуре t=',t:3:2,' град.С.');
writeln('
Для германиевых диодов It=',It);
It:=It0*exp(0.13*(t-20));
writeln('
Для кремниевых диодов It=',It);
writeln;
writeln('
Обратный ток при температуре t=',t:3:2,' град.С.');
Io:=Io0*exp((t-20)/9);
writeln('
Для германиевых диодов Iобр=',Io);
Io:=Io0*exp((t-20)/6.5);
writeln('
Для кремниевых диодов Iобр=',Io);
readKey;
{ожидание нажатия клавиши}
end;
procedure menu;
{процедура главного меню программы}
begin
repeat
{цикл опроса меню}
textBackGround(7); {серый цвет фона}
clrscr;
{очистка экрана}
textColor(0);
{черный цвет символов}
textBackGround(3); {голубой цвет фона}
writeln('
ПРОГРАММА РАСЧЕТА ПАРАМЕТРОВ ЭЛЕМЕНТОВ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ
СХЕМ
');
textBackGround(7); {серый цвет фона}
tell(10,5,'Произвести рассчет:',0);
33
tell(20,6,'[1] ............ Диода',1);
tell(20,7,'[2] ...... Транзистора',1);
tell(10,10,'Для выбора нажмите соответствующую клавишу',8);
tell(10,12,'[пробел] ... Выход из программы',1);
ch:=readKey;
{ожидание нажатия клавиши}
if ch='1' then diodParam;
{если нажата 1, то вызов процедуры diodParam}
if ch='2' then tranzMenu;
{если нажата 2, то вызов процедуры tranzMenu}
until ch=' ';
{если нажат пробел, то выход из цикла меню}
end;
BEGIN
{начало программы}
menu;
{вызов процедуры главного меню программы}
textBackGround(0);
{черный цвет фона}
textColor(15);
{белый цвет символов}
clrScr;
{очистка экрана}
END.
{конец программы}
Заключение
В данной работе я показал в большей степени не использование полупроводников в
технике, а азы физики и теории диодов и транзисторов без которых мы не можем
представить современный мир. Приведенная в данной работе программа охватывает лишь
малую часть всех характеристик диода и транзистора, поэтому по ней нельзя в полной
мере судить о применение того или иного диода или транзистора в различных схемах. Но
может помочь в расчетах других параметров. Теория может быть полезна для понимания
принципа действия данных полупроводниковых приборов и расширения их применения,
как в выпрямительных, так и в усилительных каскадах.
34
Список использованной литературы:
1. http://dssp.petrsu.ru/book/ - Твердотельная электроника
2. Г.Г. Шишкина “Электронные приборы” Москва 1989г
3. Савельев И.В. “Курс общей физики “(т 3) М. Наука 1987г
35