Министерство науки и высшего образования Российской Федерации Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ (ТУСУР) Кафедра Промышленной электроники (ПрЭ) «ИЗМЕРЕНИЕ КОНТАКТНОЙ РАЗНОСТИ ПОТЕНЦИАЛОВ» ОТЧЕТ ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №1 по дисциплине «Вакуумная и плазменная электроника» Студенты гр. «__» ________2022 г. Принял: Доцент кафедры ЭП _______ «__» ________2022 г. Томск 2022 2 Содержание Введение .................................................................................................................. 3 Задание на лабораторную работу ....................................................................... 3 2 Основная часть ................................................................................................... 4 Заключение ............................................................................................................. 8 Входной контроль ................................................................................................ 8 Выходной контроль ........................................................................................... 10 3 Введение Цель работы: Освоение методики измерения внешней контактной разности потенциалов между двумя проводящими материалами путем регистрации тока термоэмиссии. Закрепить теоретические сведения о контактной разности потенциалов и экспериментально доказать характер влияния внешней контактной разности потенциалов на характеристики и параметры различных электронных приборов. Задание на лабораторную работу 3.1. Изучить физику процессов при контакте металл-металл и металлполупроводник; 3.2. Изучить методику измерения КРП; 3.3. Научиться работать с виртуальным лабораторным стендом; 3.4. Получить экспериментальную зависимость I a f U a для нескольких значений напряжения накала; 3.5. Построить зависимость ln I a f U a ; 3.6. По точке пересечения возрастающей и горизонтальной частей каждой характеристики определить КРП для каждого значения напряжения накала; 3.7. По угловому коэффициенту возрастающей части каждой характеристики ln I a f U a определить температуру катода; 3.8. Предполагая оксидный слой невырожденным оценить толщину запирающего слоя на границе керн – оксид, в случае оксидного катода на никелевом керне; 3.9. Оценить плотность тока насыщения барьера Шоттки, в случае оксидного катода для каждого значения температуры катода. 4 2 Основная часть Исходные данные для расчётов: Nд 1016 см3 ; 10 ; Для никеля М 4,9 эВ ; Для оксида П 1,3эВ ; U 0; 7 103 Ом1 см1 ; Деление амперметра – 2 мкА; Деление вольтметра – 0,2 В. Полученные экспериментально значения для нескольких напряжений накала занесли в таблицу 1. Таблица 1 – Экспериментальные данные При Uн = 1 В Uа, В 0,2 0,4 0,6 0,8 1 Iа, мкА 4 7,4 12 16 18 При Uн = 3 В Uа, В 0,2 0,4 0,6 0,8 1 Iа, мкА 16 20 36 44 46 При Uн = 5 В Uа, В 0,2 0,4 0,6 0,8 1 Iа, мкА 20 40 56 76 80 При Uн = 7 В Uа, В 0,2 0,4 0,6 0,8 1 Iа, мкА 28 52 80 102 106 При Uн = 9 В Uа, В 0,2 0,4 0,6 0,8 1 Iа, мкА 36 68 94 132 140 5 Используя значения, приведённые в таблице 1 построили график экспериментальной зависимости. 160 Iа, мкА 140 120 Uн = 1 В 100 Uн = 3 В 80 Uн = 5 В 60 Uн = 7 В 40 Uн = 9 В 20 Uа, В 0 0 0,5 1 1,5 Рисунок 2.1 – График зависимости I a f U a при различных значениях напряжения накала. 6 ln Iа 5 Uн = 1 В 4 Uн = 3 В 3 Uн = 5 В Uн = 7 В 2 Uн = 9 В 1 Uа, В 0 0 0,5 1 1,5 Рисунок 2.2 – График зависимости ln I a f U a при различных значениях напряжения накала. 6 Таблица 2 – Результаты измерений КРП, В Uн = 1 В Uн = 3 В Uн = 5 В Uн = 7 В Uн = 9 В 0,8 0,8 0,8 0,8 0,8 Исходя из зависимости ln I a f U a определим угловой коэффициент прямой K, который численно равен тангенсу угла между положительным направлением оси абсцисс и данной прямой линией tg y e . K x kT Таблица 3 – Расчёт углового коэффициента Uн, В 1 3 5 7 9 y 2,77 3,78 4,33 4,63 4,88 x 0,8 0,8 0,8 0,8 0,8 tg α 3,4625 4,725 5,4125 5,7875 6,1 По формуле T e tg рассчитаем значения температуры катода для k различных значений напряжения накала. Для Uн=1В 1,6 1019 Кл 3,46 T 3348,5К . 1,38 1023 Дж К Рассчитав температуру для всех напряжений накала, занесли результаты в таблицу 4. Таблица 4 – Значения температуры катода Uн, В 1 3 5 7 9 Т, К 3348,5 2453,8 2142,1 2003,3 1900,7 Найдём Uk по формуле U k M П U k 4,9эВ 1,3эВ 3,6эВ . 7 Определим толщину запирающего слоя используя формулу 1 2 2 0U k d , получим eN д 1 2 2 10 8,85 10 Ф см 3,6эВ 5 d 6,3 10 см . 19 16 3 1,6 10 Кл 1 10 см 14 1 1 Используя формулу 2 N eU k eU 2 e j д 0 kT рассчитаем значение плотности тока насыщения барьера Шоттки, для всех значений температуры катода, для Т=3348,5К 1 2 1 1016 см3 1,6 1019 Кл 3,6 В 1В 2 1,6 1019 Кл 2 j 7 103 Ом1 см1 exp 25 А см 14 1 23 10 8,85 10 Ф см 1,38 10 Дж К 3348,5 К Полученные значения для каждой температуры занесли в таблицу 5. Таблица 5 – Плотности тока насыщения Т, К 3348,5 2453,8 2142,1 2003,3 1900,7 j, А/см2 25,038 7,0845 3,5623 2,4483 1,7913 8 Заключение В ходе работы была получена зависимость I a f U a , построен график (рисунок 2.1). По результатам измерения выявили, что контактная разность потенциалов при всех значениях напряжения накала остаётся неизменной. Результаты расчётов требуемых величин по данным эксперимента представлены в таблицах 3, 4, 5. Входной контроль 9 10 Выходной контроль 11 12 13