Лекция Julia Kjahrenova 1 При наличии примесей эл.проводимость полупроводников изменяется примесная проводимость – проводимость полупроводников при наличии примесей (пример: добавка в кристалл Si примесей P) Два типа: электронная и дырочная Julia Kjahrenova 2 дырочная проводимость полупроводника – перемещение электронных или ионных дырок под действием внешнего эл. поля (полупроводник p-типa) np >> nn. ℮ переходят от одного атома к другому (рис. ниже) Julia Kjahrenova 3 Julia Kjahrenova 4 Атом In превращается в (–) ион, расположенный в узле кристалл.решетки, а в связи соседних атомов образуется вакансия. На эти места перескакивают ℮ из соседних связей, что приводит к блужданию дырок по кристаллу. Julia Kjahrenova 5 перемещение свободных электронов в полупроводнике. (полупроводник n-типа), nn >> npвозникает, когда в кристалл Ge введены 5-ти валентные атомы мышьяка, As(рис.) Julia Kjahrenova 6 Julia Kjahrenova 7 Пятый ℮ отрывается от атома мышьяка и становится свободным Атом, потерявший электрон, превращается в (+) ион, расположенный в узле кристалл.решетки Julia Kjahrenova 8 в кристалле появляется значительное число свободных ℮ резко ↓ удельное сопротивление полупроводника (ρ) – в тысячи, миллионы раз. Julia Kjahrenova 9