Si (кремний) (а) – строение (b) – энергетические уровни при Т=0 К (с) – энергетические уровни при Т>0 К Относительная спектральная эффективность (относительная видность) для дневного зренияV() и ночного зрения V() Вольт – амперная характеристика p – n перехода Полупрводник n – типа: (а) Строение (b) Уровни энергии при Т = 0 К (с) Уровни энергии при T > 0 K. Полупроводник р – типа: (а) Строение (b) Энергетические уровни при Т = 0 К (с) Энергетические уровни при Т > 0 К Энергия генерации электроннодырочных пар для различных веществ Принцип оптического усиления Стоксовские и антистоксовские линии Структура энергетических уровней p – n перехода Схема p-n перехода Устройство линейной камеры Устройство пирометра Фотоэлектронный умножитель