Finite-difference equations, q-deformed quantum systems, phase

1
ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ
ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ В ИНСТИТУТЕ
ФИЗИКИ НАЦИОНАЛЬНОЙ АКАДЕМИИ
НАУК АЗЕРБАЙДЖАНА
Член-Корр. НАНА Таяр Джумшудович Джафаров
Институт Физики НАН Азербайджана
Пр. Джавида 33, AZ-1143, Баку АЗЕРБАЙДЖАН
E-mail: [email protected]
3
4
Институт Физики, Национальная Академия Наук Азербайджана (1945)
Основные научные направления:
Физика полупроводников и
диэлектриков
Физика ядра
Физико-технические проблемы
энергетики
http://www.physics.gov.az
5
Основные работы в области полупроводникового
материаловедения:
1. Функциональные материалы для нетрадиционной
энергетики
(а) Тонкопленочные полупроводниковые соединения II-VI
для солнечных элементов.
pCdTe/nCdS
CdTe/Cd1-x ZnxS
Cd1-x ZnxTe/CdS
(0 ≤ x ≤ 0.26, 2.43 ≤ Eg ≤ 2.64 eV)
(0 ≤ x ≤ 0.22, 1.50 ≤ Eg ≤ 1.65 eV)
6
(б) Полупроводниковый кремний для солнечных элементов.
- Изучение возможности производства полупроводникового
кремния в Азербайджане из местных природно-чистых
кварцитов;
- Усовершенствование технологии и изготовление
кремниевых солнечных элементов;
- Выращивание однородных и переменных по составу
(варизонных) твердых растворов Ge1-x Six ( могут быть
использованы как прочные, легковесные и недорогие подложки
для AlGaAs/GaAs солнечных элементов);
AlGaAs/GaAs/Si
GaAs/Si (4%)
AlGaAs/GaAs/Ge/GeSi/Si
GaAs/Ge (0.07%)
7
(в) Микро-пористый кремний для водородных топливных элементов.
Элемент на основе Au/пористый кремний структуры в водородосодержащей среде (газообразной или жидкой) генерирует
электрическое напряжение (до 600 мВ).
(г) Термоэлектрические материалы для термоэлементов и других
термоэлектрических преобразователей.
Выращивание кристаллов и получение экструдированных образцов
твердых растворов на основе Bi2Te3 (Bi2Te3- Sb2Te3, Bi2Te3Bi2Se3)
z= (3.1-3.2)x10-3 K-1
z= (2.8-2.9)x10-3 K-1
z= 10x10-3
K-1
для кристаллов (T>200K)
для текстуририванных образцов
для Bi85Te15 (T=77K)
8
2. Полупроводниковые и композитные материалы для электрических,
фотоэлектрических, люминесцентных, акустических и др.
преобразователей
(а) Слоистые и цепочечные полупроводники (GaSe, InSe, Ga2Se3 и
др.) и их твердые растворы.
TlGaSe2, TlInS2 - Tермическая память и влияние внешних факторов
(электрическое поле, освещение и др.) на термическую память
Ga2S3:5mol% Eu (нанокристаллический) - Фотолюминесценция
(более интенсивная и ширoкополосная)
CaGa2Se4:Eu2+ 80-500 К)
Фото- и термолюминесценция (400-700 нм,
9
(б) Фоточувствительные материалы ( CdHgTe, PbTe и др.)
(в) Евтектические композиты на основе III-V
полупроводников.
GaSb-FeGa1.3 , InSb-MnSb, InSb-FeSb - Метод
Бриджмена-направленная кристаллизация. Анизотропия
кинетических характеристик, обусловленная
металлическими включениями в форме игл.
Терморезисторы с линейными термостабильными
характеристиками, работающие при 240-350 К.
10
(г) Композитные материалы на основе полимеров
(полиэтилен, полипропилен, поливинилхлорид, PVDF –
polyvinylidene fluoride) и сегнето-пьезоэлектриков
(пьезокерамика, ЦТС-19) или полупроводников (CdS, CdTe,
ZnSe, GaSe ).
Акусто-электрические, фото-акустические, пьезоэлектрические элементы, вибро- и сейсмодатчики.
В элементах на основе композитных материалов показана
возможность получения электрического напряжения (2.5 В)
под воздействием освещения.
11
Благодарен за внимание!