Синхротронное излучение в диагностике наносистем 4-й курс 8-й семестр 2007/2008 Лекция 2 О свойствах рентгеновских лучей • Излучение рентгеновской трубки • Волновые свойства рентгеновских лучей • Преломление и отражение • Корпускулярные свойства • Упругое и неупругое рассеяние • • • • • Сечение рассеяния томсоновское (упругое) Релеевское (неупругое) Комптоновское (неупругое) Обратный комптон-эффект • Поглощение рентгеновских лучей Классификация электромагитного излучения E = hν, λ=с/ν=hc/E, h=6.626*10-34 Дж*с, с=3*108 м/с 1 эВ = 1,602*10-19 Дж λ [Å]=12,4/E [кэВ] Рентгеновский диапазон 0,1 Å < λ < 10 Å – жесткий рентген 10 Å < λ < 300 Å – мягкий 300 Å < λ < 1000 Å – ультрамягкий Схема рентгеновской трубки Образование ускоренных электронов Распределение интенсивности излучения относительно оси пучка электронов Схема отбора пучков квадратного и линейчатого сечений в рентгеновское излучение превращается не более 1% энергии Рентгеновская трубка с вращающимся анодом 2,5 – 3 кВт 20 кВт Спектр излучения рентгеновской трубки Тормозное излучение Характеристическое излучение Схема квантовых переходов для наиболее интенсивных линий Преломление и зеркальное отражение рентгеновских лучей nI sin αi= nII sin αr Схема хода лучей при переходе из вакуума в конденсированную среду n =c/v для видимого света n >1, эффект полного внутреннего отражения для рентгеновских лучей n <1, эффект полного внешнего отражения Рассеяние рентгеновских лучей Сечение рассеяния Эффективное - коэффициент пропорциональности, который равен отношению энергии, рассеиваемой за 1 секунду, к энергии, падающей на единицу площади за 1 секунд dσ=dN/nv, n – плотность числа частиц, v – скорость, dN – число частиц в единицу времени Дифференциальное - отношение числа частиц, рассеиваемых в единицу времени в единичный телесный угол, к потоку падающих частиц dσ/dΩ Полное интеграл dσ/dΩ по телесному углу На практике удобнее выражать через мощность, рассеянную в телесный угол, т.е. через dP/ dΩ, и плотность мощности dP/dS в первичном потоке: dσ/dΩ={dP/ dΩ}/ {dP/dS} Упругое рассеяние Томсоновское – рассеяние плоской электромагнитной волны на покоящемся электроне. hv<<mc2 Частота не меняется, сечение рассеяния не зависит от энергии Релеевское – рассеяние на более крупных, чем электроны объектах – атомах, молекулах и оптических неоднородностях. Теория рассматривается в дипольном приближении, при этом предполагается, что частота излучения существенно меньше собственной частоты колебаний рассеивающей системы (ν<<ν0). Сечение рассеяния зависит от энергии фотонов. При ν→ν0 сечение релеевского рассеяния томсоновского рассеяния. переходит в сечение Неупругое рассеяние Комптоновское рассеяние. Происходит взаимодействии покоящегося электрона высокоэнергетическим э-м. излучением. hvmc2 при с Происходит сдвиг частоты, который не зависит от энергии фотонов, а определяется только углом рассеяния. Обратный комптон-эффект. Происходит при неупругом рассеянии фотонов на электронах, движущихся с высокими скоростями. В результате энергия передается от электрона к фотону и становится существенно меньше длина волны рассеянного кванта. Частота становится гораздо больше, при этом фотоны рассеиваются в узком конусе с углом раствора 1/γ, в отличие от прямого комптон-эффекта. Т.е. в результате действия обратного комптон-эффекта видимый свет превращается в узкий конус жесткого рентгена. Представляет большой практический интерес, используется для лазерной диагностики пучков ускоренных частиц в ускорителях и при создании новых источников рентгеновских лучей Поглощение рентгеновских лучей Количественно поглощение измеряется относительным ослаблением интенсивности после прохождения через элемент вещества (допустим слой): dI/I=-μdx. Коэффициент поглощения μ зависит от энергии поглощаемых фотонов и является индивидуальной характеристикой вещества. I=I0exp(-μx), μ в данном случае – линейный коэффициент поглощения. μm= μ/ρ – массовый коэффициент поглощения. μ и μm - интегральные характеристики σ – атомный коэффициент (сечение) поглощения, характеризует физику процесса Процессы, вызывающие рентгеновских фотонов: поглощение •релеевское рассеяние, •комптоновское рассеяния, •образование электрон-позитронных пар, •флуоресценция (фотоэффект) – выбивание электрона с испускание вторичного фотона. Вклад каждого механизма зависит от типа атомов и от энергии фотонов. НЕ учитывается влияние структуры вещества и межатомное взаимодействие. В диапазоне энергий до 100 кэВ основным механизмом поглощения является фотоэффект Характерные зависимости коэффициента атомного поглощения от длины волны, сечения поглощения для нескольких химических элементов в диапазоне энергий от 1до 100 кэВ Скачки поглощения соответствуют переходам электронов с оболочки на оболочку. Положение пиков индивидуально для каждого элемента, может меняться в пределах 2-5 эВ из-за влияния химической связи и ближайшего окружения атома. Взаимодействие атомов определяет околопороговую и запороговую тонкую структуру спектров поглощения. Серия методов спектроскопии поглощения дает информацию о химическом составе вещества и координационном окружении атомов и в настоящее время широко применяется в химии, биологии, материаловедении Схема возбуждения электронных оболочек атома (а, б) и возможные релаксационные процессы (в, г) заполнения электронной вакансии. а – фотоэлектронная эмиссия, б – рентгеновское поглощение, в – рентгеновская флуоресцениця, г – оже-процесс Зависимость выходов 1 – флуоресцентного рентгеновского излучени, 2 – оже-электронов. Для анализа легких атомов эффективней использовать оже-спектроскопию, для тяжелых рентгеновский флуоресцентный анализ