Tables

Электронно-струнный источник «Крион-2»: магнитное поле соленоида B 3.3 Т,
энергия электронов в струне Ee  8 кэВ.
Fe24+(эксп. данные)
U30+, Au30+
5 кэВ
1.5 с
0.5 Гц
810-6 с
5 кэВ
210-2 с
40 Гц
810-6 с
8 кэВ
2.5 с
0.3 Гц;
810-6 с
5108
0.3 мA
1108
0.4 мА
Энергия эл-нов, Ee
Время ионизации, 
Частота следования
Длительность
импульса ионов, t
Число ионов/имп, Ni
Ионный ток, Ii
1108
0.15 мA
Au51+(с учетом ионионного охлаждения)
Новый стендовый электронно-струнный ионный источник «Крион-6Тс»: магнитное
поле B= 6.0 Т, энергия электронов Ee = 2.5104 эВ. Выходные параметры в
зависимости от результатов R&D.
Ионный пучок
Энергия эл-нов,Ee
Фактор
ионизации, j
Рост к-ва зарядов
в струне от
магнитного поля
Au30+ (U30+)
25 кэВ
Au65Au69+
25 кэВ
Вариант 1)
61019 см-2;
Вариант 2)
Вариант 3)
21022 см-2;
Вариант 2)
Ne/i  B
Ne/i  B2
Ne/i  B3
Ne/i  B
Ne/i  B2
Ne/i  B3
0.03с
0.015с
0.0075 с
10 с
5с
2.5 с
Вариант 1)
Вариант 3)
Время ионизации
Частота
следования
Длительность
импульса ионов, t
30 Гц
60 Гц
120 Гц
0.1 Гц
0.2 Гц
0.4 Гц
810-6 с
810-6 с
810-6 с
810-6 с
810-6 с
810-6 с
Число ионов/имп,
Ni
Ионный ток, Ii
1109
0.6 мА;
2109
1.2 мА;
4109
2.4 мА;
1.5108
0.2 мА
3108
0.4 мА;
6108
0.8 мА;
Новый эксплуатационный электронно-струнный источник «Крион-12Т»:
магнитное поле соленоида B= 12.0 Т, энергия электронов в струне Ee = 1.25105 эВ.
Выходные параметры пучков ионов в зависимости от результатов R&D
исследований.
Ионный пучок
Энергия эл-нов,Ee
Фактор
ионизации, j
Рост к-ва зарядов
в струне от
магнитного поля
Время ионизации
Частота
следования
Длительность
импульса ионов, t
Число ионов/имп,
Ni
Ионный ток, Ii
Au30+ (U30+)
125 кэВ
Au65+  Au69+
125 кэВ
Вариант 1)
21020 см-2;
Вариант 2)
Вариант 3)
61022 см-2;
Вариант 2)
Ne/i  B
Ne/i  B2
Ne/i  B3
Ne/i  B
Ne/i  B2
Ne/i  B3
0.05с
0.0125с
0.0032 с
5 с;
1.25 с;
0.35 с;
20 Гц
80 Гц
325 Гц
0.2 Гц;
0.8 Гц;
2.8 Гц;
810-6 с
810-6 с
810-6 с
810-6 с
810-6 с
810-6 с
2109
1.2 мА;
8109
4.8 мА;
3.21010
19.2 мА;
3108
0.4 мА;
1.2109
1.6 мА;
4.8109
6.4 мА;
Вариант 1)
Вариант 3)