Для конденсатора Сэ коэффициент Мэ увеличиваем до

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ
Федеральное государственное общеобразовательное учреждение
высшего профессионального образования
«Чувашский государственный университет имени И.Н. Ульянова»
Технический институт
Факультет дизайна и компьютерных технологий
Кафедра компьютерных технологий
Курсовая работа
По дисциплине
«Электротехника и электроника»
Тема: Расчет транзисторного усилителя
Вариант №3
Выполнил: студент группы
ЗДиКТ 21-08
Проверил: доц. Захаров В. Г.
Чебоксары 2009
Содержание
ВВЕДЕНИЕ
3
1. ЗАДАНИЕ
6
2. КАСКАД С ОБЩИМ ЭМИТТЕРОМ
3
3. РАСЧЕТ КАСКАДА ПО ПОСТОЯННОМУ ТОКУ
4
4. РАСЧЕТ КАСКАДА ПО ПЕРЕМЕННОМУ ТОКУ
5
5. СИМВОЛЬНЫЙ РАСЧЕТ КАСКАДА
10
ВОПРОСЫ ДЛЯ ЗАЩИТЫ РАБОТЫ
13
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
15
ВВЕДЕНИЕ
Усилитель
—
это
электронное
устройство
(четырехполюсник),
увеличивающее мощность сигнала. Увеличение мощности входного сигнала
происходит за счет преобразования энергии источника питания в энергию
выходного сигнала. Форма сигнала при усилении должна сохраняться без
существенных искажений [1].
Усилители
используются
для
компенсации
потерь
при
передаче
информационных сигналов на большие расстояния, для обеспечения работы
регистрирующих устройств, для создания нормальных условий восприятия
информации человеком и т. д. Например, для обеспечения работы
громкоговорителей
мультимедиа-компьютера,
как
правило,
требуется
усилитель, так как поступающие от источников звуковые сигналы имеют
недостаточную мощность.
По усиливаемой электрической величине различают усилители мощности,
напряжения и тока. Коэффициент передачи усилителя по одному из указанных
электрических параметров, как правило, много больше единицы. По другим
параметрам коэффициент передачи усилителя может быть меньше единицы.
Однако у всех усилителей по определению коэффициент передачи по
мощности должен быть больше единицы. Поэтому, например, повышающий
трансформатор, у которого коэффициент передачи по напряжению может быть
больше единицы, к усилителям не относится. При последовательном
соединении каскадов их коэффициенты усиления перемножаются. Связь между
каскадами может быть гальванической, емкостной и трансформаторной.
По диапазону усиливаемых частот усилители делятся на усилители
постоянного тока (УПТ), усилители низкой (звуковой) частоты (УНЧ),
усилители высокой частоты (УВЧ) и сверхвысокочастотные усилители (СВЧ).
Амплитудно-частотная характеристика УНЧ имеет три участка: область низких
частот от f=0 до нижней частоты fн; область средних частот от низкой fн до
высокой частоты fв (полоса пропускания 2Δf) и область высоких частот от fв и
выше, при этом на высоких частот коэффициент усиления по напряжению KU
ограничивается
частными
свойствами
транзистора,
т.е.
снижением
коэффициента передачи В (рис. 1). На граничных частотах fн и fв усиление по
напряжению уменьшается в 1 / 2  0,707 раз, соответствует снижению выходной
мощности на этих частотах в два раза.
По режимам работы различают линейные и нелинейные усилители. В
линейных усилителях уровни входных и выходных сигналов малы (для
полупроводниковых элементов Um < 0,1 В) и поэтому все элементы усилителя
при воздействии малых переменных сигналов характеризуются линейной
зависимостью между токами и приложенными напряжениями. Если амплитуда
сигнала велика (Um> 0,1 В для полупроводниковых элементов), то линейная
зависимость между токами и напряжениями нарушается — усилитель
переходит в нелинейный режим работы. Усилители классифицируют также по
числу каскадов, по назначению, по
полосе усиливаемых частот 2Δf, по
характеру усиливаемого сигнала и т. д.
К дополнительным параметрам
усилителя относят: коэффициент полезного действия,
потребляемую от
источника питания мощность, нелинейные искажения,
массу, габариты и
т. п.
Схемотехника усилителей на транзисторах отличается многообразием и
сложностью. Однако в этом многообразии можно выделить три основные
схемы, на основе которых строятся более сложные схемы. При использовании
биполярных транзисторов различают: усилитель с общим эмиттером (0Э),
усилитель с общей базой (ОБ) и усилитель с общим коллектором (ОК). По
переменному напряжению в этих схемах с корпусом усилителя соединяется,
соответственно, эмиттер, база или коллектор транзистора.
Схема усилительного каскада с общим
эмиттером
транзистора
показана
VT
на
(тип
рис.
2.
транзистора
Эмиттер
n-p-n)
соединен с корпусом усилителя. Через катушку
L с большой индуктивностью, называемую
дросселем, на базу транзистора подается
напряжение смещения Есм = 0,5...0,8 В. Это
напряжение предназначено для того, чтобы
открыть эмиттерный переход и обеспечить постоянный ток коллектора в
активном режиме работы транзистора. Резистор Rэ служит для температурной
стабилизации режима транзистора. Конденсатор Сэ устраняет отрицательную
обратную связь по переменному току.
В каскаде различают постоянные и переменные токи, причем переменные
токи протекают на уровне постоянных.
Через конденсатор Ср1 переменный
ток от источника напряжения Uвх поступает на базу транзистора и управляет
относительно большим током коллектора. Конденсатор Ср1 имеет большую
емкость и для переменного напряжения не представляет значительного
сопротивления, но не пропускает на вход усилителя постоянное напряжение,
которое может присутствовать во входном сигнале, а также предотвращает
замыкание
напряжения
смещения
Есм
на
корпус
через
внутреннее
сопротивление источника переменного сигнала Uвх. Усилитель, у которого на
входе установлен разделительный конденсатор, называют усилителем с
"закрытым" входом. Дроссель L, имея большую индуктивность, для
переменного тока имеет большое сопротивление и входной переменный ток
через дроссель практически не ответвляется, а весь замыкается через
эмиттерный переход транзистора. Поэтому этот дроссель также часто называют
разделительным, но разделяются здесь переменные сигналы. К недостаткам
каскада можно отнести наличие дросселя и второго источника – напряжения
смещения.
В цепи коллектора каскада включено сопротивление внутренней нагрузки Rк,
по которому протекает часть переменного тока коллектора. Большая часть
переменного тока коллектора протекает через выходной разделительный
конденсатор Ср2 по внешней нагрузке усилителя Rн, подключенной к выходным
зажимам каскада. На этой нагрузке выделяется усиленный по мощности
переменный сигнал. Мощность сигнала обеспечивает источник питания Епит.
Коэффициент
усиления
каскада
с
ОЭ
по
переменному
напряжению
рассчитывается по формуле:
KU   B
Rк Rн
/ ( Rист.с  Rвх ) ,
Rк  Rн
где B- статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ, Rист.с – внутреннее
сопротивление источника сигнала, Rвх – входное сопротивление транзистора, знак
минус отражает изменение фазы выходного сигнала на 180о по отношению к
входному сигналу, т.е. выходной сигнал находится в противофазе с входным.
Схема усилителя с общей базой (ОБ)
показана
на
рис.
3.
Назначение
разделительных конденсаторов, дросселя,
коллекторного сопротивления в этой схеме
аналогично их назначению в схеме ОЭ. В
отличие от схемы с общим эмиттером в
усилителе ОБ через дроссель L на эмиттер
транзистора подается отрицательное напряжение смещения. При такой
полярности напряжения смещения транзистор открывается и через него
начинает протекать постоянный ток эмиттера. На уровне этого постоянного тока
развивается переменный входной ток, который проходит в коллектор. За счет
сравнительно большей величины
сопротивления в коллекторной цепи по
отношению к сопротивлению в эмиттерной цепи,
происходит усиление
мощности сигнала: Zк > Zген+ Zвх , где Zген – внутреннее сопротивление
генератора сигнала, Zвх – входное сопротивление транзистора.
Коэффициент усиления каскада с ОБ по переменному напряжению
рассчитывается по формуле:
KU 
BRк Rн
/ ( Rист.с  Rвх ) ,
(1  B)( Rк  Rн )
На рис. 3 приведена схема усилителя с
общим коллектором (ОК). В этой схеме
важную
роль
играет
блокировочный
конденсатор Сбл. Имея большую емкость
и, следовательно, малое сопротивление,
блокировочный конденсатор используется
для того, чтобы сделать практически одинаковыми переменные потенциалы
верхней и нижней шин питания и соединить через свое малое сопротивление
коллектор транзистора по переменному напряжению с корпусом усилителя.
Поэтому на коллекторе переменное напряжение практически равно нулю, т.е.
коллектор соединятся с общей шиной по переменному току и каскад получает
название ОК. По постоянному току, в отличие от приведенных выше схем с
общим эмиттером и с общей базой, коллектор транзистора VT с корпусом
не соединен, — напротив, на коллекторе присутствует большое постоянное
напряжение источника питания. Отметим, что при отсутствии блокировочного
конденсатора рассматриваемая схема будет близка к схеме ОК, так как
коллектор транзистора будет соединен по переменному напряжению с корпусом
через источник питания, внутреннее сопротивление которого равно нулю в
идеальном случае. Внутренней нагрузкой в усилителе ОК является эмиттерное
сопротивление Rэ, подключенное к эмиттеру транзистора. Внешняя нагрузка
Rн подключается к выходу усилителя через разделительный конденсатор Ср2.
Коэффициент усиления каскада с ОК по переменному напряжению
незначительно меньше единицы и рассчитывается по формуле:
KU  (1  B)
Rэ Rн
/ ( Rист.с  Rвх ) .
Rэ  Rн
Выходное напряжение каскада с ОК повторяет входное напряжение по
амплитуде и по фазе, поэтому каскад называют эмиттерным повторителем.
Достоинства каскада с ОК – большое входное и малое выходное
сопротивления, что позволяет усиливать слабые токи входного сигнала.
Блокировочные конденсаторы часто включаются в состав источников
питания. В этом случае они могут отсутствовать в схемах усилителей.
Блокировочные конденсаторы в больших количествах устанавливаются на
материнских платах персональных компьютеров и в других узлах ЭВМ. Их
задача - устранить влияние сигналов в одних частях схемы на сигналы в других
частях устройства.
Резистивный усилитель — это усилитель, у которого в качестве нагрузки
используются резисторы. Так как в этом усилителе из-за отсутствия катушек
индуктивности (индуктивностью выводов элементов пренебрегаем) не
возникает колебательных процессов, то резистивный усилитель часто
называют апериодическим усилителем. Резисторы в резистивном усилителе
используются в качестве внутренней и внешней нагрузок.
2. ЗАДАНИЕ
Рассчитать усилительный каскад на транзисторе с общим эмиттером с
исходными данными:
Тип транзистора – КТ3165А, кремниевый эпитаксиально-планарной
структуры, p-n-p, усилительный, граничная частота – 750 МГц [2, с.67].
Uк.доп =35 В- допустимое напряжение коллектора.
Iк.доп =30 мА – допустимый ток коллектора.
В=25- статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером.
Рк.доп =0,16 Вт- допустимая мощность, рассеиваемая транзистором без
радиатора.
Uэ.порог = 0,7 В – пороговое напряжение отпирания эмиттерного p-n перехода.
Мн =1.41 – коэффициент частотных искажений (для расчета конденсаторов).
Ряд номинальных значений Е12 для резисторов и конденсаторов с
допустимым отклонением  10 % (ГОСТ 2519-67):
1,0
1,2
1,5
1,8
2,2
2,7
3,3
3,9
4,7
5,6
6,8
8,2
Ряд номинальных значений Е12 для мощности (Вт), рассеиваемой
резисторами, с допустимым отклонением  10 % (ГОСТ 2519-67):
0,125 0,2
0,5
1,0
2,0
1. Каскад с общим эмиттером, назначение элементов
Электрическая принципиальная схема транзисторного усилителя с
общим эмиттером представлена на рис. 5.
Назначение элементов:
VT – транзистор типа p-n-p.
R1  R2 - делитель напряжения - задает
потенциал  покоя базы относительно
корпуса (земли, общей шины).
Rк - режимный резистор, задает рабочую
точку транзистора по постоянному току (ограничивает ток коллектора на
допустимом уровне).
Rэ - стабилизирует рабочую точку транзистора при изменении температуры
окружающей среды за счет напряжения U RЭ обратной связи, которое
подзакрывает транзистор при повышении температуры.
Rн - внешняя нагрузка (динамик, входное сопротивление
следующего
каскада).
С1, С2 - разделительные конденсаторы (отделяют переменные составляющие
сигнала от постоянных составляющих).
С Э - устраняет отрицательную обратную связь по переменному току, так как
переменный ток замыкается не через резистор Rэ , а через этот конденсатор.
Вывод эмиттера через конденсатор Сэ соединяется по переменному току с
общей шиной, поэтому каскад называется с общим эмиттером.
2. Расчет каскада с ОЭ по постоянному току
2.1. Определяем напряжение питания:
Епит  0,8Uк.доп  0,8  35  28 В
2.2. Расчет каскада на транзисторе VT с общим эмиттером производим
в классе А и проектируем выходной каскад на 80%-ю мощность Pк.доп,
рассеиваемую транзистором в режиме покоя [1, 2]:
Рк пок  0,8Рк.доп  0,8  0,16  0,128 Вт.
2.3. Задаемся напряжением эмиттера покоя:
Еэ.пок  0,1Епит  0,1  28  2,8 В.
2.4. Выбираем рабочую точку Р.Т. в середине динамической
характеристики
транзистора,
что
соответствует
напряжению
коллектора (рис.6):
U к.пок  0,5( Епит -Еэ.пок )  0,5  (28-2,8)  12,6 В.
покоя
2.5.
Рассчитываем ток покоя коллектора:
I к.пок 
2.6.
Рк.пок 0,128

 0,01 A.
U к.пок 12,6
Находим сопротивление токоограничивающего резистора в цепи
коллектора Rк:
Rк 
Епит -U к.пок 28  12,6

 1516 Ом.
I к.пок
0,01
Выбираем резистор МЛТ- 1500 Ом.
2.7.
Находим мощность, рассеиваемую на резисторе Rк:
2
P  I к.пок
Rк  0,012 1500  0,15 Вт
Выбираем резистор на мощность- 0,2 Вт.
2.8.
При разбросе значений коэффициента передачи В транзистора с ОЭ от
минимального значения до максимального среднее значение по формуле [1]:
Bср  rk Bмин Bмакс / (rk 
Rк Rн
),
Rк  Rн
где Rн =1,5 кОм– сопротивление нагрузки, выберем равным сопротивлению
Rк с целью согласования (для максимальной передачи мощности).
2.9.
Находим напряжение покоя базы:
U б.пок  U э.пок  U э.порог  2,8  0,7  3,5 В.
2.10. Определяем ток покоя базы:
I б.пок 
I к.пок 0,01

 0,00046  0,46 мА
В
21,7
2.11. Задаемся током делителя через резисторы R 1 , R 2 :
I дел  5Iб.пок  5  0,00046  0,0023  2,3 мA
2.12. Находим сопротивление резистора R1 :
R1 
Епит -U б.пок
28  2,8

 8726 Ом.
I дел  I б.пок 0,0023  0,00046
Выбираем резистор 8,2 кОм по ряду Е12.
Определяем мощность резистора R1:
P  ( I дел  I б.пок ) 2 R1  (0,0023  0,00046) 2  8200  0,069 Вт.
Выбираем резистор на мощность 0,125 Вт.
2.13. Находим сопротивление резистора R2:
R2 
U б.пок
3,5

 1496 Ом.
I дел
0,0023
Выбираем резистор 1,5 кОм по ряду Е12.
Определяем мощность резистора R2:
2
P  I дел
R2  0,00232  1500  0,0081 Вт.
Выбираем резистор на мощность 0,125 Вт.
2.14. Находим сопротивление резистора RЭ :
Rэ 
U э.пок
2,8

 263 Ом.
I к.пок  I б.пок 0,01  0,00046
Выбираем резистор 270 Ом по ряду Е12.
Определяем мощность резистора Rэ:
P  ( I к.пок  I б.пок )2 Rэ  (0,01  0,00046)2  270  0,03 Вт.
Выбираем резистор на мощность 0,05 Вт.
Контура замыкания постоянных токов Iдел, Iб.пок, Iк.пок показаны на
рис.7 (пунктирные линии). Эти токи создает источник питания Епит.
3. РАСЧЕТ КАСКАДА ПО ПЕРЕМЕННОМУ ТОКУ
Исходные данные:
fн=100 Гц – нижняя граничная частота входного сигнала.
rэ= 10 Ом – дифференциальное сопротивление эмиттерного p-n.
rб= 50 Ом – объемное сопротивление базы.
Uэ.порог = 0,7 В – пороговое напряжение отпирания эмиттерного p-n перехода;
rк=10 кОм - дифференциальное сопротивление коллекторного p-n.
Rист.с=600 Ом – внутреннее сопротивление источника входного сигнала.
wн  2 f н  6,28  100  628 рад/сек
RЭКВ1  Rист.с  Rвх  600  310  910,Ом
RЭКВ2 
Rк Rн
1500 *1500

 1500, Ом
Rк  Rн 1500  1500
RН  RK
Rвх  rб  (1  Bср )rэ  50  (1  21,7)  10  310 Ом
Переменный сигнал идет на уровне постоянного сигнала, поэтому на
выход усилителя проходит как положительная, так и отрицательная
полуволны входного сигнала. Энергия для усиления сигнала отбирается от
источника питания Епит. Для отделения переменных составляющих от
постоянных, ставят конденсаторы C1, C2, Cэ.
Введем понятие частотных искажений, обусловленных постоянными
времени ТС1, ТС2, ТСэ цепей по которым заряжаются и разряжаются
конденсаторы C1, C2, Cэ в схеме усилителя:
TC1  C1 ( Rист.с  Rвх ); TC 2  C2 ( Rк  Rн ); TCэ  Cэ
rэ Rэ
,
rэ  Rэ
Частотные искажения показывают на сколько снижается амплитуда
переменного сигнала при прохождении через конденсаторы на низкой или
высокой частотах. На средних частотах сопротивление конденсаторов мало и
падением напряжения на конденсаторах пренебрегают. На высоких частотах
учитывается барьерная емкость коллекторного перехода и зависимость
коэффициента передачи тока базы В от частоты, при этом амплитудночастотная характеристика усилителя на высоких частотах повторяет
указанную зависимость (рис. 1).
На заданной низкой частоте
fн=100 Гц распределяем стандартный
коэффициент низкочастотных искажений М н  2  1,41 по конденсаторам
С1, С2, Сэ, усилительного каскада
М н  М 1М 2 М э  1,1  1,1  1,15  1,41 .
Для конденсатора Сэ коэффициент Мэ увеличиваем до значения 1,15,
так как он зашунтирован меньшим сопротивлением, по сравнению с другими
конденсаторами.
Исходные данные:
Вср=27,7 – средний коэффициент усиления
fн=100 Гц – нижняя граничная частота входного сигнала.
rэ= 10 Ом – дифференциальное сопротивление эмиттерного p-n.
rб= 50 Ом – объемное сопротивление базы.
rк=10 кОм - дифференциальное сопротивление коллекторного p-n перехода;
Rист.с=600 Ом – внутреннее сопротивление источника входного сигнала;
Rэкв1  Rист.с  Rвх  600  310  910 Ом,
где Rвх  rб  (1  Bср )rэ  50  (1  21,7)  10  277 Ом;
Rэкв2 
Rk rk
1500 *10000
 Rн 
 1500  2804 Ом;
Rk  rk
1500  10000
R' экв.э 
rэ Rэ
10  270

 9,6 Ом;
rэ  Rэ 10  270
wн  2 f н  6,28  100  628
1.
рад
с
Рассчитываем значение конденсатора С1:
С1 
1
wн Rэкв1 М  1
2
1

1
628  877  1,1  1
2
 3,96  10-6 Ф ;
Выбираем электролитический конденсатор С 1 = 3,9 мкФ
2.
Рассчитываем значение конденсатора С2:
С2 
1
wн Rэкв2 М  1
2
2

1
6,28  2804 1,1  1
2
 1,24  10-6 Ф ;
Выбираем электролитический конденсатор С2= 2,7 мкФ
3.
Рассчитываем значение конденсатора Сэ:
СЭ 
1
wн Rэкв.э М э2  1

1
6,28  9,6  1,152  1
 0,000292 Ф  292 мкФ
Выбираем электролитический конденсатор Сэ= 270 мкФ.
4.
Находим коэффициент усиления каскада по напряжению на средних
частотах:
KU   Bср
RК / / RН
1500
 21,7
 37,115 ,
Rист.с  Rвх
600  277
где знак минус отражает поворот фазы выходного сигнала на 180о
относительно входного.
5.
Находим коэффициент усиления по току на средних частотах:
K I   Bср
Rк
1500
 21,7
 10,85 .
Rк  Rн
1500  1500
6. Находим коэффициент усиления по мощности сигнала, действующего
на базе транзистора
K P  KU K I  37,11  10,85  402,69 .
7. Находим коэффициент усиления по мощности сигнала, действующего
на входе усилителя
K p.0 
Pвых
,
Pвх
для этого находим входную мощность сигнала с амплитудой равной току
покоя базы:
2
I б.пок
Rвх.э 0,00046 2  827 ,34
Pвх 

 0.0000875 ,
2
2
где входное сопротивление каскада с учетом сопротивлений Rист.с, R1 и R2:
Rвх.э  Rген 
 600 
R1  R2  Rвх

R1 R2  R1 Rвх  R2 Rвх
8200  1500  277
 827,34 Ом.
8200  1500  8200  277  1500  277
Контура замыкания переменных токов, обусловленных источником
входного переменного сигнала Uвх c мгновенным направлением напряжения
показаны пунктиром на рис.4.
Рис.4
Контура замыкания мгновенных выходных токов Iн, Iк, обусловленных
теоретическим источником тока
BIб, показаны на рис.5. Источник
переменного тока BIб управляется переменным током базы Iб и помещается
в коллекторный p-n переход транзистора, при этом источник питания Епит,
обладающий нулевым внутренним сопротивлением для переменного тока, в
схеме закорачивается и верхняя шина питания объединяется с нижней
шиной.
Рис.5
8.
Находим входную мощность каскада:
2
I б.пок
0,00036 2
Pвх 
Rвх 
 310  30 мкВт
2
2
Эквивалентная схема замещения каскада с ОЭ показана на рис.6, где
транзистор
VT
замещен
Т-образной
схемой
замещения
с
дифференциальными сопротивлениями rэ и rк p-n переходов, объемным
сопротивлением базы rб и источником переменного тока BIб, включенного в
цепь коллекторного p-n перехода. Мгновенное направление источника тока
BI 6
соответствует
напряжения Uвх.
мгновенному
направлению
входного
переменного
5. Символьный расчет режима по постоянному току транзисторного
усилителя с общим эмиттером
5.1 Обозначаем элементы R1, R2, rб, rэ, Rэ, rk*, Rк, Rпит схемы замещения
соответствующими буквами и присваиваем им значения согласно расчету по
постоянному току:
a  13000 Ом; b  2166 Ом; с  50 Ом; d  10 Ом;
e  280 Ом; f  10000 Ом; g  1995 Ом; h  0 Ом.
5.1 В схеме замещения каскада с ОЭ для постоянного находим контурный
определитель схемы (рис.№):
Dk  b(ad  cd  df  dg  af  cf  ag  cg  ah  ch  fh  gh  ae  ce  ef  eg) 
 c(ad  af  ag  ah  fh  gh  ae)  d(af  ag  ah  ch  fh  gh) 
 e(af  ag  ah  ch  gh  fh).
5.2 Из контурного определителя находим числители для составляющих тока
ветви с, обусловленных пороговым напряжением С, источником питания Н и
источником тока F:
CC  [(a  b)(d  f  g  h  e)  h(f  g  d  e)];
C H  bf  bg - ad  ae;
C F   f [b(d  h  e)  (e  d)(a  h)].
5.3 Составляем уравнение для тока ветви с:
Iс 
CСC  H С H  BI c C F
Dk
откуда находим ток ветви с:
Ic 
CCC  HCH
.
Dk  BCF
5.4 Находим ток ветви b:
Ib 
CBC  H BH  BI c BF
Dk
где
BH  d(a  c  f  g)  c(f  g  e)  e(a  f  g);
BF  f(ad  ae - ch).
5.5 Умножаем ток ветви b на сопротивление b и находим потенциал базы
покоя:
U b  I B b  3,855 B .
5.6 Находим ток ветви g:
Ig 
CGC  HGH  BI c GF
Dk
где
GH  b(a  c)  ac  ad  ae;
GF  f[b(d  a  c  e  h)  (c  d  e)(a  h)].
5.5 Умножаем ток ветви g на сопротивление g и находим потенциал
коллектора покоя:
U g  H - I g g  32  20,807  11,192 B.
5.6 Находим относительные ошибки расчета:
(U b  U б.пок )100 (3,885  3,9)  100

 1,15 % ;
Ub
3,885
(U g  U к.пок )100
Ug

(11,192  14,4)  100
 28,65 %.
11,192
Литература:
1. Белов Г.А. Электронные цепи и микросхемотехника: Учебное
пособие для вузов. Чебоксары: Изд-во Чуваш. Ун-та, 2004.-780 с.
2. Петухов В.М. Полупроводниковые приборы. Транзисторы.
Дополнение второе: Справочник. – Рикел, Радио и связь, 1995 – 288 с. Ил.
3. Кучумов А.И. Электроника и схемотехника – Москва «Гелиос АРВ»,
2002.
4. Захаров В.Г. Расчет электрических цепей по модифицированным
правилам Кирхгофа: Учеб. пособие. Чебоксары: Изд-во Чуваш.ун-та, 2006.
128 с.
Приложение. Типы и параметры транзисторов.
№
Тип
Uк.доп,
Iк.доп,
Вмин-
P,
Струк-
вар
транзистора
В
мА
-Вмакс
Вт
тура
(стр)
1 (39)
КТ3179А9
150
55
65
0,2
n-p-n
2 (37)
КТ3176А9
35
500
60
0,2
n-p-n
3 (35)
КТ3173А9
30
530
500
0,2
n-p-n
4 (33)
КТ3171А9
15
530
50
0,2
n-p-n
5 (31)
КТ3153А9
60
400
100-300
0,3
n-p-n
6 (28)
КТ3151А9
80
100
20
0,2
n-p-n
7 (26)
2Т3130А9
50
100
100-250
0,2
n-p-n
8 (16)
КТ218А9
80
50
20
0,2
p-n-p
9 (13)
КТ216А
60
10
9-50
0,075
p-n-p
10 (12) 2Т214А9
100
100
20
0,2
p-n-p
11 (10) КТ209В2
15
300
200
0,2
p-n-p
12 (8)
100
50
20
0,2
n-p-n
13 (57) КТ3170А9
40
30
100
0,25
n-p-n
14 (14) КТ3172А9
20
20
40
0,2
n-p-n
15 (61) 2Т3175А9
50
100
250-1000 0,35
n-p-n
16 (54) КТ3142А
40
200
40-120
0,36
n-p-n
17 (53) 2Т3115А-6
10
8,5
15-110
0,05
n-p-n
18 (51) КТ368А-5
15
30
50-450
0,225
n-p-n
19 (50) 2Т368А9
15
30
50-300
0,1
n-p-n
20 (49) КТ339АМ
40
25
25
0,26
n-p-n
21 (47) 2Т316А-5
10
30
20-60
0,15
n-p-n
22 (63) 2Т370А9
15
15
20-70
0,03
p-n-p
2Т215А9
23 (65) КТ3126А9
35
30
25-150
0,11
p-n-p
24 (66) КТ3128А9
35
20
15-150
0,11
p-n-p
25 (19) КТ3816
25
15
40
0,015
p-n-p
26 (63) 2Т370Б9
15
15
40-120
0,11
n-p-n
27 (8)
2Т215Б9
90
50
30-90
0,2
n-p-n
28 (8)
2Т215В9
80
50
40-120
0,2
n-p-n
29 (8)
КТ215Г9
60
50
40-120
0,2
n-p-n
30 (8)
КТ215Д9
30
50
80
0,2
n-p-n