Практическая работа №3. усилителя с вариацией коэффициента передачи тока биполярного транзистора

Практическая работа №3. Модель дифференциального
усилителя с вариацией коэффициента передачи тока биполярного
транзистора
Цель работы: изучить работу дифференциального усилителя с
различными коэффициентами передачи биполярного транзистора.
Дифференциальный усилитель (ДУ) является одним из
основных каскадов операционного усилителя. Простейший ДУ
(рис. 7.6, а) состоит из двух одинаковых плеч, каждое из которых
содержит транзистор и резистор нагрузки. Эмиттеры транзисторов
соединены между собой и через резистор Re подключены к общей
шине.
Схема дифференциального усилителя:
Рис. 1. Схема дифференциального усилителя
Для питания усилителя используются два источника постоянного тока с
напряжением 6В. В первой модели вы должны указать идентичные
параметры для каждого транзистора (BF=250, CJC=0.8P, CJE=1.8P, TF=0.5N,
TR=1N).
В моделях изменяются следующие параметры транзистора:
 BF – максимальный коэффициент усиления в схеме с ОЭ (общим
эмиттером);
 CJC – емкость коллекторного перехода при нулевом смещении
(1P=1пикоФарад);
 CJE - емкость эмиттерного перехода при нулевом смещении;
 TF – время переноса заряда через базу в нормальном режиме
(1N=1наносекунда);
 TR - время переноса заряда через базу в инверсном режиме.
В качестве источника сигнала служит импульсный источник с параметрами:
Рис. 2. Параметры импульсного источника сигналов
Рис. 3. Расшифровка параметров источника импульсных сигналов
Рис. 4. Вид сигнала с генератора
Для исследования переходных процессов (Transient Analysis) необходимо
добавить надписи в соответствующих точках с помощью инструмента TEXT
(T) и настроить параметры следующим образом:
Рис. 5. Исследование временных процессов
Для исследования частотных характеристик (АС Analysis) установите
следующие параметры:
Рис. 6. Исследование частотных параметров
Вид частотной характеристики:
Рис. 7. Вид частотной характеристики
Для исследования переходных характеристик (DC Analysis) установите
следующие параметры:
Рис. 8. Исследование переходных характеристик
Рис. 9. Результаты исследования переходных характеристик
Во второй модели вы должны указать идентичные параметры для
каждого транзистора (BF=50, CJC=1P, CJE=2P, TF=1N, TR=6N).
Провести все исследования характеристик.