МНОГОАТОМНЫЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ В ТВЕРДЫХ ТЕЛАХ М а

БИБЛИОГРАФ ИЯ
№ 3]
187
538.9 1 (04973)
М Н О Г О А ТО М Н Ы Е ВЗАИМ ОДЕЙСТВИЯ В Т В Е Р Д Ы Х ТЕЛ А Х
М а п у-A t o m
I n t e r a c t i o n s
in
S o l i d s . — Proceedings
of the In te rn a tio n a l W orkshop. P a ju la h ti, F in la n d . J a n e 5 —9, 1989/Eds.
R. M. N iem inen, M. J . P uska, M. J. M a u n in e n .— Berlin;
Ileidel berg:
Springer-Verlag, 1990.— 320 p . — (Springer Proceedings in Physics. V. 48).
В последнее время широкое распространение получили микроскопи­
ческие методы расчета полной энергии и межатомных взаимодействий
в твердых телах. Методы эти используются для изучения свойств различвого типа дефектов, поверхностей, низкосимметричных конфигураций ато­
мов в кристаллах п т. д. В большинстве своем эти исследования основаны
на применении методов компьютерной симуляции, таких, ка к молеку­
л я р н а я динамика, метод М онте-Карло, метод температурного обжига.
До недавнего времени такие расчеты проводились в основном с использо­
ванием феноменологических парных потенциалов взаимодействия между
атомами и чаще всего с использованием потенциала Л еннарда — Д жонса.
Этот потенциал достаточно хорошо описывает свойства инертных газов,
(g) Е. Г. Максимов 1991
188
БИБЛИОГРАФ ИЙ
£Т. 161
но он плохо приспособлен для описания металлических и полупроводни­
ковых систем. В последнее время п оявился целый ряд микроскопических
подходов к определению парных и многоатомных потенциалов, пригодных
для рассмотрения и металлических, и валентных полупроводниковых
систем. Во-первых, это метод погруженного атома, основанный на рас­
смотрении поведения одиночного атома и пары атомов,'помещенных в од­
нородный электронный газ. Д алее можно отметить метод эффективной
среды, позволяющий записать полную энергию системы в виде адиабат­
ного вклада и многоатомных, вычисляемых с учетом реального распре­
деления электронной плотности для идеального кристалла. Существует
и целый ряд других ка к чисто микроскопических, так и феноменологиче­
ских подходов к конструированию межатомных взаимодействий.
В книге опубликованы материалы рабочего симпозиума, в котором при­
няли участие наиболее активно работающие в этой области исследователи.
Опубликовано около тридцати обзоров, посвященных ка к общим вопросам
построения межатомных потенциалов и их использования в исследовании
статики и динамики решетки кристаллов, так п ряду конкретных проблем,
таких, ка к реконструкция поверхности и динамику м олекулярной луче­
вой эпитаксии. Материалы книги разделены на 4 раздела. 1-й раздел со­
держит общие обзоры проблемы многоатомных взаимодействий, во 2-м
разделе помещены материалы, относящиеся к металлам, в 3-м — обзоры
по многоатомных взаимодействиям в полупроводниках. 4-й раздел со­
держит обзоры по расчетам поверхностных явлений.
Е . Г. Максимов