А Ы ХА А ЧАЮЩ Х

А
Ы ХА А
А
Ай й
-
Ё
х
я
гЛ
А
, Ай йА
х
дг
ч
Э
рименение
;

•
•
•Ф
•
•
•
«ЛЭ И»
;
сследованные структуры
ё
,
AlGaInN
3".
,
MOCVD.
;
,
«sandwich structure» ё .
ё
;
К-
й йИй
)
4
;
,
ЧАЮЩ Х
А AlGaInN
(
. .);
;
,
. Д
. Э
).
(
,
(
,
15
n-GaN,
)
AlGaN
In0,9Ga0,1N/ In0,99Ga0,01N
.
.Э
1
InGaN.
,
In0,15Ga0,75
2,5
.
i-GaN,
p-
.
(
)
.
p-Al0,15Ga0,85N/GaN
9
Д
. 2
:
,
p-Al0,15Ga0,85N
AlN
27
.
1,5
p-Al0,1Ga0,9N.
p-GaN.
p-GaN
270
.
.
Эксперимент
300
4
,
эффективностьз %
,
10
20
30000
30
40
25000
,
20000
.
15000
10000
интенсивностьз о.е.
,
температураз
3.5
35000
-
250
50
60
3
2.5
117
2
116
114
1.5
200
116
150
114
117
100
115
50
115
1
70
0.5
80
0
0
0
0
100
90
200
токз мА
300
100
200
токз мА
300
400
400
10
0
120
5000
140
.
440
460
длина волныз нм
480
500
14
12
10
,
446
16
ммс
-
,
,
420
448
мощностьз м т
:
160
длина волныз нм
0
400
116
8
117
6
114
444
442
117
440
116
438
114
436
115
434
115
4
432
0
2
100
200
токз мА
300
400
0
.
0
50
100
150
200
токз мА
250
300
350
езультаты
ё
И

з
AlGaInNз
млл°
й
й


У
In0,9Ga0,1N/ In0,99Ga0,01N
з
й
з
з
з
.
мла AlN
з
йЭ
й
з
Al0,15Ga0,85N/GaN,