ПАТЕНТ НА ПОЛЕЗНУЮ МОДЕЛЬ

РОССИЙСКАЯ ФЕДЕРАЦИЯ
(19)RU
(11)85037
(13)U1
(51) МПК
H01L29/84 (2006.01)
ФЕДЕРАЛЬНАЯ СЛУЖБА
ПО ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ
СОБСТВЕННОСТИ,
ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ
(12)
ПАТЕНТ НА ПОЛЕЗНУЮ МОДЕЛЬ
Статус: по данным на 18.11.2010 - действует
(21), (22) Заявка: 2008119779/22, 19.05.2008 (72) Автор(ы):
Капустян Андрей Владимирович (RU),
(24) Дата начала отсчета срока действия
Копцев Сергей Анатольевич (RU),
патента:
Белослудцев Сергей Александрович (RU)
19.05.2008
(73) Патентообладатель(и):
(46) Опубликовано: 20.07.2009
Федеральное государственное унитарное
предприятие "Российский научноисследовательский институт
Адрес для переписки:
космического приборостроения" (RU)
111250, Москва, ул. Авиамоторная, 53,
ФГУП "РНИИ КП", патентнолицензионная служба
(54) УСТРОЙСТВО РЕГИСТРАЦИИ ФИЗИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ
Формула полезной модели
1. Устройство регистрации физических процессов, содержащее слой нанотрубок с контактами с двух
сторон, отличающееся тем, что введен второй слой нанотрубок с контактами с двух сторон, который
размещен на первом слое нанотрубок с образованием сетчатой структуры.
2. Устройство регистрации по п.1, отличающееся тем, что оснащено распаянной (разваренной)
совокупностью электромагнитных контактных устройств, например электрических, выполненных
минимум по четырем сторонам устройства способами микроэлектронного монтажа, матрично
коммутируемых дискретными проводниками с сонаправленными группами нановолокон каждого из
слоев для коммутации к цифровой системе измерения в заданных направлениях.
3. Устройство регистрации по п.1, отличающееся тем, что при формировании комбинаций из контактных
и защитных пленок чувствительного элемента, оно пригодно для детектирования внешних и объемных
физических процессов, состояния среды, объектов техники и сооружений (варианты).
4. Устройство регистрации по п.2, отличающееся тем, что подключается при помощи контактных
устройств к микроразъему, гарантирующему защиту от повреждений мест пайки (сварки) и элементов
наноструктур.
5. Устройство регистрации по п.2, отличающееся тем, что контактные устройства размещены по
направлениям и образуют электрическое соединение дискретно с группами электропроводящих
наноструктур каждого из слоев.
6. Устройство регистрации по п.3, отличающееся тем, что контактные и защитные пленки наложены
сверху и снизу в четырех вариантах: сверху и снизу размещена только защитная пленка, сверху и снизу
размещена только контактная пленка, сверху размещена контактная пленка, а снизу защитная пленка,
сверху размещена защитная пленка, а снизу размещена контактная пленка.
7. Устройство регистрации по п.5, отличающееся тем, что разрешающая способность коррелирована в
рамках разрешающей способности слоев наноструктур и числа групп контактов в каждом направлении.