Қазақстан Республикасының білім және ғылым министрлігі

Қазақстан Республикасының білім және ғылым министрлігі
Министерство образования и науки республики Казахстан
Павлодар көлік және коммуникациялар колледжі
Павлодарский колледж транспорта и коммуникаций
МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ ПО ВЫПОЛНЕНИЮ
КОНТРОЛЬНОЙ РАБОТЫ ПО КУРСУ
«Основы электроники и схемотехники»
ДЛЯ УЧАЩИХСЯ ЗАОЧНОГО ОБУЧЕНИЯ
мамандығы:
специальность: 1306000 «Радиоэлектроника и связь»
Павлодар қ., 20__ж.
Варианты контрольной работы
Две последние
цифры шифра
01
02
03
04
05
06
07
08
09
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
№варианта
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
Номера задач
1 11 31 51
2 22 36 56
3 13 41 52
4 24 46 57
5 15 32 53
6 26 37 58
7 17 42 54
8 28 47 59
9 19 33 55
10 20 38 60
2 21 43 52
3 12 48 56
4 23 34 53
5 14 39 57
6 25 44 54
7 16 49 58
8 27 35 65
9 18 40 60
10 29 45 51
3 20 50 59
4 15 32 55
5 26 37 60
6 17 42 54
7 28 47 59
8 19 33 53
9 30 38 58
Две последние
цифры шифра
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
77
78
79
80
81
82
83
84
85
86
87
88
89
90
01
92
93
94
95
96
97
98
99
00
№варианта
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
Номера задач
10 18 43 52
4 27 48 57
5 16 34 51
6 29 39 56
7 15 44 55
8 24 49 57
9 11 35 51
10 22 40 56
1 13 45 52
2 24 50 58
3 15 31 53
4 26 36 60
5 17 41 54
6 18 46 59
7 29 32 55
8 20 37 57
9 21 42 51
10 12 47 56
5 23 33 52
6 14 38 57
7 25 43 53
8 16 48 58
9 27 35 54
10 13 40 59
ЗАДАЧА 1
Опишите общие сведения о полупроводниках. Поясните строение кристаллической
решетки химически чистых полупроводников.
ЗАДАЧА 2
Опишите структуру и энергетические диаграммы примесных полупроводников.
ЗАДАЧА 3
Опишите явление тепловой генерации в собственном полупроводнике и тепловой
ионизации в примесном полупроводнике.
ЗАДАЧА 4
Опишите явление ударной и световой генерации и рекомбинации в полупроводнике.
ЗАДАЧА 5
Опишите физические процессы , происходящие в электронно-дырочном переходе (n-p)
при подключении внешнего напряжения в прямом и обратном направлении.
ЗАДАЧА 6
Поясните, что представляют собой несимметричный n-p-переход металл-проводник и
гетеропереход.
ЗАДАЧА 7
Поясните, что представляют собой барьерная и диффузионная емкости электроннодырочного перехода.
ЗАДАЧА 8
Дайте определение электронно-дырочному переходу и опишите физические процессы,
происходящие в p-n переходе в равновесном состоянии (возникновение потенциального
барьера и запирающего слоя).
ЗАДАЧА 9
Укажите виды пробоя электронно-дырочного перехода. Поясните явление теплового
пробоя электронно-дырочного перехода.
ЗАДАЧА 10
Укажите виды пробоя электронно-дырочного перехода. Поясните явление лавинного
пробоя электронно-дырочного перехода.
ЗАДАЧА 11-20
Определите сопротивление диода постоянному току при прямом напряжении Uпр и
обратном напряжении Uобр. Поясните влияние температуры на величины этих
сопротивлений диода. Охарактеризуйте диод, указанный в вашем варианте, по
классификационным признакам.
Вольтамперную характеристику полупроводникового диода найдите в справочнике по
полупроводниковым приборам.
Числовые значения исходных данных и тип диода приведены в таблице1.
Таблица 1
Исходные
данные
Uпр, В
Uобр, В
Тип диода
11
0,9
10
12
0,8
25
13
0,2
30
Д2В
Номера задач
14
15
16 17
0,3
0,4
0,5 0,55
25
20
150 100
18
0,45
150
Д226
19
0,5
100
20
0,55
150
ЗАДАЧА 21-30
Определите дифференциальное сопротивление стабилитрона r для заданного значения
Iст.
Поясните, как изменяется величина этого сопротивления при увеличении тока,
протекающего через стабилитрон . Начертите схему включения стабилитрона . Дайте
характеристику стабилитрону, указанному в Вашем варианте.
Характеристику стабилитрона найдите в справочнике по полупроводниковым
приборам.
Числовые значения исходных данных и тип стабилитрона приведены в таблице 2.
Таблица 2
Параметры
Тип
стабилитрона
Iст, мА
Iст, min мА
Iст, max мА
Uст , В
21
КС182А
22
КС191А
23
Д810
24
КС211Б
Номер задач
25
26
Д813
КС182А
10
3
17
8,2±0,6
10
3
15
9,1±0,6
10
3
26
10±0,6
7,5
5
33
11±0,5
10
3
20
13±1
7,5
3
17
8,2±0,6
27
КС210Е
28
КС213Е
29
Д809
30
Д811
5
0,5
13
10±1
7,5
0,5
10
13±0,7
15
3
29
9±0,5
10
3
23
11±0,6
ЗАДАЧА 31-50
Пользуясь семейством входных и выходных статических характеристик транзистора,
включенного по схеме с общим эмиттером, необходимо:
а) в семействе выходных характеристик построить нагрузочную прямую для
сопротивления нагрузки Rк и напряжения источника питания Ек;
б) на нагрузочной прямой обозначить рабочую точку покоя при токе базы Iб0; и
определить статические параметры транзистора h21 и h22 ;
в) определить мощность, рассеиваемую на коллекторе в режиме покоя Рк0 и сравнить ее
с допустимой Ркдоп;
г) изобразить графики изменения тока и напряжения в коллекторной цепи при заданной
амплитуде тока базы Iбm. Определить амплитуды тока Iкm и напряжения Uкm в
коллекторной цепи;
д) в семействе входных характеристик обозначить рабочую точку покоя при токе базы
Iб0 и определить графически статический параметр транзистора h11;
е) изобразить график изменения входного напряжения при заданной амплитуде тока
базы Iбm . Определить амплитуду входного напряжения Uбm;
ж) рассчитать коэффициенты усиления транзистора по току, напряжению и
мощности, а также полезную мощность Рвых, выделяющуюся на нагрузке;
з) начертить схему подключения транзистора к источнику питания.
Семейство входных и выходных характеристик транзистора найдите в справочнике по
транзисторам.
Числовые значения исходных данных и тип транзистора приведены в таблице 3
Таблица 3
Номера
задач
Тип
транзистора
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
КТ 312А
КТ 312А
КТ 312А
КТ 312А
КТ 312А
КТ 312А
КТ 312А
КТ 312А
КТ 312А
КТ 312А
МП115
МП115
МП115
МП115
МП115
МП115
МП115
МП115
МП115
МП115
Eк, В
20
16
20
19
18
17
14
18
22
15
32
30
32
25
40
20
35
30
24
28
Rк, кОм
0,8
0,64
0,91
0,76
0,72
0,68
0,87
0,64
0,88
0,6
4,0
3,8
4,1
3,2
5,2
2,6
4,6
4,0
3,2
4,0
Исходные данные
Iбо, мА
Iбm, мА
0,3
0,4
0,4
0,2
0,4
0,3
0,2
0,4
0,4
0,4
0,3
0,2
0,3
0,2
0,3
0,2
0,3
0,3
0,2
0,3
0,3
0,4
0,3
0,2
0,2
0,2
0,1
0,3
0,4
0,4
0,2
0,1
0,3
0,2
0,1
0.1
0,2
0,3
0,2
0,2
Pкдоп, мВт
225
225
225
225
225
225
225
225
225
225
150
150
150
150
150
150
150
150
150
150
ЗАДАЧА 51-60
Пользуясь выходными характеристиками и характеристиками прямой передачи полевого
транзистора, включенного по схеме с ОИ, необходимо:
а) В семействе выходных характеристик полевого транзистора отметить положение
рабочей точки при напряжении стока Uси и напряжении на затворе Uзи;
б)В заданной рабочей точке графически определить выходное сопротивление полевого
транзистора Rвых;
в)В семействе характеристик прямой передачи отметить положение заданной рабочей
точки и графически определить в ней статическую крутизну характеристики прямой
передачи S;
г) По характеристике прямой передачи определить напряжение отсечки Uзи отс в цепи
затвора и наибольшую возможную величину входного напряжения сигнала Uвхm.
д) Начертить схему подключения полевого транзистора указанного в Вашем варианте, к
источникам питания в нагрузочном режиме.
Характеристики полевого транзистора найдите в справочнике по транзисторам.
Тип полевого транзистора и числовые значения величин приведены в таблице 4.
Таблица 4
Параметры
Тип
полевого
транзистора
Напряжение
стока
Uси,В
Напряжение
затвора
Uзи, В
Номера задач
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
КП301Б
КПС104А (сдвоенный)
МОП – транзистор с
С p-n переходом и каналом n-типа
индуцированным каналом p-типа
15
12,5
12,5
20
17,5
12
10
12
10
10
16
13
10
16
19
0,5
0,6
0,6
0,2
0.4