РЯЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ РАДИОТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. А.Ф. ИОФФЕ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ ПРАВИТЕЛЬСТВО РЯЗАНСКОЙ ОБЛАСТИ III Всероссийская школа-семинар студентов, аспирантов и молодых учёных по направлению «Наноматериалы» ПЕРВОЕ ИНФОРМАЦИОННОЕ СООБЩЕНИЕ Рязань 2010 Министерство образования и науки Российской Федерации, Министерство образования Рязанской области, Рязанский государственный радиотехнический университет и Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук планируют провести III Всероссийскую школу-семинар для студентов, аспирантов и молодых ученых (в возрасте до 35 лет включительно) по направлению «Наноматериалы». Школа-семинар проводится в рамках мероприятия 2.2 направления 2 ФЦП “Развитие инфраструктуры наноиндустрии в Российской Федерации на 2008-2010 годы” в соответствии с приказом Рособразования от 22 сентября 2008 г. №1277. В рамках школы-семинара планируется провести III Всероссийскую научно-техническую конференцию студентов, аспирантов и молодых ученых. Председатель организационного комитета Гуров Виктор Сергеевич, д.т.н., профессор, ректор РГРТУ, Рязань тел.: (4912) 460308, FAX: (4912) 922215, e-mail: [email protected] Сопредседатели Теруков Евгений Иванович, д.т.н., профессор, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН Тел.: (812) 2927173, FAX: (812) 2971017, e-mail: [email protected] Вихров Сергей Павлович, д.ф.-м.н., профессор, РГРТУ, Рязань тел.: (4912) 460366, FAX: (4912) 460309, e-mail: [email protected] Секретарь Литвинов Владимир Георгиевич, к.ф.-м.н., доцент, РГРТУ, Рязань тел: +7(4912) 460299, 460366 e-mail: [email protected] Координатор Вишняков Николай Владимирович, к.т.н., доцент, директор Регионального центра зондовой микроскопии коллективного пользования, РГРТУ, Рязань тел.: +7 (4912) 460299, 460366 e-mail: [email protected] Программный комитет Афанасьев В.П. (ЛЭТИ(ТУ), Санкт-Петербург, д.т.н., профессор) Вихров С.П. (РГРТУ, Рязань д.ф.-м.н., профессор) Вишняков Н.В. (РГРТУ, Рязань, к.т.н., доцент) Воронков Э.Н. (МЭИ, Москва д.т.н., профессор) Гуров В.С. (РГРТУ, Рязань, д.т.н., профессор) Иванов-Омский В.И. (ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, С-Петербург, д.ф.-м.н., профессор) 2 Казанский А.Г. (МГУ, Москва д.ф.-м.н., профессор) Козюхин С.А. (ИОНХ РАН, Москва д.х.н., профессор) Лучинин В.В. (ЛЭТИ(ТУ), Санкт-Петербург, д.т.н., профессор) Мошников В.А. (ЛЭТИ(ТУ), Санкт-Петербург, д.ф.-м.н., профессор) Попов А.И. (МЭИ, Москва д.т.н., профессор) Теруков Е.И. (ФТИ РАН, Санкт-Петербург д.ф.-м.н., профессор) Цэндин К.Д. (ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, С-Петербург, д.ф.-м.н, профессор) Адрес оргкомитета 390005 Рязань, ул. Гагарина 59/1, Рязанский государственный радиотехнический университет Информация о школе-семинаре размещена на сайте: http://www.rsreu.ru ОБЩАЯ ИНФОРМАЦИЯ Время и место проведения Школа-семинар и конференция будет проводиться с 27 сентября по 2 октября 2010 г. на базе одного из санаториев, расположенных в живописном уголке Рязанской области. ТЕМАТИКА И ФОРМАТ ШКОЛЫ-СЕМИНАРА В программу школы-семинара по направлению «НАНОМАТЕРИАЛЫ2010» включены лекции и доклады по следующим направлениям: Диагностика наноматериалов Аморфные и наноструктурированные материалы Наноматериалы на основе углерода и его соединений. Нанокомпозиционные материалы Органические и полимерные наноматериалы Магнитные наноматериалы Бионаноматериалы Для участия в работе школы-семинара и конференции, просим заполнить регистрационную карту участника (см. присоединенный файл) и выслать ее вместе с тезисами доклада по электронной почте [email protected] или [email protected] по 15 мая 2010 г. Оргкомитет сообщит о результатах отбора участников на сайте школы и по электронной почте после 15 июня 2010 г. К началу школы-семинара материалов конференции. планируется 3 издание сборника Требования к оформлению материалов конференции Для публикации материалы (тезисы) докладов конференции объемом не более 5-ти страниц должны быть подготовлены на компьютере в редакторе MS Word 2000 (или более поздней версии). Размер листа А4, поля со всех сторон 25 мм. Шрифт Times New Roman Cyr. Размер шрифта - 14 кегля, текст печатается через 1 интервал. Текст должен быть выровнен по правой и левой сторонам документа. Количество формул и рисунков должно быть минимальным (формулы - с применением Equation Editor 3.0 или MathTipe 5, рисунки - только в растровом формате BMP или JPEG с разрешением 200х200 dpi, подрисуночная подпись не должна быть частью рисунка). Материалы должны быть оформлены в следующем порядке: название доклада прописными буквами, следующая строка - авторы (инициалы перед фамилией), следующая строка - научный руководитель (Ф.И.О., ученая степень, ученое звание), следующая строка - организация, далее через одну строку текст доклада. Библиографический список (если имеется) - по ГОСТ 7.1-2003 и отделяется от текста пустой строкой, ссылки - в квадратных скобках. Для участия в работе школы-семинара и конференции необходимо по 15 мая 2010 г. выслать в адрес Оргкомитета конференции 1) по почте (адрес: 390005, г. Рязань, ул. Гагарина, 59/1, РГРТУ, кафедра БМПЭ, Литвинову В.Г.): - материалы доклада - 1 экз.; - экспертное заключение о возможности опубликования в открытой печати - 1 экз.; 2) по электронной почте (E-mail: [email protected], [email protected] Subject: Наноматериалы-2010; Ф.И.О. автора) - файл с текстом материалов доклада; - регистрационную карту участника школы (см. присоединенный файл “Registr_karta_uchastnika_Familiya.xls”). При несоответствии требованиям доклад к публикации может быть не принят. Оргвзнос за участие в школе-семинаре и конференции не взимается. Телефоны для справок: +7 (4912) 460366, 460399 - кафедра биомедицинской и полупроводниковой электроники Контрольные даты Предоставление тезисов и регистрационной формы не позднее 15 мая 2010 г. Программа – приглашение с сообщением о включении доклада в программу конференции будет разослана после 15 июня 2010 г. Пример оформления материала доклада конференции 4 ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ CdS/ZnSSe С ОДИНОЧНОЙ КВАНТОВОЙ ЯМОЙ И.И. Иванов Научный руководитель - Петров А.А., канд.техн.наук, доцент Рязанский государственный радиотехнический университет В настоящее время большой интерес вызывают гетероструктуры с зонной диаграммой второго типа [1]. Это обусловлено…………………….. Библиографический список 1. Демиховский В.Я., Вугальтер Г.А. Физика квантовых низкоразмерных структур. М.:Логос, 2000. 248 с. 5