РЯЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ РАДИОТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. А.Ф. ИОФФЕ РОССИЙСКОЙ

advertisement
РЯЗАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ РАДИОТЕХНИЧЕСКИЙ
УНИВЕРСИТЕТ
ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. А.Ф. ИОФФЕ РОССИЙСКОЙ
АКАДЕМИИ НАУК
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ
ПРАВИТЕЛЬСТВО РЯЗАНСКОЙ ОБЛАСТИ
III Всероссийская школа-семинар студентов,
аспирантов и молодых учёных по направлению
«Наноматериалы»
ПЕРВОЕ ИНФОРМАЦИОННОЕ СООБЩЕНИЕ
Рязань 2010
Министерство образования и науки Российской Федерации,
Министерство образования Рязанской области, Рязанский государственный
радиотехнический университет и Физико-технический институт им. А.Ф.
Иоффе Российской академии наук планируют провести III Всероссийскую
школу-семинар для студентов, аспирантов и молодых ученых (в возрасте до 35
лет включительно) по направлению «Наноматериалы».
Школа-семинар проводится в рамках мероприятия 2.2 направления 2
ФЦП “Развитие инфраструктуры наноиндустрии в Российской Федерации на
2008-2010 годы” в соответствии с приказом Рособразования от 22 сентября
2008 г. №1277.
В рамках школы-семинара планируется провести III Всероссийскую
научно-техническую конференцию студентов, аспирантов и молодых ученых.
Председатель организационного комитета
Гуров Виктор Сергеевич, д.т.н., профессор, ректор РГРТУ, Рязань
тел.: (4912) 460308, FAX: (4912) 922215, e-mail: gurov@rgrta.ryazan.ru
Сопредседатели
Теруков Евгений Иванович, д.т.н., профессор, ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН
Тел.: (812) 2927173, FAX: (812) 2971017, e-mail: eug.terukov@mail.ioffe.ru
Вихров Сергей Павлович, д.ф.-м.н., профессор, РГРТУ, Рязань
тел.: (4912) 460366, FAX: (4912) 460309, e-mail: me@rgrta.ryazan.ru
Секретарь
Литвинов Владимир Георгиевич, к.ф.-м.н., доцент, РГРТУ, Рязань
тел: +7(4912) 460299, 460366
e-mail: vglit@yandex.ru
Координатор
Вишняков Николай Владимирович, к.т.н., доцент, директор Регионального
центра зондовой микроскопии коллективного пользования, РГРТУ, Рязань
тел.: +7 (4912) 460299, 460366
e-mail: rcpm@rgrta.ryazan.ru
Программный комитет
Афанасьев В.П. (ЛЭТИ(ТУ), Санкт-Петербург, д.т.н., профессор)
Вихров С.П. (РГРТУ, Рязань д.ф.-м.н., профессор)
Вишняков Н.В. (РГРТУ, Рязань, к.т.н., доцент)
Воронков Э.Н. (МЭИ, Москва д.т.н., профессор)
Гуров В.С. (РГРТУ, Рязань, д.т.н., профессор)
Иванов-Омский В.И. (ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, С-Петербург, д.ф.-м.н.,
профессор)
2
Казанский А.Г. (МГУ, Москва д.ф.-м.н., профессор)
Козюхин С.А. (ИОНХ РАН, Москва д.х.н., профессор)
Лучинин В.В. (ЛЭТИ(ТУ), Санкт-Петербург, д.т.н., профессор)
Мошников В.А. (ЛЭТИ(ТУ), Санкт-Петербург, д.ф.-м.н., профессор)
Попов А.И. (МЭИ, Москва д.т.н., профессор)
Теруков Е.И. (ФТИ РАН, Санкт-Петербург д.ф.-м.н., профессор)
Цэндин К.Д. (ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, С-Петербург, д.ф.-м.н, профессор)
Адрес оргкомитета
390005 Рязань, ул. Гагарина 59/1, Рязанский государственный
радиотехнический университет
Информация о школе-семинаре размещена на сайте: http://www.rsreu.ru
ОБЩАЯ ИНФОРМАЦИЯ
Время и место проведения
Школа-семинар и конференция будет проводиться с 27 сентября по 2
октября 2010 г. на базе одного из санаториев, расположенных в живописном
уголке Рязанской области.
ТЕМАТИКА И ФОРМАТ ШКОЛЫ-СЕМИНАРА
В программу школы-семинара по направлению «НАНОМАТЕРИАЛЫ2010» включены лекции и доклады по следующим направлениям:

Диагностика наноматериалов

Аморфные и наноструктурированные материалы

Наноматериалы на основе углерода и его соединений.

Нанокомпозиционные материалы

Органические и полимерные наноматериалы

Магнитные наноматериалы

Бионаноматериалы
Для участия в работе школы-семинара и конференции, просим заполнить
регистрационную карту участника (см. присоединенный файл) и выслать ее
вместе с тезисами доклада по электронной почте vglit@yandex.ru или
mel@rgrta.ryazan.ru по 15 мая 2010 г. Оргкомитет сообщит о результатах
отбора участников на сайте школы и по электронной почте после 15 июня
2010 г.
К началу школы-семинара
материалов конференции.
планируется
3
издание
сборника
Требования к оформлению материалов конференции
Для публикации материалы (тезисы) докладов конференции объемом
не более 5-ти страниц должны быть подготовлены на компьютере в редакторе
MS Word 2000 (или более поздней версии). Размер листа А4, поля со всех
сторон 25 мм. Шрифт Times New Roman Cyr. Размер шрифта - 14 кегля, текст
печатается через 1 интервал. Текст должен быть выровнен по правой и левой
сторонам документа. Количество формул и рисунков должно быть
минимальным (формулы - с применением Equation Editor 3.0 или MathTipe 5,
рисунки - только в растровом формате BMP или JPEG с разрешением 200х200
dpi, подрисуночная подпись не должна быть частью рисунка).
Материалы должны быть оформлены в следующем порядке: название
доклада прописными буквами, следующая строка - авторы (инициалы перед
фамилией), следующая строка - научный руководитель (Ф.И.О., ученая степень,
ученое звание), следующая строка - организация, далее через одну строку текст
доклада. Библиографический список (если имеется) - по ГОСТ 7.1-2003 и
отделяется от текста пустой строкой, ссылки - в квадратных скобках.
Для участия в работе школы-семинара и конференции необходимо по 15
мая 2010 г. выслать в адрес Оргкомитета конференции
1) по почте (адрес: 390005, г. Рязань, ул. Гагарина, 59/1, РГРТУ, кафедра
БМПЭ, Литвинову В.Г.):
- материалы доклада - 1 экз.;
- экспертное заключение о возможности опубликования в открытой
печати - 1 экз.;
2) по электронной почте (E-mail: vglit@yandex.ru, mel@rgrta.ryazan.ru
Subject: Наноматериалы-2010; Ф.И.О. автора)
- файл с текстом материалов доклада;
- регистрационную карту участника школы (см. присоединенный файл
“Registr_karta_uchastnika_Familiya.xls”).
При несоответствии требованиям доклад к публикации может быть не
принят.
Оргвзнос за участие в школе-семинаре и конференции не взимается.
Телефоны для справок:
+7 (4912) 460366, 460399 - кафедра биомедицинской и полупроводниковой
электроники
Контрольные даты
Предоставление тезисов и регистрационной формы не позднее 15 мая
2010 г.
Программа – приглашение с сообщением о включении доклада в
программу конференции будет разослана после 15 июня 2010 г.
Пример оформления материала доклада конференции
4
ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ CdS/ZnSSe
С ОДИНОЧНОЙ КВАНТОВОЙ ЯМОЙ
И.И. Иванов
Научный руководитель - Петров А.А., канд.техн.наук, доцент
Рязанский государственный радиотехнический университет
В настоящее время большой интерес вызывают гетероструктуры с зонной
диаграммой второго типа [1]. Это обусловлено……………………..
Библиографический список
1. Демиховский В.Я., Вугальтер Г.А. Физика квантовых низкоразмерных
структур. М.:Логос, 2000. 248 с.
5
Download