Технология интегральных микросхем

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение
высшего профессионального образования
«САМАРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ»
Физический факультет
Кафедра радиофизики, полупроводниковой микро- и наноэлектроники
УТВЕРЖДАЮ
Проректор по учебной работе
________________В.П. ГАРЬКИН
«____»_______________ 2012 г.
РАБОЧАЯ ПРОГРАММА ДИСЦИПЛИНЫ
ТЕХНОЛОГИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
образовательная программа направления 011200.68 – Физика
(цикл М2. «Профессиональный», вариативная часть, дисциплина по выбору)
Профиль подготовки
«Физика полупроводников. Наноэлектроника»
Квалификация выпускника
Магистр
Форма обучения
Очная
Курс 1, семестр В
Самара
2012
Рабочая программа составлена на основании федерального государственного
образовательного стандарта высшего профессионального образования направления
(специальности) 011200 ФИЗИКА (КВАЛИФИКАЦИЯ (СТЕПЕНЬ) "МАГИСТР"),
утвержденного приказом Министерства образования и науки Российской Федерации N
637 от 18 ноября 2009 г. Зарегистрировано в Минюсте России 17 декабря 2009 г. N 15676.
Составитель рабочей программы:
Шалимова М.Б., доцент кафедры
наноэлектроники, доцент
Рецензент:
Трещев В.М., доцент кафедры
наноэлектроники, к.ф.-м.н., доцент
радиофизики,
радиофизики,
полупроводниковой
микро-
и
полупроводниковой
микро-
и
Рабочая программа утверждена на заседании кафедры радиофизики, полупроводниковой
микро- и наноэлектроники (протокол № от «____» __________2012 г.)
Заведующий кафедрой
«____» ____________ 2012 г.
_________________
Г.П. ЯРОВОЙ
________________
И.С. ЦИРОВА
_________________
В.В. ИВАХНИК
_______________
Н.В. СОЛОВОВА
СОГЛАСОВАНО
Председатель
методической
комиссии факультета
«___»_____________ 2012 г.
СОГЛАСОВАНО
Декан
Факультета
«____» ____________ 2012 г.
СОГЛАСОВАНО
Начальник
методического отдела
«___»_____________ 2012 г.
1. ЦЕЛИ И ЗАДАЧИ ДИСЦИПЛИНЫ, ЕЕ МЕСТО В УЧЕБНОМ ПРОЦЕССЕ,
ТРЕБОВАНИЯ К УРОВНЮ ОСВОЕНИЯ СОДЕРЖАНИЯ ДИСЦИПЛИНЫ
1.1.
Цели и задачи изучения дисциплины
Цель дисциплины – подготовка профессионально компетентных специалистов в
области физики полупроводников и микроэлектроники, имеющих представление о
технологических процессах создания интегральных схем различного типа и различного
назначения, особенностях изготовления отдельных элементов интегральных схем;
овладение адекватными способами комплексного контроля параметров в процессе
изготовления интегральных микросхем.
Задачи дисциплины:
 рассмотреть основные типы интегральных микросхем;
 рассмотреть основные технологические методы изготовления интегральных
микросхем;
 рассмотреть основные методы контроля параметров в процессе изготовления
микросхем;
 рассмотреть принцип действия типовых установок, используемых в технологии
создания интегральных микросхем;
 способствовать ориентации студентов на мировой уровень развития науки.
1.2. Компетенции обучающегося, формируемые
дисциплины (модуля)











в результате освоения
Студенты, завершившие изучение данной дисциплины, должны:
иметь представление:
об обязательных для изучения модулях и разделах дисциплины, представленных в
программе;
о наиболее важных открытиях в области физики полупроводников, оказавших
определяющее влияние на развитие полупроводниковой электроники;
о физических принципах, лежащих в основе технологических процессов создания
интегральных схем различного типа;
о тенденциях развития конструкции и технологии интегральных микросхем;
о мировом уровне развития науки и производства в области интегральных
микросхем;
видеть взаимосвязь курса технологии интегральных микросхем с другими
дисциплинами, его роль в подготовке обучающихся по своей специальности.
знать:
базовую терминологию, относящуюся к интегральным микросхемам;
физические законы, лежащие в основе работы интегральных микросхем;
особенности технологии изготовления интегральных микросхем различных типов;
принцип действия типовых установок, используемых в технологии создания
интегральных микросхем;
методы контроля параметров ИС в процессе изготовления интегральных микросхем.
быть способным:
 разрабатывать схему последовательности этапов технологических операций при
создании интегральных схем различных типов;
 планировать необходимое для
различных производственных процессов
технологическое оборудование;
 проводить оценку правильности использования определенной топологии и
структуры, а также выбора материалов при изготовлении отдельных компонентов
интегральных схем различного назначения;
 планировать, организовывать и контролировать свою деятельность по изучению
курса и выполнению заданий курса;
владеть компетенциями:
Код
компетенции
ОК-1
ОК-3
ОК-7
ОК-10
ОК-12
ПК-2
ПК-3
ПК-7
ПК-12
Наименование результата обучения
Способен демонстрировать углубленные знания в области математики и
естественных наук
Способен самостоятельно приобретать с помощью информационных
технологий и использовать в практической деятельности новые знания и
умения, в том числе в новых областях знаний, непосредственно не
связанных со сферой деятельности, расширять и углублять свое научное
мировоззрение.
Способен адаптироваться к изменению научного и научнопроизводственного профиля своей профессиональной деятельности, к
изменению социокультурных и социальных условий деятельности
Способен использовать базовые знания и навыки управления
информацией для решения исследовательских профессиональных задач,
соблюдать основные требования информационной безопасности, в том
числе защиты государственной тайны
Способен выполнить оценку и анализ научно-технической разработки, в
т.ч. мировой новизны и промышленной применяемости
Способен использовать знания современных проблем физики, новейших
достижений физики в своей научно-технической деятельности
Способен самостоятельно ставить конкретные задачи научных
исследований в области физики (в соответствии с профилем магистерской
программы) и решать их с помощью современной аппаратуры,
оборудования, информационных технологий с использованием новейшего
отечественного и зарубежного опыта
Способен свободно владеть профессиональными знаниями для анализа и
синтеза физической информации (в соответствии с профилем подготовки)
Способен использовать знания по теоретическим и прикладным вопросам
физики тонких пленок и вакуумной техники в своей научноисследовательской деятельности
1.3. Место дисциплины в структуре ООП
Для усвоения курса "Технология интегральных микросхем" требуется знание
основных методов и представлений курсов общей физики, а также знание следующих
дисциплин специализации:
 технология полупроводников;
 основы физики полупроводниковых приборов;
 вакуумная технология.
Знания, понятия, приобретенные навыки и умения, способности, сформированные
в курсе "Технология интегральных микросхем", будут использоваться в курсе
“Физические принципы работы интегральных микросхем”, а также при написании
магистерской диссертации.
2.
СОДЕРЖАНИЕ ДИСЦИПЛИНЫ
2.1. Объем дисциплины и виды учебной работы
Семестр – В, вид отчетности – зачет.
Вид учебной работы
Трудоемкость изучения дисциплины
Обязательная аудиторная учебная нагрузка (всего)
Объем часов/ зачетных единиц
72 / 2
48
в том числе:
лекции
20
практические занятия
20
КСР
8
Самостоятельная работа студента (всего)
24
в том числе:
Подготовка к семинарам
4
Самостоятельное изучение тем
6
Подготовка реферата
6
Подготовка и сдача зачета
8
2.2.
Тематический план учебной дисциплины
Наименование
разделов и тем
1
Раздел 1.
Технологические основы
микроэлектроники
Тема 1.1.
Производство
интегральных схем
Тема 1.2.
Технологические
особенности изготовления
основных элементов
полупроводниковых
интегральных схем
Содержание учебного материала,
лабораторные работы и практические занятия,
самостоятельная работа обучающихся,
курсовая работа (проект)
2
Объем
часов/
зачетных
единиц
3
Образовательные
технологии
4
Формируемые
компетенции/
уровень
освоения*
5
Формы текущего
контроля
6
36/1
Лекции
1 Особенности интегральных схем как
нового типа электронных приборов.
Классификация
интегральных
схем.
Полупроводниковые, толстопленочные и
тонкопленочные
схемы.
Гибридные
интегральные
схемы.
Основные
материалы,
применяемые
при
изготовлении ИС. Основные этапы
изготовления биполярной ИС.
Лекции
1 Изготовление биполярных транзисторов.
Транзисторы
n–p–n.
Паразитные
параметры.
Разновидности
n–p–n
транзисторов:
многоэмиттерный
и
многоколлекторный
транзистор.
Интегральные
диоды.
Интегральные
стабилитроны.
Проблемная
лекция
ОК-7/1
ОК-12/1
ПК-2/1
Контролирующая
консультационная
форма
Информационная
лекция
ОК-3/1
ПК-2/1
ПК-7/1
Контролирующая
консультационная
форма
1
2
Изготовление полевых транзисторов с p-n
переходом.
МДП
–
транзисторы.
Комплементарные МОП – транзисторы.
Способы повышения быстродействия и
уменьшения
порогового
напряжения
МОП-транзисторов. МНОП – транзистор.
Смешанные монолитные ИС на МОП и
биполярных транзисторах.
3 Полупроводниковые
резисторы:
диффузионные, пинч-резисторы, ионнолегированные
резисторы.
Полупроводниковые
конденсаторы:
диффузионные, МОП- конденсаторы.
КСР
1 Производство интегральных схем
2
Лекции
1 Подготовительные операции. Травление.
Техника масок.
2
Тема 1.3.
Специальные
технологические методы
изготовления микросхем
3
Техника эпитаксиального наращивания
кремния. Эпитаксиальное наращивание с
помощью прямых и непрямых процессов.
Газовая, жидкостная и молекулярнолучевая
эпитаксия.
Профили
распределения примеси в эпитаксиальных
слоях. Дефекты в эпитаксиальных слоях.
Методы
легирования.
Диффузия.
Диффузия
из
ограниченного
и
неограниченного источника примеси.
Ионная имплантация.
2
Информационная
лекция
ОК-3/1
ПК-2/1
ПК-7/1
Контролирующая
консультационная
форма
1
Информационная
лекция
ОК-3/1
ПК-2/1
ПК-7/1
Контролирующая
консультационная
форма
4
Инновационные
методы активного
обучения
ОК-10/2
ОК-12/1
ПК-2/1
ПК-7/2
Собеседование
1
Информационная
лекция
ОК-7/1
ОК-12/1
ПК-2/1
Контролирующая
консультационная
форма
2
Информационная
лекция
ОК-1/1
ПК-2/1
ПК-7/1
Контролирующая
консультационная
форма
2
Информационная
лекция
ОК-1/1
ПК-2/1
ПК-7/1
Контролирующая
консультационная
форма
Термическое
окисление.
Свойства
двуокиси кремния и нитрида кремния.
Оксиды с высоким и низким значением
диэлектрической проницаемости.
Отжиг.
Термический,
лазерный,
электронно-лучевой отжиг.
Практические занятия
1 Расчет профилей распределения примеси в
эпитаксиальных слоях
4
2
Расчет профилей распределения примеси
при диффузии
Элементы
интегральных
схем
особенности их изготовления
Самостоятельная работа студента
1 Самостоятельное изучение тем
3
2
Раздел 2.
Общие сведения об
интегральных
микросхемах
Тема 2.1.
и
1
Информационная
лекция
4
Инновационные
методы активного
обучения
Решение задач
4
Решение задач
2
Тестирование
4
Компьютерные
технологии
6
Кейс-технология
Подготовка к семинарам
36/1
Лекции
ОК-10/1
ОК-12/1
ПК-2/1
ПК-7/1
ОК-1
ОК-12
ПК-3
ПК-7
ОК-1
ОК-12
ПК-3
ПК-7
ОК-1/2
ПК-2/1
ОК-1
ПК-2
ПК-3
ОК-1/1
ОК-3/2
ПК-2/2
Контролирующая
консультационная
форма
Устный опрос
Устный опрос
Контрольная тестирование
Собеседование
Групповое
обсуждение
Полупроводниковые
интегральные
микросхемы
Тема 2.2.
Гибридные интегральные
микросхемы
Типовые
процессы
изготовления
полупроводниковых
ИС.
Планарноэпитаксиальная технология. Планарноэпитаксиальная технология изготовления
полупроводниковых ИМС с изоляцией
диэлектрическим слоем SiO2 (EPICтехнология). Совмещенная технология.
Изопланарная технология. Технология
изготовления МДП-ИС.
2
Преимущества и недостатки различных
методов
изоляции
элементов
интегральных схем.
Контролирование геометрической формы
поверхности
элементов.
Выполнение
металлизации
для
внутрисхемных
соединений. Сборка и герметизация
полупроводниковых ИС.
Лекции
1
Конструкция гибридных ИС. Подложки
для гибридных ИС. Основные этапы
изготовления толстопленочных схем.
Материалы для толстопленочных ИС.
Процесс
печати.
Подгонка
толстопленочных резисторов.
1
2
Лекция визуализация
ОК-10/1
ОК-12/1
ПК-7/1
ПК-12/1
2
Информационная
лекция
ОК-10/1
ПК-2/1
ПК-7/1
ПК-12/1
Контролирующая
консультационная
форма
2
Информационная
лекция
ОК-10/1
ПК-2/1
ПК-7/1
Контролирующая
консультационная
форма
Промежуточная
аттестация
Технология получения тонкопленочных
схем. Элементы тонкопленочных схем:
пленочные резисторы, конденсаторы,
индуктивные
элементы,
пленочные
проводники и контактные площадки.
Методы
получения
различных
конфигураций
пассивных
элементов
гибридных ИС. Основные принципы
разработки и этапы проектирования
гибридных ИС.
Практические занятия
1 Исследования
приборов
методами
микроскопии.
Просвечивающие
электронные микроскопы. Сканирующие
электронные микроскопы. Электронные
отражательные микроскопы. Электронные
эмиссионные микроскопы. Микроскопы с
автоионной эмиссией. Рентгеновские и
ионные
микрозонды.
Лазерное
сканирование.
Сканирующий
ультразвуковой микроскоп.
Самостоятельная работа студента
1 Исследования приборов методами
микроскопии.
2
Тема 2.3.
Методы контроля
параметров в процессе
изготовления
интегральных микросхем
Практические занятия
1 Основные сведения о технологии
интегральных микросхем
КСР
1 Полупроводниковые и гибридные
интегральные
микросхемы
2
Информационная
лекция
ОК-10/1
ПК-2/1
ПК-7/1
ПК-12/1
Контролирующая
консультационная
форма
8
Инновационные
методы активного
обучения
Дискуссия
ОК-3/!
ОК-7/1
ПК-3/1
ПК-7/1
Групповое
обсуждение
6
Кейс-технология
ОК-3/2
ПК-3/1
Реферат
Групповое
обсуждение
2
Тестирование
ОК-1/2
ПК-2/1
Контрольная тестирование
Кейс-технология
ОК-10/2
ОК-12/1
ПК-2/1
ПК-7/2
Собеседование
4
Самостоятельная работа студента
1 Подготовка к зачету
8
Всего:
Кейс-технология
ОК-1/1
ОК-3/2
ПК-2/2
Собеседование
Оценка
компетенции
72/2
* В таблице уровень усвоения учебного материала обозначен цифрами:
1. – репродуктивный (освоение знаний, выполнение деятельности по образцу, инструкции или под руководством);
2. – продуктивный (планирование и самостоятельное выполнение деятельности, решение проблемных задач; применение умений в новых
условиях);
3. – творческий (самостоятельное проектирование экспериментальной деятельности; оценка и самооценка инновационной деятельности).
2.3. Содержание учебного курса
Раздел 1. Технологические основы микроэлектроники.
Тема 1.1. Производство интегральных схем
Особенности интегральных схем как нового типа электронных приборов.
Классификация интегральных схем. Полупроводниковые, толстопленочные и
тонкопленочные схемы. Гибридные интегральные схемы.
Основные материалы,
применяемые при изготовлении ИС. Основные этапы изготовления биполярной ИС.
Экономика интегральных схем.
Тема 1.2. Технологические особенности изготовления основных элементов
полупроводниковых интегральных схем
Изготовление биполярных транзисторов. Транзисторы n – p – n. Паразитные
параметры. Разновидности n – p – n транзисторов: многоэмиттерный и
многоколлекторный транзистор. Интегральные диоды. Интегральные стабилитроны.
Изготовление полевых транзисторов с p-n переходом. МДП – транзисторы.
Комплементарные МОП – транзисторы. Способы повышения быстродействия и
уменьшения порогового напряжения МОП-транзисторов. МНОП – транзистор.
Смешанные монолитные ИС на МОП и биполярных транзисторах.
Полупроводниковые
резисторы:
диффузионные,
пинч-резисторы,
ионнолегированные резисторы. Полупроводниковые конденсаторы: диффузионные, МОПконденсаторы. Причины возникновения паразитных емкостей полупроводникового
конденсатора.
Элементы ИС на полупроводниках группы AIIIBV. Корреляция параметров элементов
интегральных схем.
Тема 1.3. Специальные технологические методы изготовления микросхем
Подготовительные операции. Травление. Техника масок. Техника эпитаксиального
наращивания кремния. Эпитаксиальное наращивание с помощью прямых и непрямых
процессов. Газовая, жидкостная и молекулярно-лучевая эпитаксия. Профили
распределения примеси в эпитаксиальных слоях. Дефекты в эпитаксиальных слоях.
Методы легирования. Диффузия. Диффузия из ограниченного и неограниченного
источника примеси. Ионная имплантация.
Термическое окисление. Свойства двуокиси кремния и нитрида кремния. Оксиды с
высоким и низким значением диэлектрической проницаемости.
Отжиг. Термический, лазерный, электронно-лучевой отжиг.
Раздел 2. Общие сведения об интегральных микросхемах
Тема 2.1. Полупроводниковые интегральные микросхемы
Типовые процессы изготовления полупроводниковых ИС. Планарно-эпитаксиальная
технология. Планарно-эпитаксиальная технология изготовления полупроводниковых
ИМС с изоляцией диэлектрическим слоем SiO2 (EPIC-технология). Совмещенная
технология.
Изопланарная
технология.
Технология
изготовления
МДП-ИС.
Преимущества и недостатки различных методов изоляции элементов интегральных схем.
Контролирование геометрической формы поверхности элементов. Выполнение
металлизации
для
внутрисхемных
соединений.
Сборка
и
герметизация
полупроводниковых ИС.
Тема 2.2. Гибридные интегральные микросхемы
Конструкция гибридных ИС. Подложки для гибридных ИС. Основные этапы
изготовления толстопленочных схем. Материалы для толстопленочных ИС. Процесс
печати. Подгонка толстопленочных резисторов.
Технология получения тонкопленочных схем. Элементы тонкопленочных схем:
пленочные резисторы, конденсаторы, индуктивные элементы, пленочные проводники и
контактные площадки. Методы получения различных конфигураций пассивных элементов
гибридных ИС. Основные принципы разработки и этапы проектирования гибридных ИС.
Тема 2.3. Методы контроля параметров в процессе изготовления интегральных
микросхем
Исследования приборов методами микроскопии. Просвечивающие электронные
микроскопы. Сканирующие электронные микроскопы. Электронные отражательные
микроскопы. Электронные эмиссионные микроскопы. Микроскопы с автоионной
эмиссией. Рентгеновские и ионные микрозонды. Лазерное сканирование. Сканирующий
ультразвуковой микроскоп.
2.4. Лабораторный практикум
Проведение лабораторного практикума по курсу не предусмотрено.
3.Организация входного, текущего и промежуточного контроля обучения
3.1. Организация контроля:
 Текущий контроль – использование балльно-рейтинговой системы;
 Промежуточная аттестация выставляется на основании балльно-рейтинговой
системы:
 Итоговая аттестация выставляется по результатам зачета с учетом данных
промежуточного контроля.
3.2. Тематика рефератов, проектов, творческих заданий, эссе
Просвечивающая электронная микроскопия.
Ионно-полевая микроскопия.
Сканирующая микроскопия.
Методы получения тонких пленок.
1.
2.
3.
4.
3.3. Курсовая работа
Курсовая работа по курсу не предусмотрена.
3.4. Балльно-рейтинговая система
Максимальная сумма баллов, набираемая студентом по дисциплине «Технология
интегральных микросхем», закрываемой семестровой (итоговой) аттестацией, равна 100.
На основе набранных баллов, успеваемость студентов в семестре определяется
следующими
оценками:
«отлично»,
«хорошо»,
«удовлетворительно»
и
«неудовлетворительно».
 «Отлично» – от 86 до 100 баллов – теоретическое содержание курса освоено
полностью, без пробелов, необходимые практические навыки работы с освоенным
материалом сформированы, все предусмотренные программой обучения учебные
задания выполнены, качество их выполнения оценено числом баллов, близким к
максимальному.
 «Хорошо» – от 74 до 85 баллов – теоретическое содержание курса освоено полностью,
без пробелов, некоторые практические навыки работы с освоенным материалом
сформированы недостаточно, все предусмотренные программой обучения учебные
задания выполнены, качество выполнения ни одного из них не оценено минимальным
числом баллов, некоторые виды заданий выполнены с ошибками.
 «Удовлетворительно» – от 61 до 73 баллов – теоретическое содержание курса освоено
частично, но пробелы не носят существенного характера, необходимые практические
навыки работы с освоенным материалом в основном сформированы, большинство
предусмотренных программой обучения учебных заданий выполнено, некоторые из
выполненных заданий, возможно, содержат ошибки.
 «Неудовлетворительно» – 60 и менее баллов - теоретическое содержание курса не
освоено, необходимые практические навыки работы не сформированы, выполненные
учебные задания содержат грубые ошибки, дополнительная самостоятельная работа
над материалом курса не приведет к существенному повышению качества выполнения
учебных заданий.
Баллы, характеризующие успеваемость студента по дисциплине, набираются им в
течение всего периода обучения за изучение отдельных тем и выполнение отдельных
видов работ.
Распределение баллов, составляющих основу оценки работы студента по
изучению дисциплины «Технология интегральных микросхем» в течение 18 недель В
семестра:
1.
2.
3.
5.
Посещение занятий (1 балл в неделю)
Контрольные мероприятия
Тестирование-I
Тестирование-II
Выполнение заданий по дисциплине в течение
семестра
Ответ на семинаре
Выполнение индивидуального расчетного задания
Выполнение индивидуального расчетного задания
Выполнение
дополнительных
практикоориентированных заданий
Участие в студенческой научной конференции
Реферат I
Реферат II
Ответ на зачете
Итого:
до 18 баллов
до 24 баллов
до 12 баллов
до 12 баллов
до 30 баллов
до 5 баллов 2
до 10 баллов
до 10 баллов
до 28 баллов
до 10 баллов
до 8 баллов
до 10 баллов
до 30 баллов
100 + 30 баллов
4. Сведения о материально-техническом обеспечении дисциплины
№п/п
1
2
Наименование оборудованных учебных
кабинетов, лабораторий
Лекционная аудитория
Компьютерный класс
Перечень оборудования и технических
средств обучения
Мультимедийное оборудование
Мультимедийное оборудование
5. Литература
5.1. Основная
1. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники: Учеб. Пособие для вузов / И.П.
Степаненко – М. : Лаборатория базовых знаний, 2004. – 488 с.
2. Пасынков В.В. Полупроводниковые приборы (учебник для вузов, 7-е издание) / В.В.
Пасынков, Л.К. Чиркин, А.Д. Шинков – СПб : изд. Лань, 2003. – 398 с.
3. Гуртов В.А. Твердотельная электроника: Учеб. Пособие. / В.А. Гуртов – М.:
Техносфера, 2005. – 408 с.
5.2. Дополнительная
1. Неволин В.К. Зондовые нанотехнологии в электронике. / В.К. Неволин М. :
Техносфера, 2005. – 152 с.
2. Ефимов И.Е. Основы микроэлектроники / И.Е. Ефимов, И.Я. Козырь – М. : Высш. шк.,
1983. – 384 с.
3. Батушев В.А. Микросхемы и их применение / В.А. Батушев, В.Н. Вениаминов, В.Г.
Ковалев и др. – М. : Энергия, 1978. – 248 с.
4. Тилл У. Интегральные схемы: Материалы, приборы, изготовление: Пер. с англ. / У.
Тилл, Дж. Лаксон – М. : Мир, 1985. – 501 с.
5. Броудай И. Физические основы микротехнологии: Пер. с англ. / И. Броудай, Дж.
Мерей – М. : Мир, 1985. – 496 с.
5.3. Учебно-методическое и информационное обеспечение дисциплины для
организации самостоятельной работы студентов (содержит перечень основной
литературы, дополнительной литературы, программного обеспечения и Интернетресурсы)
1. Шалимова М.Б. Физические принципы работы и технологии интегральных схем:
Электронный учебник / М.Б. Шалимова http://dls.ssu.samara.ru – 2011 .