Uploaded by gamer.36076

электроника 1

advertisement
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральное автономное образовательное учреждение высшего образования
«Южно-Уральский государственный университет
(Национальный исследовательский университет)»
Высшая школа электроники и компьютерных наук
Кафедра «Инфокоммуникационные технологии»
ОТЧЕТ
по лабораторной работе № 1
Изучение статической вольтамперной характеристики полупроводникового диода
ВЫПОЛНИЛИ:
студенты гр. КЭ-211
Бригада № 8
Куценко М.Е. ___________
Будков И.С. ___________
Шилов П.А. ___________
«____» ___________ 2023 г.
ПРОВЕРИЛ:
Поваляев А.В. __________
«____» ____________ 2023 г.
Челябинск 2023
Цель работы
Исследование нелинейных свойств полупроводниковых диодов.
Оборудование
Осциллограф GOS-620FG со встроенным функциональным генератором,
лабораторный стенд, содержащий исследуемые диоды (кремниевый диод, диод с
барьером Шоттки, стабилитрон).
Ход работы
1. Схема лабораторного стенда
Рисунок 1 – Схема лабораторного стенда
Рисунок 2 – Схема электро-цепи
2
2. Таблицы с экспериментальными данными для исследуемых диодов.
Таблица 1 - Экспериментальный данные - Кремниевый диод
I
U1
U2
0,0002 0,0004 0,0006 0,0008 0,001 0,0012 0,0014 0,0016 0,0018 0,002 0,0022 0,0024
0,1
0,2
0,3
0,5
0,6
0,7
0,8
1
1,1
1,3
1,4
1,5
0,12
0,28
0,4
0,48
0,5
0,52
0,54
0,56
0,56 0,56
0,58
0,58
Таблица 2 - Экспериментальный данные - Диод Шоттки
I
U1
U2
0,0002 0,0004 0,0006 0,0008 0,001 0,0012 0,0014 0,0016 0,0018 0,002 0,0022 0,0024
0,1
0,2
0,3
0,5 0,75
0,8
0,9
1
1,2
1,3
1,4
1,5
0,14
0,16
0,17
0,17 0,18
0,18
0,19
0,19
0,19
0,2
0,2
0,21
Таблица 3 - Экспериментальный данные – Стабилитрон
I
0,0002 0,0004 0,0006 0,0008
0,001 0,0012 0,0014 0,0016 0,0018
0,002 0,0022 0,0024
U1
1
2
2,5
3
4
5
5,5
6
6,5
7,5
8
9
U2
0,8
2
2,4
3,2
3,6
4
4
4,2
4,4
4,4
4,5
4,5
3
3. Построенные эмпирические ВАХ для каждого из исследуемых диодов
Кремниевый диод
Рисунок 3 – ВАХ Кремниевого диода
Диод Шоттки
Рисунок 4 – ВАХ диода Шоттки
4
Стабилитрон
Рисунок 5 – ВАХ стабилитрона
4. Справочные данные по исследуемым диодам
Small Signal Diode
LL4148
Рисунок 6 – Электрические характеристики диода LL4148
Параметрические характеристики изделия указаны в электрических
характеристиках для перечисленных условий испытаний, если не указано иное.
Характеристики изделия могут не отражаться на электрических характеристиках,
если оно эксплуатируется в других условиях.
5
6
Рисунок 7 - Типичные эксплуатационные характеристики диода LL4148
Small Signal Schottky Diodes BAT54C
Рисунок 8 – Электрические характеристики диода BAT54C
Рисунок 9 - Типичные эксплуатационные характеристики диода BAT54C
7
Стабилитрон КС156
Стабилитроны кремниевые, сплавные, малой мощности. Предназначены для
стабилизации номинального напряжения 3,3...6,8 В, в диапазоне токов
стабилизации 3...81 мА. КС156А выпускается
в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Для обозначения
типа и полярности стабилитрона используется условная маркировка — голубая
кольцевая полоса со стороны катодного вывода и разноцветные кольцевые
полосы по сторонам анодного вывода: КС156А — оранжевая. В режиме
стабилизации напряжения полярность включения стабилитрона обратная.
Масса стабилитронов не более 0,3 г.
8
Рисунок 9 – Типичные эксплуатационные характеристики стабилитронов
9
ВЫВОДЫ ПО РАБОТЕ
В ходе проделанной работы мы исследовали нелинейные свойства
полупроводниковых диодов. Также научились настраивать генератор и
осциллограф, анализировать устойчивые изображения на экране осциллографа. С
помощь напряжения и сопротивления определили ток на диодах и, имея все
данные, построили графики по каждому диоду.
10
Download