Министерство науки и высшего образования Российской Федерации Федеральное автономное образовательное учреждение высшего образования «Южно-Уральский государственный университет (Национальный исследовательский университет)» Высшая школа электроники и компьютерных наук Кафедра «Инфокоммуникационные технологии» ОТЧЕТ по лабораторной работе № 1 Изучение статической вольтамперной характеристики полупроводникового диода ВЫПОЛНИЛИ: студенты гр. КЭ-211 Бригада № 8 Куценко М.Е. ___________ Будков И.С. ___________ Шилов П.А. ___________ «____» ___________ 2023 г. ПРОВЕРИЛ: Поваляев А.В. __________ «____» ____________ 2023 г. Челябинск 2023 Цель работы Исследование нелинейных свойств полупроводниковых диодов. Оборудование Осциллограф GOS-620FG со встроенным функциональным генератором, лабораторный стенд, содержащий исследуемые диоды (кремниевый диод, диод с барьером Шоттки, стабилитрон). Ход работы 1. Схема лабораторного стенда Рисунок 1 – Схема лабораторного стенда Рисунок 2 – Схема электро-цепи 2 2. Таблицы с экспериментальными данными для исследуемых диодов. Таблица 1 - Экспериментальный данные - Кремниевый диод I U1 U2 0,0002 0,0004 0,0006 0,0008 0,001 0,0012 0,0014 0,0016 0,0018 0,002 0,0022 0,0024 0,1 0,2 0,3 0,5 0,6 0,7 0,8 1 1,1 1,3 1,4 1,5 0,12 0,28 0,4 0,48 0,5 0,52 0,54 0,56 0,56 0,56 0,58 0,58 Таблица 2 - Экспериментальный данные - Диод Шоттки I U1 U2 0,0002 0,0004 0,0006 0,0008 0,001 0,0012 0,0014 0,0016 0,0018 0,002 0,0022 0,0024 0,1 0,2 0,3 0,5 0,75 0,8 0,9 1 1,2 1,3 1,4 1,5 0,14 0,16 0,17 0,17 0,18 0,18 0,19 0,19 0,19 0,2 0,2 0,21 Таблица 3 - Экспериментальный данные – Стабилитрон I 0,0002 0,0004 0,0006 0,0008 0,001 0,0012 0,0014 0,0016 0,0018 0,002 0,0022 0,0024 U1 1 2 2,5 3 4 5 5,5 6 6,5 7,5 8 9 U2 0,8 2 2,4 3,2 3,6 4 4 4,2 4,4 4,4 4,5 4,5 3 3. Построенные эмпирические ВАХ для каждого из исследуемых диодов Кремниевый диод Рисунок 3 – ВАХ Кремниевого диода Диод Шоттки Рисунок 4 – ВАХ диода Шоттки 4 Стабилитрон Рисунок 5 – ВАХ стабилитрона 4. Справочные данные по исследуемым диодам Small Signal Diode LL4148 Рисунок 6 – Электрические характеристики диода LL4148 Параметрические характеристики изделия указаны в электрических характеристиках для перечисленных условий испытаний, если не указано иное. Характеристики изделия могут не отражаться на электрических характеристиках, если оно эксплуатируется в других условиях. 5 6 Рисунок 7 - Типичные эксплуатационные характеристики диода LL4148 Small Signal Schottky Diodes BAT54C Рисунок 8 – Электрические характеристики диода BAT54C Рисунок 9 - Типичные эксплуатационные характеристики диода BAT54C 7 Стабилитрон КС156 Стабилитроны кремниевые, сплавные, малой мощности. Предназначены для стабилизации номинального напряжения 3,3...6,8 В, в диапазоне токов стабилизации 3...81 мА. КС156А выпускается в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Для обозначения типа и полярности стабилитрона используется условная маркировка — голубая кольцевая полоса со стороны катодного вывода и разноцветные кольцевые полосы по сторонам анодного вывода: КС156А — оранжевая. В режиме стабилизации напряжения полярность включения стабилитрона обратная. Масса стабилитронов не более 0,3 г. 8 Рисунок 9 – Типичные эксплуатационные характеристики стабилитронов 9 ВЫВОДЫ ПО РАБОТЕ В ходе проделанной работы мы исследовали нелинейные свойства полупроводниковых диодов. Также научились настраивать генератор и осциллограф, анализировать устойчивые изображения на экране осциллографа. С помощь напряжения и сопротивления определили ток на диодах и, имея все данные, построили графики по каждому диоду. 10