Sunnatov Ramziddin TDTU 19s-20RQT Aloqa tizimlari axborot uzatilishiga qarab 2 guruhga bo’linadi • Yo’naltirilgan (simli) • Radio aloqa ( simsiz) Yo’naltirilgan (simli) • Xavo aloqa liniyalari 0...105 Hz • Simmetrik 0...106 Hz • Koaksial 0...109 Hz • To’lqin o’tkazgich 1010...1011 Hz • Optik tolali 1014...1015 Hz Optik tolali To’lqin o’tkazgich Koaksial Simmetrik aloqa liniyasi Radio aloqa ( simsiz) • Redio rele liniya • Yo’naltirivchi liniya (sputnik) • radio • Televideniya • Mobil aloqa Mobil aloqa Terminallar (qurilmalar) 2 turga bo’linadi analog raqamli Televideniya radio Yo’naltirivchi liniya (sputnik) Redio rele liniya Xavo aloqa liniyalari Yarim o‘tkazgich materiallar Element yoki birikma Nomlanishi Kristall tuzilishi 300K (Å) da panjara doimiysi. Element or compound Name Crystal structure Lattice constant at 300K (Å) Material C Uglerod Carbon (diamond) D 3,56683 Ge Germaniy Germanium D 5,64613 Si Kremniy Silicon D 5,43095 Sn Olovo Grey tin D 6,48920 SiS Kremniy karbidi Silicon carbide W a=3,086; s=15,117 AlAs Alyuminiy arsenidi Aluminum arsenide Z 5,6605 AlP Alyuminiy fosfidi Aluminum phosphide Z 5,4510 AlSb Alyuminiy antimonidi Aluminum antimonide Z 6,1355 BN Bor nitridi Boron nitride Z 3,6150 BP Bora fosfidi Boron phosphide Z 4,5380 GaAs Galliy arsenidi Gallium arsenide Z 5,6533 GaN Galliy nitridi Gallium nitride W a=3,189; s=5,185 GaP Galliy fosfidi Gallium phosphide Z 5,4512 Element IV-IV III-V Eng muhim yarimo‘tkazgichlarning xossalari Yarimo‘tkazgich Taqiqlangan zona kengligi (eV) 300K da Harakatchanlik (sm2/Vs) Bandgap (eV) Mobility at 300K (cm2/Vc) Effektiv massa m*/m0 Zona I – to‘g‘ri zonali Effective mass m*/m0 Semiconductor 300K 0K elektron kovak band elektron kovak s/0 C 5,47 5,48 1800 1200 I 0,2 0,25 5,7 Ge 0,66 0,74 3900 1900 I 1,64 0,082 0,04 0,28 16,0 Si 1,12 1,17 1500 450 I 0,98 0,19 0,16 0,49 11,0 0,082 1400 1200 D Element Sn IV-IV III-V II-VI -SiC 2,996 3,03 400 50 I 0,60 1,00 10,0 AlSb 1,58 1,68 200 420 I 0,12 0,98 14,4 BN 7,5 BP 2,0 GaN 3,36 3,50 380 GaSb 0,72 0,81 5000 850 GaAs 1,42 1,52 8500 GaP 2,26 2,34 InSb 0,17 InAs I 7,1 0,19 0,60 12,2 D 0,042 0,40 15,7 400 D 0,067 0,082 13,1 110 75 I 0,82 0,60 11,1 0,23 80000 1250 D 0,0145 0,40 17,7 0,36 0,42 33000 460 D 0,023 0,40 14,5 InP 1,35 1,42 4600 150 D 0,077 0,64 12,4 CdS 2,42 2,56 340 50 D 0,21 0,80 5,4 CdSe 1,70 1,85 800 D 0,13 0,45 10,0 CdTe 1,56 ZnO 3,35 ZnS 3,68 PbS PbTe 1050 100 D 10,2 3,42 200 180 D 0,27 9,0 3,84 165 5 D 0,40 5,2 0,41 0,286 600 700 I 0,25 0,25 17,0 0,31 0,19 6000 400 I 0,17 0,20 30,0 IV-VI bo‘lmagan tuzilishi. D – to‘g‘ri zonali tuzilishi. Ferritlar temir oksidini hamda ikki valentli va bir valentli metall oksidlarining tizimini ifodalaydi. Me - metalning 2 valentli simvoli. Ferritlarni tayyorlash texnologiyasida ferritli poroshoklarga qizdirilgan temir oksidlarini qo‘shib aralashtiriladi. Polivilin spirt (plas-tifikator) qo‘shilib, press yordamida kerakli Yuqori magnit sindiruvchanligi nikel rux Turli chastotadagi ferritlarning shaklga keltiriladi. Keyin kerakli haroratda toblanadi, jarayon havoda bo‘ladi. Pech bo‘lsa qisman vodorod qoldig‘ini yoki maxsulotlarda oksidlarning qisman qo‘llanilishi tiklanishini yaratadi. Bu esa magnit isrofini oshiradi. ferritning gisterezis Ferritlar qattiq va mo‘rt bo‘ladi. Lampali triod Lampali diod (eski 1906-2000 yillar) Tristor, simistor, dinistor Diod (zamonaviy) Led, lazer va foto diodlari Bipolyar tranzistor Maydon tranzistorlari Rezistor (qarshilik) G’altak transformator Yuqori chastotali transformatorlar Elektromagnit Rele Kondensatorlar mikrosxemalar ETIBORINGIZ UCHUN RAHMAT