КОД НАПРАВЛЕНИЯ 28.03.01 КОД КОМПЕТЕНЦИИ ПК-1 Дисциплина Тонкоплёночная электроника Номер 1 2 3 4 5 6 Задание Какие электрические параметры материалов тонкоплёночных конденсаторов должны иметь максимальные значения? 1. Тангенс угла диэлектрических потерь 2. Диэлектрическая проницаемость 3. Электрическая прочность 4. Удельная проводимость 5. Температурный коэффициент ёмкости Какие электрические параметры материалов подложек тонкоплёночных ИМС и МСБ должны иметь максимальные значения? 1. Тангенс угла диэлектрических потерь 2. Диэлектрическая проницаемость 3. Электрическая прочность 4. Удельная проводимость 5. Температурный коэффициент линейного расширения Чем вызвано необходимость расширение контактной площадки контактной площадки тонкоплёночного резистора? Какими параметрами технического проекта определяется погрешность старения тонкоплёночного резистора? Какой тип паразитного элемента необходимо учитывать в первую очередь при моделировании работы изделия микросистемной техники? Составьте алгоритм последовательности проектирования тонкоплёночного резистора. 7 8 9 10 Физика МДП-структур и выпрямляющих контактов 1 2 3 4 Укажите необходимые данные технического задания на проектирование тонкоплёночного резистора Укажите необходимые данные технического задания на проектирование тонкоплёночного конденсатора Какие паразитные параметры тонкоплёночного проводника зависят от максимальной рабочей частоты ИМС (МСБ)? Каким образом можно скомпенсировать проявление скин-эффекта в тонкоплёночных проводниках и индуктивностях, если нет возможности менять материал и наращивать толщину плёнок? Каким образом влияет увеличение температуры на обратный и прямой ток через p-n переход: 1. Увеличиваются токи инжекции и экстракции 2. Увеличиваются токи генерации и рекомбинации 3. Увеличиваются только составляющие прямого тока 4. Увеличиваются только составляющие обратного тока. 5. Увеличиваются как прямой, так и обратный ток. Каким образом влияет увеличение температуры на контактную разность потенциалов выпрямляющего контакта: 1. Увеличивается 2. Уменьшается 3. Не изменяется 4. Зависит от типа выпрямляющего контакта Каким образом влияет уменьшение температуры на толщину ООЗ выпрямляющего контакта? Дано: работа выхода из металла, ширина запрещённой зоны полупроводника, положение уровня Ферми в запрещённой зоне полупроводника. Какой необходимый параметр не указан для 5 6 7 8 9 10 Твердотельная электроника 1 расчёта контактной разности потенциалов «металлполупроводник»? Дано: работа выхода из металла, степень легирования полупроводника, энергия сродства к электрону полупроводника. Какой необходимый параметр не указан для расчёта контактной разности потенциалов «металл-полупроводник»? Как называется параметр эквивалентной схемы замещения выпрямляющего контакта, который зависит от изменения толщины ООЗ контакта? Как называется параметр эквивалентной схемы замещения выпрямляющего контакта, который зависит от изменения высоты потенциального барьера контакта? Сколько составляющих имеет напряжение плоских зон МДПструктуры? Какой режим поверхности полупроводника не проявляется на ВФХ МДП-структуры в высокочастотных измерениях? При каком режиме поверхности полупроводника МДП-структура имеет минимальную ёмкость? Какой параметр биполярного транзистора можно рассчитать по 𝐼 −𝐼 формуле К КБ0 ? 𝐼Э +𝐼КБ0 2 3 4 Как называется значение выходного напряжения, при котором начинается перекрытие проводящего канала полевого транзистора? Какой тип полупроводниковых компонентов использует явление лавинного пробоя для стабилизации напряжения? Какой из полупроводниковых компонентов с диодной структурой используется в качестве управляемой напряжением электрической ёмкости? 5 6 7 8 9 10 Какой тип полупроводниковых диодов предназначен для преобразования высокочастотных сигналов в сигнал промежуточной частоты? В какой схеме включения биполярного транзистора коэффициент передачи входного тока практически не зависит от выходного напряжения? Как называется параметр полевых транзисторов, характеризующий их усилительные свойства? Какой класс полупроводниковых компонентов моделируется комплементарной парой биполярных транзисторов? Какой параметр материала оптоэлектронного полупроводникового компонента определяет его максимальное КПД? Какой параметр какого оптоэлектронного компонента определяет отношение времени жизни неравновесных носителей к времени их пролёта (электрического дрейфа) между контактами? ОЦЕНКА РЕЗУЛЬТАТОВ Дисциплина Тонкоплёночная электроника Номер задания 1 2 3 Ответ Тип теста 3 3 Устранить возможность превышения допустимой закрытый закрытый открытый Время выполнения задания (мин.) 1 1 5 Примечание (если необходимо) 4 5 6 7 8 9 10 Физика МДПструктур и выпрямляющих контактов 1 2 3 4 мощности рассеяния в области контакта Время хранения и время эксплуатации Ёмкостной (ёмкость, электрическая, ёмкость и т.п.) Развёрнутый ответ Развёрнутый ответ Развёрнутый ответ паразитные индуктивность и ёмкость Увеличение ширины проводящей плёнки 5 2 Уменьшается Энергия сродства к электрону (для полупроводника) открытый 3 открытый 5 открытый открытый открытый открытый 15 10 3 3 открытый 3 закрытый закрытый открытый открытый 1 1 3 3 5 6 7 Твердотельная электроника 8 9 10 1 2 3 4 5 6 7 8 9 Ширина запрещённой зоны (полупроводника) Барьерная ёмкость Дифференциальное сопротивление 3 Инверсия Обеднение Коэффициент передачи тока эмиттера Напряжение насыщения Стабилитрон Варикап Смесительный (диод) Схема включения с общей базой Крутизна передаточной характеристики Тиристор(-ы) Внутренний квантовый выход открытый 3 открытый открытый 3 3 открытый открытый открытый открытый 3 3 3 5 открытый 3 открытый открытый открытый 3 3 3 открытый 3 открытый 5 открытый открытый 3 5 10 Коэффициент усиления фоторезистора открытый 5
