БЭК-07. ВЧ и СВЧ компоненты фирмы Mitsubishi Electric-2010

БИБЛИОТЕКА ЭЛЕКТРОННЫХ КОМПОНЕНТОВ®
ВЫПУСК 7
ВЧ И СВЧ КОМПОНЕНТЫ
ФИРМЫ
MITSUBISHI ELECTRIC
СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2
РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ НА ОСНОВЕ
КРЕМНИЯ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3
МОЩНЫЕ ВЧ И СВЧ ТРАНЗИСТОРЫ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3
ВЧ МОДУЛИ УСИЛИТЕЛЕЙ МОЩНОСТИ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Модули для портативной аппаратуры . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
Модули для мобильной аппаратуры. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
Структурные схемы и характеристики ВЧ модулей . . . . . . . 11
АРСЕНИДГАЛЛИЕВЫЕ ВЧ И СВЧ РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ
КОМПОНЕНТЫ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .19
ДВУХЧАСТОТНЫЙ ГЕНЕРАТОР MGF1001P . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
МАЛОШУМЯЩИЕ FET И HEMT ТРАНЗИСТОРЫ . . . . . . . . . . . . . . . . 19
МОЩНЫЕ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
Мощные широкополосные GaAs полевые
транзисторы (внутренне несогласованные) . . . . . . . 21
Мощные узкополосные GaAs полевые
транзисторы (внутренне согласованные) . . . . . . . . . 23
МОДУЛИ И МИКРОСХЕМЫ ВЧ УСИЛИТЕЛЕЙ МОЩНОСТИ . . . . . . 29
GaAs микросхемы для портативных телефонов . . . . . . . . . . 29
GaAs модули для портативных телефонов . . . . . . . . . . . . . . 29
МИКРОСХЕМЫ ДЛЯ АППАРАТУРЫ СВЧ ДИАПАЗОНА . . . . . . . . . . . 29
СВЧ GaAs малошумящие усилители . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
СВЧ GaAs усилители мощности . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
Мощные СВЧ модули и интегральные схемы . . . . . . . . . . . . 29
ФИЛЬТРЫ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ
. . . . .30
РЕКОМЕНДАЦИИ ПО ПРИМЕНЕНИЮ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .31
ТИПЫ КОРПУСОВ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .36
ПЕРЕЧЕНЬ КОМПОНЕНТОВ, ПОМЕЩЕННЫХ
В СПРАВОЧНИКЕ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .45
ВВЕДЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ ________________________________________________________
Торговая марка Mitsubishi — три ромба в форме
треугольника (Mitsu — 3, Bishi — ромб) хорошо
известна в России.
Mitsubishi Electric Corporation является общепризнанным лидеI
ром на мировом рынке высокочастотных (ВЧ) и сверхвысокочастотI
ных (СВЧ) электронных компонентов, широко используемых в
современных системах телекоммуникаций и связи.
Номенклатура изделий с торговой маркой Mitsubishi весьма разI
нообразна. Главным образом, она представлена различными усиI
лительными полупроводниковыми приборами (малогабаритными
ВЧ и СВЧ транзисторами, гибридными модулями и интегральными
микросхемами), изготовленными на основе кремния (Si) и арсенида
галлия (GaAs), а также миниатюрными керамическими фильтрами
на поверхностных акустических волнах (ПАВ) с прекрасными элекI
трическими характеристиками.
Настоящее издание содержит сведения о ВЧ и СВЧ электронных
компонентах фирмы Mitsubishi Electric Corporation последних лет
(1995I99 гг.) выпуска.
Кремниевые ВЧ транзисторы представлены изделиями с различI
ной выходной мощностью (от 0.2 до 100 Вт), рассчитанными на раI
боту в диапазоне частот от 30 до 1650 МГц.
Номенклатура кремниевых ВЧ гибридных усилительных модулей
насчитывает около 300 наименований. Модули представляют собой
функционально законченные изделия, широко используемые в соI
временной портативной и мобильной аппаратуре связи, работаюI
щей в различных стандартах (GSM, DAMPS, EITACS, NMT, TETRA и
др.) с частотной (FM), амплитудной (AM) и однополосной (SSB) моI
дуляцией или фазовой манипуляцией (PSK) сигнала. Выпускаются
модули с выходной мощностью от 1.5 до 60 Вт в диапазоне частот от
54 до 1650 МГц при напряжении питания от 6 до 12.5 В.
Малошумящие GaAs транзисторы были специально разработаны
для использования во входных каскадах усилителей, смесителей и
генераторов СВЧ диапазона. Они прекрасно зарекомендовали себя
при работе в малошумящих и сверхмалошумящих блоках СВЧ конI
вертеров спутникового ТВ вещания, в высокочастотных блоках наI
земных и спутниковых систем телекоммуникаций и связи, а также в
ряде других устройств СВЧ техники диапазона 0.5…20 ГГц.
Малошумящие GaAs транзисторы представлены двумя группаI
ми: FET (Field Effect Transistor) — полевые транзисторы и HEMT (High
Electron Mobility Transistor) — транзисторы с высокой подвижностью
электронов. В HEMTIтранзисторах в качестве материала полупроI
водника с высокой подвижностью электронов используется GaAs,
легированный индием (InGaAs). При этом HEMTIтранзисторы отлиI
2
чаются от других типов СВЧ транзисторов минимальным уровнем
шума.
Мощные (0.2…100 Вт) полевые GaAs транзисторы разделены на
две группы: широкополосные (внутренне несогласованные) транI
зисторы и узкополосные (внутренне согласованные) транзисторы.
Они предназначены для работы в диапазоне частот от 0.5 до 16 ГГц.
В настоящее время выпускаются мощные широкополосные
(внутренне несогласованные) GaAs полевые транзисторы фирмы
MITSUBISHI с номинальной выходной мощностью от 0.2 до 12.5 Вт.
Основная область их применения I использование в предоконечных
и оконечных каскадах узкополосных и широкополосных СВЧ усилиI
телей мощности различного назначения.
Мощные узкополосные (внутренне согласованные) GaAs полевые
транзисторы незаменимы в оконечных каскадах СВЧ усилителей как
общего, так и специального назначения, где особую роль играют
экономичность, надёжность и массогабаритные показатели. В
частности, они широко используются в наземных и спутниковых
системах телекоммуникаций и связи, в портативных радиолокатоI
рах и ряде других устройств СВЧ техники.
GaAs модули и монолитные микросхемы ВЧ усилителей мощносI
ти предназначены, в основном, для использования в миниатюрных
радиотелефонах различных цифровых стандартов связи, работаюI
щих в диапазонах 800…900 МГц и 1.4…1.9 ГГц. Выходная мощность
данных изделий обычно составляет 0.2…2 Вт, коэффициент усилеI
ния — 25…30 дБ, КПД — 40…50%, напряжение источника питания —
3…6 В. Вместе с тем, для диапазона 1.8…1.9 ГГц фирма MITSUBISHI
выпускает и более мощные (2…30 Вт) СВЧ модули и интегральные
ВЧ устройства, предназначенные для использования в базовых
станциях подвижной связи.
GaAs монолитные микросхемы микроволновых (СВЧ) малошумяI
щих усилителей и усилителей мощности разработаны для нового
развивающегося направления беспроводных приложений — радиI
альноIузловых многоточечных систем связи. Данные приборы раI
ботают в диапазоне частот 18…43 ГГц, обеспечивая выходную
мощность от нескольких мВт до 1 Вт и усиление 9…24 дБ.
ВЧ полосовые керамические ПАВIфильтры применяются во
входных и выходных каскадах современной аппаратуры подвижной
и сотовой связи, они незаменимы в GPSIприёмниках системы глоI
бальной спутниковой навигации и в пейджинговой связи.
В настоящем издании имеется также информация о параметрах
корпусов представленных изделий и рекомендации по их применению.
Дополнительную информацию можно получить у официального
дистрибьютора продукции — НПО "Симметрон" (см. рекламу на 4Iй
странице обложки).
Информацию о новейших разработках ВЧ и СВЧ электронных
компонентов фирмы Mitsubishi Electric Corporation можно найти в
Интернете по адресу: http://www.mitsubishichips.com
ВЧ и СВЧ компоненты
фирмы MITSUBISHI ELECTRIC
РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ
РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ_____________________________________________________________________________
МОЩНЫЕ ВЧ И СВЧ ТРАНЗИСТОРЫ
Электрические характеристики
PO — выходная мощность, PIN — входная мощность, VCC — напряжение на коллекторе, GP — коэффициент усиления мощности, BeO — использование в
корпусе BeO.
fL, PO, GP, КПД, PIN, VCC,
Кор
Структура
BeO
МГц Вт дБ
%
Вт
В
пус
27...300 МГЦ
2SC2086 27 0.3 13.0 50 0.015 12.0 Si, nIpIn, эпитаксиальный
TOI92L
Прибор
2SC2166
27
6
13.8
55
2SC1944
27
13
11.1
55
0.25 12.0 Si, nIpIn, эпитаксиальный
1
TI30
12.0 Si, nIpIn, эпитаксиальный
TI30
Прибор
fL, PO, GP, КПД, PIN, VCC,
МГц Вт дБ
%
Вт
В
300...700 МГЦ
Структура
BeO
Кор
пус
2SK2974
450
7
8.5
50
1
7.2
МОП
SMD
2SK2973
450
1
13.0
45
0.05
9.6
МОП
SOTI89
450
7
8.5
50
1
9.6
МОП
SMD
2SC3133
27
13
14.1
60
0.5
12.0 Si, nIpIn, эпитаксиальный +
TI30E
2SK2975
2SC1945
27
14
14.5
60
0.5
12.0 Si, nIpIn, эпитаксиальный +
TI30E
2SC1966
470
3
7.8
50
0.5
13.5 Si, nIpIn, эпитаксиальный +
TI31E
2SC1969
2SC3241
2SC2904
2SC3240
2SC3908
2SC2097
27 16 12.0
30 75 12.7
30 100 11.5
30 100 11.5
30 100 11.5
30 75 12.7
60
55
55
55
55
55
1
4
7
7
7
4
12.0
12.5
12.5
12.5
12.5
13.5
TI30
TI45E
TI40E
TI45E
TI40E
TI40E
2SC1967
470
7
6.7
50
1.5
13.5 Si, nIpIn, эпитаксиальный +
TI31E
2SC1968
470 14
3.7
50
6
13.5 Si, nIpIn, эпитаксиальный +
TI31E
2SC1968A 470 14
5.4
50
4
13.5 Si, nIpIn, эпитаксиальный +
TI31E
2SC908
500
4.0
50
0.4
13.5 Si, nIpIn, эпитаксиальный +
TI8
2SC2131
500 1.4
6.7
50
0.3
13.5 Si, nIpIn, эпитаксиальный +
TI8E
2SC741
150 0.2 13.0
50
0.01 13.5 Si, nIpIn, эпитаксиальный
2SC730
2SC2055
150 1 10.0
175 0.2 13.0
50
50
0.1 13.5 Si, nIpIn, эпитаксиальный +
0.01 7.2 Si, nIpIn, эпитаксиальный
2SC3629
520 1.2
7.8
55
0.2
7.2 Si, nIpIn, эпитаксиальный +
TI46
2SC3103
520 2.8
6.7
55
0.6
7.2 Si, nIpIn, эпитаксиальный +
TI31E
2SC3017
175 1.5 11.8
55
0.1
7.2 Si, nIpIn, эпитаксиальный +
TI8E
2SC3379
520 2.8
6.7
55
0.6
7.2 Si, nIpIn, эпитаксиальный +
TI46
2SC3404
175 1.5 12.7
55
0.08
7.2 Si, nIpIn, эпитаксиальный +
TI46
2SC3104
520
4.8
60
2
7.2 Si, nIpIn, эпитаксиальный +
TI31E
2SC2056
175 1.6
9.0
55
0.2
7.2 Si, nIpIn, эпитаксиальный +
TI8E
2SC3018
175
3
13.0
55
0.15
7.2 Si, nIpIn, эпитаксиальный +
TI31E
2SC3019
520 0.5 14.0
40
0.02 12.5 Si, nIpIn, эпитаксиальный
TI43
2SC3001
175
6
13.0
60
0.3
7.2 Si, nIpIn, эпитаксиальный +
TI31E
2SC3020
520
3
10.0
50
0.3
12.5 Si, nIpIn, эпитаксиальный +
TI31E
2SC4240
175
6
13.0
60
0.3
7.2 Si, nIpIn, эпитаксиальный +
TI47
2SC3101
520
3
5.7
50
0.8
12.5 Si, nIpIn, эпитаксиальный +
TI8E
2SC2627
175
5
13.0
60
0.25 12.5 Si, nIpIn, эпитаксиальный +
TI41
2SC3630
520
3
5.7
50
0.8
12.5 Si, nIpIn, эпитаксиальный +
TI46
2SC2628
175 15
11.8
60
1
12.5 Si, nIpIn, эпитаксиальный +
TI41
2SC2630
2SC2694
175 50
175 70
7.0
6.7
60
60
10
15
12.5 Si, nIpIn, эпитаксиальный +
12.5 Si, nIpIn, эпитаксиальный +
TI40
TI40
2SC3021
520
7
7.7
50
1.2
12.5 Si, nIpIn, эпитаксиальный +
TI31E
2SC4167
520
7
7.7
50
1.2
12.5 Si, nIpIn, эпитаксиальный +
TI47
2SC5125
175 80
7.3
60
15
12.5 Si, nIpIn, эпитаксиальный +
TI40E
2SC3022
520 18
4.8
55
6
12.5 Si, nIpIn, эпитаксиальный +
TI31E
2SC2053
2SC2538
2SC1970
175 0.15 15.7
175 0.5 10.0
175 1 9.2
40
45
50
2SC2905
520 45
4.8
60
15
12.5 Si, nIpIn, эпитаксиальный +
TI40E
2SC3102
520 60
4.8
60
20
12.5 Si, nIpIn, эпитаксиальный +
TI40E
2SC1947
175 3.5 10.7
50
0.3
13.5 Si, nIpIn, эпитаксиальный +
TI8E
2SC4989
520 65
5.1
55
20
12.5 Si, nIpIn, эпитаксиальный +
TI40E
2SC1965A
2SC1971
2SC2237
2SC3628
175
175
175
175
6
6
6
6
10.0
10.0
13.8
13.8
50
60
60
60
0.6
0.6
0.25
0.25
13.5
13.5
13.5
13.5
+
+
+
+
TCI17
TI30E
TI31E
TI46
2SC2695
520 28
4.9
55
9
13.5 Si, nIpIn, эпитаксиальный +
TI31E
2SC1324
770
—
9.0
—
2SC1729
175 14
10.0
60
1.4
13.5 Si, nIpIn, эпитаксиальный +
TI31E
2SC3105
850 30
3.0
50
15
12.5 Si, nIpIn, эпитаксиальный +
TI44B
2SC1972
175 14
7.5
60
2.5
13.5 Si, nIpIn, эпитаксиальный +
TI30E
2SC2932
900
6
7.8
55
1
12.5 Si, nIpIn, эпитаксиальный +
TI31B
2SC2539
175 14
14.5
60
0.5
13.5 Si, nIpIn, эпитаксиальный +
TI31E
2SC2094
2SC1946
2SC1946A
2SC2629
2SC2540
2SC2133
2SC2134
175
175
175
175
175
220
220
8.8
6.7
10.0
9.3
8.2
8.2
7.0
60
60
60
60
60
55
55
2
6
3
3.5
6
4.5
12
13.5
13.5
13.5
13.5
13.5
28.0
28.0
TI31E
TI31E
TI31E
TI41
TI40E
TI40E
TI40E
2SC2933
900 14
6.7
50
3
12.5 Si, nIpIn, эпитаксиальный +
TI31B
2SC4624
900 45
4.8
45
15
12.5 Si, nIpIn, эпитаксиальный +
TI44B
2SC4838 1650 6
9.3
45
0.7
28.0 Si, nIpIn, эпитаксиальный +
TI31B
2SC4524 1650 7
5.4
45
2
28.0 Si, nIpIn, эпитаксиальный +
TI31B
2SC4525 1650 20
6.0
40
5
28.0 Si, nIpIn, эпитаксиальный +
XI139
2SC4526 1650 28
4.5
40
10
28.0 Si, nIpIn, эпитаксиальный +
XI139
15
28
30
30
40
30
60
Si, nIpIn, эпитаксиальный
Si, nIpIn, эпитаксиальный
Si, nIpIn, эпитаксиальный
Si, nIpIn, эпитаксиальный
Si, nIpIn, эпитаксиальный
Si, nIpIn, эпитаксиальный
+
+
+
+
+
TI8C
0.004 13.5 Si, nIpIn, эпитаксиальный
0.05 13.5 Si, nIpIn, эпитаксиальный
0.12 13.5 Si, nIpIn, эпитаксиальный
Si, nIpIn, эпитаксиальный
Si, nIpIn, эпитаксиальный
Si, nIpIn, эпитаксиальный
Si, nIpIn, эпитаксиальный
Si, nIpIn, эпитаксиальный
Si, nIpIn, эпитаксиальный
Si, nIpIn, эпитаксиальный
Si, nIpIn, эпитаксиальный
Si, nIpIn, эпитаксиальный
Si, nIpIn, эпитаксиальный
Si, nIpIn, эпитаксиальный
TI8
TOI92L
TOI92L
TOI92L
TI30
+
+
+
+
+
+
+
1
6
СВЫШЕ 700 МГЦ
0.03 15.0 Si, nIpIn, эпитаксиальный +
TI8
Примечание:
Характеристики представлены минимальными значениями. За более подробной информацией обращайтесь к справочным данным.
ВЧ и СВЧ компоненты
фирмы MITSUBISHI ELECTRIC
3
РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ
ВЧ МОДУЛИ УСИЛИТЕЛЕЙ МОЩНОСТИ
Рассматриваемые в данном разделе ВЧ модули представляют
собой функционально законченные усилители мощности для приI
менения в современной портативной и мобильной радиоэлектронI
ной аппаратуре (РЭА) связи, работающей в различных стандартах
(GSM, DAMPS, EITACS, NMT и др.), а также в ряде других областей
радиотехники.
Модули изготавливаются в герметичных керамических корпусах
с заземлённым теплоотводящим фланцем и имеют широкий диапаI
зон рабочих температур от –30 до +110°С. В мощных модулях для
мобильной РЭА применён улучшенный радиатор, выполненный на
основе окиси бериллия (BeO).
В следующей таблице представлены основные сведения о форI
ме и габаритных размерах корпусов ВЧ модулей.
Типы корпусов ВЧ модулей усилителей
Параметры модуля
Размеры,
мм
L
K
N
M
P
H
h
D
H2, H2R
66
52
23.5
22
12
9.8
2.3
4
H3, H3R
66
52
23.5
22
12
9.8
2.3
4
0.5
0.5
0.8
0.8
5
6
d
Суммарное количество
выводов
H11
60.5
50.2
14
11
5
6.3
2.3
3.2
H12
45
35
14
11
10
6.3
2.3
3.2
H13
45
35
12
9
10
6.3
2.3
3
Тип корпуса
H16
H18
56
67
42
54
23.3
20.6
22
17
12
7
9.8
8.8
2.3
2.6
4
3.6
0.45
0.4
0.4
0.5
6
6
6
6
H27, H27R
42
30
10
7
10
5.5
1.5
3
H28
90
70
34.5
29
16.5
11
3.5
5
H46, H47
30
21.2
10
6
4
5.5
1.5
3
H50
45
35
12
9
12
6.3
2.3
3
SMD
32
29
13.3
10.7
2.8
4
—
—
0.7
0.4
0.8
0.45
0.45
0.45
8
6
6
5
5
6
Примечание:
В строке "суммарное количество выводов" приведено общее число контактов модуля, т.е. число штыревых выводов плюс один заземляющий вывод корпуса —
радиатор.
Корпус Н47 отличается от корпуса Н46 обратным (реверсивным)
расположением выводов. Другие типы корпусов модулей с реверI
сивным расположением выводов имеют в обозначении букву R. Во
всех модулях MITSUBISHI применяется одинаковое расположение
выводов . Первый по счёту вывод является ВЧ входом, последний
штыревой вывод — ВЧ выходом. Остальные выводы, кроме радиаI
тора, который всегда соединен с корпусом (GND), служат для подI
ачи питающих напряжений. С целью регулировки уровня выходной
мощности в большинстве модулей предусмотрены выводы для подI
Габаритный чертёж модуля
5
2
4
H
d
3
P
1
4
N
D
M
L
K
ачи в цепь транзисторов усилительных каскадов соответствующего
напряжения смещения VBB.
Важнейшими параметрами ВЧ модулей являются полоса рабоI
чих частот f и гарантируемые в ней значения выходной мощности
PO, коэффициента усиления GP, коэффициент полезного действия
(КПД) ␩ и коэффициент стоячей волны напряжения (КСВН) на входе
␳IN. В таблицах эти параметры приведены при рекомендуемых ноI
минальных значениях мощности PIN на входе модулей, напряжений
питания их каскадов VCC и цепей базового смещения VBB. Величины
согласованных сопротивлений источников сигнала и нагрузки одиI
наковы для всех модулей и составляют ZG = ZL = 50 Ом. Типовые знаI
чения указанных параметров могут быть лучше гарантируемых в
среднем на 10…30%.
Модули имеют однополярное питание. Максимально допустиI
мые уровни напряжения питания и выходной мощности ВЧ модулей
MITSUBISHI обычно на 20…40% выше номинальных значений.
Коэффициент усиления модуля зависит от числа используемых в
нём каскадов (от 2 до 5) и для большинства изделий в среднем соI
ставляет 20…30 дБ.
Модули, предназначенные для работы в режиме SSB, имеют боI
лее линейную АЧХ и характеризуются малым уровнем гармоник 2f0
и 3f0 . В связи с этим они являются универсальными и могут успешI
но использоваться в РЭА с другими видами модуляции сигнала.
Для обеспечения устойчивой работы модулей MITSUBISHI необI
ходимо использование блокирующих конденсаторов в цепях питаI
ния и максимально коротких внешних схемных соединений, защита
корпуса модуля от сильных ударов и недопущение нештатных режиI
мов функционирования по питанию, сопротивлениям нагрузки и
температуре.
ВЧ и СВЧ компоненты
фирмы MITSUBISHI ELECTRIC
РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ
Модули для портативной аппаратуры
f — частотный диапазон; PO — выходная мощность; GP — коэффициент усиления мощности; PIN — входная мощность; VCC — напряжение питания; VBB —
напряжение смещения; ␳IN — КСВН на входе; 2f0 , 3f0 — уровни второй и третьей гармоник в выходном сигнале.
Номинальные значения
Серия
М67743
M68721
1)
M687311)
М687121)
M687391)
М57785
М67755
М57783
M68765
M68776
1)
М67798
1)
М67710
М57796
М57732
М67748
M67785
M68707
M67713
M67723
M68763
M687101)
Предельные значения
Число Фун
каскадов кция
Тип
f
PO
GP
␩.
PIN
VCC
VBB
␳IN
2fO
3fO
PO
VCC
Вт
дБ
%
мВт
В
В
дБ
дБ
Вт
В
L
H
МГц
68...81
77...88
7
23.6
38
30
12.5
5
4
–18
–25
10
15
2
FM
H13
—
118...137
10
27
40
20
12.5
3.5
2.8
–20
–30
12
16
2
AM
H46
L
N
135...155
142...163
7
7
21.4
21.4
50
45
50
50
10
10
9.2
9.2
HM
145...174
6.5
25.1
45
20
н/д
н/д
2
FM
H46
7.2
3.5
4
–20
–30
Корпус
H
150...175
7
21.4
50
50
10
9.2
N
142...163
2
20
45
20
6
3.5
3
–20
–30
3
9
2
FM
H46
M
R
L
M
H
L
H
155...168
154...162
135...150
150...162
162...174
135...150
150...175
7
25.4
50
20
9.6
3.5
3
–20
–30
10
16
2
FM
H46
H47
7
21.4
40
50
7.2
5
2.5
–20
–30
10
9
2
FM
H12
7
35.4
40
2
7.2
5
2.5
–25
–30
10
9
3
FM
H12
HA
н/д
L
H
135...160
150...175
7
21.4
45
50
7.5
5
2.5
–20
–30
10
9
2
FM
H13
—
135...175
5.5
20.4
33
50
9.6
5
3.5
–15
–30
9
13
22)
FM
H13
—
135...175
6.5
25.1
45
20
7.2
3.5
н/д
н/д
н/д
н/д
н/д
2
FM
H46
8
26
53
20
9.6
3.5
3
–20
–30
10
16
2
FM
H46, H47
7
21.4
40
50
9.6
5
2.5
–20
–30
10
13
2
FM
H13
7
13.6
15.4
13.6
50
300
200
300
12.5
5
2.5
–20
–30
10
16
1
FM
H14
7
25.4
40
20
12.5
5
2.5
–20
–30
10
16
2
FM
H12
7
25.4
45
20
12.5
5
2.5
–20
–25
10
15
2
FM
H27, H27R
5
24
40
20
9.6
5
2.5
–20
–25
7
13
2
FM
H12
7
25.4
35
20
9.6
5
2.5
–15
–25
9
13
3
FM
H12
5
2.5
–25
–30
10
FM
H14
FM
H13
LA, LRA 144...148
L
H
L
MA
H
L
—
L, LR
H, HR
UH
—
H
L
—
—I
135...160
150...175
135...160
144...148
150...175
135...160
144...175
135...150
150...175
220...225
186...200
220...240
215...230
250...270
220...225
7
12.4
45
400
12.5
—
220...225
7
25.4
45
20
12.5
H
276...284
1.5
15.7
40
40
7.2
L
M
H
SH
EL
TL
SL
UL
L
H
UH
184...200
223...226
230...250
262...268
290...330
330...360
350...380
380...400
400...430
450...470
470...520
5.3
5.3
5.3
5.8
27.6
35
35
35
40
10
2
20
40
20
ВЧ и СВЧ компоненты
фирмы MITSUBISHI ELECTRIC
16
1
н/д
16
н/д
2
5
2.5
–20
–30
10
7.2
5
3.5
–25
–30
10
9
3
FM
H12
6
3.5
4
–25
–30
3
9
2
FM
H46
5
РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ
Модули для портативной аппаратуры (продолжение)
Номинальные значения
Серия
M57786
М57799
M68758
1)
М67705
М677991)
М57797
М57721
Тип
Предельные значения
Число Фун
каскадов кция
f
PO
GP
␩.
PIN
VCC
VBB
␳IN
2fO
3fO
PO
VCC
МГц
Вт
дБ
%
мВт
В
В
—
дБ
дБ
Вт
В
–25
–30
10
10
3
FM
H12
9
2
FM
H13
EL
300...330
6
20.7
38
2.5
UL
360...380
6
20.7
38
2.5
L1
380...400
7
21.4
40
3.5
L
400...430
7
21.4
40
M
430...470
7
21.4
40
H
470...512
7
21.4
40
2.5
LB
н/д
н/д
н/д
н/д
н/д
MB
н/д
н/д
н/д
н/д
н/д
L1
335...360
35
3
L2
360...400
35
3
L
400...430
M
430...470
40
2.5
9
H
470...512
40
2.5
8
—
380...400
UL
380...400
L
400...430
M
430...470
6
21.7
40
50
40
7.2
7.5
5
5
2.5
2.5
2.5
Корпус
9
9
–25
–30
9
1.6
32
н/д
1
7.2
3.5
4
н/д
–25
5
9.2
32)
PSK
SMD
7
25.4
40
20
9.6
5
2.5
–25
–30
10
13
3
FM
H13
20
9.6
3.5
4
–25
–30
10
16
2
FM
H46
12.5
5
2.5
–25
–30
10
16
2
FM
H14
H
470...512
LA
400...430
7.5
25.7
43
MA
430...450
7.5
25.7
43
HA
450...470
7.5
25.7
43
UHA
470...490
7
25.4
40
SHA
490...512
7
25.4
40
M
н/д
н/д
н/д
н/д
SL
350...380
15.4
200
UL
380...400
15.4
200
L
400...430
15.4
MA
430...450
H
450...470
15.4
200
UH
470...490
15.4
200
SH
490...512
15.4
200
UL
335...370
L
350...400
M
400...450
—
450...512
GL
326...346
7
18.4
200
40
100
7
28.4
40
10
12.5
5
2.5
–30
–35
10
16
3
FM
H12
7
25.4
35
20
12.5
5
2.5
–25
–30
10
15
3
FM
H27, H27R
EL, SLR 335...360
М67749
SL
350...370
ULR
360...390
L, LR
400...430
M, MR 430...450
H, HR
440...470
UH, UHR 470...490
SH, SHR 490...512
6
ВЧ и СВЧ компоненты
фирмы MITSUBISHI ELECTRIC
РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ
Модули для портативной аппаратуры (продолжение)
Номинальные значения
Серия
M68732
1)
M687451)
M687571)
М67706
М67776
Тип
Предельные значения
Число Фун
каскадов кция
f
PO
GP
␩.
PIN
VCC
VBB
␳IN
2fO
3fO
PO
VCC
МГц
Вт
дБ
%
мВт
В
В
—
дБ
дБ
Вт
В
50
7.2
3.5
4
–25
–30
10
9.2
2
FM
H46
SL
330...380
7
21.4
45
UL
380...400
7
21.4
45
L
400...430
7
21.4
45
LA
400...450
7
21.4
43
H
450...470
7
21.4
43
HA
440...490
7
21.4
40
Корпус
UH
470...490
7
21.4
40
SHA
470...520
7
21.4
37
SH
490...512
7
21.4
38
EH
520...530
6.5
21.1
35
L
806...870
H
896...941
3.8
35.8
30
1
7.2
5
4
–30
—
6
9
3
FM
H50
3
17.8
30
50
7.2
3.5
4
–30
—
5
9.2
2
FM
H46
4
16
30
100
7.5
—
4
–30
–30
5
10
3
FM
H13
L
806...870
H
896...941
—
806...870
U
896...941
L
806...870
H
896...941
5
37
30
1
7.2
—
3
–30
–30
8
9.2
5
FM
H11
M687421)
—
903...905
1.8
32.5
30
1
6
5
4
–30
—
3
13
32)
FM
H27
М687111)
—
889...915
3.8
35.8
30
1
9.3
5
3
–30
–30
6
12
3
FM
H50
M687411)
—
889...915
3.8
35.8
30
1
7.2
5
4
–30
—
6
9.2
32)
FM
H50
М67719
—
846...903
4.7
16.2
30
100
7.2
—
4
–30
–35
6
9
3
FM
H13
—
820...851
M
850...915
6
37.7
35
1
12.5
3.5
4
–30
–35
10
17
2
FM
H11S
H
890...960
M68761
—
820...851
6
37.7
33
1
12.5
н/д
н/д
н/д
н/д
н/д
н/д
52)
FM2)
H15
М67761
—
893...901
7
38.4
35
1
7.2
—
2.5
–30
–30
9
9.2
5
FM
H11
L
н/д
M
890...915
10
40
35
1
12.5
н/д
н/д
н/д
н/д
н/д
н/д
52)
FM
H11
H
н/д
M687721)
—
890...915
13
38.1
35
2
12.5
н/д
н/д
н/д
н/д
н/д
н/д
52)
FM
H11S
M67790
—
945...951
4
36
30
1
8
—
3
–30
–30
6
10
5
FM
H11
М67732
—
1240...1300
1
21.5
25
7
7.2
—
3.5
–30
—
3
16
4
FM
H13
M67715
—
1240...1300
1.2
20.7
18
10
8
8
2.5
–30
–35
4
16
4
SSB
H13
М67783
—
1240...1300
1.4
23
20
7
7.2
—
3.5
–28
—
2.5
15
4
FM
H27
М67796
A
1240...1300
1.4
21.4
25
10
7.2
5
3.5
–28
—
2.5
15
4
FM
H27
М57787
—
1240...1300
1.5
23.3
28
7
7.2
—
3.5
–30
—
3
16
4
FM
H13
М67789
—
1465...1477
3
31.7
30
2
9.6
5
2.5
–25
–30
5
12
5
FM
H11
M687011)
M687601)
Примечания:
1) МОПIтранзистор (MOS FET);
2) Оценочное значение;
н/д — Нет данных.
FM — частотная модуляция, AM — амплитудная модуляция, PSK — фазовая манипуляция, SSB — однополосная модуляция.
ВЧ и СВЧ компоненты
фирмы MITSUBISHI ELECTRIC
7
РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ
Модули для мобильной аппаратуры
f — частотный диапазон; P0 — выходная мощность, линейный коэффициент мощности; PIN — входная мощность; VCC — напряжение питания; VBB — на
пряжение смещения; ␳IN — КСВН на входе; 2f0, 3f0 — уровни второй и третьей гармоник в выходном сигнале.
Номинальные значения
Серия
Тип
Предельные значения
f
PO
GP
␩.
PIN
VCC
VBB
␳IN
2fO
3fO
PO
VCC
МГц
Вт
дБ
%
мВт
В
В
—
дБ
дБ
Вт
В
Число Фун
каскадов кция
Корпус
M57735
—
50...54
19
19.7
40
200
12.5
9
2.2
–25
–30
25
17
2
SSB
H3
M67742
—
68...88
30
17.7
40
500
12.5
—
3
–25
–30
45
17
2
FM
H2
L
135...145
—
145...175
8
16
35
200
12.5
—
4
–15
–25
14
17
2
FM
H2
M57715
—, R
144...148
13
18.1
48
200
12.5
—
2.8
–25
–30
20
17
2
FM
H2, H2R
M57747
—
144...148
13
18.1
48
200
12.5
—
2.8
–25
–35
20
17
2
FM
H6
M67704
—
142...175
13
28.1
40
20
12.5
5
2.5
–20
–30
20
17
3
FM
H16
L
135...145
M57719
N
142...163
14
18.4
40
200
12.5
—
4
–25
–35
21
17
2
FM
H2
—
145...175
M57713
—
144...148
17
19.2
40
200
12.5
9
2.2
–25
–30
26
17
2
SSB
H3
M68750
—
144...148
27
21.3
50
200
12.5
—
2.8
–25
–30
40
17
2
FM
H2
M57710
A
156...160
28
21.4
45
200
12.5
—
2.8
–25
—
40
17
2
FM
H2
M57737
—, R
144...148
30
21.7
45
200
12.5
—
2.8
–25
–30
40
17
2
FM
H2, H2R
UL
135...148
21.4
L
148...160
21.4
M
156...168
12.5
—
3.3
–25
–30
35
17
2
FM
H2
H
164...175
L
135...160
H
150...175
—
144...148
L
135...160
M57706
M57741
M67741
M57727
M67781
28
20.4
200
40
19.7
200
250
300
30
21.7
40
200
12.5
—
3.3
–25
–30
35
17
2
FM
H3
37
20.9
50
300
12.5
9
2.2
–25
–30
40
17
2
SSB
H3
H
150...175
40
21.2
40
300
12.5
—
3
–30
–30
50
17
2
FM
H2
M57726
—, R
144...148
43
20.3
50
400
12.5
—
2.8
–35
–45
55
17
2
FM
H2, H2R
M67727
—
144...148
60
20.7
50
500
12.5
9
2.8
–30
–35
78
16
2
SSB
H28
M67746
—
144...148
60
23
50
300
12.5
—
3
–30
–30
70
17
2
FM
H2
M67702
—
150...175
60
10.7
40
5000
12.5
—
2.8
–30
–35
90
17
2
FM
H17
60
23
45
300
12.5
—
3
–30
–30
70
17
2
FM
H2
30
20
43
300
12.5
—
2.8
–30
–35
40
17
2
FM
H2, H2R
30
20
43
300
12.5
—
2.8
–25
–30
40
17
2
FM
H2
L
135...160
H
150...175
L, LR
175...200
S
185...200
—
220...225
M67712
—
220...225
30
20
43
300
12.5
9
2.8
–30
–35
40
17
2
SSB
H3
M68729
—
220...245
30
20
40
300
12.5
—
3
–30
–30
40
17
2
FM
H2
—
250...270
30
20
H
300...308
20
18
17
3
FM
H3
7
18.4
17
3
FM
H3
M68702
M67730
M57774
M68706
M57714
8
EL
335...360
SL
360...380
UL
380...400
L
400...420
M
430...450
—
450...470
UH
470...490
SH
490...512
40
300
12.5
—
2.8
–30
–30
38
100
12.5
—
2
–30
–30
40
30
12
ВЧ и СВЧ компоненты
фирмы MITSUBISHI ELECTRIC
РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ
Модули для мобильной аппаратуры (продолжение)
Номинальные значения
Серия
M67709
M57704
M57752
M57716
M68749
Тип
GP
␩.
PIN
VCC
VBB
␳IN
2fO
3fO
PO
VCC
МГц
Вт
дБ
%
мВт
В
В
—
дБ
дБ
Вт
В
–30
–30
20
16
4
FM
H16
FM
Н3
FM
H3
SL
300...342
30
4
UL
335...350
35
2.8
L
350...390
M
390...430
35
10
12.5
5
2.8
2.8
35
2.8
470...512
35
2.8
EL
335...360
SL
360...380
UL
380...400
L
400...420
M, MR
430...450
13
18.1
35
200
12.5
—
2.8
–30
–30
20
17
3
200
12.5
—
2.8
–30
–30
20
17
3
H
450...470
UH
470...490
SH
490...512
—
430...450
13
18.1
40
L
360...380
13
18
15
M
410...430
13
18
15
—
430...450
17
19.2
35
14
18.4
20
H2
450...460
M57734
—
M68751
R
SL
350...400
L
400...450
H
440...490
SH
470...520
GL
326...346
EL
335...360
SL
360...380
UL
380...400
L
400...420
I
430...450
H
450...470
UH
470...490
M57788
35
430...470
400...420
M57745
31.1
—
380...400
M57729
13
SH
—
M68762
Число Фун
каскадов кция
PO
L2
M67729
Предельные значения
f
20
200
12.5
9
2.5
–30
–30
202)
PSK
17
3
28
200
13.2
8.5
2.5
–30
–30
2.8
–30
–30
2
–40
–40
Корпус
PSK
H3
SSB
25
17
3
PSK
H3
30
16
3
FM
H18
20
21.2
35
150
12.5
—
453...458
25
19.2
40
300
12.5
—
2.5
–30
–30
35
17
3
FM
H3
430...450
27
21.3
40
200
12.5
—
3
–30
–30
40
17
32)
FM
H3R
30
20
40
300
12.5
—
2.8
–30
–30
40
17
3
FM
H3
30
20
40
300
12.5
—
2.8
–30
–30
40
17
3
FM
H3
40
300
12.5
9
–30
–30
40
SH
490...512
EH
520...5302)
B
380...400
30
20
M
410...430
30
20
—
430...450
33
20.4
2.5
2.8
17
2.5
L
400...430
40
21.2
300
3.5
LR
400...430
47
20.7
400
3.5
M
430...450
40
21.2
300
2.8
MR
430...450
45
20.5
400
H
450...470
40
21.2
40
300
12.5
—
2.8
3.5
HR
450...470
47
20.7
400
2.8
UH
470...490
40
21.2
300
3.5
SH
490...512
40
21.2
300
3.5
ВЧ и СВЧ компоненты
фирмы MITSUBISHI ELECTRIC
17
PSK
3
16
–30
–30
50
17
PSK
H3
SSB
3
FM
H3, H3R
9
РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ
Модули для мобильной аппаратуры (продолжение)
Номинальные значения
Серия
M68769
M67703
M67728
M68703
Тип
Предельные значения
Число Фун
каскадов кция
f
PO
GP
␩.
PIN
VCC
VBB
␳IN
2fO
3fO
PO
VCC
МГц
Вт
дБ
%
мВт
В
В
—
дБ
дБ
Вт
В
45
21.7
300
12.5
—
2.8
–30
–30
60
17
3
FM
H3
L
400...450
H
440...490
SH
470...512
M
н/д
H
450...470
UH
470...490
SH
490...512
—
430...450
LA
400...430
MA
430...4502)
HA
440...470
H
450...4702)
Корпус
35
35
30
50
7
40
10000
12.5
—
2.8
–30
–35
80
17
2
FM
H17
60
7.7
40
10000
12.5
9
2.8
–30
–35
78
16
2
SSB
H28
400
12.5
—
3
–30
–30
70
17
3
FM
H3
35
50
21
402)
35
402)
33
SHA
470...490
M57775
—
806...866
0.4
21.2
—
3
8
—
3
–30
–30
0.8
15
3
FM
H8
M57776
—
890...915
0.3
23
—
1.5
8
—
3
–30
–30
0.6
15
3
FM
H8
M57781
—
896...941
0.4
23
—
2
9
—
4
–30
–30
0.8
15
3
FM
H8
C
806...825
34.7
20
2
A
820...851
34.7
20
2
B
820...851
25.7
25
16
M57755
—
806...866
10
20
35
100
12.6
—
2.8
–30
–30
16
17
3
FM
H3
M67736
—
896...941
12
33.8
30
5
12.5
8
2.8
–30
–30
20
17
5
FM
H3
M57764
—
806...825
20
17
30
400
12.5
—
2.8
–30
–30
25
17
3
FM
H3
M57792
—
806...870
20
17
30
400
13.5
—
2.8
–30
–30
30
17
3
FM
H3
LС
806...870
HС
896...941
20
17
25
400
12.5
8
3
–30
–30
25
16.5
3
FM
H3
M67754
—
824...849
6
37.7
35
1
12.5
—
2.8
–30
–30
10
17
4
FM
H11
M67779
L
824...849
6
35.7
35
1.6
12.5
—
2.5
–30
–30
10
17
4
FM
H11
M57782
—
824...849
7
38.4
35
1
12.5
—
2.8
–30
–30
10
17
5
FM
H11
M67759
—
872...905
6
37.7
35
1
12.5
—
2.8
–30
–30
10
17
4
FM
H11
M57791
—
890...915
7
38.4
35
1
12.5
—
2.8
–30
–30
10
17
5
FM
H11
M67747
A
898...925
7
38.4
35
1
12.5
—
2.8
–30
–30
10
17
5
FM
H11
M57749
—
903...905
7
15.4
30
200
12.5
—
2.5
–30
–30
10
17
3
FM
H3
M57793
—
903...905
7
38.4
35
1
12.5
—
2.5
–30
–30
10
17
5
FM
H11
M67745
—
846...903
7
35.4
35
2
12.5
—
2.8
–30
–30
10
17
5
FM
H11
M68716
—
889...915
8
22
35
50
12.5
—
2.8
–30
–30
12
17
3
FM
H16
M57744
—
889...915
13
16.3
30
300
12.5
—
2.5
–25
–30
18
17
3
FM
H3
M57789
—
890...915
12
33.8
30
5
12.5
8
2.8
–30
–30
20
17
5
FM
H3
A
890...915
4
GMSK
H11
C
889...915
M67764
—
940...960
8
36
35
M67737
—
940...960
10
30
M67711
—
1240...1300
16
12
M68719
—
1240...1300
16
M57762
—
1240...1300
M67775
—
M67791
—
M67766
M67760
M67769
6
13
38.1
41.1
30
2
1
2.5
12.5
8
3
20
–30
–30
3
12.5
8
—
4
10
17
10
4
H3
PSK
3
2.8
–30
–30
20
17
H3
H11
5
FM
H3
2
12.5
—
2.8
–30
–30
10
17
5
FM
H11
30
10
12.5
8
2.8
–30
–30
10
17
5
FM
H3
28
1000
12.5
9
2
–45
—
20
17
3
FM
H3
22
28
100
12.5
8
2.5
–45
—
20
17
4
FM
H3
18
12.5
28
1000
12.5
9
2
–45
—
25
17
3
SSB
H3
1465...1477
7.5
35.7
30
2
13.5
8
2.8
–25
–30
10
16
5
FM
H3
1626...1661
7
28.4
25
10
15
8
3
–25
–30
10
17
52)
FM
H3
Примечания:
1) МОПIтранзистор (MOS FET);
2) Оценочное значение;
н/д — нет данных.
AM — амплитудная модуляция, FM — частотная модуляция, PSK — фазовая манипуляция, SSB — однополосная модуляция.
10
ВЧ и СВЧ компоненты
фирмы MITSUBISHI ELECTRIC
РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ
Структурные схемы и характеристики ВЧ модулей
Структурная схема
Структурная схема
Структурная схема
Структурная схема
VCC1
VBB
VCC2
VCC1
VCC2
VCC3
VCC1
VCC2
VCC3
VCC1
VBB
VCC2
2
3
4
2
3
4
2
3
4
2
3
4
PIN 1
PIN 1
5
M57721L
PO
PIN 1
M57788L
6
GND
Зависимости:
PIN 1
Выходная мощность, КПД,
входной КСВН от частоты
ηT (%)
12
100
TC = 25°C
VBB = 5 B
PIN = 10 мВт
Z = 50 Ом
8
6
80
20
20
3
ρIN
0
320
0
340
360
380
f (МГц)
400
420
PO (Вт)
0
390
400
410
430
1
450
440
40
PO (Вт)
3 20
TC = 25°C
VBB = 8 B
VCC1,2 = 12.5 B
PIN = 5 мВт
1
1
0
430
440
450
460
f (мГц)
PO (Вт)
100
10
470
10
490
480
0.1
870
880
890
900
f (мГц)
57788_G1
Выходная мощность, токи потреб
ления от входной мощности
ICC1, ICC2, ICC3, (A)
IT
I1
20
ρIN
57788LG1
Выходная мощность, токи потреб
ления от входной мощности
IT (A), ICC1 (A)
2
60
PO
2
420
f (мГц)
57721_G12
Выходная мощность, общий ток,
1й ток от входной мощности
10
ρIN
PO
ρIN
PO
80
ηT
40
40
2
PO (Вт), I1, I2, (A)
TC = 25°C
VCC = 12.5 B
PIN = 0.3 Вт
ZG = ZL = 50
ηT
40
4
Выходная мощность, токи
потребления от частоты
60
60
ηT
Выходная мощность, КПД,
входной КСВН от частоты
80
PO
60
III VCC = 7.2 B
Зависимости:
I2
80
— VCC = 12.5 B
57789__B
100
TC = 25°C
VCC = 12.5 B
PIN = 0.3 Вт
Z = 50 Ом
PO
10
GND
57788__B
PO (Вт), ηT%
100
PO
6
Зависимости:
ρIN
PO (Вт), ηT (%)
5
M57789
6
GND
57788_LB
Зависимости:
Выходная мощность, КПД,
входной КСВН от частоты
PO
5
M57788H
6
GND
57721__B
PO (Вт), ρIN
PO
5
910
920
57789_G1
Выходная мощность, токи потреб
ления от входной мощности
ICC1, ICC2, ICC3, (A)
PO (Вт), I1, I2, (A)
100
10
PO
ICC3
ICC3
10
TC = 25°C
VCC = 12.5 B
VBB = 5 B
f = 375 мГц
Z = 50 Ом
PO
10
PO
PO
1
I2
ICC2
10
1
ICC2
10
TC = 25°C
VBB = 8 B
VCC1,2 = 12.5 В
0.1
1
ICC1
ICC1
TC = 25°C
f = 415 мГц
VCC = 12.5 B
Z = 50 Ом
0
0.5
1
1
ICC1
1
10
30
PIN (мВт)
Выходная мощность, общий ток,
1й ток от напряжения питания
PO (Вт)
1
0.01
0.1
0.03
0.07 0.1
0.3
PIN (Вт)
57721_G3
0.7
1
1
0.01
0.1
0.03
0.07 0.1
0.3
PIN (Вт)
57788LG2
Выходная мощность, токи потреб
ления от 1го напряжения питания
IT (A), ICC1 (A)
— f = 889 МГц
III f = 915 МГц
TC = 25°C
f = 460 мГц
VCC = 12.5 B
Z = 50 Ом
0.7
0.1
1
-2
IT
PO
1
10
10
1
1
TC = 25°C
f = 415 мГц
VCC2,3 = 12.5 B
PIN = 0.3 Вт
Z = 50 Ом
ICC1
ICC1
I1
0.1
8
10
12
VCC1 = VCC2 (B)
14
16
0.1
0.1
4
6
8
57721_G4
Выходная мощность, выходной
ток от 1го напряжения питания
PO (Вт)
10
VCC1 (В)
12
14
Выходная мощность, токи потреб
ления от напряжения питания
ICC2 (A)
4
6
8
57788LG3
10
VCC1 (В)
14
4
6
8
57788_G3
10
VCC1 (B)
12
14
57789_G4
Выходная мощность, токи потреб
ления от 1го напряжения питания
PO (Вт), ICC1, ICC2, ICC3, (A)
100
PO (Вт), I1, I2, (A)
100
PO
10
1
TC = 25°C
f = 415 мГц
PIN = 0.3 Вт
Z = 50 Ом
PO
PO
10
1
0.1
0.1
4
6
8
VCC1 (B)
10
12
TC = 25°C
f = 460 мГц
PIN = 0.3 Вт
Z = 50 Ом
10
ICC3
ICC3
ICC2
ICC2
1
0.01
14
f = 915 мГц
TC = 25°C
VBB = 8 B
VCC2 = 12.5 B
PIN = 5 мВт
1
I1
0.1
ВЧ и СВЧ компоненты
фирмы MITSUBISHI ELECTRIC
I2
ICC1
ICC1
57721_G5
PO
10
1
TC = 25°C
VCC2 = 12.5 B
VBB = 5 B
f = 375 мГц
PIN = 10 мВт
Z = 50 Ом
2
12
Выходная мощность, токи потреб
ления от напряжения питания
PO (Вт), ICC1, ICC2, ICC3, (A)
ICC2
0
f = 889 мГц
TC = 25°C
VBB = 8 B
VCC2 = 12.5 B
PIN = 5 мВт
1
ICC2
0.1
6
I2
ICC3
ICC2
ICC1
4
10
ICC3
1
8
57789_G23
PO (Вт), I1, I2, (A)
TC = 25°C
f = 460 мГц
VCC2,3 = 12.5 B
PIN = 0.3 Вт
Z = 50 Ом
PO
TC = 25°C
VCC = 12.5 B
VBB = 5 B
f = 375 мГц
PIN = 10 мВт
Z = 50 Ом
PO
6
100
PO
10
2
4
PIN (дБм)
Выходная мощность, токи потреб
ления от 1го напряжения питания
PO (Вт), ICC1, ICC2, ICC3, (A)
100
0
57788_G2
Выходная мощность, токи потреб
ления от 1го напряжения питания
PO (Вт), ICC1, ICC2, ICC3, (A)
I1
0.1
0.1
4
6
8
10
VCC (В)
12
14
16
57788LG4
4
6
8
10
VCC (В)
12
14
16
57788_G4
4
6
8
10
VCC1 (B)
12
14
57789_G5
11
РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ
Структурные схемы и характеристики ВЧ модулей (продолжение)
Структурная схема
Структурная схема
VCC1
VBB
VCC2
VCC1
VCC2
2
3
4
2
3
PIN 1
5
M67715
PIN 1
PO
4 PO
M67741H
6
GND
Структурная схема
5
67715__B
4
PIN 1
Выходная мощность, КПД,
входной КСВН от частоты
Гармоники (дБс)
–20 3
PO
–40 2
10
3Iя гармоника
ηT
–80
1.24
ρIN
20 2
1.26
1.28
f (ГГц)
1.30
10 1
1.32
67715_G1
1
145
Выходная мощность, общий ток,
1й ток от входной мощности
150
155
160 165
f (мГц)
170
10
180
175
2
0
130
1
20
ρIN
0
135
140
145
f (мГц)
150
40
155
ρIN
2
0
390
400
410
420
f (мГц)
67748_G1
Выходная мощность, общий ток,
1й ток от входной мощности
PO (Вт), IT(A)
10
TC = 25°C
VCC = 12.5 B
Z = 50 Ом
60
ηT
4
ICC1 (A)
100
20
10
440
430
67749_G1
Выходная мощность, 1й и
2й токи от входной мощности
PO (Вт), ICC1, ICC2, (A)
ICC1, (A)
1
10
10
PO
PO
PO
ICC2
IT
1
TC = 25°C
VCC = 12.5 B
VBB = 8 B
PIN = 20 мВт
Z = 50 Ом
40
67741_G1
Выходная мощность, 1й
ток от входной мощности
PO
80
8
60
4
3
PO (Вт)
PO (Вт), IT, ICC1, (A)
100
ηT
2
1.22
100
PO
ρIN
4
ρIN
ηT (%)
10
TC = 25°C
VCC = 12.5 B
VBB = 5 B
PIN = 20 мВт
6
40 3
ηT
Выходная мощность, КПД,
входной КСВН от частоты
80
6
100
67749__B
PO (Вт), ρIN
8
TC = 25°C
VCC = 12.5 B
PIN = 0.2 Вт
Z = 50 Ом
60 ρIN
2Iя гармоника
–60 1
PO
6
GND
ηT (%)
10
PO
Зависимости:
PO (Вт)
80
4
67748__B
12
PO
VCC2
3
M67749L
Выходная мощность, КПД,
входной КСВН от частоты
100
VBB
2
5
Зависимости:
ηT (%)
VCC1
PIN 1
6
0 4
TC = 25°C
VCC = 8 B
VBB = 8 B
PIN = 10 мВт
Z = 50 Ом
Структурная схема
PO
5
GND
Выходная мощность, КПД, входной
КСВН, 2я и 3я гармоники от частоты
ηT (%)
VCC2
3
GND
Зависимости:
PO (Вт), ηT%
VBB
2
M67748L
Зависимости:
PO (Вт), ρIN
VCC1
f = 175 мГц
f = 150 мГц
1
f = 415 мГц
TC = 25°C
VBB = 5 B
VCC = 12.5 B
Z = 50 Ом
IT
f = 163 мГц
ICC1
10
ICC1
1
f = 163 мГц
0.1
1
ICC1
0.1
0.1
f = 175 мГц
f = 1.27 ГГц
TC = 25°C
VBB = 8 B
VCC = 8 B
Z = 50 Ом
f = 150 мГц
1
0.01
0.1
0.3
0.7 1
3.0
PIN (мВт)
7.0
10
10
30
Выходная мощность, 2й ток
от 1го напряжения питания
0.1
700 1000
70 100
300
PIN (Вт)
67715_G2
0.01
70 100
0
1
3
7
67741_G2
Выходная мощность от
напряжения питания
PO (Вт), ICC2, (A)
10
30
PIN (мВт)
Выходная мощность, общий
ток от напряжения питания
TC = 25°C
VCC = 12.5 B
PIN = 0.2 Вт
Z = 50 Ом
0
3
7
10
10
PO
ICC2
1
f = 163 мГц
TC = 25°C
f = 415 мГц
PIN = 20 мВт
Z = 50 Ом
IT
10
f = 175 мГц
f = 1.27 ГГц
TC = 25°C
VBB = 8 B
VCC = 8 B
Z = 50 Ом
PIN = 10 мВт
1
0.01
1
0
2
4
6
8
VCC1 (В)
10
2
4
6
8
10
VCC1,2 (B)
67715_G3
Выходная мощность, общий ток,
1й ток от напряжения питания
ICC1
0.1
TC = 25°C
f = 142 мГц
PIN = 20 мВт
VBB = 5 B
f = 150 мГц
0.01
67749_G2
Выходная мощность, 1й и
2й токи от напряжения питания
PO
0.1
70 100
PO
1
ICC2
10
30
PIN (мВт)
PO (Вт), ICC1, ICC2, (A)
PO (Вт), IT, (A)
PO (Вт)
0.01
67748_G2
100
PO
ICC1
TC = 25°C
f = 142 мГц
VCC = 12.5 B
VBB = 5 B
12
14
4
16
Выходная мощность, 1й ток
от 1го напряжения питания
PO (Вт), IT, ICC1, (A)
6
8
67741_G3
PO (Вт)
10
VCC (B)
12
14
Выходная мощность, 2й ток
от 1го напряжения питания
ICC1 (A)
2
16
4
6
67748_G3
8
VCC (В)
10
12
14
67749_G3
Выходная мощность, 1й и
2й токи от напряжения питания
PO (Вт), ICC2 (A)
PO (Вт), ICC1, ICC2, (A)
100
10
TC = 25°C
VCC = 12.5 B
PIN = 0.2 Вт
Z = 50 Ом
PO
PO
f = 163 мГц
PO
PO
10
1
f = 150 мГц
IT
f = 175 мГц
10
1
f = 1.27 ГГц
TC = 25°C
VBB = 8 B
Z = 50 Ом
PIN = 10 мВт
f = 175 мГц
1
0
2
4
6
VCC (В)
12
8
10
67715_G4
0.1
2
4
6
8
VCC1 (B)
0.1
ICC1
TC = 25°C
f = 415 мГц
VBB = 5 B
VCC2 = 12.5 B
PIN = 20 мВт
Z = 50 Ом
TC = 25°C
f = 142 мГц
PIN = 20 мВт
VBB = 5 B
VCC2 = 12.5 B
f = 150 мГц
0.01
ICC2
ICC2
f = 163 мГц
ICC1
0.1
1
1
10
12
14
67741_G4
0.01
2
4
6
8
VCC1 (B)
10
12
14
67748_G4
0
2
4
6
8
VCC1 (В)
10
12
14
67749_G4
ВЧ и СВЧ компоненты
фирмы MITSUBISHI ELECTRIC
РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ
Структурные схемы и характеристики ВЧ модулей (продолжение)
Структурная схема
VBB VCC1
2
Структурная схема
VCC2
3
PIN 1
5 PO
VCC2
3
5
Структурная схема
PIN 1
6
VCC2
VCC3
2
3
4
6
2
7
Выходная мощность,
КПД от частоты
Зависимости входной мощность,
КПД, входной КСВН от частоты
80
5 PO
PIN 1
6
M67798LA
67769__B
PO
5
67798__B
Зависимости:
Выходная мощность, токи
потребления от частоты
Выходная мощность, КПД
от напряжения питания
ηT (%)
PO (Вт)
PO (Вт), ICC1, ICC2, ICC3 (A)
18
100
TC = 25°C
VCC1 = 8 B
VCC2,3 = 12.5 B
PIN = 1 мВт
TC = 25°C
VCC2 = 12.5 B
VCC1 = 8 B
VBB1 = 8 B
P0 = 6 Вт
PIN
PO
4
Зависимости:
ηT (%)
PO (дБм)
-5
3
67766__B
Зависимости:
40
VDD
2
GND
VBB2
Зависимости:
100
VGG
4
VBB1 GND
PO (Вт)
Структурная схема
PIN 1
PO
GND
GND
30
VCC1
M67769C
M67760HC
50
VCC1
M67766A
4
PO
100
16
VGG = 3.5 B
PIN = 20 мВт
14
f = 144 МГц
90
80
12
10
70
ηT
60
10
ICC3
60
50
ηT
20
8
40
ηT
-10
10
V CC1=V CC2=12.5 В
V BB=9 В
Pin=400 мВт
ZG=ZL=50 Ом
0
860
900
880
20
ρIN
920 940
f (МГц)
0
980
960
-13
810
830
840
f (МГц)
67760HG1
Выходная мощность
от входной мощности
30
ρIN
20
3
10
2
0
860
850
1
6
1
ICC2
ICC1
890
900
f (МГц)
915
Выходная мощность, токи потреб
ления от входной мощности
6
7
8
9
VDD (В)
10
11
12
67798_G1a
Выходная мощность, КПД
от напряжения питания
ηT (%)
PO (Вт)
18
TC = 25°C
VCC1 = 8 B
VCC2,3 = 12.5 B
100
—f = 889 МГц
VGG = 3.5 B
PIN = 20 мВт
16
90
----f = 915 МГц
PO
14
10
80
f = 148 МГц
12
f = 824 МГц
20
5
67769_G1
941МГц
30
10
4
100
40
20
0
0.1
TC = 25°C
VCC2 = 12.5 B
VCC1 = 8 B
VBB1,2 = 8 B
f=896МГц
30
PO (Вт), ICC1, ICC2, ICC3 (A)
50
30
4
2
PO (дБм)
V CC1=V CC2=12.5 В
V BB=9 В
ZG=ZL=50 Ом
40
PO
67766_G1
Зависимость выходной
мощность от входной мощности
PO (Вт)
40
820
50
40
ICC3
70
ηT
10
f = 849 МГц
60
8
50
20
1
6
10
40
PO
ICC2
4
10
30
2
20
ICC1
0
1
10
100
PIN (мВт)
1000
PO (Вт)
PO
10
0
-8
-6
67766_G2
-4
-2
PIN (дБм)
0
+2
Выходная мощность, токи потреб
ления от 2го напряжения питания
-30
3rd.
5
6
7
8
9
VDD (В)
10
11
12
67798_G1
Выходная мощность, КПД
от напряжения на затворе
ηT (%)
PO (Вт)
100
100
TC = 25°C
VCC1 = 8 B
VCC2,3 = 12.5 B
PIN = 1 мВт
10
4
67769_G2
PO (Вт), ICC1, ICC2, ICC3 (A)
f = 824 МГц
TC = 25°C
VCC2 = 12.5 B
VCC1 = 8 B
VBB1,2 = 8 B
2TONE
Δf = 10 кГц
-20
ICC2
896 МГц
10
0
IMD (дБс)
941 МГц
10
-20
-10
PIN (дБм)
Интермодуляционные искажения
от выходной мощность
100
f=896МГц, VCC2=12.5 В
V BB=9В, Pin=400 мВт
ZG=ZL=50 Ом
896 МГц
0.1
-30
67760HG2
Выходная мощность, токи потреб
ления от 1го напряжения питания
100
0
-40
VGG = 9.6 B
PIN = 20 мВт
—f = 889 МГц
----f = 915 МГц
—f = 144 МГц
PO
PO
----f = 148 МГц
10
10
100
5th.
ICC3
941 МГц
ηT
-40
1
1
2
4
6
8
VCC1 (В)
-60
10
12
50
ICC1
0.1
14
0.1
15
ICC1, ICC2 (А)
40
896 МГц
8
896 МГц
40
3
-30
5
7
9
11
VCC2 (В)
67766_G3
3rd.
12
----f = 915 МГц
10
PO
4
ηT (%)
100
90
80
6
PO
4
ICC3
70
2
0
7th.
1
ICC2
2
2
67798_G2
Выходная мощность
КПД от частоты
—f = 889 МГц
10
5th.
-50
0
1
4.0
3.5
8
6
896 МГц ICC1
2.5
3.0
VGG (В)
14
TC = 25°C
VCC1 = 8 B
PIN = 1 мВт
941 МГц
0
2.0
PO (Вт)
-40
10
0.1
1.5
Выходная мощность, токи потребле
ния от 2го и 3го напряжения питания
100
4
20
13
67769_G3
PO (Вт), ICC1, ICC2, ICC3 (A)
f = 849 МГц
TC = 25°C
VCC2 = 12.5 B
VCC1 = 8 B
VBB1,2 = 8 B
2TONE
Δf = 10 кГц
-20
941 МГц
30
35
IMD (дБс)
10
ICC2
25
30
P0 (дБм)
Интермодуляционные искажения
от выходной мощность
PO
V BB=9 В
Pin=400 мВт
Z = 50 Ом
20
67760HG3
Выходная мощность, токи потреб
ления от напряжения питания
PO (Вт)
10
ICC2
941 МГц
0.1
0
1
1
-50
ICC1
896 МГц
7th.
60
ηT
VGG = 3.5 B
PIN = 20 мВт
50
—VDD = 9.6 B
40
-60
0
6 8 10 12 14 16 18
VCC1,2 (В)
67760HG4
ВЧ и СВЧ компоненты
фирмы MITSUBISHI ELECTRIC
15
20
25
30
P0(дБм)
35
40
67766_G4
----VDD = 4.8 B
ICC1
0.1
4
6
8
10
VCC2,3 (В)
12
14
67769_G4
130
140
150
160
f (мГц)
170
30
180
67798_G3
13
РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ
Структурные схемы и характеристики ВЧ модулей (продолжение)
Структурная схема
Структурная схема
VGG
VDD
VGG
VDD
VGG
VDD
3
2
3
2
3
2
3
4
M67799MA
PO
PIN 1
Зависимости:
PO (Вт), ρIN
100
9
90
PO
10
VGG = 3.5 B
PIN = 20 мВт
70
8
60
7
5
50
6
4
40
5
3
30
4
20
3
10
2
2
ηT
PO
1
0
420
430
440
f (МГц)
0
460
450
—VDD = 9.6 B
70
7
----VDD = 4.8 B
60
6
50
5
40
4
40
30
3
30
20
2
10
1
ηT
PO
ρIN
440
460
f (МГц)
420
0
500
480
10
16
—f = 450 МГц
14
----f = 470 МГц
PO
100
ηT
70
60
10
50
8
0.1
10
820
60
70
30
4
20
2
10
1.5
2.0
2.5
VGG (B)
1
3.5
0
0
3.0
0
2
4
6
8
67799MG2
Выходная мощность, КПД
от напряжения на затворе
50
14
16
18
20
67799_G2
1
0
340
ηT (%)
—VDD = 9.6 B/450 МГц
1
100
PO
9
— —VDD = 9.6 B/470 МГц
8
----VDD = 4.8 B/450 МГц
PO
100
10
4
3
ηT
10
VDD = 9.6 B
PIN = 20 мВт
0.01
1.0
1.5
2.0
2.5
VGG (B)
14
7
8
9
VDD (B)
10
11
67799MG4
40
4
40
30
3
30
10
1
0
1.5
2.0
2.5
VGG (B)
0
3.5
3.0
0
3.0
16
80
8
70
7
60
40
----VDD = 4.8 B/450 МГц
- - - VDD = 4.8 B/470 МГц
PO
1
1
3
7
10
30
PIN (мВт)
50
20
PO
10
0
0
0
1
2
3
4
PO
820 МГц
820 МГц
8
30
8
70
6
ηT (%)
100
5
4
VDD = 6 B
PIN = 20 мВт
TC = 25°C
—f = 350 МГц
90
80
PO
----f = 380 МГц
70
60
3
20
4
20
10
2
10
0
70 100
67799_G4
0
4
6
8
10 12
VDD (В)
14
ηT
2
16
0
18
68701_G4
50
40
30
851 МГц
10
50
40
ηT
9
68710SG2
PO (Вт)
90
60
12
7
Выходная мощность, КПД
от напряжения на затворе
80
851 МГц
5
6
VDD (B)
50
5
3
14
60
ηT
68701_G3
ηT (%)
V GG =5 В
Pin=1 мВт
Z = 50 Ом
10
ηT
0
5.0
4.6
PO (Вт)
18
— —VDD = 9.6 B/470 МГц
PIN = 20 мВт
VGG = 3.5 B
3.8
4.2
VGG (В)
Выходная мощность, КПД
от напряжения стока
11
9
3.4
67799_G3
PO
ηT
820 МГц
ηT (%)
2
12
5
1
4
0
6
50
10
—f = 430 МГц
5
6
2
6
4
70
60
20
PO
----f = 450 МГц
----f = 380 МГц
2
—VDD = 9.6 B/450 МГц
20
7
20
10
VGG = 3.5 B
PIN = 20 мВт
80
70
3
PO (Вт)
40
—f = 350 МГц
30
Выходная мощность, КПД
от входной мощности
60
8
3
ηT (%)
80
90
80
4
851 МГц
100
VGG = 3.5 B
PIN = 20 мВт
TC = 25°C
40
820 МГц
ηT (%)
PO (Вт)
9
4
PO
390
380
10
5
1
ηT
V DD=12.5 В
Pin=1 мВт
Z =50 Ом
360
370
f (МГ )
90
50
PO
100
100
851 МГц
350
Выходная мощность, КПД
от напряжения питания
5
Выходная мощность, КПД
от напряжения питания
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1
340
6
67799MG3
PO (Вт)
ηT (%)
PO (Вт)
ρIN
2
68701_G2
60
ηT
2
1
3.5
3.0
5
7
—f = 430 МГц
----f = 450 МГц
0
1
10
70
6
0.1
0.1
I30 I25 I20 I15 I10 I5
PIN (дБм)
8
PIN = 20 мВт
68710SG1a
851 МГц
9
- - - VDD = 4.8 B/470 МГц
390
380
VDD = 6 B
VGG = 3.5 B
PIN = 20 мВт
TC = 25°C
80
7
360
370
f (МГц)
ρIN
1000
1.0
10
10
PO
350
Входной КСВН от частоты
Выходная мощность, КПД
от напряжения на затворе
ηT (%)
PO (Вт)
10
40
ηT
Выходная мощность, КПД
от напряжения на затворе
ηT (%)
PO (Вт)
10 12
VDD (B)
60
2
820 МГц
0.01
1.0
ηT
3
68701_G1
10.0
40
ηT
6
80
50
0
880
860
840
f (МГц)
PO (Вт)
80
12
90
PO
70
20
V DD=12.5 В
V GG =5 В
ZG=ZL=50
----f = 450 МГц
1
4
Выходная мощность, КПД
от входной мощности
100.0
PO
—f = 430 МГц
800
VGG = 3.5 B
PIN = 20 мВт
18
V DD=12.5 В
V GG =5 В
Pin=1 мВт
ZG=ZL=50 Ом
0
ηT (%)
20
VDD = 4.8 B
PIN = 20 мВт
100
VDD = 6 B
VGG = 3.5 B
PIN = 20 мВт
TC = 25°C
10
67799_G1
PO (Вт)
80
ρin
Выходная мощность, КПД
от напряжения питания
ηT (%)
PO (Вт)
PO
ηT
ηT (%)
5
90
8
1
400
Выходная мощность, КПД
от напряжения на затворе
100
9
PO
Выходная мощность,
КПД, от частоты
PO (Вт)
80
67799MG1
68710_SB
Зависимости:
ηT (%)
PO (Вт)
10
PO
5
GND
Выходная мощность, КПД,
входной КСВН от частоты
11
9
----VDD = 4.8 B
M68710SL
5
Зависимости:
ηT (%)
80
VGG = 3.5 B
PIN = 20 мВт
—VDD = 9.6 B
4
GND
Выходная мощность, КПД,
входной КСВН от частоты
ηT (%)
10
6
M68701
PIN 1
67799__B
Зависимости:
Выходная мощность,
КПД от частоты
PO (Вт)
4 PO
5
GND
67799_MB
PIN 1
PO
4
M67799HA
5
GND
7
Структурная схема
VDD
2
PIN 1
8
Структурная схема
VGG
30
1
20
10
0
1.6
2.0
2.4
2.8
VGG (B)
3.2
0
3.6
68710SG3
ВЧ и СВЧ компоненты
фирмы MITSUBISHI ELECTRIC
РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ
Структурные схемы и характеристики ВЧ модулей (продолжение)
Зависимости:
Структурная схема
Выходная мощность, КПД,
входной КСВН от частоты
2
10
90
9
VGG = 3.5 B
PIN = 20 мВт
TC = 25°C
90
80
8
—f = 380 МГц
80
70
7
----f = 400 МГц
70
60
6
50
5
40
4
40
4
3
30
3
2
20
VDD = 6 B
VGG = 3.5 B
PIN = 20 мВт
TC = 25°C
3
4
PO
3
PIN 1
ηT
PO
4
2
M68710UL
ρIN
5
GND
68710_UB
100
100
5
VDD
Выходная мощность, КПД
от напряжения на затворе
ηT (%)
PO (Вт)
ηT (%)
PO (Вт)
VGG
Выходная мощность, КПД
от напряжения питания
PO
370
380
390
f (МГц)
0
0
410
400
1
2
4
90
PO
80
70
60
3
3
68710UG1
50
ηT
2
4
5
6
VDD (B)
7
9
8
10
40
30
1
20
— f = 380 МГц
--I f = 400 МГц
10
0
1
360
100
VDD = 6 B
PIN = 20 мВт
TC = 25°C
50
ηT
1
ρIN
2
60
ηT (%)
PO (Вт)
5
0
0
2.0
2.4
2.8
VGG (B)
68710UG2
10
0
3.6
3.2
68710UG3
Зависимости:
Структурная схема
Выходная мощность, КПД
от частоты
ηT (%)
PO (Вт)
VGG
VDD
2
3
Выходная мощность, КПД
от напряжения на затворе
5
100
PO
10
PO
70
3
1
100
PO
4
2
ηT
M68710L
40
1
30
VGG = 3.5 B
PIN = 20 мВт
5
GND
0
68710_LB
ηT
0.1
VDD = 6 B
PIN = 20 мВт
20
70
60
ηT
5
50
4
40
3
30
2
20
—f = 400 МГц
10
----VDD = 4.8 B
400
7
10
—VDD = 6 B
390
80
----f = 430 МГц
6
50
90
PO
—f = 400 МГц
8
60
PIN 1
100
VGG = 3.5 B
PIN = 20 мВт
9
80
PO
ηT (%)
PO (Вт)
10
90
4
Выходная мощность, КПД
от напряжения питания
ηT (%)
PO (Вт)
410
420
f (МГц)
0
440
430
1
----f = 430 МГц
0.01
1.5
2.0
68710LG1
2.5
VGG (B)
1
3.5
3.0
10
0
0
3
4
5
68710LG2
6
VDD (B)
7
8
9
68710LG3
Зависимости:
Структурная схема
Выходная мощность,
КПД от частоты
ηT (%)
PO (Вт)
VGG
VDD
2
3
Выходная мощность, КПД
от напряжения на затворе
5
100
10
PO
80
70
3
PIN 1
PO
ηT
PO
VGG = 3.5 B
PIN = 20 мВт
1
ηT
0.1
30
10
VDD = 6 B
PIN = 20 мВт
20
—VDD = 6 B
68710__B
90
8
—f = 450 МГц
80
----f = 470 МГц
7
10
450
460
f (МГц)
0.01
1.5
2.0
68710_G1
2.5
VGG (B)
60
5
50
4
40
3
30
2
20
1
3.5
3.0
PO
1
----f = 470 МГц
0
480
470
70
ηT
—f = 450 МГц
----VDD = 4.8 B
0
440
100
9
VGG = 3.5 B
PIN = 20 мВт
6
40
5
GND
100
50
2
M68710H
1
60
PO
4
ηT (%)
PO (Вт)
10
90
4
Выходная мощность, КПД
от напряжения питания
ηT (%)
PO (Вт)
10
0
0
3
4
5
68710_G2
6
VDD (B)
7
8
9
68710_G3
Зависимости:
Структурная схема
Выходная мощность,
КПД от входной мощности
ηT (%)
PO (Вт)
100
6
VGG
VDD
2
3
Выходная мощность, КПД,
входной КСВН от частоты
VDD = 9.3 B
VGG = 5 B
80
5
60
4
4
PO
PO
5
GND
68711__B
2
— f = 889 МГц
--I f = 915 МГц
1
-10 -8
ВЧ и СВЧ компоненты
фирмы MITSUBISHI ELECTRIC
-6
-4
-2 0
2
PIN (дБм)
4
6
8
ηT
VDD = 9.3 B
VGG = 5 B
PIN = 1 мВт
4
1
ηT (%)
ρIN
40
ηT
ηT
4
20
3
20
10
2
10
0
1
880
68711_G1
10
40
30
10
100
VDD = 9.3 B
PIN = 1 мВт
5
50
3
M68711
10
90
PO
ηT (%)
PO (Вт)
PO (Вт)
6
70
PIN 1
Выходная мощность, КПД от на
пряжения смещения на затворе
ρIN
890
900
910
f (МГц)
920
30
0
930
68711_G2
— f = 889 МГц
--I f = 915 МГц
PO
0.1
2.5
3.0
3.5
4.0
VGG (B)
4.5
1
5.0
68711_G3
15
РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ
Структурные схемы и характеристики ВЧ модулей (продолжение)
Структурная схема
VGG
VDD
2
3
Структурная схема
Зависимость выходной мощности
от частоты для M68732LA, HA, SHA
Структурная схема
VGG
VDD
VGG
VDD
2
3
2
3
10
PO (Вт)
LA
9
HA
SHA
8
PIN 1
PO
4
M68712N
PIN 1
M68731L
5
GND
4 PO
PIN 1
4 PO
6
M68732L
5
5
5
GND
68712__B
7
GND
4
Зависимости:
Зависимости:
Зависимости:
3
Выходная мощность, КПД
от напряжения питания
Выходная мощность, КПД,
входной КСВН от частоты
Выходная мощность, КПД,
входной КСВН от частоты
1
ηT (%)
PO (Вт)
14
100
VGG = 3.5 B
PIN = 20 мВт
12
90
10
80
8
70
6
60
ηT
4
50
2
40
— f = 142 МГц
--I f = 163 МГц
PO
0
30
4
5
6
7
8
9
VDD (B)
68712_G1
PO (Вт), ρIN
14
13 V DD=7.2 В
12 V GG =3.5 В
Pin=50 мВт
PO
11
10
9
ηT
8
7
6
5
4
3
ρin
2
1
0
160
130
140
150
f (МГц)
Выходная мощность, КПД
от напряжения питания
90
80
PO (Вт), ρIN
10
100
10
9
8
100
VGG
VDD
60
3
2
30
ηT
20
180
45
3
40
2
35
ρin
1
0
390
400
410
420
f (МГц)
100
1
10
2.0
2.5
3.0
VGG (B)
3.5
0.1
0.01
0.1
1
PIN (мВт)
68712_G2a
ηT (%)
PO (Вт)
VDD = 6 B
PIN = 20 мВт
60
50
8
4
40
ηT;400 МГц 30
3
14
100
90
155 МГц
80
70
ηT
135 МГц
8
155 МГц
135 МГц
6
0.1
10
10
PO
4
I5
0
5
10
PIN (дБм)
2.0
2.5
3.0
VGG (B)
3.5
30
20
9
4
Выходная мощность, КПД
от частоты
80
8
4
6
VDD (В)
8
7
80
70
6
100
PO
70
2
155 МГц
10
0
ηT
60
100
ηT
135 МГц
50
PO
155 МГц
1
40
140
16
145
150
155
f (МГц)
160
30
165
68712_G3
10
155 МГц
135 МГц
0.1
0.5
1
1.5
2
2.5
VGG (В)
3
1
3.5
68731LG4
140
40
150
160
f (МГц)
30
180
170
68739_G1
Выходная мощность, КПД
от напряжения на затворе
ηT (%)
100
VDD = 9.6 B
PIN = 20 мВт
PO
10
100
ηT
50
ηT;400 МГц
3
ηT;430 МГц
1
40
30
1
10
20
— f = 154 МГц
--I f = 162 МГц
10
0
0
0.5
1
1.5 2 2.5
VGG (В)
3
3.5
0
4
0.1
1.5
PO (Вт)
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
3
4
ηT (%)
2.5
VGG (B)
1
3.5
3.0
68739_G2
Выходная мощность, КПД
от напряжения питания
ηT (%)
PO (Вт)
90
85
80
75
PO;400 МГц
70
PO;430 МГц
65
60
55
50
45
ηT;400 МГц 40
35
ηT;430 МГц
30
25
20
5
7
9
6
8
VDD (В)
68732LG4
V GG =3.5В, Pin=17 дБм
2.0
68732LG3
Выходная мощность, КПД
от напряжения питания
ηT (%)
V DD=7.2 В
Pin=50 мВт
VDD = 6 B
VGG = 3.5 B
PIN = 20 мВт
0
130
60
68731LG3
PO (Вт)
50
ρIN
2
90
PO;430МГц
Выходная мощность, КПД
от напряжения на затворе
ηT (%)
PO (Вт)
6
5
100
7
5
0
3
60
4
PO (Вт)
PO;400 МГц
4
40
ηT (%)
V DD=7.2В, Pin=17дБм
9
50
2
68712_G2b
70
ηT
6
68732LG2
8
60
f = 163 МГц
1
4.0
15
PO (Вт)
10
2
0.01
1.5
0
20
90
PO
80
Выходная мощность, КПД
от напряжения на затворе
100
V GG =3.5 В
Pin=50 мВт
10
20
ηT;430 МГц
0
I10
100
70
PO;430 МГц
ηT (%)
VDD = 9.6 B
VGG = 3.5 B
PIN = 20 мВт
12
5
68731LG2
ηT (%)
12
PO
ηT
10
PO (Вт)
16
10
1
1
100
PO (Вт), ρIN
14
10
6
GND
Выходная мощность, КПД,
входной КСВН от частоты
80
PO;400 МГц
Выходная мощность, КПД
от напряжения питания
Выходная мощность, КПД
от напряжения на затворе
90
5
Зависимости:
68732LG1
1
f = 142 МГц
1
4.0
430
ηT (%)
2
155 МГц
0.01
1.5
25
440
V GG =3.5В, VDD=7.2В
8
1 PO
M68739R
30
PO (Вт)
9
ηT
10
PIN 4
Выходная мощность, КПД
от входной мощности
ηT (%)
135 МГц
0.1
50
4
68731LG1
10
Структурная схема
65
PO
7
ηT
68732_G
70
60
PO
1
500
55
40
PO
450
f (МГц)
6
50
PO (Вт)
400
7
5
170
0
75
70
V DD=7.2 В
V GG =3.5 В
VDD = 6 B
PIN = 20 мВт
ηT (%)
V GG =3.5В, VDD=7.2В, Pin =17дБм
Выходная мощность, КПД
от входной мощности
ηT (%)
PO (Вт)
ηT (%)
2
18
100
VGG = 3.5 B
PIN = 20 мВт
16
PO
90
14
80
12
70
ηT
10
60
8
50
6
40
4
30
— f = 154 МГц
--I f = 162 МГц
2
20
0
10
4
5
6
7
8
9
VDD (B)
10
11
12
13
68739_G3
ВЧ и СВЧ компоненты
фирмы MITSUBISHI ELECTRIC
РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ
Структурные схемы и характеристики ВЧ модулей (продолжение)
Структурная схема
Структурная схема
VGG
VDD
VBB
VCC1
VCC2
VGG
VDD
3
2
3
2
3
4
2
3
4 PO
M68741
PIN 1
4 PO
M68745L
5
GND
ηT (%)
80
7
70
6
60
PO
5
3
2
30
ρIN
20
1
1
10
M68745L
0
760
0
0
860 870 880 890 900 910 920 930 940
f (МГц)
68741_G1
780
Выходная мощность, КПД
от входной мощности
ηT (%)
PO (Вт)
10.0
PO
40
ρin
820 840
f (МГц)
860
880
900
68745_G1a
КПД от частоты
100
VDD = 7.2 B
VGG = 5 B
PIN = 1 мВт
ηT
40
ηT
889 МГц
10
1.0
30
20
915 МГц
10
M68745L
0.1
I30 I25 I20 I15 I10 I5
PIN (дБм)
1
10
5
0
0
760
6
5
ηT (%)
V DD=7.2 В
Pin=1 мВт
780
800
68741_G2
Выходная мощность, КПД
от напряжения на затворе
PO (Вт)
915 МГц
ηT
4
820 840
f (МГц)
860
880
900
50
40
30
20
10
0
I10
I20
I30
6
VDD = 7.2 B
VGG = 5 B
PIN = 1 мВт
50
5
40
4
30
3
PO
915 МГц
3
889 МГц
2
20
2
1
10
1
ρIN
M68745H
0
2.0
2.5
3.0
3.5 4.0
VGG (В)
4.5
0
5.0
0
840
860
Выходная мощность, КПД
от напряжения стока
10
ηT (%)
PO (Вт)
9 V GG =5 В Pin=1 мВт
8
7
889 МГц
4
PO
889 МГц
50
920
940
40
960
40
30
ηT
30
20
3
15
2
10
20
10
1
5
0
0
5.0 5.5 6.0 6.5 7.0 7.5 8.0 8.5 9.0 9.5 10.0
VDD (В)
68741_G4
M68745H
0
ВЧ и СВЧ компоненты
фирмы MITSUBISHI ELECTRIC
840
860
880
900
f (МГц)
920
940
960
68745_G2b
70
60
PO
5
50
ηT
4
40
3
30
ρin
20
V DD=7.2 В
V GG =3.5 В
1 Pin=50 мВт
10
Z =50 Ом
0
0
800 810 820 830 840 850 860 870 880
f (МГц)
68757LG1
2
Выходная мощность, КПД
от входной мощности
ηT (%)
PO (Вт)
100.0
ηT
806 МГц
GP
Tc=25° C
f=380 МГц
V CC=12.5 В
V BB=8.5 В
IMD3
10.0
PO
806 МГц
1.0
IMD5
10.0
870 МГц
1.0
870 МГц
V DD=7.2 В
V GG =3.5 В
Z = 50 Ом
I10
I5
0
5
PIN (дБм)
PO (дБм), IMD (дБс)
10
15
0.1
100
0.1
10
PIN (мВт)
1
68749_G1b
68757LG2
Выходная мощность, КПД
от напряжения на затворе
ηT (%)
6
ηT (%)
PO (Вт)
870 МГц
50
PO
ηT
5
40
806 МГц
Tc=25° C
f=400 МГц
V CC=12.5 В
V BB=8.5 В
I40
I50
I60
I70
I15
870 МГц
30
3
IMD5
ηT
I10
PO
4
IMD3
I5
IMD (дБс)
VDD = 7.2 B
VGG = 5 B
PIN = 1 мВт
ηT (%)
6
0
5
PIN (дБм)
10
100
80
60
40
20
0
15
20
2
10
806 МГц
1
0
1.0
1.5
2.0
68749_G2
Интермодуляционные искажения
от входной мощности
60
50
7
100.0
68745_G2a
ηT (%)
45
25
915 МГц
900
f (МГц)
КПД от частоты
35
915 МГц
6
5
ηT
880
68741_G3
GND
Выходная мощность, КПД,
входной КСВН от частоты
PO (Вт), ρIN
Выходная мощность, КПД, от
входной мощности
PO (Вт), ρIN
60
50
40
30
20
10
0
I10
I20
I30
I40
I50
I60
I70
I15
68745_G1b
Выходная мощность,
входной КСВН от частоты
PO
PO (дБм)
ηT (%)
50
40
PO
30
20
Tc=25° C
10
f=380 МГц
0
V CC=12.5 В
V BB=8.5 В
I10
I20
100
I30
80
I40
60
I50
40
η
T
I60
20
I70
0
I15 I10
I5
0
5
10
15
PIN (дБм)
68749_G1a
IMD (дБс)
60
50
5
Зависимости:
Интермодуляционные искажения
от входной мощности
ηT (%)
PO
V DD=7.2 В
V GG =5 В
800
M68757L
6
Выходная мощность, КПД от
входной мощности
4
50
ηT
2
VDD = 7.2 B
VGG = 5 B
PIN = 1 мВт
4 PO
Зависимости:
PO (Вт), ρIN
90
PIN 1
GND
Выходная мощность,
входной КСВН от частоты
8
3
M68749
5
6
100
V DD=7.2 В
V GG =5В, Pin=1 мВт
4
5 PO
Зависимости:
Выходная мощность, КПД,
входной КСВН от частоты
PO (Вт), ρIN
5
PIN 1
GND
Зависимости:
9
Структурная схема
VDD
2
PIN 1
10
Структурная схема
VGG
50
40
30
20
10 Tc=25° C
0 f=400 МГц
V CC=12.5 В
I10
V BB=8.5 В
I20
IMD3
I30
I40
IMD5
I50
I60
I70
I15 I10
I5
0
5
10
15
PIN (дБм)
68749_G2b
V DD=7.2 В
Pin=50 мВт
Z =50 Ом
2.5 3.0
VGG (В)
3.5
0
4.0
68757LG3
Выходная мощность, КПД
от напряжения стока
14
ηT (%)
PO (Вт)
12
10
60
806 МГц
50
ηT
8
40
870 МГц
30
6
4
2
70
20
PO
870 МГц
V GG =3.5 В
Pin=50 мВт
Z = 50 Ом
10
0
0
3.5 4.5 5.5 6.5 7.5 8.5 9.5 10.5 11.5 12.5
VDD (В)
68757LG4
17
РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ
Структурные схемы и характеристики ВЧ модулей (продолжение)
Структурная схема
VGG
VDD
2
3
PIN 1
4 PO
M68757H
5
GND
Зависимости:
Выходная мощность, КПД,
входной КСВН от частоты
6
PO (Вт), ρIN
ηT (%)
60
Выходная мощность, КПД
от входной мощности
ηT (%)
PO (Вт)
100.0
Выходная мощность, КПД
от напряжения на затворе
100.0
ηT
5
50
PO
4
896 МГц
40
ηT
10.0
10.0
PO
941 МГц
3
30
2
20
V DD=7.2 В
ρin
1 V GG =3.5 В
10
Pin=50 мВт
Z = 50 Ом
0
0
880 890 900 910 920 930 940 950
f (МГц)
68757HG1
5.5
1.0
4.5
45
896 МГц
ηT
4.0
941 МГц
10
PIN (мВт)
V DD=7.2 В
V GG =3.5 В
Z = 50 Ом
0.5
0.1
100
0.1
1
1.0
0.0
1.5
2.0
68757HG2
2.5
3.0
VGG (В)
3.5
45
7
35
6
30
PO
25
941 МГц
4
20
896 МГц
50
40
5
25
2.0
ηT
896 МГц
8
30
PO
896 МГц
9
35
3.5
ηT (%)
PO (Вт)
10
40
1.5
V DD=7.2 В
V GG =3.5 В
Z = 50 Ом
55
50
2.5
941 МГц
Выходная мощность, КПД
от напряжения стока
5.0
3.0
896 МГц
1.0
ηT (%)
PO (Вт)
20
15
15
3
10
2
5
1
V GG =3.5 В
Pin=50 мВт
Z = 50 Ом
0
4.0
0
0
9 10 11 12
941 МГц
2
4
3
5
6
68757HG3
7 8
VDD (В)
10
5
68757HG4
Структурная схема
VCC1
VCC2
VCC3
2
3
4
PIN 1
5 PO
M68762H
6
GND
Зависимости:
Выходная мощность, КПД,
входной КСВН от частоты
50
ηT (%), ρIN
PO (Вт)
45
PO
Выходная мощность, токи пот
ребления от входной мощности
100
40
80
70
30
60
ηT
25
50
20
40
10
5
ρin
Tc=25° C
Pin=0.3 Вт
V CC1=12.5 В
V CC2=12.5 В
V CC3=12.5 В
Z = 50 Ом
30
100
490 МГц
440 МГц
10
10
ICC3
ICC2
1
490 МГц
440 МГц
440 МГц 490 МГц
490 МГц
ICC1
10
0.01
0
Выходная мощность, токи потреб
ления от 1го напряжения питания
PO (Вт)
100
ICC1, ICC2, ICC3 (А)
Tc=25° C
Pin=0.3 Вт
V CC2=12.5 В
10 V CC3=12.5 В
Z = 50 Ом
490 МГц
100
Выходная мощность, токи пот
ребления от напряжения питания
PO (Вт)
100
ICC1, ICC2, ICC3 (А)
10
ICC3
Tc=25° C
Pin=0.3 Вт
Z = 50 Ом
10
490 МГц
1
ICC2
490 МГц
0.1
0.01
50 100 150 200 250 300 350 400
PIN (мВт)
68762HG2
1
440 МГц
490 МГц
440 МГц
2
4
6
8 10
VCC1 (В)
1
10
440 МГц
490 МГц
1
440 МГц
440 МГц
ICC1
0.1
0.01
0
440 МГц
ICC3
ICC2
1
100
PO
PO
440 МГц
490 МГц
440 МГц
Tc=25° C
V CC1=12.5 В
V CC2=12.5 В
V CC3=12.5 В
Z = 50 Ом
0.1
20
0
0
430 440 450 460 470 480 490 500
f (МГц)
68762HG1
ICC1, ICC2, ICC3 (А)
PO
90
35
15
100
PO (Вт)
12 14
0.1
0.01
16
0.01
0
2
68762HG3
Структурная схема
ICC1
490 МГц
0.1
0.1
4
6
8 10
VCC1,2,3 (В)
12 14
0.01
16
68762HG4
Зависимость выходной
мощности от частоты
PO (Вт)
10
VGG
VDD
2
3
9
8
7
6
PIN 1
4 PO
M68776
5
4
5
3
GND
2
1
0
100
18
150
f (МГц)
200
68776_G
ВЧ и СВЧ компоненты
фирмы MITSUBISHI ELECTRIC
АРСЕНИДГАЛЛИЕВЫЕ ВЧ И СВЧ РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ
АРСЕНИДГАЛЛИЕВЫЕ ВЧ И СВЧ
РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ ____________________________
ДВУХЧАСТОТНЫЙ ГЕНЕРАТОР MGF1001P
Предельные
значения
Единицы
измере
ния
min typ max
Обозна Условия
чения испытания
Параметр
⌱DD
Постоянный ток смещения
Диапазон генерируемых частот
FOSC1
Выходная генерируемая мощность
POSC1
Ф1
Фазовый шум
⌱DD
Постоянный ток смещения
Диапазон генерируемых частот
FOSC2
Выходная генерируемая мощность
POSC2
Ф2
Фазовый шум
VDD = 4 B,
VLO1 = 0 B,
VLO2 = –1.5 B,
смещение
10 кГц
VDD = 4 B,
VLO1 = –1.5 B,
VLO2 = 0 B,
смещение
10 кГц
—
25
—
мА
9.75
—
10.6
ГГц
—
5
—
дБм
—
–90
—
дБс/Гц
—
25
—
мА
9.75
—
10.6
ГГц
—
5
—
дБм
—
–90
—
дБс/Гц
МАЛОШУМЯЩИЕ FET И HEMT ТРАНЗИСТОРЫ
В данном разделе представлены номенклатура и основные техI
нические характеристики малошумящих полевых транзисторов с
каналом nIтипа и барьером Шоттки и транзисторов с высокой подI
вижностью электронов, производимых фирмой MITSUBISHI Electric
в 1995I99 гг.
Большинство транзисторов выпускается в герметичных металлоI
керамических корпусах, обеспечивающих минимум паразитных
внешних воздействий. Некоторые транзисторы (например,
MGF4714AP и MGF4714CP) герметично запрессованы в пластикоI
вый корпус типа GDI18 и GDI22. Форма корпуса транзисторов приI
способлена для применения в микрополосковых линиях.
Справочная информация о корпусах транзисторов приведена в
соответствующем разделе.
В следующей таблице приведены важнейшие параметры малоI
шумящих СВЧ транзисторов. Для некоторых транзисторов параметI
ры представлены в виде двух значений, соответствующих работе в
малошумящем и малосигнальном режимах.
Параметры малошумящих СВЧ транзисторов
VGSO — предельное напряжение затвористок, VGDO — предельное напряжение затворсток, ⌱D — ток стока, TCH — температура канала, PT — полная рас
сеиваемая мощность, gM — крутизна, GS — связанный коэффициент усиления, NF — коэффициент шума, f0 — частота измерений, f — диапазон
рабочих частот, VDS — напряжение стокисток
Технические характеристики
Прибор
Тип
f0
Условия применения
⌱D
VDS
f
Типовые1)
NF
GS
gM
VGSO=VGDO
⌱D
Предельные
PT TCH NF (max)
Примечание
GS (min)
Корпус
ГГц
1…8
0.5…12
0.5…18
0.5…18
0.5…12
0.5…18
0.5…12
0.5…18
0.5…18
0.5…12
0.5…18
0.5…18
В
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
мА
10
10
10
10/30
10
10
10
10/30
10
10
10
10/30
дБ
1.4
—
—
—
3.0
1.8
2.5
—
1.4
—
—
—
дБ
14.5
—
—
—/11
8
10.5
8
—/11
10.5
—
—
—/11
мСм
25
45
40
35/—
45
40
45
35/—
40
45
40
35/—
В
–6
–6
–6
–6
–6
–6
–6
–6
–6
–6
–6
–6
мА
80
100
80
80
100
80
100
80
60
100
80
80
мВт
300
360
240
240
360
240
360
240
200
360
240
240
°С
150
175
175
175
175
175
175
175
150
175
175
175
дБ
2.0
1.4
2.0
2.3
4.0
2.3
3.5
2.3
1.6
4.0
2.0
2.3
дБ
11
11
8
8/9
5
8
5
8/9
9
5
8
8/9
GDI2
GDI4
GDI4
GDI4
GDI9
GDI9
GDI9
GDI9
GDI9
GDI16
GDI16
GDI16
LNA, 2 затвора
LNA
LNA
LNA/SSA
LNA
LNA
LNA
LNA/SSA
LNA
LNA
LNA
LNA/SSA
MGF1102
MGF1302
MGF1303B
MGF1323
MGF1402B
MGF1403B
MGF1412B
MGF1423B
MGF1425B
MGF1902B
MGF1903B
MGF1923
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
FET
ГГц
4
4
12
12
12
12
12
12
12
12
12
12
MGF4314E
MGF4318E
MGF4319E
MGF4316G
MGF4319G
HEMT
HEMT
HEMT
HEMT
HEMT
12
12
12
12
12
1…20
1…20
1…20
1…18
1…18
2
2
2
2
2
10
10
10
10
10
0.8
0.55
0.45
0.65
0.45
11.5
11.5
11.5
13.5
13.5
60
60
60
75
75
–4
–4
–4
–4
–4
60
60
60
60
60
50
50
50
50
50
125
125
125
125
125
1.0
0.6
0.5
0.8
0.5
9.5
9.5
9.5
12
12
GDI4
GDI4
GDI4
GDI4
GDI4
SLNA
SLNA
SLNA
SLNA
SLNA
MGF4416D
MGF4417D
MGF4418D
HEMT
HEMT
HEMT
12
12
12
1…20
1…20
1…20
2
2
2
10
10
10
0.75
0.65
0.55
11.5
11.5
11.5
60
60
60
–4
–4
–4
60
60
60
50
50
50
125
125
125
0.8
0.7
0.6
9.5
9.5
9.5
GDI9
GDI9
GDI9
SLNA
SLNA
SLNA
MGF4714AP
MGF4714CP
MGF4914E
MGF4918E
MGF4919E
MGF4916G
MGF4919G
MGF4951A
MGF4952A
HEMT
HEMT
HEMT
HEMT
HEMT
HEMT
HEMT
HEMT
HEMT
12
12
12
12
12
12
12
12
1…14
1…18
1…20
1…20
1…20
1…18
1…18
1…18
1…18
2
2
2
2
2
2
2
2
10
10
10
10
10
10
10
10
–4
–4
–4
–4
–4
–4
–4
–4
60
60
60
60
60
60
60
60
50
50
50
50
50
50
50
50
102)
9.0
12.5
11.5
11.5
11.5
13.5
13.5
13.0
12.5
60
55
60
60
60
75
75
75
22)
0.85
0.75
0.8
0.55
0.45
0.65
0.45
0.45
0.7
752)
–42)
602)
502)
125
125
125
125
125
125
125
125
125
1.0
1.0
1.0
0.6
0.5
0.8
0.5
0.52)
0.82)
8
11
9.5
9.5
9.5
12
12
122)
112)
GDI18
GDI22
GDI16
GDI16
GDI16
GDI16
GDI16
GDIxx3)
новый
LNA
SLNA
SLNA
SLNA
SLNA
SLNA
SLNA
SLNA
SLNA
122)
Примечания:
1) Значения при рекомендуемых VDS, ⌱D, FO;
2) Оценочное значение;
ВЧ и СВЧ компоненты
фирмы MITSUBISHI ELECTRIC
3) GDIxx — размеры корпуса 2.3 х 2.3 х 1 (мм).
LNA — малошумящие транзисторы , SLNA — сверхмалошумящие транзисI
торы, SSA — малосигнальные транзисторы.
19
АРСЕНИДГАЛЛИЕВЫЕ ВЧ И СВЧ РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ
Ниже приведены типовые характеристики FET и HEMT транзистоI
ров MGF1403B и MGF4319G, соответственно, в зависимости от реI
жимов эксплуатации и SIпараметры, определенные для согласоI
ванных по входу и выходу нагрузок сопротивлением 50 Ом.
Характеристики транзистора MGF1403B
ID (мA)
f = 4 ГГц
f = 12 ГГц
ID (мA)
50
50
VDS = 3 B
TA = 25°C
NF (дБ)
VGS = I0.2 B/STEP
TA = 25°C
40
GS (дБ)
7
40
18 14
VDS = 3 B
TA = 25°C
6
f = 12 ГГц
16 12
GS
5
VGS = 0 B
30
14 10
f = 4 ГГц
30
4
20
20
12 8
3
10 6
f = 12 ГГц
2
10
10
8
4
6
2
4
0
NF
1
f = 4 ГГц
0
I2.0
0
I1.0
VGS (B)
0
0
1.0
2.0
3.0
VDS (B)
MGF14031
NFMIN (дБ)
GS (дБ)
+j50°
16
4
VDS = 3 B
TA = 25°C
ID = 10 мА
GS
4.0
5.0
0
10
0
25
50
100
0.5 ГГц
2
4
6
8
f (ГГц)
10
3
2
–j250°
TA = 25°C
VDS = 3 B
ID = 10 мА
20
MGF14034
S12
1
0
0°
18.0 ГГц
18.0 ГГц
S11
–j25°
1
S12(f), S21(f)
0.5 ГГц
S22
0
0
4
±180°
250
0.5 ГГц
–j10°
NFMIN
70
S21
+j250°
0.5 ГГц
4
60
MGF14033
18.0 ГГц
18.0 ГГц
1
50
+90°
S11(f), S22(f)
+j10°
8
30
40
ID (мА)
+j100°
12
2
20
MGF14032
+j25°
3
0
–j100°
TA = 25°C
VDS = 3 B
ID = 10 мА
–j50°
–90°
MGF14036
MGF14035
Характеристики транзистора MGF4319G
ID (мA)
ID (мA)
50
NF (дБ)
60
VDS = 2 B
TA = 25°C
VDS = 2 B
TA = 25°C
50
40
GS (дБ)
16
TA = 25°C
14
f = 12 ГГц
GS
12
40
VGS = 0 B
30
VGS = –0.1 B
30
10
0.9
20
0.8
20
10
VGS = –0.2 B
0.6
VGS = –0.3 B
10
0
0.4
VGS = –0.5 B
0
I0.5
VGS (B)
0
1
2
3
4
VDS (B)
MGF43191
0.3
5
0
+90°
50
100
1.0 ГГц
±180°
250
1.0 ГГц
25
1.0 ГГц
S22
5
–j250°
25
MGF43193
S21(f), S12(f)
4
3
S12
1.0 ГГц
2
1
0
0°
20.0 ГГц
S11
20.0 ГГц
–j100°
–j25°
20
20
S21
+j250°
20.0 ГГц
TA = 25°C
VDS = 2 B
ID = 10 мА
15
ID (мА)
20.0 ГГц
–j10°
10
+j100°
+j10°
0
5
MGF43192
S11(f), S22(f)
+j50°
+j25°
NF
0.5
VGS = –0.4 B
0
I1.0
8
0.7
TA = 25°C
VDS = 2 B
ID = 10 мА
–j50°
MGF43194
–90°
MGF43195
ВЧ и СВЧ компоненты
фирмы MITSUBISHI ELECTRIC
АРСЕНИДГАЛЛИЕВЫЕ ВЧ И СВЧ РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ
МОЩНЫЕ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
Мощные широкополосные GaAs полевые транзисторы
(внутренне несогласованные)
Мощные СВЧ GaAs полевые транзисторы характеризуются: выI
соким КПД, большим коэффициентом усиления, малым тепловым
сопротивлением кристаллIкорпус, работой в классе А с хорошей
линейностью характеристик, герметичным металлокерамическим
корпусом, высокой надёжностью. Кроме того, у транзисторов спеI
цификации "ItemI51", предназначенных для работы в цифровых
системах телекоммуникаций и связи, минимизирован уровень инI
термодуляционных искажений (типичные значения коэффициента
⌱m3 = –42…–45 дБ). У транзисторов стандартной спецификации
"ItemI01", предназначенных для аппаратуры широкого применения,
коэффициент ⌱m3 не нормирован. Транзисторы выпускаются в комI
мерческом, промышленном и военном исполнении.
В данном разделе представлены основные технические характеI
ристики мощных широкополосных GaAs полевых транзисторов с каI
налом nIтипа и барьером Шоттки. Справочная информация о
корпусах транзисторов приведена в соответствующем разделе.
Важнейшими параметрами широкополосных СВЧ транзисторов
являются уровень выходной мощности Р1dB (измеряемой в точке
компрессии 1 дБ), коэффициент усиления по мощности GP и коэфI
фициент полезного действия ␩. В таблице приведены их типовые
значения, измеренные при температуре 25°С на частоте f0 при заI
данных напряжении стокIисток VDS, токе стока ⌱D и сопротивлении в
цепи затвора RG. Кроме этого, в таблице указаны предельные экI
сплуатационные параметры: значения напряжений затворIисток
VGSO и затворIсток VGDO, ток стока ⌱D рассеиваемая мощность PT,
температура кристалла TCH и тепловое сопротивление кристаллI
корпус RTHIC.
Параметры мощных широкополосных GaAs полевых транзисторов
Прибор
Условия измерения
⌱D
VDS
f
ГГц
В
А
0.5...3
8
0.2
0.5...3
8
0.8
0.5...3
10
1.2
0.5...3
10
2.4
0.5...3
10
1.3
0.5...3
10
1.3
0.5...3
10
2.6
0.4...7
10
0.2
0.4...7
10
0.8
0.4...7
6
0.1
0.4...7
10
0.075
0.4...7
10
0.15
0.4...7
10
0.3
0.4...7
10
0.4
0.4...7
10
0.5
RG
Ом
500
100
100
50
100
100
50
500
100
1000
2000
1000
500
200
200
Типовые значения1)
PO
GP
h
Вт
дБ
%
0.6
13
40
2.5
8
40
5
11
40
10
10
37
6.3
11
45
6.3
11
45
12.5
11
40
1.2
13
48
4.5
14.5
50
0.2
19
30
0.25
21
38
0.5
20
45
1.0
19
37
1.6
18
45
2.0
17
40
Предельные значения
VGSO = VGDO
⌱D
PT
TCH
В
А
Вт
°С
–17
0.8
3.75 175
–17
3.2
12
175
–15
3
23
175
–15
6
37.5 175
–15
5
27.3 175
–15
5
27.3 175
–15
10
37.5 175
–15
0.8
5.0
175
–15
3
18.7 175
–8
0.25
1.5
175
–15
0.2
2
175
–15
0.4
3
175
–15
0.8
6
175
–15
1.5
8.3
175
–15
1.8
175
102)
RTHC
°С/Вт
35
10.5
5
4
5
5
2.8
20
5
70
55
35
17
13
11
Корпус
Примечание
GFI7
GFI7
GFI21
GFI21
GFI7
GFI21
GFI21
GFI50
GFI50
GFI50
GFI50
GFI50
GFI50
GFI50
GFI50
SMD
SMD
SMD
SMD
SMD
SMD
SMD
SMD
MGF0904A
MGF0905A
MGF0906B
MGF0907B
MGF0909A
MGF0910A
MGF0911A
MGF0913A
MGF0915A
MGF0916A
MGF0917A
MGF0918A
MGF0919A
MGF0920A
MGF0921A
f0
ГГц
1.65
1.65
2.3
2.3
2.3
2.3
2.3
1.9
1.9
1.9
1.9
1.9
1.9
1.9
1.9
MGF1601B
MGF1801B
MGF1801BT
8
8
8
0.5...12
0.5...12
0.5...12
6
6
6
0.1
0.1
0.1
10002)
10002)
10002)
0.15
0.2
0.2
8
9
9
—
—
—
–8
–8
–8
0.25
0.25
0.25
1.2
1.2
1.2
175
175
175
125
125
125
GDI10
GDI10
GDI24
MGF2407A
MGF2415A
MGF2430A
MGF2445
MGF2445A
14.5
14.5
14.5
12
12
4...16
4...16
4...16
2...14
2...14
10
10
10
10
10
0.075
0.15
0.3
0.45
0.45
1000
1000
500
200
2002)
0.28
0.56
1.1
1.6
1.6
8
7.5
6.5
5
6
30
29
27
18
18
–15
–15
–15
–15
–15
0.2
0.4
0.8
1.2
1.2
1.5
2.5
5
10
10
175
175
175
175
175
100
60
30
15
15
GFI17
GFI17
GFI17
GFI2
GFI17
Примечания: 1) При рекомендуемых VDS, ⌱D, Fo, RG; 2) Оценочные значения; SMD — в корпусе для поверхностного монтажа
В качестве примера ниже выборочно приведены типовые характеристики некоторых мощных широкополосных GaAs полевых транзистоI
ров в зависимости от режимов эксплуатации.
Транзистор MGF0905A
ID (A)
3.0
2.5
3.0
TA = 25°C
VDS = 3 B
TA = 25°C
35
2.5
VGS = 0 B
2.0
2.0
1.5
1.5
1.0
1.0
0.5
ηadd (%)
P0 (дБм)
ID (A)
GP = 10 дБ
8
P0
f = 1.65 ГГц
30
VGS = –0.5 B
25
VGS = –1.0 B
50
20
VGS = –1.5 B
40
ηadd
30
10
VGS = –2.0 B
0.5
VDS = 8 В
IDS = 800 мA
TA = 25°C
20
10
VGS = –2.5 B
0
I3.0
I2.0
I1.0
VGS (B)
0
MGF09051
ВЧ и СВЧ компоненты
фирмы MITSUBISHI ELECTRIC
0
0
0
1.0
2.0
3.0
VDS (B)
4.0
5.0
6.0
MGF09052
10
15
20
25
PIN (дБм)
30
MGF09053
21
АРСЕНИДГАЛЛИЕВЫЕ ВЧ И СВЧ РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ
Транзистор MGF0905A
ηadd (%)
P0 (дБм)
+j50°
S11(f), S22(f)
35
+90°
S12(f), S21(f)
+j25°
+j100°
0.5 ГГц
S21
P0
34
33
+j10°
3.0 ГГц
32
+j250°
31
S22
0
ηadd
40
100
±180°
250
3
2
1
3.0 ГГц
0
0°
0.5 ГГц
0.5 ГГц
S11
–j10°
–j250°
0.1
0.5 ГГц
20
7
8
VDS (B)
9
10
–j100°
–j25°
10
0
6
50
4
30
f = 1.65 ГГц
5
25
50
PIN = 26 дБм
IDS = 800 мA
TA = 25°C
S12
3.0 ГГц
3.0 ГГц
TA = 25°C
VDS = 8 B
ID = 800 мА
TA = 25°C
VDS = 8 B
ID = 800 мА
–j50°
0.2
–90°
MGF09056
MGF09055
MGF09054
Транзистор MGF0911A
ID (A)
12
ID (A)
12
VDS = 3 B
TA = 25°C
ηadd (%)
PO (дБм)
45
TA = 25°C
f = 2.3 ГГц
VGS = 0 B
40
PO
8
8
VGS = –0.5 B
35
VGS = –1.0 B
4
4
30
VGS = –1.5 B
0
–1
–2
–3
0
VGS (В)
0
1
0
3
2
4
η add
0
6
5
VDS (В)
20
25
30
35
PIN (дБм)
MGF0911A_G2
MGF0911A_G3
S12(f), S21(f)
S11(f), S22(f)
+90°
+j50
13
50
40
30
20
10
0
25
VGS = –2.0 B
MGF0911A_G1
P1dB (дБм), GLP (дБ), ηadd (%)
GP = 11 10 9 дБ
VDS = 10 B
ID = 2.6 A
f = 2.3 ГГц
f = 2.3 ГГц
ID=2.6 А
+j100
+j25
G LP
12
11
3.0 ГГц
10
S22
0.5ГГц
0
25
50
100
250
±180°
S11
5
4
3
2
0.5 ГГц
1
0
0°
| S 21 |
0.5 ГГц
0.5ГГц
37
ηadd
Ij250
| S 21 |
Ij10
40
20
S12
S21
P1dB
39
3.0 ГГц
+j250
+j10 3.0ГГц
3.0ГГц
41
6
8
10
VDS (В)
MGF0911A_G4
TA = 25°C Ij25
VDS = 10 B
ID = 2.6 А
Ij100
Ij50
MGF0911A_G5
TA = 25°C
VDS = 10 B
ID = 2.6 А
0.1
0.2
I90°
MGF0911A_G6
Транзистор MGF2430A
ηadd (%)
P0 (дБм)
30
+j25°
VDS = 10 В
ID = 300 мA
f = 14.5 ГГц
GAIN = 8 дБ
6
+j50°
S11(f), S22(f)
4
+90°
S12(f), S21(f)
0.2
+j100°
16 ГГц
4.0 ГГц
S11
2
0.1
+j10°
S21
+j250°
16 ГГц
25
4.0 ГГц
P0
20
30
15
20
0
25
50
100
±180°
250
2
1
0
0°
S22
S12
4.0 ГГц
ηadd
10
16 ГГц
10
–j100°
–j25°
0
10
22
16 ГГц
–j250°
4.0 ГГц
–j10°
15
20
25
PIN (дБм)
30
MGF24301
TA = 25°C
VDS = 10 B
ID = 300 мА
–j50°
MGF24302
TA = 25°C
VDS = 10 B
ID = 300 мА
–90°
MGF24303
ВЧ и СВЧ компоненты
фирмы MITSUBISHI ELECTRIC
АРСЕНИДГАЛЛИЕВЫЕ ВЧ И СВЧ РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ
Транзистор MGF1801B
200
ID (мА)
PO (дБм)
30
Усиление:10дБ
ID = 100 мА
f = 8 ГГц
VGS = 0 B
25
VGS = –0.5 B
PO (дБм)
30
8
6
4 2
Усиление:10дБ
ID = 100 мА
f = 12 ГГц
25
PO
20
20
8
6
4 2
PO
100
VGS = –1.0 B
15
15
10
10
VGS = –1.5 B
5
5
V DS = 6 В
V DS = 4 В
VGS = –2.0 B
0
0
0
2
4
6
–5
10
8
VDS (В)
0
5
10
15
20
PIN (дБм)
MGF1801B_G1
–5
25
0
5
10
PIN (дБм)
MGF1801B_G2
S11(f), S22(f)
+j50
+j25
V DS = 6 В
V DS = 4 В
0
20
25
MGF1801B_G3
S12(f), S21(f)
+90°
+j100
15
S21
12.0ГГц
0.5ГГц
+j10
+j250
S12
0.5ГГц
12.0ГГц
25
0
50
100
250
±180°
6
5
3
2
1
0
0°
| S 21 |
0.5ГГц
12.0ГГц
4
12.0ГГц
S22
Ij250
0.5ГГц
S11
TA = 25°C
VDS = 6 B
ID = 0.1 А
Ij25
Ij100
MGF1801B_G4
Ij50
η (%)
Gp (дБ), PO (дБм)
VDS=10 В
ID=0.8 A
f=1.9 ГГц
35
30
70
60
50
η
40
20
Gp
15
30
10
20
5
10
0
5
10
15
20
PIN (дБм)
PO (дБм, SCL)
40
VD = 10 B
30 ID = 800 мА
f1 = 1.90 ГГц
f2 = 1.91 ГГц
20
25
0
30
MGF0915A_G1
IM3 (дБс)
Po
10
0
I10
I20
10
0
I30
IM3
I10
I40
I20
I50
I30
I60
I40
I5
0
5
10
15
PIN (дБм, SCL)
ВЧ и СВЧ компоненты
фирмы MITSUBISHI ELECTRIC
20
0.2
I90°
MGF1801B_G5
80
Po
25
TA = 25°C
VDS = 6 B
ID = 0.1 А
Мощные узкополосные GaAs полевые транзисторы
(внутренне согласованные)
Транзистор MGF0915A
40
0.1
| S 21 |
Ij10
Мощные узкополосные внутренне согласованные GaAs полевые
транзисторы производятся в герметично запаянных металлокераI
мических корпусах, гарантирующих их высокую надёжность. В наI
стоящее время выпускаются транзисторы с номинальной выходной
мощностью от 0.3 до 100 Вт для работы в диапазоне частот
1.9…14.5 ГГц. Данный частотный диапазон условно разбит на неI
сколько поддиапазонов: L (1…2 ГГц), S (2…4 ГГц), C (4…8 ГГц), X
(8…12.4 ГГц) и Ku (12.4…18ГГц). Поскольку все транзисторы внутI
ренне согласованы на 50 Ом в весьма узкой полосе частот (как праI
вило ширина полосы частот составляет 5…10% от центральной
частоты), каждый из поддиапазонов представлен обширной номенI
клатурой изделий. Основные технические характеристики транзисI
торов представлены в таблице.
Важнейшими параметрами мощных внутренне согласованных
GaAs полевых транзисторов являются диапазон частот f, уровень выI
ходной мощности Р1dB, коэффициент усиления мощности GP и коэфI
фициент полезного действия ␩. В таблице приведены их типовые
значения, измеренные при температуре 25°С, а также предельные
эксплуатационные параметры: значения напряжений затворIисток
VGSO и затворIсток VGDO, ток стока ⌱D, рассеиваемая мощность PT,
температура кристалла TCH и тепловое сопротивление кристаллIкорI
пус RTHIC. По некоторым новейшим изделиям фирмы MITSUBISHI
часть их параметров в момент формирования настоящего издания
выяснить не удалось, в связи с чем в таблице имеются незаполненI
ные ячейки. По ряду параметров даны экспертные оценки.
I70
25
MGF0915A_G2
23
АРСЕНИДГАЛЛИЕВЫЕ ВЧ И СВЧ РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ
Параметры мощных узкополосных GaAs полевых транзисторов
Типовые
значения1)
Условия измерения
Прибор
Предельные значения
Корпус
f
VDS
⌱D
RG
PO
GP
␩
VGSO = VGDO
⌱D
PT
TCH
RTHC
MGFS44V2527
MGFS44V2735
MGFL45V1920
MGFL45V1920A
MGFS45V2123
MGFS45V2123A
MGFS45V2325
MGFS45V2325A
MGFS45V2527
MGFS45V2527A
MGFS45V2735
MGFS47V2527
MGFS50V21223)
ГГц
2.5...2.7
2.7...3.5
1.9...2.0
1.9...2.0
2.1...2.3
2.1...2.3
2.3...2.5
2.3...2.5
2.5...2.7
2.5...2.7
2.7...3.5
2.5...2.7
2.1...2.2
В
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
А
6.4
6.4
6.5
6.5
6.5
6.5
6.5
6.5
6.5
6.5
8.0
н/д
н/д
Ом
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
252)
н/д
н/д
Вт
25
25
30
30
30
30
30
30
30
30
30
50
100
дБ
12
12
13
13
12
12
12
12
12
12
12
11
11
%
40
452)
45
45
45
45
45
45
45
45
452)
н/д
н/д
В
–15
–15
–15
–15
–15
–15
–15
–15
–15
–15
–15
н/д
н/д
А
24
222)
22
22
22
22
22
22
24
24
222)
н/д
н/д
Вт
83.3
125
83.3
107
83.3
107
83.3
107
83.3
107
150
н/д
н/д
°С
175
175
175
175
175
175
175
175
175
175
175
1752)
1752)
°С/Вт
1.6
1.2
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1.7
1
н/д
н/д
GFI382)
GFI38
GFI38
GFI38
GFI38
GFI38
GFI38
GFI38
GFI38
GFI38
GFI38
н/д
н/д
MGFC36V3436
MGFC36V3742A
MGFC36V4450A
MGFC36V5258
MGFC36V5964A
MGFC36V6472A
MGFC36V7177A
MGFC36V7785A
3.4...3.6
3.7...4.2
4.4...5.0
5.2...5.8
5.9...6.4
6.4...7.2
7.1...7.7
7.7...8.5
10
10
10
10
10
10
10
10
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
100
100
100
100
100
100
100
100
4
4
4
4
4
4
4
4
12
11
10
10
10
9
9
8
н/д
33
н/д
32
30
30
30
29
–15
–15
–15
–15
–15
–15
–15
–15
3.75
3.75
3.75
2.8
3.75
3.75
3.75
3.75
25
25
25
25
25
25
25
25
175
175
175
175
175
175
175
175
6
6
6
6
6
6
6
6
GFI8
GFI8
GFI8
GFI8
GFI8
GFI8
GFI8
GFI8
MGFC38V3642
MGFC38V5964
MGFC38V6472
3.6...4.2
5.9...6.4
6.4...7.2
10
10
10
1.8
1.8
1.8
100
100
100
6
6
6
11
10
9
33
32
31
–15
–15
–15
5
5
5
30
30
30
175
175
175
5
5
5
GFI18
GFI8
GFI8
MGFC39V3436
MGFC39V3742A
MGFC39V4450A
MGFC39V5053
MGFC39V5258
MGFC39V5964A
MGFC39V6472A
MGFC39V7177A
MGFC39V7785A
3.4...3.6
3.7...4.2
4.4...5.0
5.0...5.3
5.2...5.8
5.9...6.4
6.4...7.2
7.1...7.7
7.7...8.5
10
10
10
10
10
10
10
10
10
2.4
2.4
2.4
2.4
2.4
2.4
2.4
2.4
2.4
50
50
50
50
50
50
50
50
50
8
8
8
8
8
8
8
8
8
11
10
9
10
9
9
8
8
7
н/д
31
30
31
30
30
28
28
27
–15
–15
–15
–15
–15
–15
–15
–15
–15
7.5
7.5
7.5
7.5
5.6
7.5
7.5
7.5
7.5
42.8
42.8
42.8
42.8
42.8
42.8
42.8
42.8
42.8
175
175
175
175
175
175
175
175
175
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
GFI8
GFI8
GFI8
GFI8
GFI8
GFI8
GFI8
GFI8
GFI8
MGFC40V3742A
MGFC40V4450A
MGFC40V5258
MGFC40V5964A
MGFC40V6472A
MGFC40V7177A
MGFC40V7177B
MGFC40V7785
MGFC40V7785A
MGFC40V7785B
3.7...4.2
4.4...5.0
5.2...5.8
5.9...6.4
6.4...7.2
7.1...7.7
7.1...7.7
7.7...8.5
7.7...8.5
7.7...8.5
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
2.4
2.4
2.4
2.4
2.4
2.4
2.4
2.42)
2.4
2.4
50
50
50
50
50
50
50
50
50
50
11
11
11
11
11
10
10
10
10
10
11
10
9
9
8
8
9
7
8
8
33
32
31
31
30
20
28
н/д
25
26
–15
–15
–15
–15
–15
–15
–15
–15
–15
–15
6
6
6
6
6
6
6
62)
6
6
53.5
53.5
53.5
53.5
53.5
53.5
53.5
53.5
53.5
53.5
175
175
175
175
175
175
175
175
175
175
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
2.8
1.62)
2.8
2.8
GFI18
GFI18
GFI18
GFI18
GFI18
GFI18
GFI18
GFI38
GFI18
GFI18
MGFC41V3642
MGFC41V4450
MGFC41V5964
MGFC41V6472
MGFC41V7177
MGFC41V7785
3.6...4.2
4.4...5.0
5.9...6.4
6.4...7.2
7.1...7.7
7.7...8.5
10
10
10
10
10
10
3.4
3.4
3.4
3.4
3.4
3.4
50
50
50
50
50
50
14
12.5
12.5
12.5
12.5
11
12.5
10.5
9.5
9
8
7
40
н/д
н/д
н/д
н/д
н/д
–15
–15
–15
–15
–15
–15
12
12
12
12
12
12
57.7
57.7
57.7
57.7
57.7
57.7
175
175
175
175
175
175
2.8
2.82)
2.8
2.8
2.8
2.82)
GFI18
GFI18
GFI18
GFI18
GFI18
GFI38
24
ВЧ и СВЧ компоненты
фирмы MITSUBISHI ELECTRIC
АРСЕНИДГАЛЛИЕВЫЕ ВЧ И СВЧ РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ
Параметры мощных узкополосных GaAs полевых транзисторов (продолжение)
Типовые
значения1)
Условия измерения
Прибор
Предельные значения
Корпус
f
VDS
⌱D
RG
PO
GP
h
VGSO = VGDO
⌱D
PT
TCH
RTHC
MGFC42V3436
MGFC42V3742
MGFC42V3742A
MGFC42V4450
MGFC42V4450A
MGFC42V5258
MGFC42V5258A
MGFC42V5964
MGFC42V5964A
MGFC42V6472
MGFC42V6472A
MGFC42V7177A
MGFC42V7785A
ГГц
3.4...3.6
3.7...4.2
3.7...4.2
4.4...5.0
4.4...5.0
5.2...5.8
5.2...5.8
5.9...6.4
5.9...6.4
6.4...7.2
6.4...7.2
7.1...7.7
7.7...8.5
В
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
А
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
4.5
Ом
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
Вт
18
18
18
18
18
18
18
18
18
18
18
16
16
дБ
13
10
10
9
9
9
9
9
9
8
8
8
7
%
н/д
34
34
н/д
33
н/д
31
н/д
33
н/д
31
н/д
н/д
В
–15
–15
–15
–15
–15
–15
–15
–15
–15
–15
–15
–15
–15
А
12
12
12
12
12
12
12
12
12
12
12
12
12
Вт
78.9
93.7
93.7
78.9
93.7
78.9
93.7
78.9
93.7
78.9
93.7
93.7
93.7
°С
175
175
175
175
175
175
175
175
175
175
175
175
175
°С/Вт
1.9
1.9
1.6
1.9
1.6
1.9
1.6
1.9
1.6
1.9
1.6
1.62)
1.6
GFI18
GFI18
GFI38
GFI18
GFI38
GFI18
GFI38
GFI18
GFI38
GFI18
GFI38
GFI38
GFI38
MGFC44V3436
MGFC44V3642
MGFC44V4450
MGFC44V5964
MGFC44V6472
3.4...3.6
3.7...4.2
4.4...5.0
5.9...6.4
6.4...7.2
10
10
10
10
10
6.4
6.4
6.4
6.4
6.4
25
25
25
25
25
25
25
25
25
25
12
11
10
9
8
36
35
34
33
31
–15
–15
–15
–15
–15
20
20
20
20
20
125
93
93
93
93
175
175
175
175
175
1.6
1.6
1.6
1.6
1.6
GFI38
GFI38
GFI38
GFI38
GFI38
MGFC45V3436A
MGFC45V3642A
MGFC45V4450A
MGFC45V5053A
MGFC45V5964A
MGFC45V6472A
MGFC45V7177A
MGFC45V7785A
3.4...3.6
3.6...4.2
4.4...5.0
5.05...5.25
5.9...6.4
6.4...7.2
7.1...7.7
7.7...8.5
10
10
10
10
10
10
10
10
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
25
25
25
25
25
25
25
25
31
31
31
31
31
31
31
31
12
11
10
9.5
9
8
7
6
н/д
н/д
н/д
34
33
28
н/д
н/д
–15
–15
–15
–15
–15
–15
–15
–15
20
20
20
20
20
20
20
20
150
150
150
150
150
150
150
150
175
175
175
175
175
175
175
175
1
1
1
0.8
1
1
12)
12)
GFI38
GFI38
GFI38
GFI38
GFI38
GFI38
GFI38
GFI38
MGFX35V9095
MGFX35V9500
MGFX35V0005
MGFX35V0510
MGFX35V1722
MGFX36V0717
MGFX38V9095
MGFX38V9500
MGFX38V0005
MGFX38V0510
MGFX38V1722
MGFX39V0717
MGFX41V0717
MGFX44V0717
9...9.5
9.5...10
10...10.5
10.5...11
11.7...12.2
10.7...11.7
9...9.5
9.5...10
10...10.5
10.5...11
11.7...12.2
10.7...11.7
10.7...11.7
10.7...11.7
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
н/д
н/д
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
1.2
2.4
2.4
2.4
2.4
2.4
2.4
н/д
н/д
100
100
100
100
100
100
50
50
50
50
50
50
25
н/д
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
4
6
6
6
6
6
8
12.5
25
8.5
8.5
8.5
8
7.5
8
7.5
7.5
7.5
7
6.5
7
8
7.5
32
32
32
30
28
28
28
28
28
26
25
26
н/д
н/д
–15
–15
–15
–15
–15
–15
–15
–15
–15
–15
–15
–15
н/д
н/д
2.8
2.8
2.8
2.8
2.8
2.8
5.6
5.6
5.6
5.6
5.6
5.6
н/д
н/д
27.2
27.2
27.2
27.2
27.2
27.2
42.8
42.8
42.8
42.8
42.8
42.8
н/д
н/д
175
175
175
175
175
175
175
175
175
175
175
175
н/д
н/д
5.5
5.5
5.5
5.5
5.5
5.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
н/д
н/д
GFI14
GFI14
GFI14
GFI14
GFI14
GFI27
GFI14
GFI14
GFI14
GFI14
GFI14
GFI8
GFI8
GFI38
MGFK25V4045
MGFK30V4045
MGFK33V4045
MGFK35V4045
MGFK35V2228
MGFK35V2732
MGFK36V4045
MGFK37V4045
MGFK38V2228
MGFK38V2732
MGFK39V4045
MGFK41V4045
MGFK44V4045
14...14.5
14...14.5
14...14.5
14...14.5
12.2...12.8
12.7...13.2
14...14.5
14...14.5
12.2...12.8
12.7...13.2
14...14.5
14...14.5
14...14.5
8
8
8
10
10
10
10
10
10
10
10
н/д
н/д
0.08
0.35
0.7
1.2
1.2
1.2
2.4
2.4
2.4
2.4
2.4
н/д
н/д
1000
500
200
100
100
100
100
50
50
50
50
н/д
н/д
0.3
1
2
3.5
3.5
3.5
4
5.5
6
6
8
12.5
25
9
8
7
6.5
7
7
7
5.5
6
6
5.5
7
6.5
25
24
22
20
26
26
22
17
23
23
20
н/д
н/д
–14
–14
–14
–15
–15
–15
–15
–15
–15
–15
–15
н/д
н/д
0.5
1
1.8
3.5
2.8
2.8
2.8
6.6
5.6
5.6
5.6
н/д
н/д
2.7
11
17
33.3
27.2
27.2
27.2
42.8
42.8
42.8
42.8
н/д
н/д
175
175
175
175
175
175
175
175
175
175
175
н/д
н/д
40
20
10
4.5
5.5
5.5
5.5
3.5
3.5
3.5
3.5
н/д
н/д
GFI11
GFI11
GFI11
GFI14
GFI14
GFI14
GFI27
GFI14
GFI14
GFI14
GFI8
GFI8
GFI38
Примечания:
1) При рекомендуемых VDS, ⌱D, f, RG;
2) Оценочное значение;
3) Двухтактный.
н/д — нет данных.
ВЧ и СВЧ компоненты
фирмы MITSUBISHI ELECTRIC
25
АРСЕНИДГАЛЛИЕВЫЕ ВЧ И СВЧ РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ
В качестве примера ниже приведены типовые характеристики некоторых мощных внутренне согласованных GaAs полевых транзисторов
в зависимости от режимов эксплуатации.
Транзистор MGFS45V2527
P1dB (дБм)
46
GLP (dB)
VDS=10 В
IDS=6.5 А
50
VDS = 10 В
IDS = 6.5 А
f = 2.6 ГГц
45
P1dB
45
16
15
44
14
ηadd (%)
PO (дБм)
42
60
VDS = 10 В
40 IDS = 6.5 А
f1= 2.700 ГГц
38 f2= 2.705 ГГц
PO
43
13
42
10
Po
0
50
35
40
34
30
30
32
I30
30
I40
28
I50
26
I60
36
η add
I10
I20
20
12
10
20
2.55
20
40
25
2.5
IM3 (dBc)
IM3
GLP
41
2.45
PO (дБм S.C.L.)
70
2.6 2.65
f (ГГц)
2.7
11
2.75
15
15
20
MGFS45V2527_G1
25
30
PIN (дБм)
24
I70
14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34
PIN (дБм S.C.L.) MGFS45V2527_G3
0
35
35
MGFS45V2527_G2
Sпараметры
При TA = 25°C, VDS = 10 В, ⌱D = 6.5 А
Sпараметры (typ)
S11
f, ГГц
Модуль
0.57
0.54
0.52
0.45
0.39
0.30
0.19
0.18
0.30
2.40
2.45
2.50
2.55
2.60
2.65
2.70
2.75
2.80
S21
Угол, град.
165
152
138
123
106
82
37
–25
–73
Модуль
4.25
4.35
4.40
4.49
4.60
4.68
4.68
4.57
4.29
S22
S12
Угол, град.
50
36
21
6
–10
–28
–47
–66
–86
Модуль
0.03
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.05
0.04
Угол, град.
15
0
–21
–35
–60
–73
–89
–117
–133
Модуль
0.15
0.13
0.12
0.12
0.12
0.13
0.12
0.13
0.10
Угол, град.
–24
–37
–60
–82
–111
–134
–156
176
160
Транзистор MGFC36V6472A
P1dB (дБм)
GLP (дБ)
ηadd (%)
P0 (дБм)
VDS = 10 В
IDS = 1.2 A
VDS = 10 В
IDS = 1.2 A
38
35
f = 6.8 ГГц
P0 (дБм)
30
P0
P0
P1dB
37
36
IM3 (дБc)
32
GP = 10 дБ 9 8 7
30
40
10
25
30
9
20
20
8
15
GLP
28
I10
26
I20
I30
24
IM3
ηadd
22
10
I40
VDS = 10 В
IDS = 1.2 A
f = 7.2 ГГц
20
I50
Δf = 10 МГц
0
6.4
6.5
6.6
6.7
6.8 6.9
f (ГГц)
7.0
7.1
7.2
10
15
20
25
PIN (дБм)
MGFC36G1
30
I60
18
35
13
MGFC36G2
15
17
19
21
PIN (дБм)
23
25
27
MGFC36G3
Sпараметры
При TA = 25°C, VDS = 10 В, ⌱D = 1.2 А
Sпараметры (typ)
S11
f, ГГц
6.4
6.5
6.6
6.7
6.8
6.9
7.0
7.1
7.2
26
Модуль
0.50
0.43
0.36
0.30
0.25
0.21
0.18
0.15
0.12
S21
Угол, град.
178
162
143
122
99
77
53
31
1
Модуль
2.68
2.76
2.83
2.88
2.93
2.92
2.87
2.80
2.71
S22
S12
Угол, град.
–61
–75
–90
–104
–119
–133
–148
–162
–177
Модуль
0.078
0.084
0.088
0.090
0.092
0.095
0.098
0.101
0.102
Угол, град.
–110
–124
–138
–152
–165
–179
167
153
137
Модуль
0.15
0.18
0.21
0.24
0.27
0.29
0.30
0.31
0.32
Угол, град.
48
32
15
–1
–17
–31
–47
–62
–79
ВЧ и СВЧ компоненты
фирмы MITSUBISHI ELECTRIC
АРСЕНИДГАЛЛИЕВЫЕ ВЧ И СВЧ РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ
Транзистор MGFC42V4450A
P1dB (дБм)
45
44
VDS = 10 В
IDS = 4.5 A
43
ηadd (%)
P0 (дБм)
GLP (дБ)
P1dB
40
GLP = 12 дБ
VDS = 10 В
IDS = 4.5 A
f = 4.7 ГГц
11
S12(f), S21(f)
S11(f), S22(f) +j50°
10
9
+j25°
+90°
5
+j100°
4
3
42
35
+j10°
5.0 ГГц
0
4.4 ГГц
25
50
40
P0
41
30
30
100
1
250
±180°
0.2
0.1
5.0 ГГц
4.4 ГГц
0
0°
4.4 ГГц
S12
–j250°
–j10°
25
10
2
5.0 ГГц
S11
ηadd
12
GLP
+j250°
S22
20
5.0 ГГц
4.4 ГГц
S21
20
8
4.4
4.5
4.6
4.7 4.8
f (ГГц)
4.9
10
15
5.0
20
MGFC42G1
25
30
PIN (дБм)
35
MGFC42G2
–j100°
–j25°
Z0 = 50
VDS = 10 B
ID = 4.5 А
Z0 = 50
VDS = 10 B
ID = 4.5 А
–j50°
–90°
MGFC42G3
MGFC42G4
Транзистор MGFC45V6472A
47
P1dB (дБм)
VDS = 10 В
IDS = 8 А
GLP (дБ)
12
η (%)
PO (дБм)
50
50
46
11
VDS = 10 В
IDS = 8 А
f
45 = 6.8 ГГц
45
10
40
30
9
35
20
P1dB
GLP
44
43
44
Po
40
25
30
35
PIN (дБм)
I20
I30
I40
IM3
I50
20
I60
16
I70
18 20 22 24 26 28 30 32 34 36
PIN (дБм S.C.L.) MGFC45V6472A_G3
0
45
40
I10
28
10
25
20
0
Po
24
30
42
7
6.3 6.4 6.5 6.6 6.7 6.8 6.9 7.0 7.1 7.2 7.3
f (ГГц)
MGFC45V6472A_G1
IM3 (дБс)
32
η
8
PO (дБм S.C.L.)
V DS=10 В
IDS=8 А
40 f=7.2 ГГц
Delta f=10 МГц
36
MGFC45V6472A_G2
Sпараметры
При TA = 25°C, VDS = 10 В, ⌱D = 8.0 А
Sпараметры (typ)
S11
f, ГГц
Модуль
0.66
0.61
0.56
0.50
0.43
0.35
0.24
0.15
0.01
6.4
6.5
6.6
6.7
6.8
6.9
7.0
7.1
7.2
Угол, град.
100
84
70
57
42
27
12
1
–10
Модуль
2.39
2.43
2.47
2.54
2.59
2.66
2.73
2.75
2.72
S22
S12
S21
Угол, град.
–106
–122
–138
–154
–170
173
155
143
123
Модуль
0.057
0.065
0.071
0.079
0.088
0.095
0.101
0.105
0.109
Угол, град.
–171
174
160
145
131
116
100
88
70
Модуль
0.32
0.34
0.35
0.35
0.34
0.31
0.27
0.24
0.20
Угол, град.
74
64
52
40
27
12
–8
–27
–61
Транзистор MGFX39V0717
P1dB (дБм)
VDS = 10 В
IDS = 2.4 A
P1dB
40
ηadd (%)
P0 (дБм)
GLP (дБ)
40
S11(f), S22(f)
+j25°
6
35
10.7 ГГц
40
11.7 ГГц
7
36
0
P0
25
50
10.7 ГГц
+j250°
10.7 ГГц
S11
11.7 ГГц
100
250
±180°
0.2
ηadd
S22
–j10°
25
–j250°
11.7 ГГц
20
8
10.9
11.1 11.3
f (ГГц)
11.5
0
10.7 ГГц
0°
S12
11.7 ГГц
20
11.7
MGFX39G1
10
15
20
25
30
PIN (дБм)
35
MGFX39G2
TA = 25°C
VDS = 10 B
ID = 2.4 А
S21
–j100°
–j25°
6
10.7
0.1
30
10
GLP
+90°
+j100°
+j10°
38
30
S21(f), S12(f)
+j50°
GLP = 9 дБ 8
VDS = 10 В
IDS = 2.4 A
f = 11.2 ГГц
TA = 25°C
VDS = 10 B
ID = 2.4 А
–j50°
–90°
MGFX39G3
MGFX39G4
ВЧ и СВЧ компоненты
фирмы MITSUBISHI ELECTRIC
27
АРСЕНИДГАЛЛИЕВЫЕ ВЧ И СВЧ РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ
Транзистор MGFK35V2732
P1dB (дБм)
GLP (дБ)
ηadd (%)
P0 (дБм)
S11(f), S22(f)
40
VDS = 10 В
IDS = 1.2 A
38
35
GLP = 8 дБ
VDS = 10 В
IDS = 1.2 A
f = 12.95 ГГц
7
+j10°
+j250°
S11
30
0
25
25
12.7 ГГц
30
P0
9
ηadd
–j10°
GLP
20
7
20
13.1
5
15
100
12.7 ГГц
±180°
250
13.2
10
MGFK35G1
0.1
0
12.7 ГГц
0°
S12
1
S22
12.7 ГГц
S21
13.2 ГГц
–j250°
2
15
20
25
PIN (дБм)
–j100°
–j25°
TA = 25°C
VDS = 10 B
ID = 1.2 А
30
MGFK35G2
TA = 25°C
VDS = 10 B
ID = 1.2 А
–j50°
13.2 ГГц
GLP (дБ)
4
–90°
MGFK35G4
MGFK35G3
Таблица обозначений
диапазонов частот
Транзистор MGFK37V4045
P1dB (дБм)
0.2
3
10
12.9 13.0
f (ГГц)
50
13.2 ГГц
34
13.2 ГГц
40
6
12.8
+90°
+j100°
5
P1dB
36
12.7
S12(f), S21(f)
+j50°
+j25°
ηadd (%)
P0 (дБм)
40
40
VDS = 10 В
IDS = 2400 мA
VDS = 10 В
IDS = 2400 мA
f = 14.3 ГГц
P1dB
38
10
36
8
30
GP = 10 дБ 8 6
4
2
0
P0
f, ГГц
GLP
34
6
100
20
75
60
50
40
MILLII
METER
30
Ka
20
K
15
Ku
10
8
X
20
32
ηadd
4
10
30
0
2
14.0
14.1
14.2 14.3
f (ГГц)
GLP (дБ)
14.4
14.5
10
20
P1dB (дБм)
9
39
30
40
PIN (дБм)
MGFK37G1
IDS = 2.4 A
+j25°
38
+j10°
14.5 ГГц
S11
37
0
25
50
100
P1dB
250
14.5 ГГц
14.0 ГГц
–j10°
6
36
S22
35
7
8
9
VDS (B)
10
11
MGFK37G4
P0 (дБм)
TA = 25°C
VDS = 10 B
ID = 2400 мА
6
5
4
С
3
S
1.5
–j100°
MGFK37G5
0.75
0.6
0.5
0.5
+90°
4
40
f2 = 14.31 ГГц
3
30
VDS = 10 В
ID = 2.4 A
2
I
F
20
f1 или f2
±180°
2
0.2
0.1
0.15
0
3.753
5
6
7.5
10
E
15
L
D
20
30
C
UHF
B
0.2
1
40
50
60
75
100
150
VHF
A
200
0°
14.0 ГГц
10
0.1
14.0 ГГц
IM3
S12
0
14.5 ГГц
-10
-20
28
J
G
0.3
IP = 47 дБм
10
1.5
1
–j50°
f1 = 14.30 ГГц
0
K
2
14.0 ГГц
S12(f), S21(f)
50
L
0.4
0.5
0.6
0.75
H
–j250°
–j25°
5
M
+j250°
GLP
7
λ, см
+j100°
f = 14.3 ГГц
8
JCS
0.3
MGFK37G2
+j50°
S11(f), S22(f)
IEEE
STDI521I1976
30
20
30
PIN (дБм)
40
50
MGFK37G3
TA = 25°C
VDS = 10 B
ID = 2400 мА
300
S21
14.5 ГГц
–90°
MGFK37G6
ВЧ и СВЧ компоненты
фирмы MITSUBISHI ELECTRIC
АРСЕНИДГАЛЛИЕВЫЕ ВЧ И СВЧ РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ
МОДУЛИ И МИКРОСХЕМЫ ВЧ УСИЛИТЕЛЕЙ МОЩНОСТИ
GaAs микросхемы для портативных телефонов
f — диапазон частот, VD — напряжение стока, VG — напряжение затвора, P0 — выходная мощность, GP — коэффициент усиления мощности, PAE — КПД, ACP
— уровень мощности соседнего канала, PIN — входная мощность.
Прибор
MGF7168C
MGF7169C
MGF7170C
MGF7170AC
MGF7175C1)
MGF7176C1)
Условия измерений
Параметры
Максимальные значения
VD, В VG , В PO, дБм GP, дБ (typ) PAE, % (typ) ACP, дБс (max) VD, В VG, В PIN, дБм Рабочая температура, °C
f, МГц
1710…1910
1850…1910
1750…1780
1750…1780
1850…1910
1750…1780
3.5
3
3
3
3
3
–2
–2
–2
2.7
3
3
33
28
28
28
28.5
28
23
21
21
21
28.5
28
45
40
40
40
38
37
—
–462)
–462)
–462)
–462)
–462)
5
5
5
5
5
5
–4
–4
–4
4
5
5
15
15
15
15
5
5
Применение
PCS1900 или DCS18003)
NICDMA (США)3)
NICDMA (КОРЕЯ)3)
NICDMA (КОРЕЯ)3)
NICDMA (США)3)
NICDMA (КОРЕЯ)3)
–30...+85
–30...+85
–30...+85
–30...+85
–30...+85
–30...+85
Примечания:
1) Новая продукция;
2) Необходимо частичное внешнее согласование;
3) Смещение 1.25 МГц.
GaAs модули для портативных телефонов
f — диапазон частот, VD — напряжение стока, VG — напряжение затвора, P0 — выходная мощность, GP — коэффициент усиления мощности, PAE — КПД,
ACP — уровень мощности соседнего канала, PIN — входная мощность.
Прибор
FA01223
FA01223C
FA012261)
FA013811)
Условия измерений
Параметры
Максимальные значения
VD, В VG , В PO, дБм GP, дБ (typ) PAE, % (typ) ACP, дБс (max) VD, В VG, В PIN, дБм Рабочая температура, °C
f, МГц
893…960
940…960
1429…1453
1850…1910
3.5
3.5
3.5
3.5
–2.3
–2.5
–2.5
3
29.7
29.8
30
28.5
24
24
23
26
56
56
55
35
I472)
I472)
I472)
I463)
4.5
4.5
4.5
6
–4
–4
–4
6
12
12
12
10
Применение
–20...+85
–20...+85
–20...+85
–30...+100
PDC800
PDC800
PDC1.5G
NICDMA(США)
Примечания:
1) В стадии разработки; 2) Смещение 50 кГц; 3) Смещение 1.25 МГц.
МИКРОСХЕМЫ ДЛЯ АППАРАТУРЫ СВЧ ДИАПАЗОНА
СВЧ GaAs малошумящие усилители
f — диапазон частот, VD — напряжение смещения стока , ⌱D — ток стока,
Gain — малосигнальный коэффициент усиления, P1 — выходная мощ
ность на уровне 1 дБ, LNA — малошумящий усилитель.
Прибор
f, ГГц VD, В ⌱D, мА Gain, дБ P1, дБм КСВН Функция Корпус
MGFC5107* 21.2…23.6 5
30
17
2.5
2
LNA
Кристалл
MGFC5108* 24.5…26.5 5
30
17
2.5
2.5
LNA
Кристалл
MGFC5109* 27…30
5
30
17
2.5
2.5
LNA
Кристалл
MGFC5110* 37…40
2.5
30
17
3.5
2
LNA
Кристалл
MGFC5111S 29.5…32
4
20
16
5
2
LNA
Кристалл
Примечание: * — Разрабатывается
СВЧ GaAs усилители мощности
f — диапазон частот, VD — напряжение смещения стока , ⌱D — ток стока,
Gain малосигнальный коэффициент усиления, P1 — выходная мощность
на уровне 1 дБ.
VD, В ⌱D, мА Gain, дБ P1, дБм КСВН Функция Корпус
Прибор
f, ГГц
MGFC5212* 24.5…26.5 5
270
13
23
2.5
MPA
Кристал
MGFC5213* 27.5…30
5
1080
9
29
3
HPA
Кристал
MGFC5214* 37…43
5
520
10
23
2.5
MPA
Кристал
MGFC5215* 27.5…30
5
270
13
23
3
MPA
Кристал
MGFC5216* 37…43
5
140
20
16
3
Драйвер Кристал
MGFC5217* 18…19
5
220
15
22
3
MPA
Кристал
MGFC5218* 18…20
5
1080
12
29
3
HPA
Кристал
MGFC5219* 17.7…19.7 5
40
24
9
3
VGA
Кристал
Мощные СВЧ модули и интегральные схемы
Прибор
MA1046I1
MA1065I1
MA1078I2
MA1100I1
MA1113I1
MA1114I1
Функциональ
Выходная
ное назначение мощность, Вт
Усилитель
3
мощности (Power
Amplifier)
Усилитель
4
мощности (High
Power Amplifier)
Усилитель
20
мощности для
DCS1800
Усилитель
30
мощности для
DCS1800
Усилитель
20
мощности для
PCS1800
Усилитель
30
мощности для
PCS1800
Коэффициент
усиления, дБ
Диапазон
частот, МГц
32
1895…1918
31…45
1895…1918
54
1805…1880
54
1805…1880
52
1930…1990
54
1930…1990
Примечания:
* — Разрабатывается
LNA — малошумящий усилитель, MPA — усилитель средней мощности, HPA —
усилитель большой мощности, VGA — усилитель с регулируемым усилением.
ВЧ и СВЧ компоненты
фирмы MITSUBISHI ELECTRIC
29
ФИЛЬТРЫ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ
ФИЛЬТРЫ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ________________________________________________________________________________
Диаграмма выпускаемых ПАВфильтров
Вносимые потери (дБ)
Типовое значение
MF10**
–1дБ уровень вносимых потерь
1
53
12
2
51 50
49
55
17
37
73
69
09 42 43
3
81 83 82 84
10
18
70
1105
200
300
400
500
800
900
1000
1400
1500
1600
1900
MF1009SI1 Для мобильных телефонов стандарта AMPS, Rx
Полоса
пропускания, МГц
869...894
MF1010SI1 Для мобильных телефонов стандарта AMPS, Tx
MF1012SI1 Для систем GPS
824...849
1574.42...1576.42
Прибор
Функциональное назначение
MF1017SI1 Для цифровых мобильных телефонов, Rx
810...830
MF1017SI2 Для цифровых мобильных телефонов, Rx
810...830
MF1018SI1 Для цифровых мобильных телефонов, Tx
940...960
MF1018SI2 Для цифровых мобильных телефонов, Tx
MF1018SI3 Для цифровых мобильных телефонов, Tx
940...960
940...960
MF1018SI4 Для цифровых мобильных телефонов, Rx
940...960
MF1018VI4 Для цифровых мобильных телефонов, Rx
940...960
MF1037SI1 Для персональной портативной телефонной системы
1895...1918
MF1037SI2 Для персональной портативной телефонной системы
MF1042SI1 Для мобильных телефонов стандарта GSM, Tx
1895...1918
890...915
MF1043SI1 Для мобильных телефонов стандарта GSM, Rx
MF1049I2
Для беспроводной местной линии связи, Tx
MF1050SI1 Для цифровых мобильных телефонов, Rx
935...960
440...450
1477...1501
MF1050SI2 Для цифровых мобильных телефонов, Rx
MF1050VI2 Для цифровых мобильных телефонов, Rx
1477...1501
1477...1501
MF1050VI4 Для цифровых мобильных телефонов, Rx
1477...1501
MF1051SI1 Для цифровых мобильных телефонов, Tx
1429...1453
MF1051SI2 Для цифровых мобильных телефонов, Tx
1429...1453
30
2000
SAW02
Частота (МГц)
MF1051VI2 Для цифровых мобильных телефонов, Tx
Полоса
пропускания, МГц
1429...1453
MF1051VI5 Для цифровых мобильных телефонов, Tx
1429...1453
MF1053SI1
MF1053SI2
MF1055I2
MF1069SI1
MF1070SI1
810...826
810...830
485...495
1607...1631
928...932
Прибор
Функциональное назначение
Для цифровых мобильных телефонов, Rx
Для цифровых мобильных телефонов, Rx
Для WLL, Rx
Для цифровых мобильных телефонов, Lo
Для пейджера, Rx
MF1073SI1 Для пейджера, Rx
276...284
MF1090SI1 Для мобильных телефонов стандарта EIGSM, Rx
Для фильтра ПЧ переносного модуля (трубки) станI
MF1091I1
дарта DCS 1800
Для фильтра ПЧ переносного модуля (трубки) станI
MF1102I2
дарта PHS
Для фильтра ПЧ переносного модуля (трубки) станI
MF1103I1
дарта PHS
Для фильтра ПЧ переносного модуля (трубки) станI
MF1105I1
дарта GSM
MF1117VI2 Для цифровых мобильных телефонов, Rx
MF1118VI2 Для цифровых мобильных телефонов, Tx
Для фильтра ПЧ переносного модуля (трубки) станI
MF1121I1
дарта PCS
50MHz IF
Для фильтра ПЧ мобильного телефона
Filter
925...958
246
248.45
243.95
246
1477...1501
1429...1453
336
50
ВЧ и СВЧ компоненты
фирмы MITSUBISHI ELECTRIC
РЕКОМЕНДАЦИИ ПО ПРИМЕНЕНИЮ
РЕКОМЕНДАЦИИ ПО ПРИМЕНЕНИЮ ______________________________________________________________________________________________________
РЕКОМЕНДУЕМАЯ СТРУКТУРНАЯ СХЕМА
Структурная схема преобразователя для спутникового ТВ на 12 ГГц
ВОЛНОВОДНЫЙ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ
КОНВЕРТОР
УРЧ
СМЕСИТЕЛЬ
УПЧ
ВЕЩАТЕЛЬНЫЙ СПУТНИК
1 КАСКАД 2 КАСКАД 3 КАСКАД
ВХОД
РЧ СИГНАЛА
ВЫХОД
ПЧ СИГНАЛА
ШУМIФАКТОР
ГЕТЕРОДИН
AN_01-1B
АНТЕННА
2
КОНВЕРТОР
ТВ
(ВИДЕО)
3
ТЬЮНЕР
(АУДИО)
AN_01-1A
Одноканальный усилитель
УРЧ
СМЕСИТЕЛЬ
1 КАСКАД 2 КАСКАД 3 КАСКАД
Шумфактор
Усилитель РЧ
(коэффици
ент шума),
1й каскад 2й каскад 3й каскад
дБ
Смеситель
Гетеродин
MGF4914E
MGF4914D
MGF4714AP
MGF1923
MGF1902B
MGF4714AP
MGF1923
MGF1902B
Усилитель РЧ
Шумфактор
(коэффици
ент шума),
дБ
1й каскад 2й каскад 3й каскад
Смеситель
Гетеродин
MGF1923
MGF1902B
MGF4714AP
MGF1923
MGF1902B
0.8…1.0
MGF4919E
0.9…1.1
MGF4918E
ШУМIФАКТОР
ГЕТЕРОДИН
AN_01-1C
Сдвоенный усилитель
УРЧ
СМЕСИТЕЛЬ
1 КАСКАД 2 КАСКАД 3 КАСКАД
ШУМIФАКТОР
ГЕТЕРОДИН
AN_01-1D
ВЧ и СВЧ компоненты
фирмы MITSUBISHI ELECTRIC
0.9…1.1
1.0…1.2
MGF4919E
MGF4918E
MGF4914E
MGF4914D
MGF4714AP
MGF4914E
MGF4914D
MGF4714AP
MGF4914E
MGF4914D
MGF4714AP
31
РЕКОМЕНДАЦИИ ПО ПРИМЕНЕНИЮ
СТРУКТУРНАЯ СХЕМА УСИЛИТЕЛЯ МОЩНОСТИ ДЛЯ ДИАПАЗОНА C (4…8 ГГц)
Усилитель для диапазона 4.4…5.0 ГГц
Усилитель для диапазона 3.7…4.4 ГГц
MGF1402B
MGF2407A
MGF2430A
MGF1402B
MGF1402B
MGFC36V7177A
+2 дБм
36 дБм
MGF2407A
MGF2415A
MGF2445
39 дБм
MGF1402B
MGF2407A
MGF2407A
MGF2445
MGFC39V4450A
39 дБм
MGF1402B
42 дБм
MGFC36V4450A
–1 дБм
MGF2430A MGFC36V7177A MGFC42V7177
0 дБм
MGF2430A
36 дБм
MGF1402B
MGFC39V7177A
–2 дБм
MGF2407A
–6 дБм
MGF2407A MGFC36V4450A MGFC42V4450
+1 дБм
42 дБм
AN_01-42
AN_01-71
Усилитель для диапазона 5.2…5.8 ГГц
MGF1402B
MGF2407A
MGF2430A
Усилитель для диапазона 5.9…6.4 ГГц
MGFC36V5258
–3 дБм
MGF1402B
MGF2407A
MGF1402B
36 дБм
MGF2415A
MGF2445
MGFC39V5258
–8 дБм
MGF1402B
39 дБм
MGF1402B
MGF2407A
MGF2430A
MGFC36V5258
MGFC42V5258
–3 дБм
MGF2430A
MGFC36V5964A
36 дБм
MGF2407A
MGF2415A
MGF2445
MGFC39V5964A
–7 дБм
39 дБм
MGF1402B
42 дБм
MGF2407A
–2 дБм
MGF2407A
MGF2430A MGFC36V5964A MGFC42V5964
–2 дБм
42 дБм
AN_01-52
AN_01-59
Усилитель для диапазона 6.4…7.2 ГГц
MGF1402B
MGF2407A
MGF2430A
MGF2407A
MGF2415A
MGF2445
MGF1402B
MGFC39V6472A
39 дБм
MGF2407A
42 дБм
MGF2430A
MGFC36V7177A
36 дБм
MGF2407A
MGF2415A
–2 дБм
MGF2445
MGFC39V7177A
39 дБм
MGF1402B
MGF2430A MGFC36V6472A MGFC42V6472
–1 дБм
MGF2407A
+2 дБм
36 дБм
–3 дБм
MGF1402B
MGF1402B
MGFC36V6472A
+1 дБм
MGF1402B
Усилитель для диапазона 7.1…7.7 ГГц
MGF2407A
MGF2430A MGFC36V7177A MGFC42V7177
0 дБм
42 дБм
AN_01-71
AN_01-64
Усилитель для диапазона 7.7…8.5 ГГц
MGF1402B
MGF2407A
MGF2430A
+2 дВм
MGF1402B
MGF2407A
–3 дВм
MGF1402B
+2 дВм
MGFC36V7785A
36 дВм
MGF2415A
MGF2445
MGFC39V7785A
39 дВм
MGF2407A
MGF2430A MGFC36V7785A MGFC42V7785A
42 дВм
AN_0177
32
ВЧ и СВЧ компоненты
фирмы MITSUBISHI ELECTRIC
РЕКОМЕНДАЦИИ ПО ПРИМЕНЕНИЮ
СТРУКТУРНАЯ СХЕМА УСИЛИТЕЛЯ МОЩНОСТИ ДЛЯ ДИАПАЗОНА KU (12.4…18 ГГц)
Усилитель для диапазона 14.0…14.5 ГГц
MGF1423B
–3.5 дВм
MGFK25V
7
8
MGF1423B
+1 дВм
MGFK25V
7
8
MGFK25V
+2.5 дВм
MGFK25V
8
8
MGFK25V
+5 дВм
MGFK25V
8
8
MGFK25V
MGFK30V
8
MGFK30V
7
MGFK30V
MGFK30V
7
MGFK33V
7
MGFK30V
MGFK35V
6.5
MGFK30V
35 дВм
5.5
MGFK35V
7
33 дВм
5.5
MGFK33V
7
30 дВм
6
MGFK37V
37 дВм
5
6.5
СХЕМЫ СМЕЩЕНИЯ ДЛЯ МАЛОШУМЯЩИХ УСИЛИТЕЛЕЙ
Генератор с диэлектрическим резонатором на 10 ГГц
ID (мА)
f0 (ГГц)
f0 (ГГц)
ID (мА)
60
50
40
ID
ID
10.679
40
10.700
f0
20
10.678
P0 (мВт)
30
10.679
f0
15
10.677
10.678
P0
10
10.677
VD = 4 B
VD = 3 B
5
10.676
I40
0
2
3
4
I20
5
VDD (B)
0
20
TA (°C)
40
60
AN_1232
AN_1231
1000
0.6
НАСТРОЕЧНАЯ ПЛАСТИНА
3.0
ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ РЕЗОНАТОР
10
ДИАМЕТР 6.0 мм
ТОЛЩИНА 2.5 мм
3.0
12.7 МИКРОПОЛОСКОВАЯ
ЛИНИЯ
ПОДЛОЖКА
100
ВЫХОД
МОЩНОСТИ
Все размеры даны в мм
MGF1302
ИЛИ
MGF1902B
47
16.0
AN_12-3P
ВЧ и СВЧ компоненты
фирмы MITSUBISHI ELECTRIC
33
РЕКОМЕНДАЦИИ ПО ПРИМЕНЕНИЮ
СХЕМЫ СМЕЩЕНИЯ ДЛЯ МАЛОШУМЯЩИХ УСИЛИТЕЛЕЙ (ПРОДОЛЖЕНИЕ)
Схема получения отрицательного смещения
Схема постоянного тока
РЧ ВЫХОД
РЧ ВХОД
+5 B
VDS = VDD x
R2
+0.7
R2+R1
3.3
1к
V -V
ID = DD DS
R5
R5
7
39 к
R3
NPN
(2SA1235)
–VGG
4
6
2
+VDD
R4
8
M51848
FET
1
5
3
1000
MC2838
–VGG
1000
MC2838
AN_12-1
R2
R1
Примечание:
Режим работы ПТ не должен превышать предельноIдопустимых
значений
AN_122
ПРИМЕР ИСПОЛЬЗОВАНИЯ УСИЛИТЕЛЯ НА 900 МГц СЕРИИ MGF0900A
ЗависимостьP0, ␩ADD от PIN при f = 900 МГц
ηADD (%)
P0 (дБм)
VDS = 8 B
ID = 200 мА (MGF0904A)
ID = 800 мА (MGF0905A)
35
GP = 36 35 34 дБ
P0
30
25
50
40
30
20
10
0
ηADD
20
15
I20
I15
I10
I5
PIN (дБм)
MGF0904A
0
5
10
AN_124G
MGF0905A
ВХОД
ВЫХОД
1
1
2
1
2
МИКРОПОЛОСКОВАЯ
СХЕМА
t = 0.8 мм
1: C = 1000 и 3
2: C = 100
R = 270
33.7
34.5
37.7
46.0
Все размеры даны в мм
2.5
2.7
0.95
3.1
ВЫХОД
ВХОД
8.85
AN_12-4P
34
4.3
18.5
4.9
15.1
3.7
8.85
12.25
15.4
4.7
15.3
12.35
Размеры в мм.
ВЧ и СВЧ компоненты
фирмы MITSUBISHI ELECTRIC
РЕКОМЕНДАЦИИ ПО ПРИМЕНЕНИЮ
ПРИМЕР ИСПОЛЬЗОВАНИЯ УСИЛИТЕЛЯ НА 1.65 ГГц СЕРИИ MGF0900A
ЗависимостьP0, ␩ADD от PIN при f = 1.65ГГц
ηADD (%)
P0 (дБм)
35
VDS = 8 B
ID = 200 мА (MGF0904A)
ID = 800 мА (MGF0905A)
GP = 28 27 дБ
30
P0
25
20
15
40
30
20
10
0
ηADD
10
I20
I15
I10
1
I5
PIN (дБм)
0
5
10
AN_125G
1
1
ВХОД
ВЫХОД
MGF0904A
3.8
3.9
МИКРОПОЛОСКОВАЯ
СХЕМА
t = 0.8 мм
1: C = 1000 и 3
MGF0905A
Все размеры даны в мм
5.0
23.9
6.2
9.0
14.7
19.8
24.9
26.4
4.2
ВХОД
ВЫХОД
16.55
AN_12-5P
11.1
4.7
14.0
13.65
24.15
3.5
4.7
6.5
21.15
Размеры в мм.
ВЧ и СВЧ компоненты
фирмы MITSUBISHI ELECTRIC
35
ТИПЫ КОРПУСОВ
ТИПЫ КОРПУСОВ (все размеры даны в мм) _______________________________________________________________________________________________
КОРПУСА МОДУЛЕЙ
H2
H2R
66 ± 1
66 ± 1
60 ± 1
60 ± 1
4
4
R2 ± 0.5
R2 ± 0.5
22 ± 0.5
22 ± 0.5
4
4
5
1 2
5
1.5
3
4
1.5
2
+ 0.8
–0
1
MIN 12
0.5 ± 0.15
4.5 ± 1
10.5 ± 1
12 ±1
4.5 ± 1
3
4
MIN 12
0.5
± 0.15
+ 0.5
–0
∅3
∅3
10.5 ± 1
27 ± 1
54 ± 2
12 ± 1
27 ± 1
+ 0.4
7.5 – 0
54 ± 2
52 ± 1
7.5
+ 0.8
–0
52 ± 1
2.9
+ 0.5
–0
2.3 ± 0.3
3 V CC2
4 ВЫХОД
5 GND
1 ВХОД
2 V CC1
2.9
+ 0.5
–0
2.3 ± 0.3
4 ВЫХОД
1 ВХОД
2 V CC1
3 V CC2
H3
5 GND
H3R
66 ± 1
66 ± 1
60 ± 1
60 ± 1
4
R2 ± 0.5
52 ± 1
∅3
4
22 ± 0.5
R2 ± 0.5
∅3
3
1 2
4
5
MIN 12
4
6
0.5
± 0.15
1.5
16.5 ± 1 10.5 ± 1 12 ± 1 10.5 ± 1
4.5 ± 1
54 ± 2
5
4
3
2
MIN 12
10.5 ± 1
10.5 ± 1
7.5 +
– 0.8
0
1
0.8
± 0.2
+ 0.8
–0
12 ± 1
52 ± 1
4.5 ± 1
16.5
±1
+ 0.5
3.1
–0
2.3 ± 0.3
H3A
H3B
H3C
ВХОД
1
ВХОД
1
ВХОД
2
V CC1
2
V CC1
2
V BB
3
V CC2
3
V BB
3
V CC1
4
V CC3
4
V CC2
4
V CC2
5
ВЫХОД
5
ВЫХОД
5
ВЫХОД
6
GND
6
GND
6
GND
3.1
+ 0.5
–0
ВЫХОД
6
GND
H8
33 ± 1
∅ 3
8.5
± 0.8
3
4
22 ± 0.5
7.5 ± 1
15 ± 0.5
22 ± 0.5
R1.4
4
2
VCC3
5
43 ± 1
39 ± 0.5
4
1
VCC2
4
2.3 ± 0.3
H6
5
VCC1
3
+ 0.8
7.5 – 0
56 ± 1
50 ± 1
1.3 +0.5
–0.3
ВХОД
2
54 ± 2
1
R2 ± 0.5
1
13 ± 0.7
6
+ 0.8
1.5 – 0
22 ± 0.5
4
12 MIN.
1.3
18± 1
0.25
+0.2
–0.1
11.5
± 0.5
0.7 ± 0.5
7.5 ± 1
1.4 ± 0.2
4 MIN
11.5 ± 1
2.54 x 10
44.5 ± 2
42 ± 1
3.1 +0.5
–0
2.3 ± 0.3
1
2
3
4
ВХОД
V CC1
V CC2
ВЫХОД
5 GND
36
7.5
6 MAX
+0.8
–0
1.7 +0.5
–0
21.5 ± 0.8
1 ВХОД
2 I 4 GND
5 V CC1
6 I 8 GND
9
10
11
12
2 ± 0.3
V CC2
GND
ВЫХОД
GND
ВЧ и СВЧ компоненты
фирмы MITSUBISHI ELECTRIC
ТИПЫ КОРПУСОВ
КОРПУСА МОДУЛЕЙ (ПРОДОЛЖЕНИЕ)
H11
H12
45 ± 1
60.5 ± 1
14 ± 0.5
11 ± 0.1
R1.6 ± 0.5
6
3
2
1
4
6
5
0.4 ± 0.2
1 ВХОД
12.5 ± 1
9.5 ± 1
8±1
9.2 ± 1
(52.2)
R1.6 ± 0.5
H12A
1
ВХОД
2
V CC1
3
V BB
4
V CC2
5
ВЫХОД
6
GND
2 V CC1
3 V BB
4 V CC2
5 ВЫХОД
10 (MIN)
13 ± 1
6
2
1
3
4
10 (MIN)
5±1
H12B
5±1
9±1
9±1
8.5 ± 1
(36.5)
35 ± 1
50.2 ± 1
+ 0.8
3.2 –0.2
3.0 +0.8
–0
6.3 +0.8
–0
2.3 ± 0.3
H13
1
ВХОД
2
V CC1
3
V CC2
4
V CC3
5
ВЫХОД
6
GND
2.3 ± 0.3
H14
45 ± 1
42 ± 1
9 ± 0.5
42 ± 1
12 ± 0.5
6
5
0.4
± 0.2
6 GND
+ 0.8
6.3 –0.2
11 ± 0.5
42 ± 1
57.5 ± 1
14 ± 0.5
37 ± 1
R1.6 ± 0.5
9.0 ± 0.5
30 ± 1
12.0 ± 0.5
R1.5
3.0 ± 0.5
6
23
1
4
6
5
5
0.4 –
0.2
2
1
3
5
4
1.5 ± 1
0.5 ± 0.15
10 (MIN)
5±1
H13A
1
ВХОД
2
V CC1
3
V BB
4
V CC2
5
6
5±1
9±1
9±1
8.5 ± 1
H13B
1
ВХОД
2
V CC1
3
V CC2
4
V CC3
ВЫХОД
5
ВЫХОД
GND
6
GND
(36.5)
35 ± 1
6.3 +0.8
–0
3.0 +0.8
–0
9.6 ± 1
2.3 ± 0.3
10 (MIN)
14.7 ± 1
1
2
3
4
5
ВХОД
V CC1
V CC2
27.4 ± 1
32.4 ± 1
ВЫХОД
GND
5.5 ± 0.5
2.2 ±1
H15
1.5 ± 0.5
H16
42 ± 1
37 ± 1
56 ± 1
50 ± 1
9.0 ± 0.5
4
30 ± 1
∅ 3
R2 ± 0.5
12.0 ± 0.5
R1.5
6
1
2
3
4
5
22 ± 0.3
3.0 ± 0.5
6
4
6
1
2
3
4
5
1.5 ± 1
9.6 ± 1
1
2
3
4
5
6
ВХОД
V CC1
V CC2
V CC3
ВЫХОД
GND
5.5 ± 0.5
10 (MIN)
14.7 ± 1
19.7 ± 1
3
4
5
6
27.4 ± 1
32.4 ± 1
2.2 ±1
ВЧ и СВЧ компоненты
фирмы MITSUBISHI ELECTRIC
+0.5
1.3
–0.3
1 ВХОД
5±1
2 V CC1
1.5 ± 0.5
0.05
± 0.15
5±1
9±1
9±1
V CC2
V CC3
ВЫХОД
GND
+0.5
3.1 –0
12 MIN.
14 ±1
42 – 2
7.5
42 ± 1
+0.8
–0
2.3 ± 0.3
37
ТИПЫ КОРПУСОВ
КОРПУСА МОДУЛЕЙ (ПРОДОЛЖЕНИЕ)
H17
H27
42 ± 1
90 ± 1
37 ± 1
80 ± 0.3
30 ± 1
R 2.5 ± 0.3
7 ± 0.5
R1.5
5
3
2
1
10 ± 0.5
29 ± 0.5
34.5 ± 0.5
3.0 ± 0.5
6
1
2
3
4
5
1.5 ± 1
4
0.5
± 0.15
9.6 ± 1
2.8 ± 0.8
1 ВХОД
20 ± 1
2 V CC1
3 V CC2
4 ВЫХОД
5 GND
20 ± 1
2 V CC1 *
3 V BB *
19.7 ± 1
4 V CC2 *
27.4 ± 1
5 ВЫХОД
32.4 ± 1
7.5 ± 0.3
70 ± 1
+0.5
4.4 – 0
3.5 ± 0.3
10 (MIN)
1 ВХОД
14.7 ± 1
0.8 ± 0.15
20 ± 1
6 GND
* — Возможны варианты с другой цоколевкой
2.3 ±1
5.5 ± 0.5
1.5 ± 0.5
H27R
H28
42 ± 1
90 ± 1
37 ± 1
80 ± 0.3
30 ± 1
∅ 3.5
7 ± 0.5
R1.5
5
4
3
2
1
2IR2.5
± 0.3
29 ± 0.5
6
34.5 ± 0.5
10 ± 0.5
3.0 ± 0.5
1.5 ± 1
1
0.5
± 0.15
9.6 ± 1
10 (MIN)
1 ВХОД
2 V CC1
14.7 ± 1
22.4 ± 1
3
4
5
6
27.4 ± 1
32.4 ± 1
V BB
6
5
0.8 ± 0.15
20 ± 1
20 ± 1
70 ± 1
4.4
1.5 ± 0.5
7.5 ± 0.3
–0.5
+0
3.5 ± 0.3
H46
H47
30 ± 0.2
30 ± 0.2
(1.7)
(1.7)
26.6 ± 0.2
26.6 ± 0.2
5
3
5
4
1
2
3
4
(2.0)
6
6
2
2IR1.5
± 0.1
6 ± 0.2
6 ± 0.2
2IR1.5
± 0.1
1
21.2 ±0.2
(4.4)
21.2 ±0.2
10 ± 0.2
(4.4)
10 ± 0.2
4
10 ± 1
10 ± 1
4 V CC2
5 ВЫХОД
6 GND
5.5 ± 0.5
2.2 ±1
3
2.8 ± 0.5
1 ВХОД
2 V CC1 16.5 ± 1
3 V BB
V CC2
ВЫХОД
GND
2
(2.0)
0.45
± 0.15
6.1 ± 1
13.7 ± 1
18.8 ± 1
23.9 ± 1
0.45
± 0.15
6.1 ± 1
1 ВХОД
16.3 ± 1
23.9 ± 1
V DD
V GG
ВХОД
GND
(5.5)
1.5 ± 0.2
(5.5)
38
2
3
4
5
4 ± 0.2
4 ± 0.2
1.5 ± 0.2
2.3 ± 0.3
1 ВЫХОД
11.2 ± 1
2 V GG
3 V DD
4 ВЫХОД
5 GND
2.3 ± 0.3
ВЧ и СВЧ компоненты
фирмы MITSUBISHI ELECTRIC
ТИПЫ КОРПУСОВ
КОРПУСА МОДУЛЕЙ (ПРОДОЛЖЕНИЕ)
H50
45 ± 1
42 ± 1
9 ± 0.5
12 ± 0.5
2IR1.5
± 0.3
2
12 ± 1
1
3
4
5
0.45 ± 0.2
5±1
5±1
1 ВХОД
2 V GG
3 V DD
8.5 ± 1
18 ± 1
(36.5)
4 ВЫХОД
35 ± 1
5 GND
6.3 ± 0.8
3.1 ± 0.8
1.5 ± 0.2
6.4 ± 0.2
32.2 ± 0.2
2.3 ± 0.4
КОРПУСА ТРАНЗИСТОРОВ
GD2
GD4
1.85
– 0.2
4 MIN
4 MIN
4 MIN
1.85
– 0.2
1
4 MIN
4 MIN
4 MIN
1
4
1 – 0.2
1.85
– 0.2
1.85
– 0.2
0.5 – 0.15
2
4
4 MIN
4 MIN
2
3
3
0.5 – 0.15
0.5 – 0.15
1.15 – 0.3
∅ 1.8 – 0.2
1.15 – 0.3
∅ 1.8 – 0.2
+0.1
0.1 —0.05
1
ПЕРВЫЙ ЗАТВОР
2
ВТОРОЙ ЗАТВОР
3
СТОК
+0.1
0.1 —0.05
ИСТОК
4
1
ЗАТВОР
GD9
ИСТОК
2
СТОК
GD10
0.5 – 0.15
0.5 – 0.15
1
4 MIN
4 MIN
1
4 MIN
3
4 MIN
4 MIN
4 MIN
1 – 0.2
1 – 0.2
2
∅
2.
5
2
2
4 MIN
4 MIN
2
3
3
1.1 – 0.3
1.1 – 0.3
1.8 – 0.2
+0.1
0.1 —0.05
1
ЗАТВОР
2
ИСТОК
ВЧ и СВЧ компоненты
фирмы MITSUBISHI ELECTRIC
3
1
ЗАТВОР
2
ИСТОК
3
СТОК
2.5 – 0.2
+0.1
0.1 —0.05
СТОК
39
ТИПЫ КОРПУСОВ
КОРПУСА ТРАНЗИСТОРОВ (ПРОДОЛЖЕНИЕ)
GD11
GD16
0.5 – 0.15
4.0 – 0.2
1
4 MIN
1.85
– 0.2
4 MIN
4 MIN
1
1 – 0.2
2.
∅
1.85
– 0.2
4.0 – 0.2
2
5
2
1 – 0.2
4
2
4 MIN
3
0.5 – 0.15
3
1.15 – 0.3
1.80 – 0.2
1.15 – 0.3
ЗАТВОР
2
ИСТОК
ИСТОК
3
СТОК
+0.1
0.1 —0.05
СТОК
3
GD18
GD22
1.80 – 0.2
2
0.
(0.6)
–
1
80
1.
Метка
(R0.3 глубина 0.1)
ЗАТВОР
2
∅ 1.8 – 0.2
+0.1
0.1 —0.05
1
1
1
(0.6)
2.2 – 0.2
1.0
– 0.1
1.8 – 0.2
4
2
2
0.5 – 0.1
1
ЗАТВОР
2
ИСТОК
2
СТОК
3
1 ЗАТВОР
3
2 ИСТОК
0.5 – 0.1
0.5 – 0.1
3
3 СТОК
1.80 – 0.2
2.2 – 0.2
0.55 – 0.1
1.1 – 0.1
4Ў
(8°)
(R0.1)
( R0.1)
0.9 – 0.2
0.125 – 0.05
+0.15
0.1
—0
(3°)
1.0 – 0.3
+0.1
0.125 —0.05
(0.05)
4.0 – 0.3
4.0 – 0.3
GF2
GF7
10.6 – 0.3
2 MIN
0.6 – 0.2
3
3.6
3.8
1
ЗАТВОР
2
ИСТОК
3
СТОК
2
2
0.6 – 0.2
6.7 – 0.2
0.1
+0.1
0.1
—0.05
2.1 – 0.4
∅ 2.2
4.4
R0.3
2 MIN
2.6
3.5
2 MIN
2
2
1
+0
—0.3
∅ 1.6
R0.25
+0
—0.3
2 MIN
1
0.1
5.0
1
ЗАТВОР
2
ИСТОК
3
СТОК
1.9 – 0.4
1.65
9.0 – 0.2
1.65
1.65 – 0.2
0.75 – 0.2
40
14.0
ВЧ и СВЧ компоненты
фирмы MITSUBISHI ELECTRIC
ТИПЫ КОРПУСОВ
КОРПУСА ТРАНЗИСТОРОВ (ПРОДОЛЖЕНИЕ)
GF8
GF11
11.0 – 0.3
21.0 – 0.3
0.5 – 0.15
2 MIN
0.6 – 0.15
1
2 MIN
R 1.6
3
10.7
2
2
2IR 0.9
3
1
ЗАТВОР
2
ИСТОК (ФЛАНЕЦ)
3
СТОК
2 MIN
6.2 – 0.2
1
ЗАТВОР
2
ИСТОК
3
СТОК
5.1
2
11.3
12.9 – 0.2
2
6.5 +0.1
—0.3
2 MIN
1
9.2 – 0.2
17.0 – 0.2
4.5 – 0.4
12.0
0.2
0.4
2.4 – 0.4
0.1
0.1
2.6 – 0.2
0.6
1.3 – 0.2
1.6
GF14
GF17
16.0 – 0.3
2 I ∅ 1.6
0.5
2 MIN
0.6 – 0.15
2 MIN
R0.25
1
2.5 – 0.2
2
2
2IR 1.25
5.5
6.5 +0.1
—0.3
1
2
3
3
2 MIN
9.0
2 MIN
13.0 – 0.2
1
ЗАТВОР
2
ИСТОК
3
СТОК
2.8
1
ЗАТВОР
6.1 – 0.2
2
ИСТОК
8.5
3
СТОК
1.8 MAX
2.9 – 0.4
0.1
0.1
1.1
1.3 – 0.2
10.0
0.6
0.1
0.8
GF18
GF21
20.4 – 0.2
R1.25
1
R1.2
2R 1.25
4.8
6.35
2
8.0
– 0.2
17.4 – 0.3
1.0
4 MIN
1
15.8
2 MIN
17.5
0.6 – 0.15
2
3
2
4 MIN
3
2 MIN
24 – 0.3
4.0 – 0.4
13.4
1
ЗАТВОР
2
ИСТОК (ФЛАНЕЦ)
3
СТОК
14.3
1
ЗАТВОР
2
ИСТОК (ФЛАНЕЦ)
3
СТОК
4.5 MAX
9.4
0.1
0.1
1.1
1.4
ВЧ и СВЧ компоненты
фирмы MITSUBISHI ELECTRIC
2.4 – 0.2
10.0
2.26
0.1
41
ТИПЫ КОРПУСОВ
КОРПУСА ТРАНЗИСТОРОВ (ПРОДОЛЖЕНИЕ)
GF27
GF38
2 MIN
(0.079 MIN)
0.6 – 0.15
(0.024 – 0.006
0.6 – 0.15
(0.024 – 0.006)
1
2
R1.2
8.0 – 0.2
(0.315 – 0.008)
8.5
(0.34)
R1.25
(R0.049)
17.4 – 0.2
(0.685 – 0.008)
1
9.7 – 0.2
(0.388 – 0.008)
24 – 0.3 (0.945 – 0.012)
16.5 – 0.2 (0.660 – 0.008)
2 MIN
(0.079 MIN)
2
2.5
(0.1)
3
2 MIN
(0.079 MIN)
8.1
(0.324)
2 MIN
(0.079 MIN)
1 ЗАТВОР
1 ЗАТВОР
3
13.0 – 0.2
(0.520 – 0.008)
2 ИСТОК (ФЛАНЕЦ)
3 СТОК
3.2 – 0.4
(0.128 – 0.016)
1.15
(0.046)
2 ИСТОК (ФЛАНЕЦ)
20.4 – 0.2 (0.803 – 0.008)
0.1
(0.004)
3 СТОК
0.1 – 0.05
4.3 – 0.4
(0.172 – 0.016)
16.7 (0.658)
2.4 – 0.2
(0.094 – 0.008)
9.0 (0.36)
0.2
(0.008)
1.8 – 0.2
(0.072 – 0.008)
1.4 (0.055)
GF50
Метка
затвора
T8
∅ 9.39
∅ 8.64
0.80
1
6.60
5.85
T8
1 ЭМИТТЕР
2 БАЗА
3 КОЛЛЕКТОР
4.20
∅ 8.50
∅ 7.75
T8C
0.75
MAX
0.25
0.3
2.0
1
ЗАТВОР
2
СТОК
3
ИСТОК
1.78 MAX
19 MIN
2
4.00
T8E
1 ЭМИТТЕР
2 БАЗА
3 КОЛЛЕКТОР
∅ 0.482
∅ 0.407
0.8
Метка
затвора
(1)
Опорная
плоскость
1 ЭМИТТЕР
2 БАЗА
3 КОЛЛЕКТОР
∅ 5.08
СОЕДИНЕН С
КОРПУСОМ
1
2
∅ 7.5
3
2.8
1.20
90°
3
0.863
0.712
Опорная
плоскость
(2) 0.6
45°
1.14
0.74
2.5
9.1
± 0.7
3.2 ± 0.4
T30
T31
∅ 3.6 ± 0.2
1.3 ± 0.4
R1
4.0 ± 0.5
4
C 1.5 MAX
5°
6 MAX
5°
1
2
+0.10
0.5 –0.15
3
2.5
1
2
3
4
R1.6
КОЛЛЕКТОР
БАЗА (ФЛАНЕЦ)
ЭМИТТЕР
C 1.5 MAX
БАЗА (ФЛАНЕЦ)
5 РАДИАТОР (БАЗА)
2.5
3°
1
2
4
3
2
7 MAX
5
T31B
+0.10
0.8 –0.15
4.8 MAX
4
14 ± 0.4
9 ± 0.4
12.3 ± 0.6
5°
1.2 ± 0.4
12.3 MIN
C 1.5 MAX
5°
2.8 ± 0.5
7.6
MIN
16.4 MAX
1 КОЛЛЕКТОР
2 ЭМИТТЕР (ФЛАНЕЦ)
3 БАЗА
4 ЭМИТТЕР (ФЛАНЕЦ )
18.0 ± 0.1
4.5 ± 0.5
0.08
+0.04
–0.02
5 РАДИАТОР (ЭМИТТЕР)
9.5 MAX
7 MAX
T30
42
9.5
MAX
T31E
5.2 MAX
3.1 ± 0.6
T30E
1 БАЗА
2 КОЛЛЕКТОР (РАДИАТОР)
3 ЭМИТТЕР
1 БАЗА
2 ЭМИТТЕР (РАДИАТОР)
3 КОЛЛЕКТОР
4 РАДИАТОР (КОЛЛЕКТОР)
4 РАДИАТОР (ЭМИТТЕР)
6
3.0 ± 0.6
22 ± 0.5
1.5 ± 0.4
ВЧ и СВЧ компоненты
фирмы MITSUBISHI ELECTRIC
ТИПЫ КОРПУСОВ
КОРПУСА ТРАНЗИСТОРОВ (ПРОДОЛЖЕНИЕ)
T40
T41
T40
4 ± 0.3
C 1.5 MAX
R1
4 ± 0.3
4 ± 0.3
4 ± 0.3
R1.6
C 1.5 MAX
C 1.5 MAX
2
1 КОЛЛЕКТОР
2 ЭМИТТЕР
12 ± 0.4
4
3 БАЗА
4 ЭМИТТЕР
5 РАДИАТОР
1
R1
10.2 ± 0.5
12 ± 0.4
T40E
2 ЭМИТТЕР
3 БАЗА
4 ЭМИТТЕР
5 РАДИАТОР
1
3
9 ± 0.4
R 3.2
9 ± 0.4
5
1 КОЛЛЕКТОР
2.8 ± 0.4
2
4
5 ± 0.4
9 ± 0.4
C 1.5 MAX
9 ± 0.4
∅ 3.2
4
3
0.08 +0.05
–0.02
6.4 ± 0.6
11 ± 0.3
2
4 ± 0.3
5 ± 0.3
7.95 ± 0.4
9 ± 0.4
6.6 ± 0.4
4.2 ± 0.4
5.6 ± 0.6
5.8 ± 0.4
4 ± 0.3
СОЕДИНЕН С
ФЛАНЦЕМ
7.9 ± 0.4
6.1 ± 0.7
12.9 MAX
3
NO. 8I32UNC3A
T41E
12.5 ± 0.5
+0.05
0.1
–0.04
1.6
4 ЭМИТТЕР
3.2 ± 0.3
∅ 2.8
T43
T44
3 ± 0.2
R0.6
1 MAX
+1.5
–1.25
2 ЭМИТТЕР
3 БАЗА
4 ± 0.5
25 ± 0.6
5.9
1 КОЛЛЕКТОР
∅ 9.4
СОЕДИНЕН С ФЛАНЦЕМ
∅7
18.5 ± 0.3
T41
1 КОЛЛЕКТОР
2 ЭМИТТЕР
3 БАЗА
4 ЭМИТТЕР
1 MAX
0.65 ± 0.2
1.6 ± 0.2
4
1.6 ± 0.2
1
+0.2
R3.2 –0.1
2
9 ± 0.2
4
9 MIN
6.4 ± 0.2
5
1
0.6
0.65 ± 0.2
0.8
5.9
2
T44B
3 MIN
+1.5
–1.25
5.9
11.9
4
1 КОЛЛЕКТОР
2 БАЗА (ФЛАНЕЦ)
3 ЭМИТТЕР
0.65 ± 0.2
+1.5
–1.25
9 ± 0.2
3
0.65
± 0.2
+1.5
–1.25
1.6 ± 0.2
4 БАЗА (ФЛАНЕЦ)
2
1.6 ± 0.2
3
± 0.2
5.7 ± 0.2 T44E
1 КОЛЛЕКТОР
2 ЭМИТТЕР(ФЛАНЕЦ)
3 БАЗА
4 ЭМИТТЕР (ФЛАНЕЦ)
4.4 ± 0.2
5 РАДИАТОР (БАЗА)
+0.05
0.1
–0.04
1 КОЛЛЕКТОР
2 ЭМИТТЕР
3 БАЗА
3
4.4 ± 0.2
5 РАДИАТОР (ЭМИТТЕР)
6.0 ± 0.3
11 ± 0.2
3.8 ± 0.5
12° 12°
1.9 ± 0.3
4 ЭМИТТЕР
R0.5
18.4 ± 0.3
25 ± 0.2
0.2 ± 0.1
6°
6°
2.5 ± 0.3
0.5 ± 0.2
T45
T46
R1
5.4 ± 0.2
4.0 ± 0.5
R1 ± 0.3
∅ 3.2
4.5 ± 0.3
3 ± 0.2
C 1.5 MAX
4
C 1.5 MAX
1
6.2 ± 0.3
4
1
2
4
3
2
14 ± 0.4
6 MAX
5
2
±
0.
5
4
±
.4
25
КОЛЛЕКТОР
5
0.
1
2
3
4
5
3
.
25
T45
ЭМИТТЕР
БАЗА
ЭМИТТЕР
РАДИАТОР
T45E
1 КОЛЛЕКТОР
2 ЭМИТТЕР
3 БАЗА
4 ЭМИТТЕР
5 РАДИАТОР
6.1 ± 0.5
12 ± 0.3
0.08
2.8 ± 0.5 1
2
3
4
7.6
MIN
16.4 MAX
C 1.5 MAX
+0.04
–0.02
9.5 MAX
7 MAX
+0.05
0.1
–0.02
КОЛЛЕКТОР
ЭМИТТЕР (ФЛАНЕЦ)
БАЗА
ЭМИТТЕР (ФЛАНЕЦ)
5 РАДИАТОР (ЭМИТТЕР)
2.5 MAX
∅7
18.4 ± 0.15
24.6 ± 0.6
СОЕДИНЕН С ФЛАНЦЕМ
ВЧ и СВЧ компоненты
фирмы MITSUBISHI ELECTRIC
4 ± 0.4
3.2 ± 0.2
3.0 ± 0.6
∅6
1.5 ± 0.4
9.2 ± 0.5
43
ТИПЫ КОРПУСОВ
КОРПУСА ТРАНЗИСТОРОВ (ПРОДОЛЖЕНИЕ)
T47
TC17
4 ± 0.5
∅ 8.50
∅ 7.75
4
3
2
2.8 ± 0.5
1 КОЛЛЕКТОР
2 ЭМИТТЕР
(ФЛАНЕЦ)
3 БАЗА
4 ЭМИТТЕР
(ФЛАНЕЦ)
5 РАДИАТОР
(ЭМИТТЕР)
5.2 MAX
7.6 MIN
12.5 ± 0.5
0.08
9.5 MAX
+0.04
–0.02
7 MAX
3.2 MAX
1.8
1.3
19.0 MAX
R3.2
8.43
5.85
2
7 MAX
1
10.5 ± 0.5
6 MAX
4
∅ 0.482
∅ 0.407
1 ЭМИТТЕР (КОРПУС)
2 БАЗА
17.7
17.3
3 КОЛЛЕКТОР
∅ 5.08
3
13.5
MAX
90°
2
90°
3.0 ± 0.6
6.0
± 0.5
5
1.5 ± 0.4
1
∅ 3.4
∅ 3.1
9.2 ± 0.5
TO92L
X139
5.1 MAX
1
8.2 MAX
9.6 ± 0.6
17 ± 2
R 3.2
2.5 MAX
∅ 3.2
3
9.5 MIN
6.4 ± 0.6
11 ± 0.3
2
1 БАЗА
2 КОЛЛЕКТОР
3 ЭМИТТЕР
3 ± 0.3
1 КОЛЛЕКТОР
2 ЭМИТТЕР
3 БАЗА (ФЛАНЕЦ)
1.27
1.27
1
2
12.4 ± 0.6
1.35
4.1
3
0.1
0.5
4.1 MAX
0.8
0.5
44
5.2 ± 0.7
+0.05
–0.04
∅6
18.5 ± 0.3
25 ± 0.6
3 ± 0.5
2.2 ± 0.3
ВЧ и СВЧ компоненты
фирмы MITSUBISHI ELECTRIC
ПЕРЕЧЕНЬ КОМПОНЕНТОВ, ПОМЕЩЕННЫХ В СПРАВОЧНИКЕ
ПЕРЕЧЕНЬ КОМПОНЕНТОВ, ПОМЕЩЕННЫХ В СПРАВОЧНИКЕ ____________________________________________________________________________
Компонент . . Стр. Компонент . . Стр. Компонент . . Стр. Компонент . . Стр. Компонент . . Стр. Компонент . . Стр. Компонент . . Стр.
2SC730 . . . . . . . 3
2SC741 . . . . . . . 3
2SC908 . . . . . . . 3
2SC1324 . . . . . . 3
2SC1729 . . . . . . 3
2SC1944 . . . . . . 3
2SC1945 . . . . . . 3
2SC1946 . . . . . . 3
2SC1946A . . . . . 3
2SC1947 . . . . . . 3
2SC1965A . . . . . 3
2SC1966 . . . . . . 3
2SC1967 . . . . . . 3
2SC1968 . . . . . . 3
2SC1968A . . . . . 3
2SC1969 . . . . . . 3
2SC1970 . . . . . . 3
2SC1971 . . . . . . 3
2SC1972 . . . . . . 3
2SC2053 . . . . . . 3
2SC2055 . . . . . . 3
2SC2056 . . . . . . 3
2SC2086 . . . . . . 3
2SC2094 . . . . . . 3
2SC2097 . . . . . . 3
2SC2131 . . . . . . 3
2SC2133 . . . . . . 3
2SC2134 . . . . . . 3
2SC2166 . . . . . . 3
2SC2237 . . . . . . 3
2SC2538 . . . . . . 3
2SC2539 . . . . . . 3
2SC2540 . . . . . . 3
2SC2627 . . . . . . 3
2SC2628 . . . . . . 3
2SC2629 . . . . . . 3
2SC2630 . . . . . . 3
2SC2694 . . . . . . 3
2SC2695 . . . . . . 3
2SC2904 . . . . . . 3
2SC2905 . . . . . . 3
2SC2932 . . . . . . 3
2SC2933 . . . . . . 3
2SC3001 . . . . . . 3
2SC3017 . . . . . . 3
2SC3018 . . . . . . 3
2SC3019 . . . . . . 3
2SC3020 . . . . . . 3
2SC3021 . . . . . . 3
2SC3022 . . . . . . 3
2SC3101 . . . . . . 3
2SC3102 . . . . . . 3
2SC3103 . . . . . . 3
2SC3104 . . . . . . 3
2SC3105 . . . . . . 3
2SC3133 . . . . . . 3
2SC3240 . . . . . . 3
2SC3241 . . . . . . 3
2SC3379 . . . . . . 3
2SC3404 . . . . . . 3
2SC3628 . . . . . . 3
2SC3629 . . . . . . 3
2SC3630 . . . . . . 3
2SC3908 . . . . . . 3
2SC4167 . . . . . . 3
2SC4240 . . . . . . 3
2SC4524 . . . . . . 3
2SC4525 . . . . . . 3
2SC4526 . . . . . . 3
2SC4624 . . . . . . 3
2SC4838 . . . . . . 3
2SC4989 . . . . . . 3
2SC5125 . . . . . . 3
2SK2973 . . . . . . 3
2SK2974 . . . . . . 3
2SK2975 . . . . . . 3
50MHz IF Filter. 30
FA01223. . . . . . 29
FA01223C . . . . 29
FA01226. . . . . . 29
FA01381. . . . . . 29
M57704EL . . . . . 9
M57704H . . . . . . 9
M57704L . . . . . . 9
M57704M. . . . . . 9
M57704MR . . . . 9
M57704SH . . . . . 9
M57704SL . . . . . 9
M57704UH. . . . . 9
M57704UL . . . . . 9
M57706 . . . . . . . 8
M57706L . . . . . . 8
M57710A . . . . . . 8
M57713 . . . . . . . 8
M57714 . . . . . . . 8
M57714EL . . . . . 8
M57714L . . . . . . 8
M57714M. . . . . . 8
M57714SH . . . . . 8
M57714SL . . . . . 8
M57714UH. . . . . 8
M57714UL . . . . . 8
M57715 . . . . . . . 8
M57715R . . . . . . 8
M57716 . . . . . . . 9
M57716L . . . . . . 9
M57716M. . . . . . 9
M57719 . . . . . . . 8
M57719L . . . . . . 8
M57719N . . . . . . 8
M57721 . . . . . . . 6
M57721L . . . 6, 11
M57721M. . . . . . 6
M57721UL . . . . . 6
M57726 . . . . . . . 8
M57726R . . . . . . 8
M57727 . . . . . . . 8
M57729 . . . . . . . 9
M57729EH . . . . . 9
M57729EL . . . . . 9
M57729GL . . . . . 9
M57729H . . . . . . 9
M57729L . . . . . . 9
M57729SH . . . . . 9
M57729SL . . . . . 9
M57729UH. . . . . 9
ВЧ и СВЧ компоненты
фирмы MITSUBISHI ELECTRIC
M57729UL . . . . . 9
M57732 . . . . . . . 5
M57732L . . . . . . 5
M57734 . . . . . . . 9
M57735 . . . . . . . 8
M57737 . . . . . . . 8
M57737R . . . . . . 8
M57741H . . . . . . 8
M57741L . . . . . . 8
M57741M. . . . . . 8
M57741UL . . . . . 8
M57744 . . . . . . 10
M57745B . . . . . . 9
M57745M. . . . . . 9
M57745 . . . . . . . 9
M57747 . . . . . . . 8
M57749 . . . . . . 10
M57752 . . . . . . . 9
M57755 . . . . . . 10
M57762 . . . . . . 10
M57764 . . . . . . 10
M57774 . . . . . . . 8
M57774S . . . . . . 8
M57775 . . . . . . 10
M57776 . . . . . . 10
M57781 . . . . . . 10
M57782 . . . . . . 10
M57783H . . . . . . 5
M57783L . . . . . . 5
M57785H . . . . . . 5
M57785L . . . . . . 5
M57785M. . . . . . 5
M57786EL . . . . . 6
M57786H . . . . . . 6
M57786L . . . . . . 6
M57786L1 . . . . . 6
M57786LB . . . . . 6
M57786M. . . . . . 6
M57786MB . . . . 6
M57786UL . . . . . 6
M57787 . . . . . . . 7
M57788H . . . 9, 11
M57788HR. . . . . 9
M57788L . . . 9, 11
M57788LR . . . . . 9
M57788M. . . . . . 9
M57788MR . . . . 9
M57788SH . . . . . 9
M57788UH. . . . . 9
M57789 . . . . . . 10
M57791 . . . . . . 10
M57792 . . . . . . 10
M57793 . . . . . . 10
M57796H . . . . . . 5
M57796L . . . . . . 5
M57796MA . . . . 5
M57797H . . . . . . 6
M57797L . . . . . . 6
M57797MA . . . . 6
M57797SH . . . . . 6
M57797SL . . . . . 6
M57797UH. . . . . 6
M57797UL . . . . . 6
M57799H . . . . . . 6
M57799L . . . . . . 6
M57799L1 . . . . . 6
M57799L2 . . . . . 6
M57799M. . . . . . 6
M67702 . . . . . . . 8
M67703H . . . . . 10
M67703M. . . . . 10
M67703SH. . . . 10
M67703UH. . . . 10
M67704 . . . . . . . 8
M67705H . . . . . . 6
M67705L . . . . . . 6
M67705M. . . . . . 6
M67705UL . . . . . 6
M67706 . . . . . . . 7
M67706U . . . . . . 7
M67709 . . . . . . . 9
M67709L . . . . . . 9
M67709M. . . . . . 9
M67709SH . . . . . 9
M67709SL . . . . . 9
M67709UL . . . . . 9
M67710H . . . . . . 5
M67710L . . . . . . 5
M67711 . . . . . . 10
M67712 . . . . . . . 8
M67713 . . . . . . . 5
M67715 . . . . 7, 12
M67719 . . . . . . . 7
M67723 . . . . . . . 5
M67723H . . . . . . 5
M67727 . . . . . . . 8
M67728 . . . . . . 10
M67729H2 . . . . . 9
M67729L2 . . . . . 9
M67730L . . . . . . 8
M67730LR . . . . . 8
M67732 . . . . . . . 7
M67736 . . . . . . 10
M67737 . . . . . . 10
M67741H . . . . . . 8
M67741H . . . . . 12
M67741L . . . . . . 8
M67742 . . . . . . . 8
M67743H . . . . . . 5
M67743L . . . . . . 5
M67745 . . . . . . 10
M67746 . . . . . . . 8
M67747A . . . . . 10
M67748H . . . . . . 5
M67748HR. . . . . 5
M67748L . . . . . . 5
M67748LR . . . . . 5
M67748UH. . . . 12
M67749EL . . . . . 6
M67749GL . . . . . 6
M67749H . . . . . . 6
M67749HR. . . . . 6
M67749L . . . 6, 12
M67749LR . . . . . 6
M67749M. . . . . . 6
M67749MR . . . . 6
M67749SH . . . . . 6
M67749SHR . . . 6
M67749SL . . . . . 6
M67749SLR . . . . 6
M67749UH. . . . . 6
M67749UHR . . . 6
M67749ULR . . . . 6
M67754 . . . . . . 10
M67755H . . . . . . 5
M67755HA . . . . . 5
M67755L . . . . . . 5
M67759 . . . . . . 10
M67760HC 10, 13
M67760LC . . . . 10
M67761 . . . . . . . 7
M67764 . . . . . . 10
M67766A . . 10, 13
M67766B . . . . . 10
M67766C . . . . . 10
M67769A . . . . . 10
M67769C . . . . . 10
M67769C . . . . . 13
M67775 . . . . . . 10
M67776H . . . . . . 7
M67776L . . . . . . 7
M67779L . . . . . 10
M67781H . . . . . . 8
M67781L . . . . . . 8
M67783 . . . . . . . 7
M67785 . . . . . . . 5
M67785H . . . . . . 5
M67789 . . . . . . . 7
M67790 . . . . . . . 7
M67791 . . . . . . 10
M67796A . . . . . . 7
M67798LA . . . . 13
M67798LRA . . . . 5
M67799HA. . 6, 14
M67799LA . . . . . 6
M67799M. . . . . . 6
M67799MA . 6, 14
M67799SHA. . . . 6
M67799UHA. . . . 6
M68701 . . . . 7, 14
M68701H . . . . . . 7
M68701M. . . . . . 7
M68702H . . . . . . 8
M68702L . . . . . . 8
M68703H . . . . . 10
M68703HA . . . . 10
M68703LA . . . . 10
M68703MA . . . 10
M68703SHA. . . 10
M68706 . . . . . . . 8
M68706H . . . . . . 8
M68707 . . . . . . . 5
M68707L . . . . . . 5
M68710EL . . . . . 5
M68710H . . . 5, 15
M68710L . . . 5, 15
M68710SL . . 5, 14
M68710TL . . . . . 5
M68710UH. . . . . 5
M68710UL . . 5, 15
M68711 . . . . 7, 15
M68712N . . . 5, 16
M68716 . . . . . . 10
M68719 . . . . . . 10
M68721 . . . . . . . 5
M68729 . . . . . . . 8
M68731H . . . . . . 5
M68731HM . . . . 5
M68731L . . . 5, 16
M68731N . . . . . . 5
M68732EH . . . . . 7
M68732H . . . . . . 7
M68732HA. . 7, 16
M68732L . . . 7, 16
M68732LA . . 7, 16
M68732SH . . . . . 7
M68732SHA 7, 16
M68732SL . . . . . 7
M68732UH. . . . . 7
M68732UL . . . . . 7
M68739M. . . . . . 5
M68739R . . . 5, 16
M68741 . . . . 7, 17
M68742 . . . . . . . 7
M68745H . . . . . . 7
M68745L . . . . . . 7
M68749 . . . . 9, 17
M68750 . . . . . . . 8
M68751R . . . . . . 9
M68757H . . . . . . 7
M68757H . . . . . 18
M68757L . . . . . . 7
M68757L . . . . . 17
M68758 . . . . . . . 6
M68760H . . . . . . 7
M68760L . . . . . . 7
M68760M. . . . . . 7
M68761 . . . . . . . 7
M68762H . . . 9, 18
M68762L . . . . . . 9
M68762SH . . . . . 9
M68762SL . . . . . 9
M68763H . . . . . . 5
M68763L . . . . . . 5
M68763M. . . . . . 5
M68763SH . . . . . 5
M68765 . . . . . . . 5
M68769H . . . . . 10
M68769L . . . . . 10
M68769SH. . . . 10
M68772 . . . . . . . 7
M68776 . . . . 5, 18
MA1046I1 . . . . 29
MA1065I1 . . . . 29
MA1078I2 . . . . 29
MA1100I1 . . . . 29
MA1113I1 . . . . 29
MA1114I1 . . . . 29
MF1009SI1 . . . 30
MF1010SI1 . . . 30
MF1012SI1 . . . 30
MF1017SI1 . . . 30
MF1017SI2 . . . 30
MF1018SI1 . . . 30
MF1018SI2 . . . 30
MF1018SI3 . . . 30
MF1018SI4 . . . 30
MF1018VI4 . . . 30
MF1037SI1 . . . 30
MF1037SI2 . . . 30
MF1042SI1 . . . 30
MF1043SI1 . . . 30
MF1049I2 . . . . 30
MF1050SI1 . . . 30
MF1050SI2 . . . 30
MF1050VI2 . . . 30
MF1050VI4 . . . 30
MF1051SI1 . . . 30
MF1051SI2 . . . 30
MF1051VI2 . . . 30
MF1051VI5 . . . 30
MF1053SI1 . . . 30
MF1053SI2 . . . 30
MF1055I2 . . . . 30
MF1069SI1 . . . 30
MF1070SI1 . . . 30
MF1073SI1 . . . 30
MF1090SI1 . . . 30
MF1091I1 . . . . 30
MF1102I1 . . . . 30
MF1103I1 . . . . 30
MF1105I1 . . . . 30
MF1117VI2 . . . 30
MF1118VI2 . . . 30
MF1121I1 . . . . 30
MGF0904A
. . . . . . . 21, 34, 35
MGF0905A
. . . . 21, 22, 34, 35
MGF0906B. . . . 21
MGF0907B. . . . 21
MGF0909A. . . . 21
MGF0910A. . . . 21
MGF0911A. 21, 22
MGF0913A. . . . 21
MGF0915A. 21, 23
MGF0916A. . . . 21
MGF1001P. . . . 19
MGF1102 . . . . . 19
MGF1302 . . 19, 33
MGF1303B. . . . 19
MGF1323 . . . . . 19
MGF1402B 19, 32
MGF1403B 19, 20
MGF1412B. . . . 19
MGF1423B. . . . 19
MGF1425B. . . . 19
MGF1601B. . . . 21
MGF1801B 21, 23,
MGF1801BT . . 21
MGF1902B
. . . . . . . 19, 31, 33
MGF1903B. . . . 19
MGF1923 . . 19, 31
MGF2407A. 21, 32
45
ПЕРЕЧЕНЬ КОМПОНЕНТОВ, ПОМЕЩЕННЫХ В СПРАВОЧНИКЕ
Компонент . . Стр. Компонент . . Стр. Компонент . . Стр. Компонент . . Стр. Компонент . . Стр. Компонент . . Стр. Компонент . . Стр.
MGF2415A 21, 32
MGF2430A
. . . . . . . 21, 22, 32
MGF2445A. . . . 21
MGF2445 . . 21, 32
MGF4314E . . . . 19
MGF4316G . . . 19
MGF4318E . . . . 19
MGF4319E . . . . 19
MGF4319G 19, 20
MGF4416D. . . . 19
MGF4417D. . . . 19
MGF4418D. . . . 19
MGF4714AP
. . . . . . . . . . 19, 31
MGF4714CP . . 19
MGF4914D. . . . 31
MGF4914E 19, 31
MGF4916G . . . 19
MGF4918E 19, 31
MGF4919E 19, 31
MGF4919G . . . 19
MGF4951A . . . 19
MGF4952A . . . 19
MGF7168C . . . 29
MGF7169C. . . . 29
MGF7170AC . . 29
MGF7170C. . . . 29
MGF7175C. . . . 29
MGF7176C. . . . 29
MGFC36V3436 24
MGFC36V3742A
. . . . . . . . . . . . . 24
MGFC36V4450A
. . . . . . . . . . . . . 24
MGFC36V5258
. . . . . . . . . . 24, 32
MGFC36V5964A
. . . . . . . . . . 24, 32
MGFC36V6472A
. . . . . . . 24, 26, 32
MGFC36V7177A
. . . . . . . . . . 24, 32
MGFC36V7785A
. . . . . . . . . . 24, 32
MGFC38V3642 24
MGFC38V5964 24
MGFC38V6472 24
MGFC39V3436 24
MGFC39V3742A
. . . . . . . . . . . . . 24
MGFC39V4450A
. . . . . . . . . . 24, 32
MGFC39V5053 24
MGFC39V5258
. . . . . . . . . . 24, 32
MGFC39V5964A
. . . . . . . . . . 24, 32
MGFC39V6472A
. . . . . . . . . . 24, 32
MGFC39V7177A
. . . . . . . . . . 24, 32
MGFC39V7785A
. . . . . . . . . . 24, 32
MGFC40V3742A
. . . . . . . . . . . . . 24
MGFC40V4450A
. . . . . . . . . . . . . 24
MGFC40V5258 24
MGFC40V5964A
. . . . . . . . . . . . . 24
MGFC40V6472A
. . . . . . . . . . . . . 24
MGFC40V7177A
. . . . . . . . . . . . . 24
MGFC40V7177B
. . . . . . . . . . . . . 24
MGFC40V7785A
. . . . . . . . . . . . . 24
MGFC40V7785B
. . . . . . . . . . . . . 24
MGFC40V7785 24
MGFC41V3642 24
MGFC41V4450 24
MGFC41V5964 24
MGFC41V6472 24
MGFC41V7177 24
MGFC41V7785 24
MGFC42V3436 24
MGFC42V3742A
. . . . . . . . . . . . . 24
MGFC42V3742 24
MGFC42V4450A
. . . . . . . . . . 25, 27
MGFC42V4450
. . . . . . . . . . 25, 32
MGFC42V5258A
. . . . . . . . . . . . . 25
MGFC42V5258
. . . . . . . . . . 25, 32
MGFC42V5964A
. . . . . . . . . . 25, 32
MGFC42V5964
. . . . . . . . . . 25, 32
MGFC42V6472
. . . . . . . . . . 25, 32
MGFC42V6472A
. . . . . . . . . . . . . 25
MGFC42V7177A
. . . . . . . . . . 25, 32
MGFC42V7785A
. . . . . . . . . . 25, 32
MGFC44V3436 25
MGFC44V3642 25
MGFC44V4450 25
MGFC44V5964 25
MGFC44V6472 25
MGFC45V3436A
. . . . . . . . . . . . . 25
MGFC45V3642A
. . . . . . . . . . . . . 25
MGFC45V4450A
. . . . . . . . . . . . . 25
MGFC45V5053A
. . . . . . . . . . . . . 25
MGFC45V5964A
. . . . . . . . . . . . . 25
MGFC45V6472A
. . . . . . . . . . 25, 27
MGFC45V7177A
. . . . . . . . . . . . . 25
MGFC45V7785A
. . . . . . . . . . . . . 25
MGFC2507A . . 21
MGFC2515A . . 21
MGFC2530A . . 21
MGFC5107. . . . 29
MGFC5108. . . . 29
MGFC5109. . . . 29
MGFC5110. . . . 29
MGFC5111S . . 29
MGFC5212. . . . 29
MGFC5213. . . . 29
MGFC5214. . . . 29
MGFC5215. . . . 29
MGFC5216. . . . 29
MGFC5217. . . . 29
MGFC5218. . . . 29
MGFC5219. . . . 29
MGFK25V4045 25
MGFK30V4045 25
MGFK33V4045 25
MGFK35V2228 25
MGFK35V2732
. . . . . . . . . . 25, 28
MGFK35V4045 25
MGFK36V4045 25
MGFK37V4045
. . . . . . . . . . 25, 28
MGFK38V1722 25
MGFK38V2228 25
MGFK38V2732 25
MGFK39V4045 25
MGFK41V4045 25
MGFK44V4045 25
MGFL45V1920. 24
MGFS44V2527 24
MGFS44V2735 24
MGFS45V2123 24
MGFS45V2325 24
MGFS45V2527
. . . . . . . . . . 24, 26
MGFS45V2735 24
MGFS47V2527 24
MGFS50V2122 24
MGFX35V0005 25
MGFX35V0510 25
MGFX35V1722 25
MGFX35V9095 25
MGFX35V9500 25
MGFX36V0717 25
MGFX38V0005 25
MGFX38V0510 25
MGFX38V1722 25
MGFX38V9095 25
MGFX38V9500 25
MGFX39V0717
. . . . . . . . . . 25, 27
MGFX41V0717 25
MGFX44V0717 25
ББК 32.85
М59
УДК 621.375(03)
Материалы к изданию подготовил: В. В. Фриск
Верстка: С. В. Шашков
Графическое оформление: Ф. Н. Баязитов,
А. Ю. Анненков
Дизайн обложки: А. А. Бахметьев, И. Л. Люско
Ответственный редактор: В. М. Халикеев
Размещение рекламы — рекламное агентство
”Мир электронных компонентов”
Формат 84 х 108/16. Гарнитура “Прагматика”.
Печать офсетная. Тираж 10000 экз. Заказ № 3467.
Отпечатано с готовых диапозитивов в ОАО ”Типография
”Новости”.107005, Москва, ул. Ф. Энгельса, 46.
Издательство “ДОДЭКА” 105318, Москва, а/я 70.
Тел.: (495) 3662429, 3668145;
Email: [email protected]; [email protected]
Редколлегия: А. В. Перебаскин, А. А. Бахметьев,
В. М. Халикеев
Главный редактор: А. В. Перебаскин
Директор издательства: А. В. Огневский
Библиотека электронных компонентов. Выпуск 7:
ВЧ и СВЧ компоненты фирмы MITSUBISHI ELECTRIC. — М.:
ДОДЭКА, 48 с.
ISBN 978 5 87835 046 4
Настоящий выпуск посвящен ВЧ и СВЧ компонентам, выпу
скаемым фирмой MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION.
Приведены технические характеристики мощных ВЧ и СВЧ
транзисторов, ВЧ модулей, микросхем для СВЧ диапазона
и фильтров ПАВ. Изложены рекомендации по их примене
нию. Помещена информация по типу корпусов.
Для специалистов в области радиоэлектроники, студентов
технических ВУЗов и широкого круга читателей.
46
© Издательство ”ДОДЭКА”
® Серия ”Библиотека электронных компонентов”
Серия ”БЭК” выпускается и распространяется при участии
фирмы ”Платан” и сети магазинов ”ЧИП и ДИП”.
Материалы для данного выпуска предоставлены фирмой
”Симметрон”.
Все права защищены. Никакая часть этого издания не может
быть воспроизведена в любой форме или любыми средства
ми, электронными или механическими, включая фотографи
рование, ксерокопирование или иные средства копирования
или сохранения информации без письменного разрешения
издательства.
ВЧ и СВЧ компоненты
фирмы MITSUBISHI ELECTRIC