Название журнала Труды Северо-Кавказского филиала Московского технического университета связи и информатики 2018 г. 2018 Год издания Т 78 Том 1 Номер выпуска Сквозной номер выпуска Название (тема) выпуска (Если выпуск журнала посвящен определенной теме (например, специальный выпуск, в котором опубликованы материалы конференции), укажите название этой темы) Название раздела журнала (Если выпуск журнала имеет несколько разделов (например, тематических), укажите, в каком разделе опубликована данная статья) В настоящий сборник включены статьи, подготовленные по результатам работы XI-ой Международной научно-практической конференции «ИНФОКОМ-2018», которая проходила 19-20 апреля 2018 г. в СКФ МТУСИ. Состояние и перспективы развития инфокоммуникаций 61-66 Диапазон страниц статьи 9 Порядковый номер статьи в журнале русский Язык статьи Заглавие на русском языке Заглавие на английском языке Связь физических характеристик твердых растворов типа А3В5 в зависимости от химикотехнологических реакций их приготовления Сommunication of physical characteristics of solid solutions of А3В5 type depending on chemical-technological reactions of their cooking В.В. Богинская, И.В. Калиенко, И.А. Осипенко Авторы ДГТУ Организации (В списке авторов должно быть указано, к какой из организаций относится каждый автор. Автор может быть связан с одной или несколькими организациями) 31.15.31 Разделы тематического рубрикатора ГРНТИ ( http://elibrary.ru/rubrics.asp ) Коды (DOI, МПК, УДК, Pubmed и др.) Ключевые слова Аннотация на русском языке Аннотация на английском языке Информация о финансировании данной статьи (Укажите источник финансирования данной работы (например: "Работа выполнена при финансовой поддержке Полупроводник, ширина запрещённой зоны, светоизлучающий диод, твердые растворы, химико-технологические реакции, ВАХ, спектрометр, доминирующая частота. В статье рассматривается связь физических характеристик твердых растворов типа А3В5 в зависимости от химико-технологических реакций их приготовления. От выбора химикотехнологической реакции зависит возможность получения полупроводников с различной шириной запрещённой зоны. Основным параметром, определяющим электрофизические свойства полупроводника, является его ширина запрещённой зоны, поэтому определение этого параметра является определяющим фактором для определения эксплуатационных параметров электронных приборов разрабатываемых на основе данного полупроводника. В статье предлагаются простые методы определения ширины запрещённой зоны на примере твердых растворов типа А3В5 полупроводниковых структур используемых при производстве светодиодов. The article deals with the relationship between the physical characteristics of A3B5-type solid solutions as a function of the chemicaltechnological reactions of their preparation. The choice of a chemical-technological reaction depends on the possibility of obtaining semiconductors with different widths of the forbidden band. The main parameter that determines the electro-physical properties of a semiconductor is its band gap, so determining this parameter is the determining factor for determining the ex-operational parameters of electronic devices developed on the basis of a given semiconductor. The paper suggests easy methods for determining the width of the forbidden band by the example of solid solutions of the type A3B5 semiconductor structures used in the production of light-emitting diodes. РФФИ в рамках научного проекта № 1203-12345-а)" Список цитируемой литературы (Порядковые номера ссылок в списке должны соответствовать указанным в оригинальной публикации) 1. У. Харрисон., Электронная структура и свойства твердых тел. Т.1, Т.2 М.: «Мир», 1983. 2. Г.Г. Червяков, С.Г. Прохоров, О.В. Шиндор., Электронные приборы., Ростовн/Д: «Феникс», 2012 3. Raevskii I.P., Prosandeev S.A., Osipenko I.A. Physica Status Solidi (B): Basic Solid State Physics. 1996. T. 198. №2. С.695-705. http://umo.skf-mtusi.ru/sbornik/sb2018.pdf Ссылка на полный текст публикации (Если полный текст публикации доступен в Интернет, укажите его полный адрес. Поле заполняется только в случае, если документ размещен в открытом доступе и без нарушения авторских прав)