Шаблон реферата Часть 1 Объём части 1 не должен превышать 19 000 знаков без пробелов 1. Цифровые сигналы. Общие сведения, представление в параллельной и последовательной формах. Представление цифровых сигналов потенциалами. 2. Пассивные компоненты электрических цепей: конденсатор, резистор – определение, назначение, устройство, основные параметры(без электролитических, танталовых и др. конденсаторов). 3. Электровакуумный диод: принцип работы. 4. Электровакуумный триод: принцип работы. 5. Электронно-лучевые трубки(общие сведения). 6. Энергетические уровни и зоны. Проводники, полупроводники и диэлектрики 7. Собственная проводимость полупроводников 8. Распределение электронов по энергетическим уровням. 9. Примесная проводимость полупроводника: донорные примеси 10. Примесная проводимость полупроводника : акцепторные примеси 11. Диффузия носителей зарядов в полупроводниках(чем обусловлена, формула для плотности тока) 12. Дрейф носителей зарядов в полупроводниках(чем бусловлен, формула для плотности тока) 13. Электронно-дырочные р-n переходы в отсутствии напряжения. 14. Прямое включение р-n перехода 15. Обратное включение р-n перехода 16. Вольт-амперная характеристика перехода (формула, график) 17. Виды пробоев р-n перехода 18. Ёмкость р-n перехода 19. Контакт «металл – полупроводник» Часть 2 Объём части 2 не должен превышать 28 000 знаков без пробелов 1. Полупроводниковые диоды. Общие сведения. Вольт-амперная характеристика выпрямительного диода и её основные параметры. 2. Переходные процессы в импульсном диоде. 3. Структура и основные режимы работы биполярного транзистора. 4. Физические процессы в биполярном транзисторе. разобрать( написано) 5. Схемы включения биполярных транзисторов и основные параметры этих схем. разобрать(написано) 6. Полевые транзисторы. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом (устройство и принцип работы). разобрать(написано) 7. Схемы включения полевых транзисторов. 8. Основные параметры полевых транзисторов. 9. Полевой транзистор с изолированным затвором со встроенным каналом(устройство и принцип работы). 10. Полевой транзистор с индуцированным (инверсным) каналом(устройство и принцип работы). 11. Ячейка памяти на основе полевого транзистора с плавающим затвором(устройство и принцип работы). 12. Ключевой режим работы транзистора. 13. Переходные процессы переключения транзистора в режиме ключа. 14. Триггеры (общие сведения). Пример простейшего триггера на транзисторах(схема и принцип работы). 15. Схема симметричного триггера на транзисторах, принцип работы. 16. Типы триггеров и их характеристики. 17. Мультивибраторы. 18. Базисные логические функции ИЛИ, И, НЕ. 19. Базисные логические функции И-НЕ, ИЛИ-НЕ. 20. Схемотехническая реализация логических элементов. 20.1. Логический элемент НЕ(схема и принцип работы). 20.2. Базовый логический ТТЛ-элемент И-НЕ(схема и принцип работы). 20.3. Базовый элемент ИЛИ-НЕ(схема и принцип работы). 21. Базовые элементы на основе КМОП-логики (CMOS). 21.1. КМОП инвертор. 21.2. Базовый элемент И-НЕ на основе КМОП-логики. 22. Примеры цифровых интегральных схем. 22.1. Общие сведения. 22.2. Технология изготовления микросхем. 22.3. Сумматоры(схема и принцип работы). 22.4. Регистры(схема и принцип работы). P.S.: подчёркнуты названия разделов, которым при реферировании нужно уделить особое внимание. Но особенно важный раздел в этой части – ключевой режим работы транзистора. Среди триггеров наиболее важный – D-триггер. Сумматоры и регистры – наиболее важные разделы во всём курсе лекций. Суммарный объём реферата не должен превышать 47 000 без пробелов.
