Загрузил puuape

Domashkin IKSS9-5 4

реклама
Электронная теxника
Тестовае задание
Вариант 1.
1. Тестовое задание закрытой формы с выбором одного или нескольких
вариантов ответа
1В МОП транзисторах p-подложкой при увеличении потенциала затвора в знак плюс
концентрация носителей в канале:
1.Уменьшается
2.Увеличивается
3.не меняется
4. стремится к нулю
2.Какой выпрямитель имеет лучшие электротехнические качества:
1.Однополупериодный
2.Двухполупериодный
3.Мостовой
4. Транзисторный
3. Усилителем напряжения на биполярном транзисторе являются схемы:
1.С общим эмиттером
2.С общим коллектором
3.С общей базой
4.Все три
4.Каково назначения делителя напряжения в усилителях по схеме с ОЭ:
1.Направляет на выход усиленный сигнал
2.Не пропускает постоянную составляющую тока
3.Задает напряжение смещение базы
4. Снижает напряжение
5Как изменится емкость варикапа при увеличении напряжения:
1.Увеличивается
2.Уменьшается
3.Не изменяется
4. Уменьшится до нуля
6Какой фотоприбор наиболее точно оценит силу света:
1.Фотоэлемент
2.Фотодиод
3.Фототранзистор
4. Фоторезистор
7В каком элементе полевого транзистора меньше концентрация основных носителей:
1.В канале
2.В затворе
3.В переходе
4. В стоке
8.Какой вид обратной связи применяется в генераторах:
1.Нулевая
2.Отрицательная
3.Положительная
4.Обратная связь с задержкой
9. В какую проводимость включен второй р-п переход тиристора:
• 1.Прямую
• 2.Обратную
•
•
•
3.Нейтральную
4.Любую
. Тестовое задание на установление соответствия
10 . Установите соответствие между условными графическими обозначениями логических
элементов и их названиями: 1б 2г 3а 4в
А. Элемент Пирса
1.
Б. Исключающее «ИЛИ»
2.
В. Конъюнктор
3.
Г. Элемент Шеффера
4.
11.Установите соответствие:
Какой прибор обозначен
Выпрямительный
•
•
Выпрямительный
диод.
•
Триодный тиристор
•
Варикап
•
МДП транзистор
диод.
Варикап
•
Триодный
тиристор
•
12. Установите соответствие: 1-3 , 2-1 , 3-2
• 1.За счёт чего возникают
•
неосновные носители в
полупроводниках
• 2.За счёт чего возникают
основные носители в
полупроводниках
1.За счёт внешних
воздействий
•
2.Рекомбинации
электронов и дырок в
зоне p-n перехода.
• 3.За счет чего происходит
•
3.За счёт добавления
химической примеси
4.За счет ударной
свечения светодиода
•
ионизации
•
. Тестовое задание на
13.
табличные
2) 1 2 3
сравнение величин
Соответственно приведенному графику расположить
значения тока и напряжения по возрастанию сопротивления Rдиф= (4-3)/(11.
2.
3.
1=80 2=40 3=0,2 4=0,6
1=80 2=40 3=0,2 4=0,8
1=80 2=40 3=0,2 4=1
. 14
Расположить значения обратного напряжения соответственно убыванию барьерной
емкости С ~ 1/l(Uобр) 1 2 3
Uобр = 0.2в
1.
Uобр = 0.6в
2.
Uобр = 0.4в
3.
. Тестовое задание открытой формы, необходимо вставить в
выражение одно или несколько слов
15
Диод с использованием барьерной емкости обратно смещенного
p-n
перехода –это
варикап
16Триггер –это устройство способное находится в одном из двух уст. состояний
Практическое задание
17 Начертить схемы двухполупериодного выпрямления переменного тока.
18.Сколько электронов проходит через поперечное сечение проводника за 1нс при силе
тока 32 мкА?
Преподаватель
____________ В.И. Полякова
Электронная почта Поляковой В.И.-преподаателя по электронной теxнике
[email protected]
Скачать