Зачет Вопросы к зачету в соответствии с приобретенными компетенциями по ПК-1 и ОПК-3. Ответы по выделенным контрольным вопросам из перечня освоенного материала дисциплины представить в виде коротких рефератов, отправленных по почте. Крайний срок сдачи зачетной ведомости в деканат 21-22мая 2020. Время на проверку 6 часов, прошу поторопиться (старосте: не дошло до адресата 3 сообщения, прошу довести информацию до сокурсников). МИНОБРНАУКИ РОССИИ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ «САМАРСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ АКАДЕМИКА С.П. КОРОЛЕВА» ЗАЧЕТНАЯ ВЕДОМОСТЬ Физический факультет Группа 4302-030302D Семестр весенний 2019/2020 Направление Физика Дисциплина Принципы и методы исследования полупроводников Экзаменатор Чепурнов Виктор Иванович № 1 Фамилия и инициалы Анисимов Н. С. №№ зачетных книжек 2017-00344 [email protected] Отметка о сдаче зачета Подпись преподавателя и дата Дата Экзаменаци онная оценк а Подп ись экзамен атора Адрес почты и номера телефонов [email protected] 89277467141 1. Вопросы по разделу 1. Измерение удельного сопротивления полупроводников. Теория четырехзондового метода. Измерение ρ объемных кристаллов, тонких пластин, диффузионных слоев. Влияние границ на поправочные функции. Метод встречных зондов. Границы применимости зондовых методов. Достоинства и недостатки. Источники систематических погрешностей измерений. Определение ширины запрещенной зоны полупроводника по температурной зависимости удельной проводимости. Теория метода, схема, методика измерений. 2. Вопросы по разделу 2. Определение параметров полупроводника с помощью эффекта Холла Гальваномагнитные явления. Сущность эффекта Холла. Явления, сопутствующие эффекту Холла (эффекты Эттингсгаузена, Нернста, НернстаЭттингсгаузена, Риги-Ледюка). Определение концентрации свободных носителей заряда, холловской подвижности, типа носителей. Источники систематических погрешностей в холловских измерениях. Влияние геометрии холловских контактов на измерение ЭДС. Метод Ван-дер-Пау. Определение ширины запрещенной зоны полупроводника по температурной зависимости коэффициента Холла. Определение отношения подвижностей электронов и дырок. 3. Вопросы по разделу 3. . Измерение концентрации свободных носителей методом вольт-фарадных характеристик. Барьер Шоттки и ассиметричный р-n переход. Измерение концентрации носителей в однородном полупроводнике. Электрическая схема, методика измерений вольт-фарадной характеристики. Определение профиля концентрации носителей по глубине полупроводника методами вольт-фарадных характеристик барьера Шоттки и резко ассиметричного р-п перехода полупроводника. Источники систематических погрешностей измерений 4. Вопросы по разделу 4. Измерение параметров неравновесных носителей заряда. Теория метода, схема.измерения дрейфовой подвижности. Теория метода, схема определения диффузионной длины. Схема, методика обработки результатов измерения коэффициента диффузии.. Теория метода, схема установки, методика обработки результатов измерений в методе измерения времени жизни посредством модуляции проводимости. Методы и методика определения работы выхода электрона, теоретические и практические вопросы методов. Методы и методика определения контактной разности потенциалов, теоретические и практические вопросы методов. , 5. Вопросы по разделу 5. Определение параметров полупроводника методами оптического поглощения и фотопроводимости. Поглощение света полупроводником. Типы поглощения. Измерение коэффициента оптического поглощения полупроводников. Определение ширины запрещенной зоны полупроводников и измерение стационарной фотопроводимости. Спектральные методы определения параметров. Фотомагнитоэлектрический эффект. Определение параметров по спектральной зависимости фотомагнитоэлектрического эффекта. 6. Вопросы по разделу 6. Контроль состава и содержания примесей в полупроводниковых материалах и структурах Вторичная ионная масс-спектроскопия (ВИМС). Электронная спектроскопия для химического анализа (ЭСХА). МИНОБРНАУКИ РОССИИ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ «САМАРСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ АКАДЕМИКА С.П. КОРОЛЕВА» ЗАЧЕТНАЯ ВЕДОМОСТЬ Физический факультет Группа 4302-030302D Семестр весенний 2019/2020 Направление Физика Дисциплина Принципы и методы исследования полупроводников Экзаменатор Чепурнов Виктор Иванович № 2 Фамилия и инициалы Ерофеев А. С. №№ зачетных книжек [email protected] Отметка о сдаче зачета Подпись преподавателя и дата Дата Экзаменаци онная оценк а 2017-00619 Подп ись экзамен атора Адрес почты и номера телефонов [email protected] 89270044065 1. Вопросы по разделу 1. Измерение удельного сопротивления полупроводников. Теория четырехзондового метода. Измерение ρ объемных кристаллов, тонких пластин, диффузионных слоев. Влияние границ на поправочные функции. Метод встречных зондов. Границы применимости зондовых методов. Достоинства и недостатки. Источники систематических погрешностей измерений. Определение ширины запрещенной зоны полупроводника по температурной зависимости удельной проводимости. Теория метода, схема, методика измерений. 2. Вопросы по разделу 2. Определение параметров полупроводника с помощью эффекта Холла Гальваномагнитные явления. Сущность эффекта Холла. Явления, сопутствующие эффекту Холла (эффекты Эттингсгаузена, Нернста, НернстаЭттингсгаузена, Риги-Ледюка). Определение концентрации свободных носителей заряда, холловской подвижности, типа носителей. Источники систематических погрешностей в холловских измерениях. Влияние геометрии холловских контактов на измерение ЭДС. Метод Ван-дер-Пау. Определение ширины запрещенной зоны полупроводника по температурной зависимости коэффициента Холла. Определение отношения подвижностей электронов и дырок. 3. Вопросы по разделу 3. . Измерение концентрации свободных носителей методом вольт-фарадных характеристик. Барьер Шоттки и ассиметричный р-n переход. Измерение концентрации носителей в однородном полупроводнике. Электрическая схема, методика измерений вольт-фарадной характеристики. Определение профиля концентрации носителей по глубине полупроводника методами вольт-фарадных характеристик барьера Шоттки и резко ассиметричного р-п перехода полупроводника. Источники систематических погрешностей измерений 4. Вопросы по разделу 4. Измерение параметров неравновесных носителей заряда Теория метода, схема.измерения дрейфовой подвижности. Теория метода, схема определения диффузионной длины. Схема, методика обработки результатов измерения коэффициента диффузии.. Теория метода, схема установки, методика обработки результатов измерений.в методе измерения времени жизни посредством модуляции проводимости. Методы и методика определения работы выхода электрона, теоретические и практические вопросы методов. Методы и методика определения контактной разности потенциалов, теоретические и практические вопросы методов. 5. Вопросы по разделу 5. Определение параметров полупроводника методами оптического поглощения и фотопроводимости. Поглощение света полупроводником. Типы поглощения. Измерение коэффициента оптического поглощения полупроводников. Определение ширины запрещенной зоны полупроводников и измерение стационарной фотопроводимости. Спектральные методы определения параметров. Фотомагнитоэлектрический эффект. Определение параметров по спектральной зависимости фотомагнитоэлектрического эффекта. 6. Вопросы по разделу 6. Контроль состава и содержания примесей в полупроводниковых материалах и структурах Вторичнаяионнаямасс-спектроскопия (ВИМС). Электронная спектроскопия для химического анализа (ЭСХА). МИНОБРНАУКИ РОССИИ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ «САМАРСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ АКАДЕМИКА С.П. КОРОЛЕВА» ЗАЧЕТНАЯ ВЕДОМОСТЬ Физический факультет Группа 4302-030302D Семестр Направление Физика весенний 2019/2020 Дисциплина Принципы и методы исследования полупроводников Экзаменатор Чепурнов Виктор Иванович № 3 Фамилия и инициалы Кузьмин А. Д. №№ зачетных книжек [email protected] Отметка о сдаче зачета Подпись преподавателя и дата Дата Экзаменаци онная оценк а 2017-00833 Подп ись экзамен атора Адрес почты и номера телефонов [email protected] 89871598471 1. Вопросы по разделу 1. Измерение удельного сопротивления полупроводников. Теория четырехзондового метода. Измерение ρ объемных кристаллов, тонких пластин, диффузионных слоев. Влияние границ на поправочные функции. Метод встречных зондов. Границы применимости зондовых методов. Достоинства и недостатки. Источники систематических погрешностей измерений. Определение ширины запрещенной зоны полупроводника по температурной зависимости удельной проводимости. Теория метода, схема, методика измерений. 2. Вопросы по разделу 2. Определение параметров полупроводника с помощью эффекта Холла Гальваномагнитные явления. Сущность эффекта Холла. Явления, сопутствующие эффекту Холла (эффекты Эттингсгаузена, Нернста, НернстаЭттингсгаузена, Риги-Ледюка). Определение концентрации свободных носителей заряда, холловской подвижности, типа носителей. Источники систематических погрешностей в холловских измерениях. Влияние геометрии холловских контактов на измерение ЭДС. Метод Ван-дер-Пау. Определение ширины запрещенной зоны полупроводника по температурной зависимости коэффициента Холла. Определение отношения подвижностей электронов и дырок. 3. Вопросы по разделу 3. . Измерение концентрации свободных носителей методом вольт-фарадных характеристик. Барьер Шоттки и ассиметричный р-n переход. Измерение концентрации носителей в однородном полупроводнике. Электрическая схема, методика измерений вольт-фарадной характеристики. Определение профиля концентрации носителей по глубине полупроводника методами вольт-фарадных характеристик барьера Шоттки и резко ассиметричного р-п перехода полупроводника. Источники систематических погрешностей измерений 4. Вопросы по разделу 4. Измерение параметров неравновесных носителей заряда Теория метода, схема.измерения дрейфовой подвижности. Теория метода, схема определения диффузионной длины. Схема, методика обработки результатов измерения коэффициента диффузии. Теория метода, схема установки, методика обработки результатов измерений.в методе измерения времени жизни посредством модуляции проводимости. Методы и методика определения работы выхода электрона, теоретические и практические вопросы методов. Методы и методика определения контактной разности потенциалов, теоретические и практические вопросы методов. 5. Вопросы по разделу 5. Определение параметров полупроводника методами оптического поглощения и фотопроводимости. Поглощение света полупроводником. Типы поглощения. Измерение коэффициента оптического поглощения полупроводников. Определение ширины запрещенной зоны полупроводников и измерение стационарной фотопроводимости. Спектральные методы определения параметров. Фотомагнитоэлектрический эффект. Определение параметров по спектральной зависимости фотомагнитоэлектрического эффекта. 6. Вопросы по разделу 6. Контроль состава и содержания примесей в полупроводниковых материалах и структурах Вторичнаяионнаямасс-спектроскопия (ВИМС). Электронная спектроскопия для химического анализа (ЭСХА). МИНОБРНАУКИ РОССИИ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ «САМАРСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ АКАДЕМИКА С.П. КОРОЛЕВА» ЗАЧЕТНАЯ ВЕДОМОСТЬ Физический факультет Группа 4302-030302D Семестр весенний 2019/2020 Направление Физика Дисциплина Принципы и методы исследования полупроводников Экзаменатор Чепурнов Виктор Иванович № 4 Фамилия и инициалы Сиротин П. И. №№ зачетных книжек [email protected] Отметка о сдаче зачета Подпись преподавателя и дата Дата Экзаменаци онная оценк а 2017-01222 Подп ись экзамен атора Адрес почты и номера телефонов [email protected] 89376590542 1. Вопросы по разделу 1. Измерение удельного сопротивления полупроводников. Теория четырехзондового метода. Измерение ρ объемных кристаллов, тонких пластин, диффузионных слоев. Влияние границ на поправочные функции. Метод встречных зондов. Границы применимости зондовых методов. Достоинства и недостатки. Источники систематических погрешностей измерений. Определение ширины запрещенной зоны полупроводника по температурной зависимости удельной проводимости. Теория метода, схема, методика измерений. 2. Вопросы по разделу 2. Определение параметров полупроводника с помощью эффекта Холла Гальваномагнитные явления. Сущность эффекта Холла. Явления, сопутствующие эффекту Холла (эффекты Эттингсгаузена, Нернста, НернстаЭттингсгаузена, Риги-Ледюка). Определение концентрации свободных носителей заряда, холловской подвижности, типа носителей. Источники систематических погрешностей в холловских измерениях. Влияние геометрии холловских контактов на измерение ЭДС. Метод Ван-дер-Пау. Определение ширины запрещенной зоны полупроводника по температурной зависимости коэффициента Холла. Определение отношения подвижностей электронов и дырок. 3. Вопросы по разделу 3. . Измерение концентрации свободных носителей методом вольт-фарадных характеристик. Барьер Шоттки и ассиметричный р-n переход. Измерение концентрации носителей в однородном полупроводнике. Электрическая схема, методика измерений вольт-фарадной характеристики. Определение профиля концентрации носителей по глубине полупроводника методами вольт-фарадных характеристик барьера Шоттки и резко ассиметричного р-п перехода полупроводника. Источники систематических погрешностей измерений 4. Вопросы по разделу 4. Измерение параметров неравновесных носителей заряда Теория метода, схема.измерения дрейфовой подвижности. Теория метода, схема определения диффузионной длины.Схема, методика обработки результатов измерения коэффициента диффузии.. Теория метода, схема установки, методика обработки результатов измерений.в методе измерения времени жизни посредством модуляции проводимости. Методы и методика определения работы выхода электрона, теоретические и практические вопросы методов. Методы и методика определения контактной разности потенциалов, теоретические и практические вопросы методов. 5. Вопросы по разделу 5. Определение параметров полупроводника методами оптического поглощения и фотопроводимости. Поглощение света полупроводником. Типы поглощения. Измерение коэффициента оптического поглощения полупроводников. Определение ширины запрещенной зоны полупроводников и измерение стационарной фотопроводимости. Спектральные методы определения параметров. Фотомагнитоэлектрический эффект. Определение параметров по спектральной зависимости фотомагнитоэлектрического эффекта. 6. Вопросы по разделу 6. Контроль состава и содержания примесей в полупроводниковых материалах и структурах Вторичнаяионнаямасс-спектроскопия (ВИМС). Электронная спектроскопия для химического анализа (ЭСХА). МИНОБРНАУКИ РОССИИ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ «САМАРСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ АКАДЕМИКА С.П. КОРОЛЕВА» ЗАЧЕТНАЯ ВЕДОМОСТЬ Физический факультет Группа 4302-030302D Семестр весенний 2019/2020 Направление Физика Дисциплина Принципы и методы исследования полупроводников Экзаменатор Чепурнов Виктор Иванович № 5 Фамилия и инициалы Танеев А. В. №№ зачетных книжек [email protected] Отметка о сдаче зачета Подпись преподавателя и дата Дата Экзаменаци онная оценк а 2017-01269 Подп ись экзамен атора Адрес почты и номера телефонов [email protected] 89025178641 1. Вопросы по разделу 1. Измерение удельного сопротивления полупроводников. Теория четырехзондового метода. Измерение ρ объемных кристаллов, тонких пластин, диффузионных слоев. Влияние границ на поправочные функции. Метод встречных зондов. Границы применимости зондовых методов. Достоинства и недостатки. Источники систематических погрешностей измерений. Определение ширины запрещенной зоны полупроводника по температурной зависимости удельной проводимости. Теория метода, схема, методика измерений. 2. Вопросы по разделу 2. Определение параметров полупроводника с помощью эффекта Холла Гальваномагнитные явления. Сущность эффекта Холла. Явления, сопутствующие эффекту Холла (эффекты Эттингсгаузена, Нернста, НернстаЭттингсгаузена, Риги-Ледюка). Определение концентрации свободных носителей заряда, холловской подвижности, типа носителей. Источники систематических погрешностей в холловских измерениях. Влияние геометрии холловских контактов на измерение ЭДС. Метод Ван-дер-Пау. Определение ширины запрещенной зоны полупроводника по температурной зависимости коэффициента Холла. Определение отношения подвижностей электронов и дырок. 3. Вопросы по разделу 3. . Измерение концентрации свободных носителей методом вольт-фарадных характеристик. Барьер Шоттки и ассиметричный р-n переход. Измерение концентрации носителей в однородном полупроводнике. Электрическая схема, методика измерений вольт-фарадной характеристики. Определение профиля концентрации носителей по глубине полупроводника методами вольт-фарадных характеристик барьера Шоттки и резко ассиметричного р-п перехода полупроводника. Источники систематических погрешностей измерений 4. Вопросы по разделу 4. Измерение параметров неравновесных носителей заряда Теория метода, схема.измерения дрейфовой подвижности. Теория метода, схема определения диффузионной длины. Схема, методика обработки результатов измерения коэффициента диффузии.. Теория метода, схема установки, методика обработки результатов измерений.в методе измерения времени жизни посредством модуляции проводимости. Методы и методика определения работы выхода электрона, теоретические и практические вопросы методов. Методы и методика определения контактной разности потенциалов, теоретические и практические вопросы методов. 5. Вопросы по разделу 5. Определение параметров полупроводника методами оптического поглощения и фотопроводимости. Поглощение света полупроводником. Типы поглощения. Измерение коэффициента оптического поглощения полупроводников. Определение ширины запрещенной зоны полупроводников и измерение стационарной фотопроводимости. Спектральные методы определения параметров. Фотомагнитоэлектрический эффект. Определение параметров по спектральной зависимости фотомагнитоэлектрического эффекта. 6. Вопросы по разделу 6. Контроль состава и содержания примесей в полупроводниковых материалах и структурах Вторичнаяионнаямасс-спектроскопия (ВИМС). Электронная спектроскопия для химического анализа (ЭСХА). МИНОБРНАУКИ РОССИИ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ «САМАРСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ АКАДЕМИКА С.П. КОРОЛЕВА» ЗАЧЕТНАЯ ВЕДОМОСТЬ Физический факультет Группа 4302-030302D Семестр Направление Физика весенний 2019/2020 Дисциплина Принципы и методы исследования полупроводников Экзаменатор Чепурнов Виктор Иванович № 6 Фамилия и инициалы Ватаманюк Л. Ю. №№ зачетных книжек [email protected] Отметка о сдаче зачета Подпись преподавателя и дата Дата Экзаменаци онная оценк а 2017-01511 Подп ись экзамен атора Адрес почты и номера телефонов [email protected] 89608283125 1. Вопросы по разделу 1. Измерение удельного сопротивления полупроводников. Теория четырехзондового метода. Измерение ρ объемных кристаллов, тонких пластин, диффузионных слоев. Влияние границ на поправочные функции. Метод встречных зондов. Границы применимости зондовых методов. Достоинства и недостатки. Источники систематических погрешностей измерений. Определение ширины запрещенной зоны полупроводника по температурной зависимости удельной проводимости. Теория метода, схема, методика измерений. 2. Вопросы по разделу 2. Определение параметров полупроводника с помощью эффекта Холла Гальваномагнитные явления. Сущность эффекта Холла. Явления, сопутствующие эффекту Холла (эффекты Эттингсгаузена, Нернста, НернстаЭттингсгаузена, Риги-Ледюка). Определение концентрации свободных носителей заряда, холловской подвижности, типа носителей. Источники систематических погрешностей в холловских измерениях. Влияние геометрии холловских контактов на измерение ЭДС. Метод Ван-дер-Пау. Определение ширины запрещенной зоны полупроводника по температурной зависимости коэффициента Холла. Определение отношения подвижностей электронов и дырок. 3. Вопросы по разделу 3. . Измерение концентрации свободных носителей методом вольт-фарадных характеристик. Барьер Шоттки и ассиметричный р-n переход. Измерение концентрации носителей в однородном полупроводнике. Электрическая схема, методика измерений вольт-фарадной характеристики. Определение профиля концентрации носителей по глубине полупроводника методами вольт-фарадных характеристик барьера Шоттки и резко ассиметричного р-п перехода полупроводника. Источники систематических погрешностей измерений 4. Вопросы по разделу 4. Измерение параметров неравновесных носителей заряда Теория метода, схема.измерения дрейфовой подвижности. Теория метода, схема определения диффузионной длины. Схема, методика обработки результатов измерения коэффициента диффузии.. Теория метода, схема установки, методика обработки результатов измерений.в методе измерения времени жизни посредством модуляции проводимости. Методы и методика определения работы выхода электрона, теоретические и практические вопросы методов. Методы и методика определения контактной разности потенциалов, теоретические и практические вопросы методов. 5. Вопросы по разделу 5. Определение параметров полупроводника методами оптического поглощения и фотопроводимости. Поглощение света полупроводником. Типы поглощения. Измерение коэффициента оптического поглощения полупроводников. Определение ширины запрещенной зоны полупроводников и измерение стационарной фотопроводимости. Спектральные методы определения параметров. Фотомагнитоэлектрический эффект. Определение параметров по спектральной зависимости фотомагнитоэлектрического эффекта. 6. Вопросы по разделу 6. Контроль состава и содержания примесей в полупроводниковых материалах и структурах Вторичнаяионнаямасс-спектроскопия (ВИМС). Электронная спектроскопия для химического анализа (ЭСХА). МИНОБРНАУКИ РОССИИ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ «САМАРСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ АКАДЕМИКА С.П. КОРОЛЕВА» ЗАЧЕТНАЯ ВЕДОМОСТЬ Физический факультет Группа 4302-030302D Семестр весенний 2019/2020 Направление Физика Дисциплина Принципы и методы исследования полупроводников Экзаменатор Чепурнов Виктор Иванович № 7 Фамилия и инициалы Краснов А. С. №№ зачетных книжек [email protected] Отметка о сдаче зачета Подпись преподавателя и дата Дата Экзаменаци онная оценк а 2017-00811 Подп ись экзамен атора Адрес почты и номера телефонов [email protected] 89370634181 1. Вопросы по разделу 1. Измерение удельного сопротивления полупроводников. Теория четырехзондового метода. Измерение ρ объемных кристаллов, тонких пластин, диффузионных слоев. Влияние границ на поправочные функции. Метод встречных зондов. Границы применимости зондовых методов. Достоинства и недостатки. Источники систематических погрешностей измерений. Определение ширины запрещенной зоны полупроводника по температурной зависимости удельной проводимости. Теория метода, схема, методика измерений. 2. Вопросы по разделу 2. Определение параметров полупроводника с помощью эффекта Холла Гальваномагнитные явления. Сущность эффекта Холла. Явления, сопутствующие эффекту Холла (эффекты Эттингсгаузена, Нернста, НернстаЭттингсгаузена, Риги-Ледюка). Определение концентрации свободных носителей заряда, холловской подвижности, типа носителей. Источники систематических погрешностей в холловских измерениях. Влияние геометрии холловских контактов на измерение ЭДС. Метод Ван-дер-Пау. Определение ширины запрещенной зоны полупроводника по температурной зависимости коэффициента Холла. Определение отношения подвижностей электронов и дырок. 3. Вопросы по разделу 3. . Измерение концентрации свободных носителей методом вольт-фарадных характеристик. Барьер Шоттки и ассиметричный р-n переход. Измерение концентрации носителей в однородном полупроводнике. Электрическая схема, методика измерений вольт-фарадной характеристики. Определение профиля концентрации носителей по глубине полупроводника методами вольт-фарадных характеристик барьера Шоттки и резко ассиметричного р-п перехода полупроводника. Источники систематических погрешностей измерений 4. Вопросы по разделу 4. Измерение параметров неравновесных носителей заряда. Теория метода, схема.измерения дрейфовой подвижности. Теория метода, схема определения диффузионной длины. Схема, методика обработки результатов измерения коэффициента диффузии. Теория метода, схема установки, методика обработки результатов измерений.в методе измерения времени жизни посредством модуляции проводимости. Методы и методика определения работы выхода электрона, теоретические и практические вопросы методов. Методы и методика определения контактной разности потенциалов, теоретические и практические вопросы методов. 5. Вопросы по разделу 5. Определение параметров полупроводника методами оптического поглощения и фотопроводимости. Поглощение света полупроводником. Типы поглощения. Измерение коэффициента оптического поглощения полупроводников. Определение ширины запрещенной зоны полупроводников и измерение стационарной фотопроводимости. Спектральные методы определения параметров. Фотомагнитоэлектрический эффект. Определение параметров по спектральной зависимости фотомагнитоэлектрического эффекта. 6. Вопросы по разделу 6. Контроль состава и содержания примесей в полупроводниковых материалах и структурах Вторичнаяионнаямасс-спектроскопия (ВИМС). Электронная спектроскопия для химического анализа (ЭСХА). МИНОБРНАУКИ РОССИИ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ «САМАРСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ АКАДЕМИКА С.П. КОРОЛЕВА» ЗАЧЕТНАЯ ВЕДОМОСТЬ Физический факультет Группа 4302-030302D Семестр весенний 2019/2020 Направление Физика Дисциплина Принципы и методы исследования полупроводников Экзаменатор Чепурнов Виктор Иванович № 8 Фамилия и инициалы Иванов К. А. №№ зачетных книжек [email protected] Отметка о сдаче зачета Подпись преподавателя и дата Дата Экзаменаци онная оценк а 2017-00678 Подп ись экзамен атора Адрес почты и номера телефонов [email protected] 89277782181 1. Вопросы по разделу 1. Измерение удельного сопротивления полупроводников. Теория четырехзондового метода. Измерение ρ объемных кристаллов, тонких пластин, диффузионных слоев. Влияние границ на поправочные функции. Метод встречных зондов. Границы применимости зондовых методов. Достоинства и недостатки. Источники систематических погрешностей измерений. Определение ширины запрещенной зоны полупроводника по температурной зависимости удельной проводимости. Теория метода, схема, методика измерений. 2. Вопросы по разделу 2. Определение параметров полупроводника с помощью эффекта Холла Гальваномагнитные явления. Сущность эффекта Холла. Явления, сопутствующие эффекту Холла (эффекты Эттингсгаузена, Нернста, НернстаЭттингсгаузена, Риги-Ледюка). Определение концентрации свободных носителей заряда, холловской подвижности, типа носителей. Источники систематических погрешностей в холловских измерениях. Влияние геометрии холловских контактов на измерение ЭДС. Метод Ван-дер-Пау. Определение ширины запрещенной зоны полупроводника по температурной зависимости коэффициента Холла. Определение отношения подвижностей электронов и дырок. 3. Вопросы по разделу 3. . Измерение концентрации свободных носителей методом вольт-фарадных характеристик. Барьер Шоттки и ассиметричный р-n переход. Измерение концентрации носителей в однородном полупроводнике. Электрическая схема, методика измерений вольт-фарадной характеристики. Определение профиля концентрации носителей по глубине полупроводника методами вольт-фарадных характеристик барьера Шоттки и резко ассиметричного р-п перехода полупроводника. Источники систематических погрешностей измерений 4. Вопросы по разделу 4. Измерение параметров неравновесных носителей заряда Теория метода, схема.измерения дрейфовой подвижности. Теория метода, схема определения диффузионной длины. Схема, методика обработки результатов измерения коэффициента диффузии.. Теория метода, схема установки, методика обработки результатов измерений.в методе измерения времени жизни посредством модуляции проводимости. Методы и методика определения работы выхода электрона, теоретические и практические вопросы методов. Методы и методика определения контактной разности потенциалов, теоретические и практические вопросы методов. 5. Вопросы по разделу 5. Определение параметров полупроводника методами оптического поглощения и фотопроводимости. Поглощение света полупроводником. Типы поглощения. Измерение коэффициента оптического поглощения полупроводников. Определение ширины запрещенной зоны полупроводников и измерение стационарной фотопроводимости. Спектральные методы определения параметров. Фотомагнитоэлектрический эффект. Определение параметров по спектральной зависимости фотомагнитоэлектрического эффекта. 6. Вопросы по разделу 6. Контроль состава и содержания примесей в полупроводниковых материалах и структурах Вторичнаяионнаямасс-спектроскопия (ВИМС). Электронная спектроскопия для химического анализа (ЭСХА). МИНОБРНАУКИ РОССИИ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ «САМАРСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ АКАДЕМИКА С.П. КОРОЛЕВА» ЗАЧЕТНАЯ ВЕДОМОСТЬ Физический факультет Группа 4302-030302D Семестр весенний 2019/2020 Направление Физика Дисциплина Принципы и методы исследования полупроводников Экзаменатор Чепурнов Виктор Иванович [email protected] Дата № 9 Фамилия и инициалы Сомов А. Ю. №№ зачетных книжек Отметка о сдаче зачета Подпись преподавателя и дата Экзаменаци онная оценк а Подп ись экзамен атора 2016-01106 Адрес почты и номера телефонов [email protected] 89033349324 1. Вопросы по разделу 1. Измерение удельного сопротивления полупроводников. Теория четырехзондового метода. Измерение ρ объемных кристаллов, тонких пластин, диффузионных слоев. Влияние границ на поправочные функции. Метод встречных зондов. Границы применимости зондовых методов. Достоинства и недостатки. Источники систематических погрешностей измерений. Определение ширины запрещенной зоны полупроводника по температурной зависимости удельной проводимости. Теория метода, схема, методика измерений. 2. Вопросы по разделу 2. Определение параметров полупроводника с помощью эффекта Холла Гальваномагнитные явления. Сущность эффекта Холла. Явления, сопутствующие эффекту Холла (эффекты Эттингсгаузена, Нернста, НернстаЭттингсгаузена, Риги-Ледюка). Определение концентрации свободных носителей заряда, холловской подвижности, типа носителей. Источники систематических погрешностей в холловских измерениях. Влияние геометрии холловских контактов на измерение ЭДС. Метод Ван-дер-Пау. Определение ширины запрещенной зоны полупроводника по температурной зависимости коэффициента Холла. Определение отношения подвижностей электронов и дырок. 3. Вопросы по разделу 3. . Измерение концентрации свободных носителей методом вольт-фарадных характеристик. Барьер Шоттки и ассиметричный р-n переход. Измерение концентрации носителей в однородном полупроводнике. Электрическая схема, методика измерений вольт-фарадной характеристики. Определение профиля концентрации носителей по глубине полупроводника методами вольт-фарадных характеристик барьера Шоттки и резко ассиметричного р-п перехода полупроводника. Источники систематических погрешностей измерений 4. Вопросы по разделу 4. Измерение параметров неравновесных носителей заряда Теория метода, схема.измерения дрейфовой подвижности. Теория метода, схема определения диффузионной длины. Схема, методика обработки результатов измерения коэффициента диффузии.. Теория метода, схема установки, методика обработки результатов измерений.в методе измерения времени жизни посредством модуляции проводимости. Методы и методика определения работы выхода электрона, теоретические и практические вопросы методов. Методы и методика определения контактной разности потенциалов, теоретические и практические вопросы методов. 5. Вопросы по разделу 5. Определение параметров полупроводника методами оптического поглощения и фотопроводимости. Поглощение света полупроводником. Типы поглощения. Измерение коэффициента оптического поглощения полупроводников. Определение ширины запрещенной зоны полупроводников и измерение стационарной фотопроводимости. Спектральные методы определения параметров. Фотомагнитоэлектрический эффект. Определение параметров по спектральной зависимости фотомагнитоэлектрического эффекта. 6. Вопросы по разделу 6. Контроль состава и содержания примесей в полупроводниковых материалах и структурах Вторичнаяионнаямасс-спектроскопия (ВИМС). Электронная спектроскопия для химического анализа (ЭСХА). МИНОБРНАУКИ РОССИИ ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ «САМАРСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ АКАДЕМИКА С.П. КОРОЛЕВА» ЗАЧЕТНАЯ ВЕДОМОСТЬ Физический факультет Группа 4302-030302D Семестр весенний 2019/2020 Направление Физика Дисциплина Принципы и методы исследования полупроводников Экзаменатор Чепурнов Виктор Иванович № 10 Фамилия и инициалы Палин И. М. №№ зачетных книжек [email protected] Отметка о сдаче зачета Подпись преподавателя и дата Дата Экзаменаци онная оценк а 2017-01049 Подп ись экзамен атора Адрес почты и номера телефонов [email protected] 89371801275 1. Вопросы по разделу 1. Измерение удельного сопротивления полупроводников. Теория четырехзондового метода. Измерение ρ объемных кристаллов, тонких пластин, диффузионных слоев. Влияние границ на поправочные функции. Метод встречных зондов. Границы применимости зондовых методов. Достоинства и недостатки. Источники систематических погрешностей измерений. Определение ширины запрещенной зоны полупроводника по температурной зависимости удельной проводимости. Теория метода, схема, методика измерений. 2. Вопросы по разделу 2. Определение параметров полупроводника с помощью эффекта Холла Гальваномагнитные явления. Сущность эффекта Холла. Явления, сопутствующие эффекту Холла (эффекты Эттингсгаузена, Нернста, НернстаЭттингсгаузена, Риги-Ледюка). Определение концентрации свободных носителей заряда, холловской подвижности, типа носителей. Источники систематических погрешностей в холловских измерениях. Влияние геометрии холловских контактов на измерение ЭДС. Метод Ван-дер-Пау. Определение ширины запрещенной зоны полупроводника по температурной зависимости коэффициента Холла. Определение отношения подвижностей электронов и дырок. 3. Вопросы по разделу 3. . Измерение концентрации свободных носителей методом вольт-фарадных характеристик. Барьер Шоттки и ассиметричный р-n переход. Измерение концентрации носителей в однородном полупроводнике. Электрическая схема, методика измерений вольт-фарадной характеристики. Определение профиля концентрации носителей по глубине полупроводника методами вольт-фарадных характеристик барьера Шоттки и резко ассиметричного р-п перехода полупроводника. Источники систематических погрешностей измерений 4. Вопросы по разделу 4. Измерение параметров неравновесных носителей заряда Теория метода, схема.измерения дрейфовой подвижности. Теория метода, схема определения диффузионной длины. Схема, методика обработки результатов измерения коэффициента диффузии.. Теория метода, схема установки, методика обработки результатов измерений.в методе измерения времени жизни посредством модуляции проводимости. Методы и методика определения работы выхода электрона, теоретические и практические вопросы методов. Методы и методика определения контактной разности потенциалов, теоретические и практические вопросы методов. 5. Вопросы по разделу 5. Определение параметров полупроводника методами оптического поглощения и фотопроводимости. Поглощение света полупроводником. Типы поглощения. Измерение коэффициента оптического поглощения полупроводников. Определение ширины запрещенной зоны полупроводников и измерение стационарной фотопроводимости. Спектральные методы определения параметров. Фотомагнитоэлектрический эффект. Определение параметров по спектральной зависимости фотомагнитоэлектрического эффекта. 6. Вопросы по разделу 6. Контроль состава и содержания примесей в полупроводниковых материалах и структурах Вторичнаяионнаямасс-спектроскопия (ВИМС). Электронная спектроскопия для химического анализа (ЭСХА).
