Стойкость ИМС производства ЗАО «ПКК МИЛАНДР» к ВВФ Стойкость ИМС производства ЗАО «ПКК МИЛАНДР» к ВВФ Таблица 1. Микроконтроллеры 1886ВЕ1У 1886ВЕ2У 1886ВЕ3У 1886ВЕ4У 1886ВЕ5У КМОП 0,6 мкм КМОП 0,6 мкм + Flash КМОП 0,6 мкм + Flash + EEPROM КМОП 0,6 мкм + Flash + EEPROM КМОП 0,6 мкм + EEPROM 7.И1 1.Ус 1.Ус 1.Ус 1.Ус 1.Ус 7.И6 1.Ус 0,5х1.Ус 0,1х1.Ус 0,2х1.Ус 0,1х1.Ус 7.И7 1.Ус 1.Ус 0,5х2.Ус 1.Ус 1.Ус 7.С1 1.Ус 1.Ус 1.Ус 1.Ус 1.Ус 7.С4 0,1х1.Ус 0,1х1.Ус 0,1х1.Ус 0,08х1.Ус 0,06х1.Ус 7.К1 0,1х1.К 0,1х1.К 1.К 0,8х1.К * 7.К4 0,1х1.К 0,07х1.К 0,05х1.К 0,04х1.К * Тех. процесс * Требования не предъявляются Стойкость ИМС производства ЗАО «ПКК МИЛАНДР» к ВВФ Таблица 2. Приемопередатчики проводных интерфейсов 5559ИН4У 5559ИН10АУ(БУ) 5559ИН14АУ(БУ,ВУ) 5559ИН15У КМОП КНИ 0,6 мкм КМОП КНИ 0,6 мкм КМОП КНИ 0,6 мкм КМОП КНИ 0,6 мкм 7.И1 1.Ус 4.Ус 4.Ус 4.Ус 7.И6 0,1х1.Ус 2,5х4.Ус 2,5х4.Ус 2,5х4.Ус 7.И7 1.Ус 10х1.Ус 10х1.Ус 10х1.Ус 7.С1 1.Ус 10х5.Ус 10х5.Ус 10х5.Ус 7.С4 0,1х1.Ус 0,1х1.Ус 0,1х1.Ус 0,1х1.Ус 7.К1 1.К 1.К 1.К 1.К 7.К4 0,05х1.К 0,05х1.К 0,05х1.К 0,05х1.К Тех. процесс Стойкость ИМС производства ЗАО «ПКК МИЛАНДР» к ВВФ Таблица 3. Микросхемы памяти 1645РУ1У 1645РУ2Т 1645РУ3У 1645РУ4У 1636РР1У 1636РР2У КМОП 0,35 мкм КМОП КНИ1,0 мкм КМОП 0,18 мкм КМОП 0,18 мкм КМОП 0,25 мкм + Flash КМОП 0,25 мкм + Flash 7.И1 1.Ус 5.Ус 4.Ус 4.Ус 4.Ус 4.Ус 7.И6 2.Ус 5.Ус 0,18х1.Ус 0,3х1.Ус 0,02х1.Ус 0,02х1.Ус 7.И7 2.Ус 4.Ус 0,5х3.Ус 1,6х4.Ус 2х1.Ус 2х1.Ус 7.С1 1.Ус 5.Ус 50х4.Ус 50х4.Ус 50х4.Ус 50х4.Ус 7.С4 0,4х1.Ус 0,5х5.Ус 0,1х5.Ус 0,8х5.Ус 0,02х5.Ус 0,02х5.Ус 7.К1 3х1.К 5х1.К 1.К 0,4х2.К 0,2х1.К 0,2х1.К 7.К4 0,2х1.К 0,2х1.К 0,05х1.К 0,4х1.К 0,01х1.К 0,01х1.К 7.И12 * 0,3х2.Р * * * * 7.И13 * 0,04х2.Р * * * * Тех. процесс * Требования не предъявляются Стойкость ИМС производства ЗАО «ПКК МИЛАНДР» к ВВФ Таблица 4. Радиочастотные микросхемы 1508ПЛ7АУ(БУ) 1508ПЛ10АТ(БТ) 1508ПП1Т 1508ПП2У Тех. процесс КМОП 0,6 мкм КМОП 0,6 мкм КМОП 0,35 мкм КМОП 0,6 мкм 7.И1 1.Ус 1.Ус 1.Ус 1.Ус 7.И6 0,3х1.Ус 0,3х1.Ус 1,4х3.Ус 1,2х1.Ус 7.И7 2.Ус 1.Ус 1.Ус 1.Ус 7.С1 1.Ус 1.Ус 1.Ус 1.Ус 7.С4 0,3х1.Ус 0,1х1.Ус 0,1х1.Ус 0,1х1.Ус 7.К1 3х1.К 1х1.К 1х1.К 1х1.К 7.К4 0,1х1.К 0,01х1.К 0,01х1.К 0,01х1.К Однократно программируемое ПЗУ емкостью 256Кбит Однократно программируемое ПЗУ 256Кбит Однократно программируемое ПЗУ 256Кбит Таблица 5. Предельно-допустимые электрические режимы эксплуатации и предельные электрические режимы микросхемы ПЗУ 32Кх8 не менее не более Напряжение источника питания, В UCC 3.0 3.6 - 4.0 Входное напряжение низкого уровня, В UIL - 0.8 минус 0.3 - Входное напряжение высокого уровня, В UIH 2.2 - - Vcc+0. 3 Выходной ток низкого уровня, мА IOL - 8 - 16 Выходной ток высокого уровня, мА IOH - минус 4 - минус 8 ГОСТ 15878-79-Н6-Кр-02 15 13 x 1,25 = 16,25 14 1,25 18,3 -0,21 не более 3,46 -0,75 не менее 0,2 -0,07 Обозначение параметра Предельные значения 28 выводов 0,45 -0,14 Т/2 0,063 М Наименование параметра, единица измерения Предельнодопустимые значения 28 1 Ключ 6,5min 12,7 -0,27 26,1 -0,33 Емкость нагрузки, пФ CL - 30 - 150 Рисунок 1. Габаритный чертеж корпуса 4119.28-8 Однократно программируемое ПЗУ 256Кбит Таблица 6. Электрические параметры микросхемы ПЗУ 32Кх8 п / п Наименование параметр, Единица измерения 1 Норма Буквенное обозначение параметра Не менее Не более Выходное напряжение низкого уровня, В UOL - 2 Выходное напряжение высокого уровня, В UOH 3 Ток утечки низкого уровня на входе, мкА 4 Режим измерения Температура 0.2 UCC= 3,0 В, IOL= 1мА ТA=-60C ... +125C VDD-0.3 - UCC= 3,0 В, IOH=- 1мА ТA=-60 … +125C IILL - 10 UCC= 3,6 В, UI= GND ТA=-60C …+125C Ток утечки высокого уровня на входе, мкА IILH - 10 UCC= 3,6 В, UI= UCC ТA=-60C … +125C 5 Выходной ток низкого уровня в состоянии «выключено», мкА IOZL - 10 UCC= 3,6 В, UO= GND, /CE= UIH, ТA=-60C … +125C 6 Выходной ток высокого уровня в состоянии «выключено», мкА IOZH - 10 UCC= 3,6 В, UO= UCC, /CE= UIH, ТA=-60C … +125C 7 Динамический ток потребления, мА IOCC - 60 /CEUIL, UCC= 3,6 В, /OEUIL, f= 1/tCYR, IO= 0 мА ТA=-60C … +125C 8 Ток потребления в режиме хранения, мА ICCS - 1 /CE3.4, UCC= 3.6 В, UI 0,2В, или UI 3,4В, f= 0, КМОП уровни на входах ТA=-60C… +125C 9 Время цикла считывания информации, нс tCYR 100 - UCC= 3,0 В, CL= 30пФ ТA=-60C … +125C 10 Время выборки адреса, нс tA(A) - 100 UCC= 3,0 В, CL= 30пФ ТA=-60C … +125C 11 Время считывания по сигналу СE, нс tA(CE) - 100 UCC= 3,0 В, CL= 30пФ ТA=-60C … +125C 12 Время считывания информации по сигналу ОЕ, нс tA(OE) - 35 UCC= 3,0 В, CL= 30пФ ТA=-60C … +125C Однократно программируемое ПЗУ 256Кбит Рисунок 2. Электрическая схема ячейки памяти ПЗУ 32К х 8 Однократно программируемое ПЗУ 256Кбит Рисунок 3. Топологический срез ячейки памяти ПЗУ 32К х 8 Перспективные разработки Перспективные разработки 32-х разрядный микроконтроллер на основе ядра ARM CORTEX-M3 1986ВЕ91Т1 Основные параметры: (ближайший функциональный аналог STM32F103Х) - Тактовая частота 80МГЦ - Напряжение питания от 2,0 до 3,6 В - Память программ 128 Кх8 EEPROM - Память данных 32 Кх8 ОЗУ - Интерфейсы CAN, USB OTG,UART, SPI и I2C - Встроенные контроллеры внешней памяти SRAM, NAND FLASH - 12-ти разрядный 16-ти канальный АЦП (до 1Мвыборка/с) - 12-ти разрядный ЦАП - Схема аналогового компаратора - Внутренний датчик температуры - Отдельный батарейный домен с часами реального времени и аварийной памятью сохранения - JTAG интерфейс - Рабочий температурный диапазон: -60°С…+125°С - Корпус 4229.132-3 99 67 100 66 132 34 Зона ключа 1 33 Перспективные разработки 32-х разрядный микроконтроллер на основе ядра ARM CORTEX-M3 1986ВЕ91Т1 Аппаратный прототип Состав и характеристики: -прототип микроконтроллера с ядром ARM Cortex-M3 на базе FPGA с тактовой частотой 10 МГц; - внутренняя перепрограммируемая память программ 32Кх32; - внутренняя память данных 6Кх32; - интерфейс CAN; - интерфейс UART ; - интерфейс USB; - внешняя память NAND Flash; - подсоединяемая внешняя память SRAM; - подсоединяемая внешняя память Flash; - USB-JTAG отладчик ULINK2 фирмы Keil ; - драйвер для работы в среде Keil uVisison 3. Перспективные разработки 16-ти разрядный микропроцессор цифровой обработки сигнала 1967ВЦ1Т Основные параметры: (ближайший функциональный аналог TMS320C546) 81 - Тактовая частота 50МГц - Напряжение питания от 3,0 до 3,6 В - 32 Кх16 ПЗУ - 6 Кх16 ОЗУ - Два стандартных последовательных интерфейса - Один 16-ти разрядный таймер - 40-битовое арифметико-логическое устройство - 17х17-битовый параллельный умножитель - Команды с 32-разрядными длинными словами - Арифметические команды с одновременным чтением и записью операндов - JTAG интерфейс - Совместим со средой разработки CodeComposerStudio 2.2x,3.x - Рабочий температурный диапазон: -60°С…+125°С - Корпус 4226.108 55 82 54 108 28 1 27 Перспективные разработки 16-ти разрядный микропроцессор цифровой обработки сигнала 1967ВЦ1Т Аппаратный прототип Состав и характеристики: -прототип процессора TMS320C546 на базе FPGA с тактовой частотой 3 МГц ; - внутренняя память ОЗУ 6Kx16 ; - внутренняя память ПЗУ 8Кх16 ; - внешняя память объемом до 64Кх16 ; - USB-JTAG отладчик ; - драйвер для стыковки со средой разработки CodeComposerStudio 2.3 и выше. Перспективные разработки FIFO очередь 16Кх9 - напряжение питания 4,5-5,5В - время выборки адреса не более 35нс - время цикла не менее 45 нс - рабочий температурный диапазон: -60°С…+125°С - 28 выводной металлокерамический корпус 4119.28-6 2-х портовое СОЗУ 32Кх8 - напряжение питания 4,5-5,5В - время выборки адреса не более 35нс - время цикла не менее 35 нс - рабочий температурный диапазон: -60°С…+125°С Перспективные разработки Преобразователь напряжение-частота 1316ПП1У - напряжение питания ±5,0В - диапазон входных напряжений ±8,2В - фиксированный набор констант преобразования 20, 10, 5 кГц/В - встроенный или внешний источник опорного напряжения - встроенный или внешний интегрирующий конденсатор - обратный счетчик на 12 разрядов АЦП - ошибка линейности 0,01% - ошибка линейности в диапазоне 0,1% - опорная частота 4 – 8 МГц - точность интегрирующего преобразования 18 разрядов АЦП - рабочий температурный диапазон: -60°С…+85°С - корпус Н16.48-1В Перспективные разработки Понижающий step-down конвертор - входное напряжение до 40В - выходной ток до 2 А - выходное напряжение подстраиваемое внешним резистивным делителем - частота преобразования 150кГц - КПД до 80% - рабочий температурный диапазон: -60°С…+125°С - 8 выводной металлический корпус 311.8