Устройство фазовой автоподстройки частоты

Схема считывания информации из
энергонезависимой памяти
Карташёв С.С. НИУ МИЭТ, аспирант 3 года
обучения, кафедра ИЭМС
Научный руководитель – Лосев В.В., доцент
кафедры ИЭМС, к.т.н., МИЭТ
2) Flash-память
Flash-память(flash-memory) – разновидность полупроводниковой
технологии
электрически
перепрограммируемой
памяти
(ЕЕPROM).
NAND-тип: USB-накопители, карты памяти всех типов
NOR-тип: Конфигурационная память ПЛИС, встраиваемая
память микропроцессоров и микроконтроллеров.
3) Ячейка ЗУ
4)Принцип работы ячейки ЗУ
Стирание
Запись
I СРЕД .
Считывание информации из ячейки
I ЗАП .  I СТЕР .

2
5) Способы задания
среднего уровня тока

1) Задание среднего уровня тока извне микросхемы
(отдельным сигналом). Недостаток – неустойчивость
сигнала к помехам.
6) Способы задания
среднего уровня тока

Дифференциальное считывание
7) Схема считывания
8) Преимущества
1) Сохранение работоспособности схемы, после многократного
перепрограммирования состояний элементов памяти.
2) Высокая идентичность работы считываемых и эталонных
элементов памяти.
3) Экономия площади.
9) Дальнейшие перспективы
1) Увеличение скорости считывания информации.
2) Использование схемы в любом типе энергонезависимой
памяти с упорядоченной структурой.