Второй элемент

ГОСТы и обозначения
полупроводниковых
приборов
Выполнили
студентки III курса
ФТФ гр.21306
Митина А.А. и
Москалева В.О.
Содержание
• ГОСТы
• Классификация полупроводниковых
приборов:
• Российская
• Зарубежная:
• Европейская система Pro Electron
• Американская система JEDEC
• Японская система JIS
• Графические обозначения
полупроводниковых приборов
ГОСТы
Основные термины, определения и буквенные обозначения основных и
справочных параметров полупроводниковых приборов приведены в
следующих ГОСТах:
• 25529-82 — Диоды полупроводниковые. Термины, определения и
буквенные обозначения параметров;
• 19095-73 — Транзисторы полевые. Термины, определения и
буквенные обозначения параметров;
• 20003-74 — Транзисторы биполярные. Термины, определения и
буквенные обозначения параметров;
• 20332-84 — Тиристоры. Термины, определения и буквенные
обозначения параметров.
В технической документации и специальной литературе применяются
условные графические обозначения полупроводниковых приборов в
соответствии с ГОСТом 2.730-73 «Обозначения условные графические в
схемах. Приборы полупроводниковые».
Для полупроводниковых приборов определены и стандартизованы
значения основных электрических параметров и предельные
эксплуатационные характеристики, которые приводятся в
справочниках. К таким параметрам относятся:
• напряжение (например, U — постоянное прямое напряжение диода)
• ток (например, I ст mах — максимально допустимый ток в
стабилизации стабилитрона)
• мощность (например, Рвых — выходная мощность биполярного
транзистора)
• сопротивление (например, r диф — дифференциальное
сопротивление диода)
• емкость (например, Ск — емкость коллекторного перехода)
• время и частота (например, t вос. обр — время обратного
восстановления тиристора, диода)
• температура (например, Т mах — максимальная температура
окружающей среды).
Российская классификация
Г Т 6 05 А
• Германиевый
транзистор
• Средней мощности,
высокой и
сверхвысокой частот
• номер разработки 05
• Группа А
Первый элемент
Исходный материал
Условные обозначения
•
Германий или его соединения
Г или 1
•
Кремний или его соединения
К или 2
•
Соединения галлия
А или 3
•
Соединения индия
И или 4
Второй элемент
Подкласс (группа) приборов
Условные обозначения
•
Выпрямительные импульсные диоды,
магнитодиоды, термодиоды
Д
•
Транзисторы биполярные
Т
•
Транзисторы полевые
П
•
Варикапы
В
•
Стабилизаторы тока
К
•
Сверхвысокочастотные диоды
А
•
Туннельные диоды
И
•
Диоды Ганна
Б
Третий элемент
Назначение прибора
Условные
обозначения
Транзисторы биполярные:
Маломощные (Рх < 03 Вт):
•Низкой частоты (Fгр < 3 МГц)
•Средней частоты (Fгр =3..20 МГц)
•Высокой и сверхвысокой частот
Средней мощности (Рх = 03..1,5 Вт):
•Низкой частоты
•Средней частоты
•Высокой и сверхвысокой частот
Большой мощности (Рх > 1,5 Вт):
•Низкой частоты
•Средней частоты
•Высокой и сверхвысокой частот
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Четвёртый и пятый элементы
Четвертый элемент.
Четвертый элемент (2 либо 3 цифры) означает
порядковый номер технологической разработки и
изменяется от 01 до 999.
Пятый элемент.
Пятый элемент (буква) в буквенно-цифровом коде
системы условных обозначений указывает разбраковку
по отдельным параметрам приборов, изготовленных в
единой технологии. Для обозначения используются
заглавные буквы русского алфавита от А до Я, кроме 3,
О, Ч, Ы, Ш, Щ, Я, схожих по написанию с цифрами.
Европейская система Pro
Electron
В Т Х 10 -200
Первый элемент
Буква-код материала:
Второй элемент
Буква - тип прибора
A - германий
B - кремний
С - арсенид галлия
D - антимонид индия
R - другие материалы
Четвертый элемент
2 цифры -порядковый номер
технологической разработки
и изменяется от 01 до 99.
Третий элемент
Серийный номер:
100-999
Z...A
приборы общего приборы для
применения
промышленного и
специального применения
Европейская система Pro
Electron
Второй элемент
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
A - детекторный, смесительный диод
В - варикап
С - маломощный низкочастотный
транзистор
D - мощный низкочастотный
транзистор
Е - туннельный диод
F - маломощный высокочастотный
транзистор
G - несколько приборов в одном
корпусе
Н - магнитодиод
K - генераторы Холла
L - мощный высокочастотный
транзистор
• М - модуляторы и умножители Холла
• Р - фотодиод, фототранзистор
• Q - излучающие приборы
• R - прибор, работающий в области
пробоя
• S - маломощный переключающий
транзистор
• T - мощный регулирующий или
переключающий прибор
• U - мощный переключающий
транзистор
• Х - умножительный диод
• Y - мощный выпрямительный диод
• Z - стабилитрон
Американская система Jedec
2 N 2222 A
Первый элемент
Второй элемент
Буква N
Число p-n переходов:
1 - диод
2 - транзистор
3 - тиристор
4 - оптопара
Четвертый элемент
Буква модификации
прибора
Третий элемент
Серийный номер прибора
(100-9999)
Японская система JIS
2 S B 247
Первый элемент
Цифра:
0 - фотодиод
Второй элемент
1 - диод
2 - транзистор Буква S
3 - тиристор
Четвертый элемент
Серийный номер: 10-9999
Третий элемент
Буква - тип прибора
Японская система JIS
Третий элемент
А - высокочастотный PNP транзистор
B - низкочастотный PNP транзистор
С - высокочастотный NPN транзистор
D - низкочастотный NPN транзистор
Е - диод Есаки (четырехслойный диод
PNPN)
F - тиристор
G - диод Ганна (четырехслойный диод
NPNP)
Н - однопереходной транзистор
J - полевой транзистор с N-каналом
К - полевой транзистор с Pканалом
М - симметричный тиристор
(семистор)
Q - светоизлучающий диод
R - выпрямительный диод
S - малосигнальный диод
Т - лавинный диод
V - варикап
Z -стабилитрон
Графические обозначения
Диод
выпрямительный
Варикап
Диод туннельный
Односторонний
стабилитрон
Диод обращения
Двусторонний
стабилитрон
Графические обозначения
Диодный тиристор
(динистор)
Триодный тиристор
незапираемый с
управлением по катоду
Триодный тиристор,
запираемый в обратном
направлении,
выключаемый, с
управлением по аноду
Симметричный
динистор
Симметричный
тиристор
Триодный тиристор,
запираемый в обратном
направлении,
выключаемый,с
управлением по катоду
Графические обозначения
Транзистор типа
p-n-p
Транзистор
двухэмиттерный
типа p-n-p
Транзистор типа
n-p-n
Лавинный
транзистор
типа n-p-n
Однопереходный
транзистор
с n-базой
Графические обозначения
Полевой транзистор с
каналом n-типа
Полевой транзистор с
каналом p-типа
Полевой транзистор
с изолированным
затвором обогащенного
типа с n-каналом
Полевой транзистор
с изолированным
затвором обогащенного
типа с p-каналом
Полевой транзистор
с изолированным
затвором обеднённого
типа с n-каналом
Полевой транзистор
с изолированным
затвором обеднённого
типа с p-каналом
Графические обозначения
Спасибо за внимание!
20