Лекция 27. Фактор накопления гомогенных сред

advertisement
Фактор накопления
гомогенных сред
Выполнил:
Группа:
Малышкин В.В.
Т-505
Литература: Голубев Б.П. «Дозиметрия и защита от
ИИ»
Вопросы лекции









Проникающая способность γ, α- и β -излучений
Интенсивность излучения
Массовый коэффициент ослабления
Интенсивность излучения
Массовый коэффициент ослабления
Линейный коэффициент ослабления
Закон ослабления для параллельного потока
гамма-излучения
Фактор накопления
Поправочный коэффициент
Проникающая способность γ, α- и
β -излучений



Проникающая способность γ - излучений
значительно выше проникающих
способностей α- и β -излучений.
Поэтому задача защиты от внешних
потоков α -, β - и γ -излучений решается
созданием защиты от γ -излучения .
Защита от потоков нейтронов
представляет собой отдельную задачу.
Интенсивность излучения
Ослабление первичного параллельного
моноэнергетического потока I0 гаммаизлучения при прохождении слоя вещества
толщиной x при условии нормального
падения на поверхность поглотителя
происходит по экспоненциальному закону
I(x) = I0 exp( - τx)
Здесь толщина поглотителя х выражена в
единицах длины. Защитные свойства
материала характеризует линейный
коэффициент ослабления τ.
Массовый коэффициент
ослабления
Защитные свойства материалов в отношении
ослабления гамма-излучения можно
охарактеризовать также массовым
коэффициентом ослабления μ
μ = τ/ρ ,
где – ρ плотность материала.
При этом закон ослабления первичного потока
гамма-излучения имеет вид:
I(d) = I0 exp(- μ d) ,
(1)
где d -поверхностная плотность материала:
d=ρx.
Линейный коэффициент
ослабления
Линейный коэффициент ослабления связан с
эффективным сечением ослабления гаммаизлучения σ :
τ= σN
где σ - эффективное сечение ослабления гаммаизлучения, рассчитанное на один атом поглотителя,
N- число атомов в единице объема (1 см3 ):
N = NA/A,
где NA - число Авогадро, т.е. атомов в А граммах
вещества (А -массовое число).
Интенсивность излучения
с учетом расстояния R и толщины защиты d
Массовый коэффициент ослабления:
μ = /ρ = σNA/A = σ/ma.
Если размеры источника излучения много меньше
расстояния от источника, поток излучения на расстоянии
R от источника при толщине защиты d равен:
I(d,R) = I(0,0) exp(-μd)/R2.
Эффект учитывающийся фактором
накопления



γ-излучение, вышедшее за пределы защитного слоя,
дает вклад в формирование потоков излучения и
величину дозы облучения.
Пройдя через защиту доля ослабленного первичного
излучения больше на 1-2 порядка, благодаря действию
рассеянных и вторичных излучений.
Этот эффект учитывается введением в закон
ослабления первичного пучка (формулы (1)) фактора
накопления В, зависящего от атомного номера Z,
энергии γ-квантов Еγ и величины md
( или равной ей t х).
Закон ослабления для
параллельного потока гаммаизлучения
Закон ослабления для параллельного потока
гамма-излучения принимает вид:
I (d) = I(0) B(μ d , Еγ, Z ) exp(-μ d)
Влияние эффекта накопления дозы проявляется – при
некоторых энергиях излучения и толщине защит – в
том, что доза за защитой оказывается выше дозы перед
защитой.
Кратность ослабления дозы
радиации
В случае сложного компонентного состава
вещества защиты фактор накопления В является
функцией эффективного атомного номера
материала Z эфф.
Кратность ослабления дозы К зависит от
отношения доз перед слоем защитного материала
d и после его прохождения и от фактора
накопления В:
Фактор накопления
При прохождении γ-излучения через вещество создается
широкий пучок излучения, состоящий из рассеянного и не
рассеянного излучений. Интенсивность широкого пучка
выражается формулой:
I (d) = I(0) exp(-μd) B(μd , Еγ , Z )
(2)
где B(μd , Еγ , Z ) ≥ 1 - энергетический фактор
накопления.
Фактор накопления показывает, во сколько раз
увеличивается интенсивность излучения широкого
пучка в сравнении с интенсивность излучения узкого
пучка за защитой.
Фактор накопления зависит:


1.
2.
3.
4.
от энергии γ-излучения, атомного номера и
толщины защитного материала, расположения
источника и детектора по отношению к защите,
геометрии и компоновки защиты.
Фактор накопления может относиться к различным
измеряемым параметрам γ-излучения:
Числу фотонов (числовой фактор накопления)
Интенсивности излучения (энергетический фактор
накопления)
Экспозиционной дозе излучения (дозовый фактор
накопления)
Поглощенной дозе излучения (фактор накопления
поглощенной энергии)
Варианты расположения источника и
детектора
1.фактор накопления В∞:
Источник и детектор
помещаются в бесконечной
поглощающей и
рассеивающей среде
2. Источник находится в
бесконечной поглощающей
и рассеивающей среде, а
детектор-вне ее и
наоборот, геометрия
полубесконечная (фактор
накопления В 1/2∞ )
3. Источник и детектор разделены
защитой поглощающей и
рассеивающей средой с
бесконечными поперечными
размерами, барьерная
геометрия- наиболее
распространенный случай
(фактор накопления Вб)
4. Источник и детектор разделены
защитой поглощающей и
рассеивающей средой с
конечными поперечными
размерами, ограниченная
геометрия – ограниченные
барьерные среды, теневые
защиты и др. (фактор
Поправочный коэффициент
для точечного изотропного источника
При расчете защиты в условиях барьерной
геометрии удобно пользоваться поправочными
коэффициентами:
D
Bб
E  Z  md
D E  Z
D E  Z  md

B 






— это отношение дозового фактора накопления в
барьерной геометрии к дозовому фактору
накопления в бесконечной среде для точечного
изотропного источника
Поправочный коэффициент
для плоского мононаправленного источника
DE  Z
Bб
э
B 
э
E  Z  md
E  Z  md
— это отношение энергетического фактора
накопления в барьерной геометрии к
энергетическому фактору накопления в
бесконечной среде для плоского
мононаправленного источника
Интенсивность излучения
с учетом поправочных коэффициентов и фактора
накопления
Уравнение (2) при учете фактора накопления и
поправочного коэффициента для барьерной
геометрии будет выражаться следующей формулой:
I(d)=I(0)B∞э(Eγ,Ζ,μх)exp(-µd)δэ(Eγ,Ζ)
(3)
I (d) = I(0) exp(-md) B(md , Eγ, Z )
(2)
Download