ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ СО РАН Прецизионные нанотрубки, наногофрированные пленки и
реклама
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ СО РАН Прецизионные нанотрубки, наногофрированные пленки и системы на их основе Предназначены для: • приборов наноэлектроники (одноэлектронных и полевых транзисторов); • новых материалов (сверхлегких, упругих, композиционных); • строительных блоков в микро- и наномеханике (иглы, шприцы, электроды для микробиологии, сверхбыстродействующие, миниатюрные датчики, реакторы). Особенности технологии: • предложена и разработана в России, • простая, • стыкуется с технологией интегральных схем, • опробована на полупроводниках, металлах и диэлектриках, • позволяет формировать элементы нанометровых размеров, • реализует новые принципы организации материала. Технические характеристики: - нанотрубки - строго периодичные гофрировки *диаметр 2нм *с периодом L до 3нм *длина до нескольких см *амплитудой А равной 1/3 L Метод изготовления нанотрубок 2нм < D < 100мкм а - слои InAs и GaAs с разными постоянными решеток (а/a=7%) в свободном состоянии b - эпитаксиальные слои, выращенные на InP подложке c - изгиб двухслойной пленки при ее освобождении от связи с подложкой d - самосворачивание двухслойной пленки в трубку при селективном удалении жертвенного слоя AlAs, дополнительно выращенного между пленкой и подложкой Метод изготовления наногофрированных пленок а - слой InAs в свободном состоянии; b - эпитаксиальные слои, выращенные на InP подложке; c - изгиб InAs пленки при ее освобождении от связи с подложкой при селективном удалении жертвенного слоя AlAs; d – пример организации изогнутых областей на подложке. InGaAs/GaAs микро- и нанотрубки Трубка с D = 3 нм (рис. с) сформирована из пленки, содержащей 2 монослоя GaAs + 1 монослой InAs. Длина трубки несколько мм. Гофрированные пленки Минимальный период гофрировки 3 нм Электронно-микроскопические фотографии оболочек разнообразной формы а - кольцо b - изогнутые кантелеверы c - массив атомно острых игл d - зеркало (спираль Архимеда) е - трубка с модулированной толщиной стенки f - лево- и правовинтовая спирали Контакт: Виктор Яковлевич Принц E-mail: [email protected]
