Cu 3 Ga 5 S 9 - Bakı Dövlət Universiteti

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ
АЗЕРБАЙДЖАНСКОЙ РЕСПУБЛИКИ
БАКИНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
АЛИ ГАСАН ОГЛЫ ГУСЕЙНОВ
ЭЛЕКТРОННЫЕ ЯВЛЕНИЯ В СЛОЖНЫХ
ХАЛЬКОГЕНИДАХ
ТИПА AIBIIICVI
Научный консультанты:
Доктор физ.-мат.наук
Доктор физ.-мат.наук
проф. Салманов В.М.
проф. Кязым-заде А.Г.
БАКУ- 2013
Тройные полупроводниковые халькогенидные соединения обладают
большим потенциалом практического применения и представляют
несомненный научный интерес. В частности, эти материалы в настоящее
время используются в изготовлении высокоэффективных солнечных
батарей (CuGaSe2 и CuInSe2), светоизлучающих диодов (AgInS2 и AgIn5Se8),
оптических фильтров (CuGaS2), фотоэлектрических преобразователей
(Cu3Ga5Se9),
влагочувствительных
элементов,
радиационностойких
полупроводниковых
приборов
(CuInTe2
и
CuGaTe2)
и
т.д.
В концентрационном треугольнике самой много исследуемой группой
тройных соединений являются соединения типа . Их можно получить на
разрезе линий нормальной валентности и число электронов на атом
( A I B III C 2VI )
в
квазибинарной
системе:
A2I BVI  B2III C3VI  2 A I B III C 2VI
(1.1).
В этой системе выявлены несколько групп тройных халькогенидов,
которым на диаграммах состояний соответствуют либо дистектические
точки, либо образования по перетектической реакции. Некоторые из этих
соединений плавятся конгруэнтно, а некоторые – инконгруэнтно.
В этой системе выявлены несколько групп тройных халькогенидов, которым на
диаграммах состояний соответствуют либо дистектические точки, либо
образования по перетектической реакции. Некоторые из этих соединений
плавятся
конгруэнтно,
а
некоторые
–
инконгруэнтно.
Рассмотрим другие варианты химических реакций в квазибинарной системе
при условии выполнения нормальной валентности и числа электронов на один
атом–n:
n  4,44
A I B III C 2VI  B2III C3VI  A I B3III C5VI
(1.2)
n  4,57
A I B III C 2VI  2 B2III C3VI  A I B5III C8VI
(1.3)
n  4,63
VI
A I B III C 2VI  3B2III C3VI  A I B7III C11
(1.4)
n  4,3
2 A I B III C 2VI  B2III C3VI  A2I B4III C7VI
(1.5)
n  4,23
3 A I B III C 2VI  B2III C 2VI  A3I B5III C9VI
(1.6)
1000
AgIn5S8
AgIn3S5
Ag3In5S9
T, 0C
800
η
α
600
η
α+β
400
AgInS2
20
β+γ
40
ε
η+ε
60
80
мол. % In2S3
Диаграммы состояния в системе
In2
AgInS 2  In2 S 3
Ga2Se3 в процентах моля
Температура (0С)
нагревание
Ga в атомных процентах
Практически полный набор частот фундаментальных колебаний для
исследованных изоструктурных соединений с различными замещениями
атомов, позволил нам определить характер взаимодействия между атомами
(группами атомов), форму нормальных колебаний и ряд важных
кристаллохимических постоянных кристаллов Cu3Ga5Se9, Cu3Ga5S9,
Cu3Ga5Te9, Cu3In5S9, Ag3Ga5Se9, Ag3In5Se9, Ag3Ga5Te9, снятые при
комнатной температуре. Для Cu3In5S9 регистрировались поляризационные
 
E C
 
и E // C
спектры отражения (при
). Исследованные кристаллы
принадлежат к гексогональной сингонии (пространственная группа
симметрии D61h P6 / mmm  ). В элементарной ячейке этих кристаллов
содержится одна формульная единица. Инверсия частоты оптических мод
имеет место для кристаллов
Cu3Ga5Se9, Cu3Ga5S9 и Cu3In5Se9, то есть
частоты продольных оптических мод  L 7  387 Cu 3Ga5 S9 ,  L 4  274Cu 3Ga5 Se9 и
были меньше по сравнению с частотами
 L2  224 см -1 Cu 3 In5 Se9 
соответствующих оптических мод  T 7  389, T 4  276
и  T 4  226 см -1 .
15
ν2, 104 см-2
Cu3Ga5S9
10
Cu3In5S9
Cu3Ga5Se9
5
Cu3Ga5Te9
Cu3In5Se9
Cu3In5Te9
0
1
2
3
-1
эфф
, в относ. ед.
1
Зависимости квадрата частот от эффективной массы  эфф
для наиболее
высокочастотной оптической моды кристаллов Cu3Ga5S9(Se9, Te9) и
Cu3In5S9(Se9, Te9)
Ag3Ga5S9
10
ν 2, 104 см-2
Ag3In5S9
Ag3Ga5Se9
5
Ag3Ga5Te9
Ag3In5Se9
Ag3In5Te9
0
1
2

-1
эфф ,
3
в относ. ед.
13
12
8
11
9
7
6
10
5
4
2
14
3
1
к вакуумному
насосу
m
 1,04 г мин
 
 t  max
-2
ln σ, (Ом -1·см-1)
-4
-6
-8
-10
-12
-14
2
3
4
5
6
103/T, K
Температурная зависимость удельной электропроводности
монокристаллического образца AgIn5S8
300
200
100
200
350
500
T,K
Температурная зависимость дифференциальной термо-э.д.с.
в AgIn5S8
Iф, в отн.ед.
2.06 эВ
1.67эВ
1.65эВ
3.02 эВ
1
2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
λ, мкм
5. Спектры
фототока
в AgIn S при
СпектрыРис.
фототока
в AgIn
5S8 при 200 (1)5 и8 300 К (2)
температуре 200 (1) и 300 К (2).
ITCT, в отн. ед.
2,0
1,0
180
200
220 T, K
5
2
3
4
7
6
1
8
l
R0 
S e  N
Где ℓ - длина полупроводника, S - поперечное сечение полупроводника, μ
- подвижность электронов, e - заряд электрона.
1,5 мкА/дел.
4 2 3
I
1
U
2 В/дел.
1
3
4
2
ВАХ различных (1, 2, 3, 4) гомопереходов на основе AgIn5S8
1,59 1,63
140
а)
0,32
IКЛ, в отн. ед.
120
0,26
100
1
80
2
1,35
60
1,45
1,61
40
0,167
20
1,2
ΔЕg=1,71 эВ
1,4
1,6
1,8
hν, эВ
Рис. 1. Спектр КЛ в AgIn S при
температуре 4,2 К.
2
5 8
Спектр катодолюминесценции в AgIn5S8 при температуре
4,2 К.
IКЛ, в отн. ед.
140
120
2
100
80
1
60
40
20
1,2
1,2
1,6
hν, эВ
1,8
Спектр катодолюминесценции в AgIn5S8 при температуре 77 К.
Рис. 2. Спектры КЛ в AgIn5S8 при
температуре 77 К.
Электропроводность, Ом·см
10-7
10-8
10-9
20
40
60
80
Влажность η, %
100
Температурная зависимость электропроводности тонких пленок в
Ag3In5Se9 вакууме.
Влагочувствительный
элемент
Б
T1
R1
Э
Б
K
R2
T2
R3
Э
K
9В
Электрическая схема предварительного усилителя тока,
проходящего через датчик влажности.
lgμD, см2·В-1·с-1
2,8
2,7
2,6
2,5
2,1
2,3
lgT, K
2,5
Температурная зависимость дрейфовой подвижности неосновных
носителей (дырок) в Ag3In5Se9
α, mB/K
3
2
1
200
300
400
500
T, K
600
Температурная зависимость дифференциальной термо-э.д.с.
в Ag3In5Se9
lgIф, в отн. ед.
3,0
2,0
1,0
200
250
300
T, K
Температурная зависимость фототока при возбуждении излучением с
λ=1,05 мкм
Iф, в отн. ед.
60
40
20
4
3
2
1
1,0
hν, эВ
2,0
Спектры фототока в Ag3In5Se9, при 210 К. Е: 1 – 40; 2 – 100; 3 – 318; 4 –
500.
a)
б)
Осциллограмма колебаний тока в Ag3In5Se9, а) Т=213 К,
Е=600 В/см, λ=1,135 мкм; б) Т=213 К, Е=600 В/см, λ=1,130
мкм.
a)
б)
Осциллограмма колебаний тока в Ag3In5Se9, а) Т=205 К,
Е=460 В/см, λ=1,190 мкм; б) Т=205 К, Е=460 В/см, λ=1,120
мкм.
ν, с-1
100
75
50
25
1500
1600
1700
1800
λ, нм
1900
a)
б)
Осциллограмма колебаний тока в Ag3In5Se9, λ=1,680 мкм,
Е=600 В/см, Т=210 К.
а) I=I0;
б) I=4I0.
ν, с-1
100
75
λ=1,70 мкм
50
25
560
600
640
E, R/см
680
a)
б)
Осциллограмма колебаний тока в Ag3In5Se9, λ>1,700 мкм,
а) I=9I0;
б) I=16I0.
D
D
I
0,06
0,12
0,43 эВ
0,49 эВ
IV
I
0,73 эВ
0,73 эВ
II
II
1,09 эВ
1,22 эВ
1,3 эВ
1,49 эВ
б)
III
a)
III
GaAs
Ag3In5Se9
Iкл, в отн. ед.
400
200
1
3
2
1,0
1,1
1,2
hν, эВ
1,3
Типичные спектры катодолюминесценции Ag3In5Se9 при
температуре 77 и 300 К.
Iкл, в отн. ед.
600
3
2
400
1
200
1/100
3
2
1,1
1,2
1,3
hν, эВ
1,4
Спектры катодолюминесценции Ag3In5Se9 при температуре
жидкого гелия. Ток потока электронов – I: 1 – 0,2 мкА; 2 –
0,4 мкА; 3 – 2 мкА.
Iф, в отн. ед.
0,5
0,3
0,1
200
300
400
T, K
500
Зависимость фототока, созданного светом лампы
накаливания, от температуры в образцах «А».
Iф, в отн. ед.
3,0
2,0
1,0
250
300
350
T, K
400
Температурная зависимость фототока при высоком уровне
возбуждения в образцах «А».
Iф, в отн. ед.
80
3'
60
40
2'
1'
20
1,4
1,6
1,8
2,0 2,2
hν, эВ
Спектры фотопроводимости образцов «А» после лазерного
отжига.Три температурах 256 (1'), 289 (2') и 360 К (3').
1100
400
800
1'
300
Iф, мкА
Iф, мкА
500
600
1
200
400
100
200
1,3
1,4
1,5
1,6
1,7
1,8
hν, эВ
Типичная спектральная зависимость фототока образцов «В»
– Cu3Ga5Se9 до (1) и после (1') лазерного отжига.
20
1
18
40
16
14
30
12
20
10
8
Iф×102, мкА
Iф×102, мкА
1'
50
6
4
10
2
250
270
290
310
330
350
370
390
410
T, K
Температурные зависимости фототока монокристаллов «В» –
Cu3Ga5Se9 до (1) и после (1') лазерного отжига.
100
80
60
40
lg Iф, в отн. ед.
τ, мкс
120
0.8
0.6
а
0.4
0.2
0.0
-0.2
1
3 τ, мкс
20
150
250
350
450
T, K
Температурная зависимость времени жизни неосновных носителей тока в
образцах серии «А». а – зависимость фототока от времени после
светового удара импульсной лампы ИСШ-100.
U, 0,05 В/д
t, 0,5 мкс/дел
Осциллограмма кинетики фототока, вызванного одним
импульсом лазерного излучения.
100
101
102
2
фотон/см ·с
103
а)
10
4
2
103
Δσф, в отн. ед.
2
102
1
Δσф, в отн. ед.
1
103
1,6
ЕС
1
1,45
3
102
Nr
10
2
1
101
4
ЕV
в)
100
101
102
2
фотон/см ·с
а)
103
1021
1022
1023
2
фотон/см ·с
1024
б)
104
. ед.
2 фототока в монокристалле Cu Ga Se : а)
Люкс-амперная характеристика
3
5
9
при низком уровне возбуждения;
б) при возбуждении излучением
1
неодимового лазера; в) схема энергетических переходов.
103
1,6
Е
2
4
2600
1
2200
3
Iф, мкА
Iф, мкА
2800
1800
1400
2
1000
600
1
200
1,3
1,5
1,7
1,9
hυ, эВ
2,1 2,2
Спектры фототока образцов «С», отожженных в парах
селена. Т, К: 1 – 100, 2 – 300.
Iф, в отн. ед.
2,0
1,5
1,0
0,5
250
300
350
T
400
K
Температурная зависимость фототока образцов, отожженных
в парах селена.
Свет выкл.
Iф, в отн. ед.
8
3
4
2
6
4
1
2
Уровень темнового тока
Свет вкл.
0
30
60
90
120 t, сек
Кинетика фототока образцов «С» – Cu3Ga5Se9, при низких
уровнях возбуждения.
Свет выкл.
10
Iф, в отн. ед.
8
6
4
5
6
7
8
2
Уровень темнового тока
Свет вкл.
0
30
60
90
120
150
t, сек
Кинетика фототока образцов «С» – Cu3Ga5Se9, при высоких
уровнях возбуждения.
E
K
150
BC
Iфл, в отн. ед.
D
100
A
L
50
1,0
1,4
1,8
hυ, эВ
Спектральная зависимость интенсивности
фотолюминесценции монкристалла Cu3Ga5Se9 при 85 К,
выращенного методом медленного охлаждения расплава.
500
A
B
C
300 K
Iфл, в отн. ед.
400
h r   E g  E A  E D  
e2
4 0 r
300
 r
W r   W 0  exp  
 Rd
M
E
200
D
K
L
100
1,0
1,4
1,8
hυ, эВ
Спектральная зависимость фотолюминесценции монокристалла
Cu3Ga5Se9 при 310 К, выращенного методом медленного охлаждения.



600
Iфл, в отн. ед.
400
1
200
2
1,0
1,4
hυ, эВ
1,8
Спектры фотолюминесценции монокристалла Cu3Ga5Se9 при 365 и 402 К,
выращенного методом медленного охлаждения.
Iфл, в отн. ед.
30
20
10
1
2
1,0
1,8
1,4
hυ, эВ
1
2
3
6
1,5
4
1,0
2
Фотопроводимость, в отн. ед.
Фотопроводимость, в отн. ед.
2,0
0,5
0,8
1,0
1,2
1,4
hν, эВ
1,6
Спектр ФП Cu3In5Se9 при 77 (2, 3) и 300К (1).
8
1-300 К
2-130 К
6
α·10 – 4, в отн. ед.
1
2
4
2
1
1,5
2
hν
Спектры коэффициента поглощения тонких пленок Cu3In5Se9
при 130 (1) и 300 (2) К.
15
α·103, см-1
10
5
1
2
0,9
1,0
1,1
1,2
1,3
hυ
1,4
эВ
Спектры коэффициента поглощения тонких пленок Cu3In5Se9
отожженных в парах селена.
1,268
3 1,323
3
Iфл, в отн. ед.
6
1,14
1,065
4
1,515
1,272
1,354
1
2
1,14
2
1,0
1,4
1,50
hν, эВ
1,8
Iфл, в произ. ед.
1,032
0,993
6
7
8
1 – 160 К
2 – 210 К
4
7
8
1,278
2
7
8
1
2
1,0
78
1,2
1,4
1,6
hν, эВ
Спектры фотолюминесценции образца Cu3In5Se9 при возбуждении
излучением лазера со средней мощностью 0,8 Вт.
8
Iфл, в отн. ед.
1
6
4
2
2
1,0
1,4
hν, эВ 1,8
Спектры фотолюминесценции Cu3Ga5S9
Iфл, в отн. ед.
10
1
5
3
2
1,0
1,2
1,4
1,6
1,8
2,0
hν, эВ
Спектры фотолюминесценции Cu3Ga5S9
Iф, в отн. ед.
20
4
3
15
2
10
1
5
1,6
1,8
2,0
2,2
hν, эВ
2,4
2,6
Спектр фотопроводимости кристаллов Cu3Ga5S9, 1 – 300 К; 2
– 410 К; 3 – 475 К; 4 – 500 К.
Iф, мкА
а)
1
1,0
3
0,5
2
300
T, K
500
б)
1,0
Iф, мкА
400
1
3
2
0,5
300
400
T, K
500
τ, мкс
70
60
50
300
400
T, K
500
Температурная зависимость времени жизни неравновесных
носителей заряда в Cu3Ga5S9
I, мА
5
4
3
2
1
-5
-4
-3
-2
-1
1
2
3
-1
-2
ВАХ гетероперехода p-CuInSe2-p'-GaSe
5
4
V, B
ΔIф0, в отн. ед.
3
×10
2
1
1
1,5
2,0
2,5
hν, эВ
Спектр фотоотклика гетероперехода p-CuInSe2-p-GaSe
1/C2, пф-2
20
10
-0,2
0
0,2
0,4
0,6
0,8
V, B
Воль-фарадная характеристика изотипного гетероперехода
p-CuInSe2-p-GaSe
100 nA/дел
I
p'-CuInSe2
2
p-GaSe
1
hν
V
10 В/дел
ВАХ гетероперехода p-CuInSe2-p-GaSe при темноте (1) и освещении
солнечным излучением АМ1 (2).
0,2 мкА/дел
2
n-ZnO-p-CuInSe2
I
V
2
1
2 V/дел
1
ВАХ структуры металл-n+-ZnO-p-CuInSe2-n-ZnO-металл (1)
и металл-n-Si-n+-ZnO-p-CuInSe2-n-ZnO-металл (2).
мкА
I 10
5
0,1
5
0,2
0,4
0,5 В
V
10
Im
20
30
ВАХ гетероперехода p-CuInSe2-n-ZnO при освещении при
условии АМ1.
mV
V
100
50
1
1,5
2
h
2,5
эВ
Спектр фото-эдс гетероструктуры p-CuInSe2-n-ZnO
20 мкА/дел
ZnO
+ ZnO
Cu3Ga5Se9
Si
2 В/дел
2 В/дел
I=0
Ec
VD1
VD2
Eg1
Eg2
1
a)
2
3
4
20 мкА/дел
Энергетическая диаграмма (а) и ВАХ (б) гетероперехода, выращенного
на монокристаллических кремниевых подложках
мкА
25
×100
JФ0
20
15
10
5
1
1,4
1,8 эВ
h
Спектр фотоотклика гетероперехода n-ZnO-n-Cu3Ga5Se9 при комнатной
температуре.
n-Cu3Ga5 Se9
-n-CdS
J
50 мкА/дел
V
100 В/дел
ВАХ гетероперехода n-Cu3Ga5Se9-n-CdS при температуре 77 К.
20 мкА /дел
CuGaSe 0,65Te 1,35
hν
ZnO
I
свет
темн.
n-Si
V 0,5 В/дел
ВАХ изотипного гетероперехода n-ZnO-n-Cu3Ga5Se0,65Te1,35, выращенного на
монокристаллической кремниевой подложке при темноте и освещении
пф2×103
1/C2
10
8
6
ZnO
4
2
-0,4
-0,2
0
0,2
0,4
V, B
Вольт-фарадная характеристика (ВФХ) гетероперехода n-ZnO-nCu3Ga5Se0,65Te1,35, выращенного на монокристаллической кремниевой
подложке

Тройные
полупроводниковые
соединения
типа
AIBIIICVI2
(халькопириты) являются изоструктурными аналогами соединений
AIIBVI, одним из представителей которых является соединение CdS.
Фактор расхождения между параметрами кристаллической структуры
CdS и структуры кристаллов, представителей класса AIBIIICVI2
составлял более 5 %. Однако, твердые ратворы двух соединений
CuGaSe2 и CuGaTe2 по параметрам кристаллической структуры очень
приближаются к кристаллу CdS. Например, фактор расхождения
между структурами кристаллов CuGaSe0,65Te1,35 и CdS составляет
около 1 %. Исходя из этих соображений получены гетероструктуры
этих соединений, которые являются изотипными. Гетероструктуры
полученны в следующей последовательности. На стеклянную
подложку с проводящим слоем из In2O3 с температурой 210 К был
осажден слой CuGaSe0,65Te1,35 толщиной 10 мкм. Затем, сверху
напыляли слой CdS, также толщиной 15-20 мкм. На открытую
поверхность слоя CdS наносили омический контакт из серебряной
пасты. ВАХ описывается формулой, выведенной Андерсоном для
изотипных переходов:
 qV   qV 
 qV 
I  B exp  D 2 exp 2   exp  1  ,
 kT   kT 
 kT 




ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ
Разработана технология получения тонких пленок конгруэнтно и
инконгруэнтно плавящихся полупроводниковых соединений, путем
термического испарения размельченных пылинок вещества, при
отсутствии контакта его с испарителем, а также изготовлены гомо- и
гетеропереходы на основе тонких пленок тройных халькогенидов.
Методом Крамера-Кронига вычислены мнимая часть диэлектрической
проницаемости и функция потери энергии от максимальных значений
частоты поперечных и продольных оптических мод в монокристаллах
Cu3Ga5Se9, Cu3Ga5S9, Cu3In5Se9, Cu3In5S9, CuInSe2, Cu3In5S9, Ag3Ga5S9,
Ag3In5Se9, Ag3Ga5Se9. Показано, что постоянные силы связи атомов
уменьшается при замене атомов галлия атомами индия в изученных
кристаллах.
В интервале температуры 200 – 220 К в монокристалле Ag3In5Se9 в
направлении перпендикулярном кристаллографической оси C обнаружена
осцилляция тока, стимулированная Ик излучением и электрическим
полем. Установлено, что низкочастотные колебания фототока в Ag3In5Se9
обусловлены полевой зависимостью сечения захвата уровня прилипания и
перезарядкой
рекомбинационных
центров
ИК-излучением,
а
высокочастотная осцилляция тока – акустоэлектрическим эффектом.
Построена энергетическая зонная диаграмма в центре зоны Бриллюэна
монокристалла AgIn5S8, обладающего шпинельной дефектной структурой.
Показано, что под действием мощного лазерного излучения в
полупроводниках, содержащих катионные или анионные вакантные узлы в
кристаллической решетке происходит инверсия типа электрической
проводимости.





Вакансия селена в стехиометрическом составе Cu3Ga5Se9 создает донорный
уровень с глубиной залегания от дна зоны проводимости 0,12 эВ, а катионные
вакасии – акцепторные уровни, которые играют роль активатора
фотопроводимости в интервале температуры 200 – 350 К. Неуклонный рост
фоточувствительности с увеличением температуры в интервале 200 – 400 К
происходит также в монокристаллах Cu3Ga5S9,, Ag3In5Se9, Ag3Ga5Se9.
В результате термического отжига монокристаллов Cu3Ga5Se9 в парах селена,
атомы селена замещают вакантные анионные узлы и междоузлия в
кристаллической структуре. После лазерного отжига n-Cu3Ga5Se9 превращаются
в p-Cu3Ga5Se9. На основе монокристалла p-Cu3Ga5Se9 изготовлены фоторезисторы,
обладающие временем релаксации импульса ~ 10-7 с.
На спектрах фото- и катодолюминесценции тройных халькогенидов выявлены
полосы излучения, обусловленные в основном донорно-акцепторными и
межзонными
рекомбинациями
неравновесных
электронов.
Донорноакцепторные
пары
порождаются
анион-катионными
вакансиями
кристаллической решетки. Среднее расстояние между акцепторными и
донорными центрами в Cu3Ga5S9 составляет 20 нм.
Электрическая проводимость в тонких пленках соединения Ag3Ga5S9 в основном
обусловлена поверхностной проводимостью, которая зависит от влажности
окружающей среды. Изготовлены датчики влажности на основе тонких пленок
Ag3Ga5S9, для измерения влажности атмосферы и определения количества воды в
очень малом содержании в составе органических жидкостей.
Фоточувствительная гетероструктура эпитаксиальных слоев соединений ZnO и
Cu3Ga5Se9 обладает диодной характеристикой и в сочетании со светодиодом из
GaAs ее можно использовать в изготовлении оптрона для управления
элементами тока в электрических цепях.


Изготовленная гетероструктура p-Cu3In5Se9/n-ZnO обладает высокой фоточувствительностью в области спектра электромагнитного
излучения 1 – 2,5 мкм. Эффективность преобразования солнечной
энергии данной гетероструктуры достигает 9,3 %.
Высокие уровни тока обратного смещения в гетероструктурах
тройных и двойных халькогенидов, обусловлены химической
активностью халькогена при формировании гетероструктуры
методом термического испарения вещества.