Оптоэлектронный генератор – первое практическое

ИСВЧПЭ
РАН
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники
Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН)
Оптоэлектронный генератор –
первое практическое
устройство СВЧоптоэлектроники
Директор ИСВЧПЭ РАН,
д.т.н., профессор
П.П. Мальцев
ИСВЧПЭ
Объединенная научно-исследовательская
РАНлаборатория «Сверхвысокочастотные и
оптоэлектронные устройства» (ОНИЛ СОУ)
Объединенная
научно-исследовательская
лаборатория
«Сверхвысокочастотные и оптоэлектронные устройства» (ОНИЛ СОУ)
создана в 2007 году согласно Генеральному соглашению между МГТУ
МИРЭА и ИСВЧПЭ РАН от 01 ноября 2007 года.
Заведующий
лабораторией
-
д.т.н.
Белкин
Михаил
Евсеевич.
Целью деятельности ОНИЛ СОУ является решение комплексных научных,
производственных и учебных задач в области исследования, разработки,
проектирования и опытного производства изделий СВЧ микро- и
наноэлектроники, микро- и нанофотоники для перспективных
телекоммуникационных и радиолокационных применений.
ИСВЧПЭ
Структурная
схема
РАН
оптоэлектронного генератора
(ОЭГ)
L. Maleki. Recent Progress in Opto-Electronic Oscillator. – Microwave Photonics International Topical
Meeting, 12–14 Oct. 2005, p. 81–84.
ИСВЧПЭ
Структурная схема связанного
РАН
оптоэлектронного генератора
(СОЭГ)
X. S. Yao, L. Maleki, L. Davis. Coupled opto-electronic oscillators. – Proceedings of the 1998 IEEE International Frequency
Control Symposium, 1998, p. 540.
X. S. Yao, L. Davis, L. Maleki. Coupled opto-electronic oscillator for generating both RF signals and optical pulses. – Journal of
Lightwave Technology, vol. 18, 2000, p.73.
ИСВЧПЭ
Оптоэлектронный генератор
РАН
сигналов СВЧ-диапазона
Патент на изобретение № 2436141. Оптоэлектронный генератор сигналов СВЧ-диапазона. М.Е. Белкин, Л.М. Белкин.
17.05.2010
ИСВЧПЭ
РАН
Общий вид экспериментального образца
оптоэлектронного генератора СВЧ диапазона,
разработанного в ОНИЛ СОУ
Государственный контракт № 14.740.11.0136 «Исследования по созданию конструктивно-технологического
базиса монолитных интегральных схем крайне высоких частот в диапазоне 30-40 ГГц»
Сроки: 13.09.2010-15.11.2012
По ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009-2013 гг.
заказчик Минобрнауки России
ИСВЧПЭ
РАН
Сравнение ОЭГ с серийно выпускаемыми изделиями
известных зарубежных изготовителей МИС генераторов СВЧ
диапазона, как на базе генератора, управляемого
напряжением, (ГУН) с варакторной перестройкой частоты,
так и на базе современного синтезатора частот
Мощность
генерации,
дБм
Полоса
перестройки
частоты, ГГц
Подавление
побочных
мод в
спектре, дБ
Уровень ЧМ-шумов при
отстройке от несущей частоты:
10 кГц
100 кГц
1 МГц
СВЧ генератор HMC388LP4
4,9
3,15-3,4
7
-87
-105
-
СВЧ генератор CHV2270-98
14
12,6-12,8
-
-60
-90
-113
Синтезатор частот ADF4350
5
2,2-4,4
13
-92
-111
-134
ОЭГ, разработанный в ОНИЛ СОУ
9,1
2,5-15
54
-125,4
-128,2
-137,4
ИСВЧПЭ
РАН
ПОСТАНОВЛЕНИЕ
ПРЕЗИДИУМА РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
(№ 279 от 25 декабря 2012 года)
Согласовать
следующие
дополнительные Основные научные
направления
ИСВЧПЭ
РАН: и разработка СВЧ
- исследование принципов
функционирования
оптоэлектронных генераторов в частотном диапазоне от сотен мегагерц
до сотен гигагерц;
- создание терагерцовых устройств на полупроводниковой электронике в
частотном диапазоне от 300 до 900 ГГц.
- расчет и моделирование систем на
кристалле
с
интегрированными
антеннами и усилителями для крайне