Аннотация дисциплины «Электроника» (наименование дисциплины)

Аннотация дисциплины
«Электроника»
(наименование дисциплины)
210100 «Электроника и наноэлектроника»
(код и наименование направления подготовки)
Цели освоения
дисциплины
Место
дисциплины в
структуре ООП
Требования к
результатам
освоения
210100
Целью
освоения
дисциплины
«Электроника»
является знакомство студентов с конструктивнотехнологическими основами микроэлектроники, изучение
ими основ построения и функционирования базовых ячеек
аналоговых и цифровых интегральных схем, особенностей
мощных полупроводниковых приборов и перспективных
направлений развития электроники.
В результате изучения дисциплины у студентов должны
сформироваться знания, умения и навыки, позволяющие
грамотно и эффективно решать задачи, связанные с
функционированием элементной базы радиоэлектронной
аппаратуры.
Дисциплина «Электроника» является одной из
основных дисциплин базовой части профессионального
цикла учебного плана подготовки бакалавров. Она
находится на стыке дисциплин, обеспечивающих базовую
и специальную подготовку студентов. Овладение
предметом
дисциплины
«Электроника»
является
обязательным для изучения дисциплин «Схемотехника»,
«Основы проектирования электронной компонентной
базы», «Наноэлектроника».
Процесс изучения дисциплины направлен на
формирования следующих компетенций:
 общекультурных:
- формирование способности использовать основные
законы естественно-научных дисциплин в профессиональной деятельности, применять методы математического анализа и моделирования, теоретического и
экспериментального исследования (ОК-10);
 профессиональных:
- формирование способности владеть основными
приемами обработки и представления экспериментальных
данных (ПК-5);
- формирование способности строить простейшие
физические и математические модели приборов, схем,
устройств и установок электроники и наноэлектроники
различного функционального назначения, а также
использовать стандартные программные средства их
компьютерного моделирования (ПК -19);
- формирование способности аргументировано выбирать и
реализовывать на практике эффективную методику
экспериментального
исследования
параметров
и
характеристик приборов, схем, устройств и установок
электроники и наноэлектроники различного функционального назначения (ПК -20).
В результате освоения дисциплины студент должен:
Знать:
- эквивалентные схемы активных элементов (ОК-10);
- элементную базу аналоговой и цифровой техники
(ОК-10);
устройство и основные особенности гибридных и
полупроводниковых интегральных схем (ОК-10);
- базовые технологические операции, используемые при
создании гибридных и полупроводниковых интегральных
схем (ОК-10);
основные ограничения параметров элементов интегральных схем по сравнению с дискретными полупроводниковыми приборами (ОК-10);
- области применения гибридных и полупроводниковых
интегральных схем (ОК-10);
базовые ячейки аналоговых интегральных схем,
основные виды усилительных каскадов, используемые в
интегральной схемотехнике (ПК -19);
структурную схему, основные характеристики и
параметры операционных усилителей (ПК -19);
электронные ключи и базовые логические элементы
цифровых интегральных схем, их характеристики и
параметры и основы применения (ПК -19);
- особенности мощных полупроводниковых приборов и
приборов с отрицательным дифференциальным сопротивлением (ПК -19);
основные направления развития электроники (БИС,
СБИС, БМК, ПЛИС, наноэлектроника, функциональная
электроника) (ПК -19).
Уметь:
- находить значения основных параметров полупроводниковых приборов (диодов, биполярных и полевых
транзисторов, тиристоров) в справочной
литературе,
оценивать их влияние на параметры схем, в которых они
Содержание
дисциплины
Общая
трудоемкость
дисциплины
Форма
промежуточной
аттестации
используются (ОК-10);
- изображать схемы основных усилительных каскадов на
биполярных и полевых транзисторах, проводить
графический и аналитический расчет их параметров,
сопоставлять усилительные свойства транзисторов в
различных схемах включения (ПК -19);
- изображать схемы электронных ключей и базовых
логических элементов цифровых интегральных схем,
определять их характеристики и параметры, сопоставлять
параметры различных базовых логических элементов
(ПК -19);
- экспериментально исследовать характеристики и
параметры различных электронных схем (ПК-5).
Владеть:
- методами экспериментальных исследований параметров
и характеристик материалов, приборов и устройств
вакуумной, плазменной, твердотельной, микроволновой и
оптической электроники и наноэлектроники, современными программными средствами их моделирования и
проектирования (ПК -20).
Конструктивно-технологические основы микроэлектроники.
Базовые ячейки аналоговых интегральных схем.
Базовые ячейки цифровых интегральных схем.
Полупроводниковые приборы с отрицательным дифференциальным сопротивлением.
Особенности мощных полупроводниковых приборов.
Перспективы развития электроники.
3 ЗЕТ (108 часов)
Экзамен (4)
Проф. кафедры Э и С
(Бочаров Е.И.)
Зав. кафедрой Э и С, проф.
(Филин В.А.)