Изделия электронной компонентной базы, разрабатываемые по

Изделия электронной компонентной базы,
разрабатываемые по заказам Министерства промышленности и торговли Российской Федерации
3. Разработка интегральных микросхем для средств цифровой обработки и преобразования сигналов, сетей
обмена данными, а также информационной безопасности
Раздел программы
Название ОКР
Разработка
микросхемы
двухпроцессорной
"системы на
кристалле" на базе
ядер 32-разрядных
процессоров ЦОС с
плавающей точкой
Шифр ОКР,
сроки
выполнения
"Сложность-1"
2011-2013 г. г.
Основные параметры и технические характеристики изделия ЭКБ
Предприятиеразработчик
СнК на базе 32-р процессоров цифровой обработки сигналов с плавающей точкой и периферийных ФГУП «НИИ
контроллеров Ethernet, USB2.0, UART, MIL-STD-1553 для аппаратуры управления и обработки «Аргон»
информации, связи, навигации и радиолокации.
Состав и основные характеристики СнК:
 два микропроцессорных ядра 32-р ПЦОС;
 контроллер UART 16550;
 контроллер MIL-STD-1553;
 контроллер Ethernet 10/100;
 контроллер USB2.0;
 устройство
доступа
к
устройствам;
периферийным
Характеристики ядра процессора:
 разрядность АЛУ: плавающая запятая (ПЗ) – 40 бит, фиксированная запятая (ФЗ) – 32 бит;
 умножитель: ПЗ – 40х40 бит, ФЗ – 32х32
 объем ПЗУ – 4Кх32 бит;
бит;
 устройство CPUPLL;
 объем ОЗУ/КЭШ ОЗУ – 2Кх32/128х32 бит;  таймеры – 2;
 объем адресуемой памяти – 4Gх32 бит;
 сопроцессор ПДП каналов – 6;
 8-р коммутационные порты – 6;
 тактовая частота процессора – не менее 100 МГц;
 производительность: ФЗ – не менее 50 MIPS, ПЗ – не менее 100 MFlops;
 система команд ядер ПЦОС совместима с системой команд 1867ВЦ3Ф;
 обеспечивается загрузка программ в автоматическом режиме из внутреннего ПЗУ с
помощью любого из устройств UART, USB2.0, Ethernet10/100.
Характеристики устройства UART:
 архитектура (регистровый уровень) –  режим работы – 8/32 разрядный;
NS16550A;
 режим передачи/приема – асинхронный;
 устройство UARTPLL;
 число стоп-бит – 1/1,5/2.
 скорость передачи/приема – от 1200 бод до 5 Мбод (дополнительно от 50 бод);
 контроль четности/нечетности и управление контролем четности;
 длина передаваемых/принимаемых данных – 5/6/7/8 бит;
Характеристики устройства Ethernet:
 - управление потоком фреймов;
 - стандарт – IEEE802.3х;
 - обнаружение коллизий и автопередача после коллизии в полнодуплексном режиме;
 - протокол обнаружения несущей и разрешения коллизии – CSMA/CD;
 - автоматическая генерация и проверка 32-р CRC;
 - автоматическая генерация преамбулы и ее удаление;
 - размер буфера приема/передачи 64 Кбайт, наличие режима ПДП при обмене с буфером;
 - скорость передачи – 10/100 Мбит/с.
Характеристики устройства USB2.0:
 размер буфера приема/передачи – 512 байт (дополнительно–увеличение в режиме ПДП – до
64 Кбайт);
 число поддерживаемых устройств – до 16;
 длина слова – 32 байта;
 формирование сигнала прерывания и управление
 размер пакета – до 1024
прерыванием;
байт;
 частота – до 100 МГц.
Характеристики устройства MIL-STD-1553:
- архитектура и функции по ГОСТ Р 52070-2003;
- размер буфера приема/передачи – 8 Кбайт (дополнительно).
Характеристики устройства доступа к периферийным устройствам:
- бесконфликтный доступ к периферийным устройствам из ПЦОС;
- архитектура определяется в ходе ОКР.
Электропитание: 1,8 В (ядро); 3,3 В (буферы ввода/вывода).
Корпус – металлокерамический. Проектные нормы – 0,18 мкм.
60…+85ºС.
Разработка
мультиинтерфейсног
о 8-разрядного
сопроцессора с
низким
энергопотреблением
на базе
усовершенствованно
й архитектуры MCS51 c встроенной
аппаратной
реализацией
алгоритмов
кодирования/декоди
рования
"Сложность-2"
2011-2013 г. г.
Разработка сложнофункциональной
СБИС для носителей
информации со
встроенными
блоками
криптографической
защиты
"Сложность-3"
2011-2013 г. г.
Температурный диапазон: -
Мультиинтерфейсный 8-разрядный сопроцессор с низким энергопотреблением на базе ФГУП «НИИЭТ»
усовершенствованной архитектуры MCS-51 с встроенной аппаратной реализацией алгоритмов
кодирования/декодирования. Предназначен для создания перспективных систем радиосвязи 6-го
поколения, бортовых встроенных систем управления различных видов ВВСТ и
телекоммуникационных средств специального назначения.
Состав и основные характеристики:
 разрядность данных – 8 бит;
 встроенная память программ Flash, байт – 24Кх8;
 система команд и архитектура – MCS-  встроенная память данных EEPROM, байт –
51;
4Кх8;
 тактовая частота – 24 МГц;
 встроенный блок шифрации по ГОСТ 28147-89;
 блок 16-разрядной арифметики MDU;
 число последовательных портов UART – 2;
 адресуемая память – 64Кх8 бит;
 массив программируемых счетчиков;
 поддержка режима временной диаграммы выполнения команд контроллеров серии 1830;
 число синхронных последовательных интерфейсов SPI – 2;
 контроллер интерфейса MIL-STD-1553 (ГОСТ Р 52070-2003);
 интерфейс I2C;
 интерфейс LIN.
Корпус – металлокерамический. Электропитание – 3,3 В. Температурный диапазон: -60…+125ºС.
Сложно-функциональная СБИС для носителей информации со встроенными блоками ОАО «НИИМЭ и
криптографической защиты. Предназначена для использования в составе электронных модулей «Микрон»
(портативных электронных устройств, электронных карт и т.п.) различного назначения,
реализующих функции шифрования и дешифрования данных, формирования и проверки ЭЦП, а
также сбора и хранения данных большого объема с защитой от НСД в форм-факторах SD, миниSD, микро-SD карт, а также в виде USB Flash носителей.
Состав и основные характеристики:
 процессорное ядро – 16/32 бита;
 интерфейс SD-карт;
 интерфейс USB, USB2.0, Host,
HighSpeed;
 память команд – 128 Кбайт;
 ОЗУ – 16 Кбайт;
FullSpeed,  объем поддерживаемой памяти – до 16
Гбайт;
 энергонезависимая память данных – EEPROM 4096 байт;
 блок шифрования (отечественный криптоалгоритм);
 блок хэширования (отечественный криптоалгоритм);
 блок вычисления/проверки цифровой подписи (отечественный криптоалгоритм);
 блок аппаратной поддержки алгоритма SHA-1 для выработки хэш-функций;
 блок аппаратной поддержки алгоритма RSA – длина ключа до 2048 бит;
 блок шифрования (зарубежный криптоалгоритм).
Корпус – металлокерамический. Электропитание – 3,3 В.
Технология производства: КМОП-0,18 мкм.
Температурный диапазон: -60…+85ºС.
Разработка СБИС
для реализации
доверенных
платформ
вычислительных
систем
"Сложность-4"
2011-2013 г. г.
СБИС для реализации различных криптографических и функциональных алгоритмов согласно ОАО «НИИМЭ и
международным спецификациям TCG, удовлетворяющую требованиям к базовому уровню «Микрон»
доверия («корень доверия») в технологиях доверенных вычислений. Предназначена для
использования в электронных блоках разрабатываемых образцов ВВТ, а также в перспективных
образцах вооружения и изделий двойного назначения, планируемых к разработке.
Состав и основные характеристики:
 процессорное ядро – 16/32 бита;
 ОЗУ – 16 Кбайт;
 память команд – 128 Кбайт;
 ПЗУ – 2 Кбайт;
 энергонезависимая память данных – EEPROM 4096  блок
генератора
байт;
случайной;
 блок шифрования (отечественный криптоалгоритм);
 блоки SHA и RSA;
 блок хэширования (отечественный криптоалгоритм);
 интерфейсы: LCP, PCI, Ethernet, USB2.0, 1-WireBus;
 блок формирования/верификации ЭЦП (отечественный криптоалгоритм);
двоичной
Корпус – металлокерамический. Электропитание – 3,3 В. Технология производства – КМОП-0,18
мкм.. Температурный диапазон: -60…+85ºС.
Разработка СБИС
согласованного
фильтра с
увеличенной базой и
уменьшенной
задержкой выдачи
выходной
информации
"Сложность-6"
2011-2013 г. г.
СБИС согласованного фильтра с программируемыми параметрами, предназначенная для ФГУП «НИИМАсогласованной фильтрации сложных сигналов РЛС и систем связи с базой обрабатываемых Прогресс»
сигналов 4096 отсчетов и выше в РЭА систем ПВО, корабельных РЛС и систем широкополосной
связи.
Состав и основные характеристики:
 величина базы обрабатываемого сигнала – до 4096 отсчетов, при каскадировании – до 16384;
 задержка в вычислениях комплексной свертки – меньше 0,1 мкс;
 частота входного сигнала – 3-12 МГц;
 разрядность входного и опорного сигнала – до 16 (с учетом знака);
 разрядность выходного сигнала – не менее 24 (с учетом знака);
Корпус – металлокерамический. Электропитание – 1,8 В (ядро); 3,3 В (элементы ввода/вывода).
Технология производства – КМОП-0,18 мкм. Температурный диапазон: -60…+85ºС.
Разработка
комплекта
микросхем для
неконтактного
подрыва
боеприпасов
"Сложность-7"
2011-2014 г. г.
Комплект из двух специализированных микросхем, реализующих комплекс функций, связанных с ОАО «НИИМЭ и
излучением, приемом и обработкой апериодических видеосигналов, позволяющих неконтактно «Микрон»
определить расстояние до поверхности (цели) в условиях радиопротиводействия.
Микросхема ИС 1 – оптимизирована по критерию малого энергопотребления, высокой стойкости
к перегрузкам (до 105g), предназначена для применения в боеприпасах малого калибра
авиационных, зенитных систем и ручных гранатометов.
Микросхема ИС 2 – реализует интеллектуальную обработку сигнала, допускает работу под
управлением внешнего цифрового процессора, предназначена для боеприпасов среднего калибра.
Корпус – металлокерамический; Электропитание – 1,8 В; 3,3 В;
Технология производства – КМОП-0,18 мкм. Температурный диапазон: -60…+85ºС.
Разработка БИС
управления для ВУ
боеприпасов к
малокалиберным
артиллерийским и
гранатомётным
комплексам
"Сложность-8"
2011-2013 г. г.
Специализированный микроконтроллер наряду с расширением функционального состава, имеет ОАО «НИИМЭ и
усложненный алгоритм функционирования (по сравнению с косвенным аналогом 808ХК1Н4), что «Микрон»
позволяет повысить надежность обнаружения входной импульсной кодовой последовательности и
значительно повысить надежность и эффективность комплекса ВУ.
Конструктивное исполнение – модификация 4 по ОСТ В 11 1010-2011.
Технология производства – КМОП – 0,18 мкм.
Электропитание: 5,0 В; 8,5 В. Температурный диапазон: -50…+85ºС (предельная -60…+150ºС).
Разработка
комплекта СБИС на
базе многоядерного
сигнального
микропроцессора
нового поколения
для систем связи,
навигации и
обработки
информации с
расширенными
возможностями
автономных и
сетевых приложений
"Сложность-9"
2011-2014 г. г.
СнК малопотребляющего многоядерного сигнального (коммуникационного) микропроцессора ОАО НПЦ
нового поколения, программно совместимого с серией 1892ВМхх, для систем связи, навигации и «ЭЛВИС»
обработки информации с расширенными возможностями автономных и сетевых приложений.
Состав и основные характеристики СнК:
 многоядерная гетерогенная MIMD-архитектура на базе стандартных и специализированных
ядер: стандартное (ARM или MIPS) совместимое управляющее процессорное ядро (CPU) с FPUакселерометром; два DSP-ядра, совместимых с линейкой «Elcore» с плавающей и
фиксированной точкой нового поколения с возможностью управления ресурсами микросхем и
внешней памяти; встроенные графические и видео аппаратно-программируемые акселераторы,
ядро многоканального ГЛОНАСС/GPS коррелятора;
 совместимость снизу по ПО с серией МП1892ВМхх;
 рабочая частота – не менее 500 МГц;
 пиковая производительность – не менее 8 млрд.оп/с в одинарном формате с плавающей точкой
(IEEE754) и не менее 32 млрд.оп/с в 16-разрядном целочисленном формате;
 периферия: порт DDR2 с частотой не менее 400 МГц; универсальный порт GPMC для
подключения памяти (SRAM/ROM/EPROM/FLASH/NOR FLASH,NAND FLASH/SDRAM/ Mobile
SDRAM типов) и внешних устройств; SD/MMC порт; шесть многофункциональных портов
MFBSP (LPORT, SPI, I2S, GPIO) с DMA; не менее двух универсальных порта (UART) типа
16550А; USB2.0 (HOST+DEVICE+PHY), 480 Мбит/с; «интеллектуальный» многоканальный
DMA контроллер; два I2C интерфейса; многофункциональный контроллер LCD-дисплеев с
разрешением 1024х768 пикселей; четыре встроенных контроллера ШИМ -модуляторов;
 специальные режимы системного управления и энергосбережения;
 встроенные таймеры: 32-р интервальный таймер; 32-р таймер реального времени (RTT);
32-р сторожевой таймер (WDT);
 встроенные средства отладки программ (OnCD) с портом JTAG IEEE1149.1
 инструментальное ПО, Си, Си++ компилятор для всех накристальных процессорных ядер;
Электропитание: 1,2 В (ядро); 1,8 В (периферия), 3,3 В (интерфейс USB). Проектные нормы – 4065 нм.
Корпус – POP (Package on Package) или CSP FBGA. Температурный диапазон: -60…+85ºС.
Разработка
унифицированных
металлокерамически
х матричных
корпусов (типа
СBGA) и
металлокерамически
х корпусов с
планарным
расположением
выводов с
изолирующей
рамкой (типа СQFP)
для перспективных
СБИС специального
назначения
"Сложность10"
2011-2013 г. г.
Ряд унифицированных металлокерамических корпусов с матричным и планарным расположением ЗАО НПО
выводов с повышенной стойкостью к воздействию СВВФ. Разработке подлежат: "НИИТАЛ"
металлокерамические матричные корпуса (типа CBGA) с количеством выводов 325 и 432, шагом
выводов матрицы 1,27 мм; металлокерамические корпуса с планарным расположением выводов
(типа CQFP) с изолирующей рамкой, количеством выводов 144 и 156, шагом выводов 0,5 мм.
Габаритные размеры:
 матричный корпус с числом выводов 325 – 48х48х5 мм, размер монтажной площадки – 9,0х9,0
мм;
 матричный корпус с числом выводов 432 – 51х51х5 мм, размер монтажной площадки – 12,5х12,5
мм;
 корпус с 156 планарными выводами – 27х27х3,7 мм, размер монтажной площадки – 12,0х12,0
мм;
 корпус с 144 планарными выводами – 25х25х3,7 мм, размер монтажной площадки – 12,0х12,0
мм.
Значения характеристик специальных факторов: 7.И1 -7.И7, 7.И10, 7.И11 - 6Ус; 7.И12 -7.И15 – 3Р; 7.С1
– 7.С5 - 5Ус; 7.К1 – 7.К8 – 3К.
Разработка СБИС
контроллера
управления пультом
авиационных
комплексов связи и
радиостанций
"Сложность11"
2011-2013 г. г.
Микроконтроллер универсальный широкого применения, в том числе, для управления пультом ЗАО «ПКК
авиационных комплексов связи и радиостанций.
«Миландр»
Позволяет создавать высокоэффективные унифицированные пульты управления
поколения, соответствующие требованиям современных образцов оборонной техники.
нового
Состав и основные характеристики:
 центральный 32-р процессор, совместимый с ядром ARM-Cortex-M1;
 интерфейс JTAG (IEEE1149.1) для отладки и перепрограммирования;
 контроллер интерфейса AFDX (программно-аппаратная реализация);
 четыре 16-р порта ввода-вывода общего назначения;
 128 Кбайт Flash-памяти для кода процессора;
 32 Кбайт встроенной памяти ОЗУ;
 интерфейс USB со скоростью до 12 Мбит/с;
 ШИМ не хуже 16 бит (8шт);
 интерфейсы: UART (4шт), SPI (2шт);
 детектор ШИМ (2шт);
 12-ти разрядные ЦАП (2шт) и АЦП (6  драйвер клавиатуры;
каналов);
 контроллер прерываний;
 контроллер интерфейса ГОСТ Р 52070-2003  контроллер LED дисплея;
(2шт);
 контроллер Ethernet 10/100 (МАС
 контроллер приемника ГОСТ 18977-79 (14шт);
уровень);
 контроллер передатчика ГОСТ 18977-79
(2шт);
 4-х разрядный порт ввода-вывода с нагрузочной способностью выводов 25мА и защитой от
короткого замыкания;
Корпус – металлокерамический. Технология производства: КМОП – 0,18 мкм.
Температурный диапазон: -60…+85ºС.
Разработка
сложнофункциональ
ной СБИС 16разрядного
микроконвертера со
встроенной
аппаратной
реализацией
"Сложность12"
2012-2014 г. г.
Разработка и освоение СБИС 16-разрядного микроконтроллера класса "микроконвертор" с ФГУП «НИИ ЭТ»
встроенной аппаратной реализацией алгоритмов кодирования/декодирования информации,
FLASH-памятью с функцией защиты доступа, восемью 16-разрядными АЦП, 14-разрядным
быстродействующим
ЦАП,
встроенным
сервером
периферийных
транзакций
и
последовательными интерфейсами CAN, USART, SPI, I2C.
Состав:
 процессорное ядро, поддерживающее архитектуру и систему команд MCS-96;
алгоритмов
кодирования/декоди
рования информации
 встроенную память программ (типа FLASH или EEPROM) 32 Кбайт;
 ОЗУ объемом 4 Кбайт; восемь 16-разрядных АЦП; 14-разрядный ЦАП;
 сервер периферийных транзакций PTS;
 последовательные интерфейсы CAN, USART, SPI, I2C;
 встроенные блоки ШИМ сигналов (PWM) и высокоскоростного ввода/вывода (HSIO);
 встроенный модуль отладки OCDS;
 встроенный блок шифрации (защиты информации) по ГОСТ 28147-89.
Конструкция – металлокерамический корпус 4235.88-1.
Основные параметры:
Буквенное обозначение, наименование параметра,
единица измерения(режим измерения)
UOL
UOH
UOH2
не
менее
Выходное напряжение низкого уровня по выводам RD#,
WR#, ALE, BHE#, INST, CLKOUT, RESET#,P1.0 – P1.7,
PWM.0/P2.5, TXD/P2.0, RXD/P2.1 (в режиме 0), P3.0 – P3.7,
P4.0 – P4.7, HSI.2, HSI.3,HSO.0 – HSO.3, В, (IOL= 6 мА, U#VCC1
= 3 В)
не
боле
е
Примеч.
0,4
1
Выходное напряжение высокого уровня по выводам P1.0 –
P1.7, P2.6, P2.7, В (IOH = –100 мкА, U#VCC1 = 3 В)
U#VCC1
–0,9
1
Выходное напряжение высокого уровня по выводам: RD#,
WR#, ALE, BHE#, INST, HSI.2, HSI.3, HSO.0 – HSO.3,
PWM.0/P2.5, CLKOUT, P3.0 – P3.7, P4.0 – P4.7, TXD/P2.0
(в режиме 0), В
U#VCC1
–0,9
1
(IOH = –6 мА, U#VCC1 = 3 В)
ILIL1
Ток утечки по входам P2.2 – P2.4,
ILIH1
P3.0 – P3.7, P4.0 – P4.7, HSI.0 – HSI.3, EA#, BW, READY, VPP,
мкА
минус
10
1
10
(0 В < UI<U#VCC1)
ILIL2
ILIH2
Ток утечки по входам P0.0 – P0.7,мкА
минус
0,5
(0 В < UI<U#VCC2)
1
0,5
IIH1
Входной ток высокого уровня по выводам: Р1.0- Р1.7, Р2.6,
Р2.7, мкА, (UI = 2,0 В, U#VCC1 = 3,6 В)
минус
1000
1
IIL1
Входной ток низкого уровня по выводам: Р1.0- Р1.7, Р2.6,
Р2.7, мкА, (UI = 0,45 В, U#VCC1 = 3 В)
минус
300
1
IIH2
Входной ток высокого уровня по выводу NMI, мкА,
50
1
минус
800
1
(UIH = 2,4B, U#VCC1 = 3,6 B)
IIL2
Входной ток низкого уровня по выводу RESET, мкА,
(UIL = 0 B, U#VCC1 = 3,6B)
IOCC1
Ток потребления цифровой части в режиме RESET по выводу
#VСС1, мА, (U#VCC1 = 3,6 В, fCI = 33 МГц)
50
1, 2
Icci
Ток потребления в режиме холостого хода по выводу #VСС1,
мА, (U#VCC1=3,6В, fCI = 33 МГц)
50
1, 2
Iccs
Ток потребления в режиме хранения по выводу #VСС1, мА,
3
1,2
35
1,2
30
1,2
(U#VCC1 = 3,6 В, fCI = 33 МГц)
ICC2
Ток потребления АЦП по выводу ∩VCC2, мА
(U∩VCC2 = 3,3 В U#VCC1 = 3,6 В)
ICC3
14 Ток потребления ЦАП по выводу ∩VCC3, мА
(U#VCC1=3,6 В, U∩VCC3 = 3,6 В, IOUTFS = 20 мА)
UREFOU
T
UREFIO
Выходное опорное напряжение АЦП, В
(U∩VCC2 = +3,3 В, U#VCC1= +3,3 В, CREFCAP = 0,1 мкФ)
1,37
5
1
1,14
1,26
1
Выходное опорное напряжение ЦАП, В
(U∩VCC3 = +3,3 В, U#VCC1= +3,3 В, Ioutfs = 20 мА)
ФК
1,125
Функциональный контроль (U#VCC1 = (3,0; 3,6)В, fCI = 33 МГц)
Примечание: 1. Нормы указаны для 25 °С. Нормы на параметры в диапазоне рабочих
температур окружающей среды от -600 до +125 °С уточняются в процессе ОКР. 2. Нормы на
параметры уточняются в процессе ОКР до проведения предварительных испытаний, но не
более чем на 20 %.
Частота следования тактового сигнала 0,001 … 33 МГц.
Разработка
комплекта СБИС
типа "система на
кристалле" для
навигационного
приемника
Глонасс/GPS с
низким
энергопотреблением
"Сложность13"
2012-2015 г. г.
Разработка комплекта СБИС «Система на кристалле» (СнК) для малогабаритного навигационного ФГУП «НИИ МА
приемника (НП) Глонасс/GPS низким энергопотреблением, предназначенного для использования, «Прогресс»
прежде всего, в экипировке бойца.
Комплект СБИС СнК НП включает в себя:
 цифровую СБИС СнК НП (СнК  радиочастотную СБИС СнК НП (СнК РЧНП);
ЦНП);
Состав СнК ЦНП:





36 канальный коррелятор;
 машину быстрого поиска сигнала;
блок PLL;
 встроенный 32-х разрядный RISC процессор;
блок интерфейсов;
 блок помехозащиты.
генератор сигнала секундной метки времени 1PPS;
сдвоенный асинхронный приемопередатчик (DUART) типа RS-232 со встроенным FIFO как
в канале приема, так и в канале передачи данных;
 часы реального времени, обеспечивающие отсчет времени и даты в режиме работы от
резервной батареи для ускоренного поиска сигналов при горячем и теплом старте
приемника;
 встроенный блок сверхбыстродействующего ОЗУ (СОЗУ) емкостью до 2,5 Мбит;
 ПЗУ;
Электропитание: 1,2В (ядро); 1,8В (ввод-вывод); 1,6 … 3,6В (батарейное питание).
Электрические параметры СнК ЦНП:
Наименование параметра, обозначение
 Входное напряжение высокого уровня, В
(UCC2=1,8 В)
 Входное напряжение низкого уровня, В
(UCC2=1,8 В)
 Входной ток высокого уровня, мкА
 (UCC2=1,8 В)
 Входной ток низкого уровня, мкА
 (UCC2=1,8 В)
 Выходное напряжение высокого уровня,
В (UCC2=1,8 В, Iuoh=-2 мА)
 Выходное напряжение низкого уровня, В
(UCC2=1,8 В, Iuol=2 мА)
 Рабочая частота встроенного
процессора,МГц
 Рабочая частота входного сигнала,МГц
 Энергопотребление в активном режиме,
слежение, мВт (UCC2=1,8 В, UCC1=1,2
В)
не менее номинал не более
 UIH  1,2

 2,2
 UIL  -0,3

 0,5
 IIL
 -10

 10
 IOL  -10

 10
 UO
 1,4
H


 UOL 

 0,4
 F pr 
 60

 Fs

 32

 70
 16
 P act 

Состав СнК РЧНП:






МШУ;
смесители;
фильтры;
ГУН (LO);
АЦП;
мультиплексор;






делители частоты;
фазосдвигающую цепь 0/90 град;
PLL синтезатор частоты;
регулируемые усилители ПЧ;
умножитель на 2;
ФНЧ с программируемой полосой пропускания.
Т среды,
С
 -40…+85
400…+8
50
Электропитание СнКРЧНП: 1,8В +/- 10%.
Электрические параметры СнК РЧНП:
Наименование параметра, единица измерения
 Напряжение питания, Ucc3 ,В
 Энергопотребление в активном режиме, Pact,
мВт
 (UCC3= 1,8В)
 Диапазон несущих частот входного сигнала,
Fs, МГц
 Коэффициент шума, дБ
Разработка
комплекта
микросхем
управления
взрывательными
устройствами
малокалиберных
боеприпасов
"Сложность14"
2012-2015 г. г.
не менее
номина
л
 1,6

 1,8

не
более
Т среды,С
 2,0
 30

 1575

 1607

3

40 …
+85
Разработка комплекта микросхем для управления взрывательными устройствами малокалиберных ОАО «НИИМЭ и
боеприпасов, состоящего из трех типов (типономиналов):
Микрон»
 цифровая заказная БИС управления для МФВУ МКБ с ДУВП, построенных
на принципах радиочастотной идентификации» (ИС1);
 цифроаналоговая заказная БИС управления для МФВУ МКБ с ДУВП, построенных на
принципах радиочастотной идентификации» (ИС2);
 СБИС бортового микроконтроллера для дистанционно управляемых и предконтактных ВУ
боеприпасов» (ИС3).
Конструкция – кристаллы на общей пластине, неразделенные (мод. 4 по ОСТ В111010-2001). В
процессе ОКР определяется возможность корпусного исполнения.
Разрабатываемые микросхемы должны содержать следующие функциональные узлы:
ИС1:
 узел цифровой обработки поступающих команд;
 входы для подключения концевого (контактного) датчика и датчика выстрела.
ИС2:
 узел цифровой обработки поступающих команд;
 входы для подключения концевого (контактного) датчика и датчика выстрела;
 встроенные времязадающие генераторы тактирования 7,8 МГц и 5 кГц;
 частота тактирования 7,8 МГц и 5 кГц (должна быть уточнена на 1 этапе ОКР);
 встроенный конденсатор резонансного контура радиочастотной идентификации, выпрямитель и
формирователь цифрового кода;
 встроенная схема модуляции для передачи выходного сигнала;
 встроенный стабилизатор напряжения питания ядра с возможностью получения энергии от ВЧ
поля радиочастотной идентификации;
 энергонезависимая память (емкость должна быть уточнена на 1 этапе ОКР);
 встроенный сильноточный транзистор с Rdson менее 0,5 Ом.
ИС3:





аналоговый компаратор с порогом 1 В;
дешифратор входной кодовой последовательности импульсов;
таймер 16 бит с программируемым предделителем;
ключ для однократного импульсного срабатывания 3 А;
тактовый задающий RC генератор с частотой 2 МГц и временной стабильностью частоты не
хуже 10-4 (параметры RC генератора должны быть уточнены на 1 этапе ОКР);
 вторичные источники питания с током нагрузки до 20 мА для питания внешних блоков;
 интерфейс обмена с внешними объектами, построенный на принципе радиочастотной
идентификации.
Состав других блоков уточняется на первом этапе ОКР.
Значения электрических параметров:
Буквенное обозначение, наименование параметра,
единица измерения, режим измерения
не
менее
UOL
Выходное
напряжение
низкого
уровня
цифрового выхода, В, при IOL = 2,0 мA, UDD_MIN
UOH
Выходное напряжение высокого уровня
0,7UDD
цифрового выхода, В, при IOH = - 3,0 мA, DD_MIN
UDD
Напряжение на выходе регулятора питания
цифрового ядра, В
номи
не более
нал
T
среды, С
0,4
UDD_MI
N
60 …+85
0
0
UDD_MAX
Остаточное напряжение выходного ключа, В
UDS
1,35
(IS=1 А, UCC=8 В; длительность импульса 2 мс,
скважность более 50)
250
ICC
25
10
Ток потребления цифрового ядра в статическом
режиме, мкА, при UDD_MIN
600…+85
30
0
tUCC
Rзамкн
Время
установления
напряжения
формирователя
стабилизированного
электропитания цифрового ядра, мсек, при UCC
=8В
10
Сопротивление внешнего контактного датчика,
при котором должно происходить срабатывание
по входу «Контакт 1», Ом
100
250
60 …+85
0
Rразомк
н
Сопротивление внешнего контактного датчика,
при котором
не должно происходить
срабатывание по входу «Контакт 1», кОм
0
100
Значения электрических параметров микросхем ИС2:
Норма
Буквенное обозначение, наименование параметра,
единица измерения, режим измерения
UOL
UOH
не
менее
Выходное
напряжение
низкого
уровня
цифрового выхода, В, при IOL = 2,0 мA, UDD_MIN
Выходное напряжение высокого уровня
0,7UDD
цифрового выхода, В, при IOH = - 3,0 мA, UDD_MIN
номи
нал
не
боле
е
Температу
ра
среды, С
0,4
-600…+850
UDD
Напряжение на выходе регулятора питания
цифрового ядра, В
UDD_
UDD_
MAX
MIN
Остаточное напряжение выходного ключа, В
UDS
1,35
250
20
50
250
50
150
-600…+850
(IS=1 А, UCC=8 В; длительность импульса 2 мс,
скважность более 50)
ICC
Ток потребления цифрового ядра в статическом
режиме, мкА, при UDD_MAX
fOSC1
Частота генератора 1, кГц
4,5
5
5,5
fOSC2
Частота генератора 2, МГц
7,02
7,8
8,58
Rзамкн
Сопротивление внешнего контактного датчика,
при котором должно происходить срабатывание
по входу «Контакт 1», Ом
Rразомк
н
Сопротивление внешнего контактного датчика,
при
котором
не
должно
происходить
срабатывание по входу «Контакт 1», кОм
-600…+850
100
-600…+850
100
Значения электрических параметров микросхем ИС3:
Норма
Буквенное обозначение, наименование параметра,
не
менее
единица измерения, режим измерения
UOL
UOH
Выходное напряжение низкого уровня цифрового
выхода, В, при IOL = 2,0 мA, UDD_MIN
Выходное
напряжение
высокого
уровня
номи
нал
Т
не
более
0,4
0,7
среды, С
-600…+850
UDD
UIT1
UDS
ICC
Напряжение на выходе
цифрового ядра, В
UDD_
регулятора
питания
UDD_MAX
MIN
Пороговое напряжение компаратора 1(вход
«Сигнал»), В; (длительность импульса 0,20,5 мкс)
0,8
1,0
1,35
Ток потребления в режиме отсчета интервала,
мА, при UDD_MAX
Rзамкн
Сопротивление внешнего контактного датчика,
при котором должно происходить срабатывание
по входу «Контакт 1», Ом
1,8
Сопротивление внешнего контактного датчика,
при котором
не должно происходить
срабатывание по входу «Контакт 1», кОм
1,2
+250
Остаточное напряжение выходного ключа, В
(IS=1 А,UCC=8 В; длительность импульса 2мс,
скважность более 50)
Частота генератора 1, МГц
н
"Процессор-1"
2011-2015 г. г.
UDD
fOSC1
Rразомк
Разработка
гетерогенного
микропроцессора с
пиковой
производительность
ю более150 Gflops на
базе
высокопроизводител
ьных универсальных
64-разрядных
цифрового выхода, В, при IOH = - 3,0мA, UDD_MIN
1
2
1,5
3
600…+85
2
2,2
0
100
-600…+850
100
Многоядерный МП с пиковой производительностью не менее 150 Gflops для первичной и ЗАО "МЦСТ"
вторичной обработки больших объемов оцифрованных сигналов в режиме реального времени.
МП совместим с универсальными ядрами МП 1891ВМ7Я, другими микросхемами на архитектуре
этих ядер и вычислительными средствами на их основе.
«МП-К» содержит средства
энергосбережения.
Состав и основные характеристики МП:
 микропроцессорные ядра от 8 до
12;
 кэш память 4…8
Мб;
 системный коммутатор;
 контроллеры периферийных интерфейсов:
 DDR3;
 высокоскоростные линки для возможности комплексирования «МП-К» в системе
терафлоповой и более производительности;
 линки ввода/вывода, обеспечивающие, в том числе, возможность приема оцифрованных
сигналов от АЦП;
 разрядность данных универсального процессорного ядра – 8; 16; 32; 64 бита;
 пиковая производительность «МП-К» не менее 150 Gflops;
 суммарная пропускная способность высокоскоростных линков не менее 24 Гбайт/с;
 электропитание: 0,9В(ядро); 1,8 В (узлы памяти); 2,5 В (периферийные каскады); 1,8 В (каскады
LVDS);
 рассеиваемая мощность не более 45 Вт.
В качестве общего программного обеспечения (ОПО) должно использоваться ОПО, разработанное
для МП 1891ВМ7Я, функционирующее под управлением ОС «Эльбрус». Проектные нормы – 45
нм и ниже.
процессорных ядер
Разработка 64разрядного
микропроцессора со
встроенной графикой
с пиковой
производительность
ю более 24 Gflops
"Процессор-2"
2011-2015 г. г.
64-р МП со встроенной графикой с пиковой производительностью более 24 Gflops, управляемый ЗАО "МЦСТ"
ОС «Эльбрус». Предназначен для обработки информации в информационно-вычислительных
системах и системах реального времени. «МП-Ч» ориентирован также на импортозамещение
вычислительной техники в классе настольных ЭВМ. В качестве общего программного
обеспечения (ОПО) используется ОПО, функционирующее под управлением ОС «Эльбрус».
Проектные нормы – 90 нм и ниже.
Состав и основные характеристики МП:
 процессорное ядро – 2;
 контроллер ввода/вывода информации;
 L2кэш – 256-512 Кбайт;
 встроенная графика;
 средства энергосбережения;
 контроллер PCI Express x16;
 контроллер памяти не ниже DDR2;
 рассеиваемая мощность 7 Вт;
 разрядность данных процессорного ядра – 8; 16; 32; 64 бита;
 пиковая производительность – не менее 24 Gflops;
 встроенная графика обеспечивает режим 3D графики с производительностью не менее 0,5
Gpix/с;
 электропитание: 0,9В(ядро); 1,8В(узлы памяти); 2,5В (периферийные каскады); 1,8 В
(каскады LVDS);
Разработка и
изготовление на
отечественном
производстве
универсального
микропроцессора
Эльбрус-1С с
пиковой
производительность
ю более 12 млрд.
оп/с
"Процессор-3"
2011-2014 г. г.
Разработка
микросхемы с СФблоком матричновекторного
процессорного ядра
для цифровой
обработки сигналов с
архитектурой
NeuroMatrix
"Процессор-4"
2011-2015 г. г.
64-р МП с пиковой производительностью более 12 млрд.оп/с, предназначен для ЗАО "МЦСТ"
высокопроизводительной обработки информации в составе встроенных вычислительных
комплексов в режиме реального времени. Микропроцессор с архитектурой широкого командного
слова для многопроцессорных систем с когерентной распределенной общей оперативной памятью.
Состав и основные характеристики МП:
 архитектура универсального процессорного ядра «Эльбрус» (количество ядер определяется на
этапе технического проекта);
 кэш-память – 2 Мбайт;
 системный контроллер, включая:
 контроллер прерываний;
 контроллер оперативной памяти DDR2;
 контроллер ввода/вывода;
 контроллер межпроцессорного канала связи;
 разрядность данных универсального процессорного ядра – 8; 16; 32; 64 бита;
 пиковая производительность – не менее 12 млрд.оп/с;
 возможность комплексирования в многопроцессорные и многомашинные системы;
 МП «Эльбрус-1С» программно совместим с МП 1891ВМ7Я;
 электропитание – 1 В (ядро); 1,8 В (узлы памяти); 2,5 В (интерфейс стандартного ввода/вывода);
 рассеиваемая мощность не более 18 Вт.
В качестве общего программного обеспечения (ОПО) должно использоваться ОПО, разработанное
для МП 1891ВМ7Я, функционирующее под управлением ОС «Эльбрус». Проектные нормы – 90
нм.
Процессор цифровой обработки сигналов на базе СФ-блока высокопроизводительного матрично- ЗАО НТЦ
векторного процессорного ядра с архитектурой NeuroMatrix.
"Модуль"
Предназначен для построения широкого класса высокопроизводительных вычислительных систем
на кристалле (СнК), выполняющих цифровую обработку широкополосных сигналов,
представленных в формате с плавающей точкой, в формате с фиксированной точкой или в обоих
форматах в устройствах радиолокации, навигации и связи.
Состав и основные характеристики матрично-векторного процессора:
 процессорное ядро NMC4 с архитектурой NeuroMatrix и максимальной производительностью не
менее 16 Gflops и 112 GMAC в секунду;
 внутренняя статическая память – не менее 16 Мбит;
 системный контроллер для доступа ядра к внутренней и внешней памяти;
 контроллер прямого доступа к  контроллер внутренних и внешних прерываний;
памяти;
 параллельный 32-р интерфейс с внешней динамической памятью синхронного типа;
 четыре высокоскоростных последовательных канала связи с пропускной способностью не менее
1 Гб/с каждый;
 интерфейс USB (device);
 jTAG интерфейс (IEEE1149.1);
 интерфейс SPI с четырьмя сигналами выборки кристалла;
 восемь послед. портов ввода/вывода общего назначения;
Максимальная частота работы процессорных ядер – не менее 500 МГц.
В состав СФ-блока матрично-векторного процессорного ядра NMC4 входят:
 32-р RISC-процессор с VLIW-архитектурой, выполняющий в каждом такте 3 операции
(арифметическую или логическую, формирование адреса команд или данных, операции
ввода/вывода);
 64-р матрично-векторный сопроцессор, выполняющий в каждом такте до 224 операций
умножения с накоплением (МАС) над данными в формате с фикс. точкой и программируемой
разрядностью (от 2 до 64 бит);
 сопроцессор переупаковки векторных данных, обеспечивающий программно задаваемую
перестановку данных, упакованных в 64-разрядных словах;
 матрично-векторный сопроцессор, выполняющий в каждом такте не менее 32 операций с
плавающей точкой (FLOP) над 32-разрядными операндами.
Электропитание: 1,0 В (ядро); 1,8 В (буфер ввода/вывода SSTL); 3,3 (буфер ввода/вывода КМОП).
Разработка
суперскалярного
высокопроизводител
ьного 64-разрядного
микропроцессора с
архитектурой
КОМДИВ и
встроенными
высокоскоростными
последовательными
каналами
"Процессор-5"
2011-2015 г. г.
64-р суперскалярный МП с архитектурой КОМДИВ и встроенными высокоскоростными НИИСИ РАН
последовательными каналами. Предназначен для создания высокопроизводительных мобильных и
встраиваемых многопроцессорных вычислительных комплексов, функционирующих в режиме
реального времени. МП «КОМДИВ64-М» представляет собой двухъядерный микропроцессор с
раздельными каналами памяти и коммуникационными каналами.
Состав и основные характеристики МП:
 - два ядра процессора для обработки 64-р чисел с фиксированной запятой, программно
совместимые с процессором «КОМДИВ-РИО»;
 - два арифметических сопроцессора для обработки чисел с плавающей запятой одинарной и
двойной точности;
 - кэш-память первого уровня инструкций и данных объемом не менее 16 Кбайт каждая для
каждого ядра;
 - контроллер кэш-памяти второго уровня, реализующий сбоеустойчивый протокол работы с
кэш-памятью второго уровня;
 - встроенная кэш-память второго уровня – 512 Кбайт;
- системный контроллер в составе:
 контроллер флэш-памяти;
 контроллер каналов прямого доступа к памяти
(DMA);
 контроллер прерываний;
 контроллер Ethernet 10/100/1000  не менее двух программируемых таймеров;
Мбит/с;
 частота функционирования МП – 0,8-1,5 ГГц;
 контроллер USB 2.0;
 jTAG интерфейс;
 два контроллера динамической памяти, реализующие сбоеустойчивый протокол работы с
внешней памятью;
 не менее двух последовательных дуплексных каналов SerRapidIO 4X/1X с частотой
передачи не менее 3,125 Гбит/с;
 встроенные SCAN-цепочки для тестирования кристаллов микросхемы;
 производительность: 2-2,5 Г оп/с – операции с фиксированной точкой; 15-20 Гфлопс –
операции с плавающей точкой.
МП «КОМДИВ64-М» программно совместим с МП «КОМДИВ-РИО».
Потребляемая мощность – не более 25 Вт.
Диапазон рабочих температур: -60…+85ºС (предельная +125ºС).
Разработка
высокопроизводител
ьного сопроцессора с
встроенными
каналами
межпроцессорного
обмена и 128-256-ти
разрядной входной
шиной для систем
цифровой обработки
"Процессор-6"
2011-2015 г. г.
Высокопроизводительный микропроцессор со встроенными каналами межпроцессорного обмена и НИИСИ РАН
128-256 разрядной входной шиной для систем цифровой обработки сигналов.
Предназначен для построения мобильных высокопроизводительных вычислительных систем
обработки сигналов. МП «КОМДИВ128-М» программно совместим с МП «КОМДИВ128».
Функционирование под управлением ОС РВ Багет версий 2.0; 3.0 и ОС типа Unix.
Производительность операций с плавающей запятой не менее 32 Гфлопс.
 Скорость обмена по интерфейсу RapidIO не менее 3,125 Гбит/с.




сигналов военного
назначения
Разработка и
изготовление на
отечественном
производстве
комплекта
микросхем
многоядерных
сигнальных
микропроцессоров
"Процессор-7"
2011-2014 г. г.
Объем встроенной памяти не менее 1 Мбайт.
Скорость обмена с внешней памятью не менее 6,4 Гбит/с.
Потребляемая мощность не более 8 Вт.
Диапазон температур: -60…+85ºС (предельная +125ºС).
Комплект многоядерных сигнальных микропроцессоров отечественного производства по ОАО «НИИМЭ и
технологии КМОП 0,18 мкм, программно совместимых с серией 1892ВМхх. Процессоры «Микрон»
предназначены для цифровой обработки сигналов в блоках обработки коммутации и управления
РЛС, радиостанциях нового поколения, аппаратуре обмена данными, аппаратуре
внутриобъектовой связи, навигационной аппаратуре, системе мобильного беспроводного
широкополосного доступа, в встроенных системах авиационного управления и др.
Состав и основные характеристики микропроцессора МС-12М2:









MIPS32 совместимое ядро с акселератором плавающей точки (FPU);
SISD DSP архитектуры «Elcore» с плавающей и фиксированной точкой;
совместимость снизу по ПО с серией МП 1892ВМхх;
рабочая частота не менее 110 МГц;
пиковая производительность – не менее 330 MFlops;
интегральный объем встроенной памяти не менее 4 Мбит;
четыре многофункциональных порта MFBSP (LPORT, SPI, I2S, GPIO) с DMA;
универсальный асинхронный порт (UART) типа 16550;
32-порт внешней памяти MPORT со встроенным контроллером доступа к внешней памяти типа
SRAM/SDRAM/FLASH/ROM;
 два порта обмена послед.кодом (SPORT) совместимые с ADSP21160 (ф. ADI);
 DMA контроллер;
 встроенные средства отладки (OnCD) с портом JTAG IEEE1149.1;
 встроенный множитель/делитель входной частоты (PLL);
 программируемые режимы энергосбережения;
 корпус типа QFP или HSBGA.
Состав и основные характеристики микропроцессора МС-24М:
 MIPS32 совместимое ядро с акселератором плавающей точки (FPU);
 два SIMD DSP архитектуры «Elcore» с плавающей и фиксированной точкой;
 совместимость снизу по ПО с серией МП 1892ВМхх;












рабочая частота не менее 110 МГц;
пиковая производительность – не менее 660 MFlops;
интегральный объем встроенной памяти не менее 4 Мбит;
четыре многофункциональных порта MFBSP (LPORT, SPI, I2S, GPIO) с DMA;
универсальный асинхронный порт (UART) типа 16550;
64-порт внешней памяти MPORT со встроенным контроллером доступа к внешней памяти типа
SRAM/SDRAM/FLASH/ROM;
два порта обмена послед.кодом (SPORT) совместимые с ADSP21160 (ф. ADI);
DMA контроллер;
встроенные средства отладки (OnCD) с портом JTAG IEEE1149.1;
встроенный множитель/делитель входной частоты (PLL);
программные режимы энергосбережения;
корпус типа HSBGA.
Состав и основные характеристики микропроцессора МС-226М:









MIPS32 совместимое ядро с акселератором плавающей точки (FPU);
два 2SIMD DSP архитектуры «Elcore» с плавающей и фиксированной точкой;
совместимость снизу по ПО с серией МП 1892ВМхх;
рабочая частота не менее 110 МГц;
пиковая производительность – не менее 1320 MFlops;
интегральный объем встроенной памяти не менее 4 Мбит;
четыре многофункциональных порта MFBSP (LPORT, SPI, I2S, GPIO) с DMA;
универсальный асинхронный порт (UART) типа 16550;
64-порт внешней памяти MPORT со встроенным контроллером доступа к внешней памяти типа
SRAM/SDRAM/FLASH/ROM;
 контроллер шины PCI в соответствии со спецификацией Local Bus Specification Rev.2.2.
Тактовая частота – до 66 МГц, разрядность – 32, режимы Master и Slave, встроен арбитр с
циклически изменяемыми приоритетами запросов;
 DMA контроллер;
 встроенные средства отладки (OnCD) с портом JTAG IEEE1149.1;
 встроенный множитель/делитель входной частоты (PLL);
 программируемые режимы энергосбережения;
 корпус типа HSBGA.
Электропитание микросхем: периферия (PVDD, Ucc1) 3.3В; ядро (CVDD, Ucc2) 2,5В или 1,8В.
Температурный диапазон: -60…+85ºС.
Проектные нормы 0,18 мкм.
Разработка
микросхемы
контроллера
периферийных
интерфейсов КПИ-2
для многоядерных
микропроцессоров с
архитектурой
"Эльбрус" с
суммарной
пропускной
способностью
ввода/вывода не
менее 16 Гбайт/с
"Процессор-8"
2014-2015 г. г.
Разработка микросхемы контроллера периферийных интерфейсов «КПИ-2» для многоядерных ЗАО "МЦСТ"
микропроцессоров с архитектурой «Эльбрус» с суммарной пиковой пропускной способностью
ввода/вывода не менее16 Гбайт/с. Технологические проектные нормы – 65 нм и ниже.
Функциональное назначение:
 сопряжение многоядерных микропроцессоров с архитектурой
«Эльбрус»
в составе
вычислительных средств на их основе с перспективными периферийными устройствами через
системный интерфейс полностью совместимый с интерфейсом ввода-вывода микропроцессоров,
разрабатываемых в ОКР «Процессор-1» и «Процессор-2»;
 сопряжение аппаратуры объектов Заказчика с управляющими вычислительными комплексами
серии «Эльбрус».
Состав «КПИ-2»:
 контроллер
системного  контроллер внешних
 контроллер
интерфейса;
прерываний;
таймеров;
 контроллер сетевого интерфейса Ethernet 1 Гбит/с (2 МАС);
 контроллер интерфейса шины РСIExpress 2.0;
 контроллер дискового интерфейса SATA-2 или SATA-3;
 контроллер звукового интерфейса INTEL HDA (high definition audio);
 контроллер последовательного интерфейса USB 2.0 или USB 3.0;
 контроллер последовательного интерфейса RS-232/485;
 контроллер интерфейса шины PCI 66 МГц;
 контроллер последовательных интерфейсов SPI и I2C;
 контроллер параллельного интерфейса IEEE-1284;
 контроллер универсальных программируемых входов-выходов GPIО.
Номинальные значения напряжений питания должны быть: UCC1 = 1,0 В для питания ядра; UCC2 =
2,5 В для питания периферийных каскадов кроме интерфейсов IntelHDA и LVDS; UCC3 = 3,3В для
питания периферийных каскадов интерфейсов IntelHDA и LVDS (в случае разработки интерфейса
RDMA). Рассеиваемая мощность - не более 15 Вт.
Электрические параметры (при t среды: -60…+100°С):
Обозначение, наименование параметра, единица измерения
не менее
не
более
UOH1 Выходное напряжение высокого уровня интерфейса BIO, В
при UCC1=1,0 В, UCC2=2,25 B, UCC3 =3,3 B
1,7
UOL1 Выходное напряжение низкого уровня интерфейса BIO, В
0,7
при UCC1=1,0 В, UCC2 =2,25 B, UCC3 =3,3 B
UOD1 Выходное дифференциальное напряжение интерфейсов PCIe и
SATA, В при UCC1=1,0 В, UCC2 =2,25 B, UCC3 =3,3 B
0,4
0,6
0,26
0,42
UOD2 Выходное дифференциальное напряжение интерфейса LVDS, В
при UCC1=1,0 В, UCC2 =2,5 B, UCC3 =3,0 B
UOH2 Выходное напряжение высокого уровня интерфейса PCI, В
при UCC1=1,0 В, UCC2 = 2,25 В, UCC3 =3,3 B
0,9UCC
UOL2 Выходное напряжение низкого уровня интерфейса PCI, В
0,1UCC
при UCC1=1,0 В, UCC2 = 2,25 В, UCC3 =3,3 B
UOH3 Выходное напряжение высокого уровня интерфейса USB, В
при UCC1=1,4 В, UCC2 = 2,5 В, UCC3 =3,0 B, UIH3=3,0
UOL3 Выходное напряжение низкого уровня интерфейса USB, В
2,8
0,3
при UCC1=1,0 В, UCC2 = 2,25 В, UCC3 =3,3 B
UOH4 Выходное напряжение высокого уровня интерфейса IntelHDA, В
при UCC1=1,0 В, UCC2 = 2,25 В, UCC3 =3,0 B
0,9UCC3
UOL4 Выходное напряжение низкого уровня интерфейса IntelHDA, В
0,1UCC
при UCC1=1,0 В, UCC2 = 2,5 В, UCC3 =3,0 B
fС
Частота следования импульсов тактовых сигналов ядра, МГц
при UCC1=0,90 В, UCC2 =2,25 B, UCC3 = 3,0 В
Разработка и
изготовление на
отечественном
производстве
микросхем
постоянных
запоминающих
устройств емкостью
16 Мбит и 32 Мбит
"Память-1"
2011-2013 г. г.
500
МПЗУ, информационная емкость:
16М (2М х 8), 16М (1М х 16),
ОАО «НИИМЭ и
«Микрон»
32М (4М х 8), 32М (2М х 16),
время выборки не более 80 нс,
Uп.матрицы = 1,8 В ± 10 %,
Uп.вых. = 3,3 В ± 10 %, I п.дин. не более 50 мА на F = 5 МГц,
диапазон рабочих температур: - 60…+85ºС.
Значения характеристик специальных факторов: 7.И1 - 4Ус; 7.И6 - 0,31Ус; 7.И7 - 1,64Ус; 7.С1 504Ус; 7.С4 - 0,85Ус; 7.К1 - 0,42К; 7.К4 - 0,41К.
Разработка и
изготовление на
отечественном
производстве
микросхем
репрограммируемой
"Память-2"
2011-2014 г. г.
Флеш РПЗУ NOR 1М (128К х 8),
ОАО «НИИМЭ и
Микрон»
tв не более 90 нс, Uп = (2,5…6,0) В, Iп дин = 40 мА, время стирания/ записи страницы не более 8 мс, Nц.стир/записи не мене
температур: - 60…+85ºС.
Значения характеристик специальных факторов: 7.И1 - 4Ус; 7.И6 - 0,31Ус; 7.И7 - 1,64Ус; 7.С1 - 504Ус; 7.С4 - 0,85Ус; 7.К
памяти типа FLASH
информационной
емкостью 1 и 8 Мбит
Флеш РПЗУ NOR 8М (1M x 8),
tв не более 70 нс, Uп = (2,5…6,0) В , Iп дин = 50 мА, время стирания/ записи страницы не более 8 мс,
Nц.стир/записи не менее 105, диапазон рабочих температур: - 60…+85ºС.
Значения характеристик специальных факторов: 7.И1 - 4Ус; 7.И6 - 0,31Ус; 7.И7 - 1,64Ус; 7.С1 - 504Ус; 7.С4 - 0,85Ус; 7.К
Разработка и
изготовление на
отечественном
производстве
микросхем
статических
оперативных
запоминающих
устройств емкостью
16 Мбит и 32 Мбит
Разработка серии
ПЛИС емкостью 300
и 500 тысяч
системных вентилей
и ПЗУ для их
конфигурации
"Память-3"
2011-2014 г. г.
СОЗУ асинхронное 16М (1Мх16), 16М (512Кх32), 32М (1Мх32), 32М (2Мх16),
tв не более 10 нс, Uп1 = 1,2 В ± 10 %, Uп2 = 2,5 В ± 10 %, Iп.дин. не более 100 мА, Iхр. не более
100 мкА (уточняется в процессе ОКР). Диапазон рабочих температур: - 60…+85ºС. Корпус Н18.643B,
ОАО «НИИМЭ и
Микрон»
Значения характеристик специальных факторов: 7.И1 - 4Ус; 7.И6 - 0,31Ус; 7.И7 - 1,64Ус; 7.С1 504Ус; 7.С4 - 0,85Ус; 7.К1 - 0,42К; 7.К4 - 0,41К.
"Логика-1"
2011-2014 г. г.
ПЛИС емкостью 300 и 500 тысяч системных вентилей и ПЗУ для их конфигурации.
ОАО "КТЦ
"ЭЛЕКТРОНИКА
Режимы работы ПЛИС: программируемый «скрабинг»-режим; программируемый режим "
верификации конфигурационной памяти без выхода из рабочего состояния; режимы
последовательной и параллельной загрузки конфигурации по специальному загрузочному порту;
входной язык программного обеспечения конфигурирования ПЛИС Verilog, VHDL.
Состав ПЛИС (*- уточняется в процессе ОКР):
ПЛИС
1
ПЛИС 2
 количество умножителей 18х18, не менее
12
20
 количество портов интерфейса JTAG
1
1
 количество портов загрузки
1
1
3500
6000
 количество эквивалентных логических элементов (аналог элемента
FLEX ф.Altera–4-х входовой LUT, схемы переноса, триггера и схемы
его управления)
 объем встроенной памяти, Кбит
234*
288*
 количество выводов пользователя
150*
150*
+
+
 программируемые блоки удержания выводов пользователя в последнем
состоянии (режим BusHold)
Состав ПЗУ:
 емкость памяти
 количество портов интерфейса JTAG  количество портов загрузки –
2Мбит;
– 1;
1.
Конструкция – металлокерамический герметичный корпус. Состав и нормы динамических
параметров ПЛИС и ПЗУ устанавливаются на этапе технического проектирования.
Электропитание: 1,8В (ядро); 3,3В (входные и выходные буферы).
Разработка и
изготовление на
отечественном
производстве серии
СБИС
энергонезависимых
программируемых
логических матриц
емкостью 20, 50 и
100 тысяч вентилей
"Логика-2"
2011-2013 г. г.
Энергонезависимые программируемые логические матрицы емкостью 20, 50 и 100 тысяч ОАО "НИИМЭ и
вентилей. Конструкция – металлокерамический герметичный корпус.
Микрон"
Основные параметры:
Тип А
Тип В
Тип С
 число логических блоков
570
1270
2210
 число выводов пользователя, не более
160
212
272
1,5; 1,8;
1,5; 1,8;
1,5; 1,8;
2,5; 3,3
2,5; 3,3
2,5; 3,3
300
300
300
 выходное напряжение портов ввода/вывода, В
 системная частота, МГц, не менее
 ток потребления в статическом режиме, мА. не
25
25
25
более
Электропитание: 1,8В; 2,5В; 3,3В. Температурный диапазон среды при эксплуатации: -60 …
+85˚С.
Разработка
комплекта LVDSинтерфейсных
микросхем для
реализации
помехозащищенной
передачи цифровой
информации в
вычислительных и
телекоммуникационн
ых системах
Разработка СБИС
контроллера и
коммутатора канала
Fibre Channel с
встроенным СФ
блоком
приемопередатчика
"Интерфейс-1"
2011-2014 г. г.
Комплект LVDS-интерфейсных микросхем для высокоскоростной цифровой РЭА специального и
двойного назначения, обеспечивает высокую помехоустойчивость, низкое энергопотребление и
высокую скорость: от 400 Мбит/с и выше.
Состав и основные характеристики передатчика и приемника LVDS:
• число каналов – 4;
• стандарт интерфейса – ANSI/TIA/EIA-644; • номинальная скорость передачи – 400 Мбит/с;
• напряжение источника питания 3,3 ± 0,3 В;
• низковольтные TTL (LVTTL) логические входные уровни.
Корпус металлокерамический типа 402.16-32. Температурный диапазон работы: -60 … +85˚С.
"Интерфейс-2"
2011-2014 г. г.
СБИС СнК контроллера и СБИС СнК коммутатора канала Fibre Channel (FC) межвидового
применения, предназначены для реализации высокоскоростных линий передачи данных на базе
интерфейса FC в перспективной РЭА ВВСТ. В составе СБИС – встроенный СФ-блок
приемопередатчика канала FC.
ОАО «НИИМЭ и
«Микрон»
Состав и основные характеристики контроллера:
 полнодуплексный порт интерфейса FC, содержащий передающий и приемный каналы с
технической скоростью обмена в линии передачи информации 1,0625 Гбод/с;
 среда передачи – оптоволокно, витая пара;
 возможность одновременного обслуживания независимых потоков данных в передающем и
приемном канале;
ФГУП «НИИМА
 поддержка в порту FC топологии связи типа «точка-точка» или «коммутируемая сеть»;
«Прогресс»
 поддержка профиля протокола обмена данными FC-AE-ASM;
 программная совместимость с контроллером, разработанным в ОКР «СБИС FC-П»;
 максимальное количество абонентов в системе – не менее 128;
 шина PCI rev.2.1 с характеристиками:
 разрядность шины – 32;
 тактовая частота – 66 МГц;
 встроенные на шине PCI интерфейсы PCI-Master и PCI-Slave;
 возможность доступа к памяти данных и к собственным регистрам контроллера;
 СБИС является устройством на шине PCI:
a) обеспечивающим поддержку циклов на шине PCI в качестве ведомого (target);
b) имеющем собственное конфигурационное пространство TypeO;
c) поддерживающим обращение типа: Configuration Write, Configuration Read, Memory Write,
Memory Read;
d) обеспечивающим адресацию 16Мбайт адресного пространства;
e) поддерживающим стандартные типы завершения цикла на шине PCI;
f) обеспечивающим контроль четности.
 64-р. 100 МГц DDR DRAM контроллер;
 Возможность контроля и диагностики контроллера;
 Потребляемая мощность в динамическом режиме не более 2,5 Вт.
Состав и основные характеристики коммутатора:
 не менее 8 полнодуплексных портов интерфейса FC, допускающих каскадирование
коммутатора. Каждый порт содержит передающий и приемный каналы со скоростью передачи
1,0625 Гбод/с;
 возможность в каждом порту FC одновременного обслуживания независимых потоков данных в
передающем и приемном каналах;
 поддержка как коммутации пакетов, так и коммутации каналов с возможным совмещением этих
двух режимов путем назначения выполняемой функции для портов коммутатора. Выбор режима
работы – независимый для каждого порта;
 поддержка в режиме коммутации каналов возможности соединения входа и выхода одного порта
с соответственно с выходом и входом другого порта;
 возможность конфигурирования по любому из портов FC;
 возможность считывания информации о состоянии по любому из портов FC;
 возможность реализации процедуры явной регистрации абонента в системе (Fabric Login);
 возможность реализации механизма распределения единого времени в сети FC (Clock
Synchronization Service);
 возможность диагностики и контроля коммутатора;
 потребляемая мощность в динамическом режиме не более 2,5В.
Состав и основные характеристики СФ-блока приемопередатчика:
 двунаправленная передача данных по дифференциальным линиям с программируемым уровнем
сигнала – от 0,6 до 1,2В;
 пропускная способность линии – 1,0625 Гбит/с;
 число каналов двунаправленной передачи данных – 6 (12 линий передачи);
 суммарная пропускная способность – 12 Гбит/с;
 пользовательская пропускная способность – 10 Гбит/с;
 потребляемая мощность – не более 250 мВт (42 мВт на канал);
 возможность программной коррекции формы импульса в линии;
 возможность циклической проверки принимаемых пакетов данных в поле CRC. Образующий
полином контрольного кода в соответствии со стандартами FC;
 возможность преобразования 8-р символов данных в 10-р при передаче и обратное
преобразование на приеме с контролем правильности принимаемых символов. Алгоритм
преобразования в соответствии со стандартами FC.
 тактовая синхронизация при приеме последовательного потока данных;
 компенсация разности выделенной тактовой частоты и системной тактовой частоты при
формировании выходного пакета данных в приемной части.
Корпус микросхем типа PBGA. Технология производства – КМОП – 0,18 мкм.
Разработка
комплекта
микросхем адаптеров
системного
сопряжения на базе
интерфейсов с
пакетной передачей
информации
"Интерфейс-3"
2011-2014 г. г.
 Комплект микросхем адаптеров системного сопряжения на базе интерфейсов с пакетной
передачей информации, обеспечивающих создание на их основе многопроцессорного
распределенного отказоустойчивого бортового оборудования с использованием многоядерных
сигнальных микропроцессоров серии 1892ВМхх, а также микросхем от других производителей.
 Состав и основные характеристики коммутатора-адаптера МСК-AFSF:
 - дублированный порт Avionics Full-Duplex Switched Ethernet (AFDX) со скоростью передачи 100
Мбит/с;
 - два порта Space Fibre со скоростью передачи не менее 2,5 Гбит/с;
 - четыре порта SpaceWire со скоростью передачи не менее 300 Мбит/с каждый;
 - порт PCI (32 разряда, 33-66 МГц), Local Bus Specification Rev2.2;
 - 32-р параллельный порт для подключения сигнальных микроконтроллеров серии 1892ВМхх;
 - MIPS32-совместимое ядро;
ОАО НПЦ
 - интегральный объем встроенной памяти – не менее 4Мбит;
«ЭЛВИС»
 - встроенные средства отладки программ (OnCD) с портом JTAG IEEE1449.1;
 - встроенный множитель/делитель входной частоты (PLL);
 - программируемые режимы энергосбережения;
 - встроенные интерфейсы UART, SPI;
 - встроенное программное обеспечение (ПО);
 Состав и основные характеристики коммутатора-адаптера МСК-SRSF:
 - два порта Space Fibre со скоростью передачи не менее 2,5 Гбит/с каждый;
 - десять 4-канальных порта Serial RapidIO со скоростью передачи не менее 10 Гбит/с каждый;
 - четыре порта SpaceWire со скоростью передачи не менее 300 Мбит/с каждый;
 - MIPS32-совместимое ядро;
 - интегральный объем встроенной памяти – не менее 4Мбит;
Разработка серии
приемопередатчиков
проводных
интерфейсов с
гальванической
трансформаторной
развязкой
"Интерфейс-4"
2011-2015 г. г.
 - встроенные средства отладки программ (OnCD) с портом JTAG IEEE1449.1;
 - встроенный множитель/делитель входной частоты (PLL);
 - программируемые режимы энергосбережения;
 - встроенные интерфейсы UART, SPI;
 - встроенное программное обеспечение (ПО);
 Электропитание – 1,2 В (ядро); 3,3 В или 2,5 В или 1,8 В – уточняется в процессе ОКР
(периферия);
 Корпус – HSBGA. Технология производства – КМОП 130-90 нм. Температурный диапазон: 60…+85ºС.
Цифровой квадратурный модулятор-преобразователь для применения в системах связи.
Структура СБИС содержит интерполяционные фильтры с коэффициентом интерполяции до 252,
прямой цифровой синтезатор частоты (DDS), используемый в качестве ПЧ-гетеродина, инверсный
sinc-фильтр для компенсации неравномерности АЧХ, ЦАП разрядностью 14 бит. Возможно
получение сигналов со всеми видами модуляции, работа в режиме интерполяции с отключением
DDS, работа в режиме однотонального генератора.
Основные параметры:
 внутренняя тактовая частота – не более 1000 МГц;  разрядность ЦАП – 14 бит;
 дифференциальная нелинейность, МЗР – не более  нелинейность, МЗР – не более 1,5;
0,8;
 выходной ток ЦАП – 8,6-31,6 мА;
 коэффициент интерполяции: 4-252;
 динамический диапазон, свободный от паразитных составляющих (SFDR), дБ – не более 80;
 максимальная скорость входного потока данных – не более 250 млн.выборок/с;
 время выхода из спящего режима - не более 150 мкс;
 электропитание: 1,8; 3,3 В (цифровая часть); 1,8; 3,3 В (аналоговая часть);
 температурный диапазон среды -60…+85ºС;
Корпус 4226.108-2.01.
Разработка
приёмопередатчика
RS-485 со скоростью
передачи данных до
30 Мбит/с
"Интерфейс-5"
2011-2013 г. г.
ЗАО «ПКК
«Миландр»
Высокоскоростной приемопередатчик интерфейса RS-485 для обеспечения требуемых тактикотехнических характеристик РЭА по скорости и массогабаритным показателям при разработке
новых перспективных образцов ВВСТ. Технология производства: КМОП – КНИ или РС КМОП на
основе объемного кремния с нормами 0,35 – 0,6 мкм. Температурный диапазон работы: -60 … ЗАО «ПКК
«Миландр»
+125˚С.
Скорость передачи данных одноканального приемопередатчика – 30 Мбит/с;
Напряжение питания: 5В ±10%. Корпус - 8-ми выводной металлокерамический.
Разработка
комплекта
микросхем для
организации
локальной сети
Ethernet 10/100
"Интерфейс-6"
2012-2014 г. г.
Разработка и освоение в серийном производстве комплекта из 2 типов перспективных микросхем,
предназначенных для использования в системах управления, построенных на основе локальных
вычислительных сетей (ЛВС) типа Ethernet со скоростью передачи данных 10 и 100 Мбит/с:
- СБИС контроллера ЛВС;
- СБИС коммутатора ЛВС, поддерживающая обмен данными по нескольким каналам.
Разрабатываемая СБИС контроллера ЛВС содержит:
 центральный 32-х разрядный процессор полностью совместимый с ядром ARMCortex-M;
 128 кбайт памяти для кода процессора. Размер и тип памяти должны быть уточнены на 1 этапе
ОКР;
 32 кбайт встроенной памяти ОЗУ. Размер памяти должен быть уточнен на первом этапе ОКР;
 интерфейс JTAG (IEEE std. 1149.1) для отладки и перепрограммирования;
ЗАО «ПКК
 контроллер прерываний;
«Миландр»
 интерфейс USB со скоростью передачи данных до 12 Мбит/с;
 интерфейс UART;
 интерфейс SPI;
 блок 32-х разрядных таймеров (4 шт.) с поддержкой 4 каналов ПДП с функциями ШИМ (4 шт.) и
захват (4 шт.);
 цифровой контроллер интерфейса ГОСТ Р52070-2003 (2 шт.);
 цифровой контроллер интерфейса Ethernet 10/100 MII согласно IEEE802.3 (MAC уровень) и
аналоговый приёмопередатчик (PHY уровень). Объем буферной памяти - 8Кбайт. Емкость
памяти может очняться в ходе ОКР;
 16-ти разрядная демультиплексированная шина управления, мультиплексированная с портами
ввода-вывода общего назначения;
 блок часов реального времени, включающий энергонезависимые регистры емкостью 56 байт;
 блок сторожевого таймера;
 загрузочное ПЗУ с функциями загрузки по UART, защиты памяти программ;
 блок умножения тактовой частоты PLL.
Разрабатываемая СБИС коммутатора ЛВС содержит:
 интерфейс JTAG (IEEE std. 1149.1) для отладки и перепрограммирования;
 интерфейс SPI;
 не менее 4-х цифровых контроллера интерфейса Ethernet 10/100 MII согласно IEEE802.3 (MAC
уровень) и аналоговых приёмопередатчика (PHY уровень). Объем буферной памяти 8Кбайт;
 блок аппаратной поддержки коммутации обмена данными по ЛВС Ethernet 10/100;
 порт расширения должен быть реализован через интерфейс MII одного из Ethernet каналов;
 блок умножения тактовой частоты PLL.
Номинальное значение напряжения питания – 3,3 В.
Значения электрических параметров СБИС контроллера ЛВС:
Обозначение, наименование параметра, единица измерения
min
 UOL - Выходное напряжение низкого уровня, В, UCC=3,0В, IOL=
4 мА
 UOH - Выходное напряжение высокого уровня, В, UCC= 3,0В,
IOL= 4 мА
 IILL - Ток утечки низкого уровня на входе, мкА, UCC= 3,6В, UI=
GND
 IILH - Ток утечки высокого уровня на входе, мкА, UCC= 3,6В,
UI= GND
 IOCC -Динамический ток потребления, мА, UCC=3,6 В, IO= 0
мА, fC= 80МГц
 ICCS - Статический ток потребления в режиме powerdown, мкА,
UCC=3,6В, IO= 0 мА
 Значения электрических параметров СБИС коммутатора ЛВС:
 Наименование
обозначение
параметра,
единица
измерения,
t среды,
0
С

 0,4
 2,
4



 |±10|

 300

 50

 макс
.
t
сред
ы
буквенное  ми
н.
 Выходное напряжение низкого уровня, В, UCC= 3,0В,  U
IOL= 4 мА
O
L
 Выходное напряжение высокого уровня, В, UCC= 3,0В,  U
IOL= 4 мА
O
max
 |±10|

 0,4
 2,4

 -60°…
+85°
 -60
°С …
+85°
С
H
UCC= 3,6В,  II
L 
 |±10|
L
 Ток утечки высокого уровня на входе, мкА, UCC= 3,6В,  II
UI= GND
L 
 |±10|
H
 Динамический ток потребления, мА; UCC= 3,6 В,IO= 0 мА  I
O

 500
C
C





Быстродействующие АЦП конвейерного типа. Технологические нормы – 0,18 мкм.
Число разрядов АЦП: 10 бит
Диапазон входного сигнала, В: 0…1,8 В. Рабочий диапазон температур: - 60°C…+85ºC.
Максимальная частота выборок входного сигнала, МГц: 255 не менее.
Динамический диапазон по наибольшей гармонике искажений, дБ: 60 не менее.
Интегральная нелинейность, ед. МЗР: 1,5 не более.
Дифференциальная нелинейность, ед. МЗР: 0,75 не более.
Апертурное время задержки - устанавливается в ходе ОКР.
Напряжение смещения нуля - устанавливается в ходе ОКР.
Питание: UСС1=1,8 В. Динамический ток потребления, мА: 300 не более.
Число разрядов АЦП: 12 бит
Диапазон входного сигнала, В: 0…1,8 В. Рабочий диапазон температур: -60°C…+85ºC.
Максимальная частота выборок входного сигнала, МГц: 175 не менее.
Динамический диапазон по наибольшей гармонике искажений, дБ: 70 не менее.
Интегральная нелинейность, ед. МЗР: 1,5 не более.
Дифференциальная нелинейность, ед. МЗР: 0,75 не более.
Апертурное время задержки устанавливается в ходе ОКР.
Напряжение смещения нуля устанавливается в ходе ОКР.
Питание: UСС1=1,8 В. Динамический ток потребления не более: 200 мА. Значения характеристик
специальных факторов: 7.И1-3Ус; 7.И6 -3Ус; 7.И7 -3Ус; 7.С1 -1Ус; 7.С4 -1Ус; 7.К1 - 0,1*1К; 7.К4
- 0,4*1К.
 Ток утечки низкого уровня на входе, мкА;
UI= GND
Разработка и
изготовление на
отечественном
предприятии ряда
микросхем
быстордействующих
АЦП конвейерного
типа
"Преобразовате
ль-1"
2011-2013 г. г.
ОАО «НИИМЭ и
Микрон»
Разработка ряда
специализированных
микросхем для
источников
вторичного
электропитания
субмодулей АФАР
"Преобразовате
ль-2"
2011-2014 г. г.
Комплект микросхем для распределенных систем электропитания узлов РЭА перспективных
образцов ВВСТ, в том числе систем электропитания приемопередающих модулей АФАР. Состав
комплекта:
- функционально законченный импульсный стабилизатор напряжения средней мощности с
универсальным выходом – ИС1;
- функционально законченный
повышенной мощности – ИС2;
высокочастотный
импульсный
стабилизатор
напряжения
- широкодиапазонный линейный стабилизатор отрицательного напряжения с низким напряжением
между входом и выходом – ИС3;
- схема управления мощным регулирующим элементом – ИС4.
Основные параметры:
ИС1
ИС2
ИС3
ИС4
Входное напряжение, В
6…36
4…16
-4…-26
4…24
1.2
2,5
1,0
0,2
25ºС,
0,4
0,4
0,4
0,5
125ºС
0,2
0,2
0,2
0,2
0,05
0,5-1,0
Выходной ток, А
Рассеиваемая мощность, Вт ,
Частота коммутации, МГц
Напряжение между входом и выходом, В
Диапазон напряжений на выходном каскаде, В
0,4-23
0,4-16
Корпус металлокерамический. Температурный диапазон работы -60…+85ºС. Предусмотрена
защита от превышения температуры кристалла свыше 165ºС, защита от превышения входного тока
свыше 1,5 А (ИС1); 3,5 А(ИС2); 1,5 А (ИС3); 0,25 А (ИС4) и дистанционное
включение/выключение внешним сигналом в ИС4.
ОАО «НПП
«ЭлТом»
Разработка и
изготовление на
отечественном
предприятии ряда
микросхем аналогоцифровых БМК
емкостью до 100
тысяч цифровых
вентилей и 20 тысяч
аналоговых ячеек
для реализации
ЦАП, АЦП и
операционных
усилителей
"Преобразовате
ль-3"
2011-2014 г. г.
Разработка серии
операционных
усилителей с rail-torail диапазоном
входных и выходных
напряжений и малым
током потребления
"Преобразовате
ль-4"
2011-2014 г. г.
Аналого-цифровой БМК (АЦ БМК) емкостью до 100 (40) тысяч цифровых вентилей и 20 (10)
тысяч аналоговых ячеек для реализации АЦП, ЦАП и других аналого-цифровых БИС.
Конструкция – металлокерамический герметичный корпус.
Основные параметры: АЦ БМК 1 АЦ БМК 2
• количество двухтранзисторных логических вентилей, шт 100000 40000
• количество эквивалентных двухтранзисторных аналоговых ячеек, шт 20000 10000
• количество встроенных быстродействующих ОУ, шт. 25 10
• количество ОУ общего применения, шт. 25 10
• количество встроенных компараторов общего применения, шт. 25 10
• количество встроенных компараторов быстродействующих, шт. 25 10
• количество встроенных ИОН, шт 1 1
• количество встроенных 12-р. ЦАП, шт. 2 1
• количество встроенных регистров последовательного приближения, шт. 2 1
• суммарное сопротивление резисторов, кОм 20000 10000
• суммарная емкость конденсаторов, пФ 400 200
Напряжение питания: 1.8 … 2,5В. Значения характеристик специальных факторов:
7.И1 - 3Ус; 7.И6 - 3Ус; 7.И7 - 3Ус; 7.С1 - 1Ус; 7.С4 - 1Ус; 7.К1 - 0,1´1К; 7.К4 - 0,4´1К.
Ряд операционных усилителей (ОУ) с rail-to-rail диапазоном входных и выходных напряжений для
работы в системах обработки аналоговых сигналов в устройствах с однополярным и низким
напряжением питания. Разработке подлежат: ИС1 – широкополосный ОУ с входным и выходным
напряжением во всем диапазоне напряжения питания с функцией отключения выхода; ИС2 –
двухканальный широкополосный ОУ с входным и выходным напряжением во всем диапазоне
напряжения питания; ИС3, ИС4 – одно- и двухканальный прецизионный ОУ с входным и
выходным напряжением во всем диапазоне напряжения питания.
Конструкция –
металлокерамический герметичный корпус.
Электропитание
:
ИС1, ИС2 - 3,0 В; 5,0 В; ±5,0 В;
ИС3, ИС4 от 2,7 до ± 6,0 В.
-
Основные параметры в диапазоне -60 … +85˚С:
ИС1
ИС2
ИС3, ИС4
5В/3В/±5 В
5В/3В/±5 В
5В/3В/±5В
ОАО "НИИМЭ и
Микрон"
ФГУП «НПП
«Пульсар»
 напряжение смещения нуля, мВ
 средний входной ток, мкА
7-8
9-12/9-12/9,814
3,2 – 3,5
3,2 – 4,8
0,325 – 0,8
0,6-0,65/0,6-0,65/
0,5-0,65
 разность входных токов, мкА
0,5/0,5/0,6
0,5/0,6/0,6
± 25 - ± 40
 максимальное выходное
напряжение, В (RH=1кОм), не
менее
4,75/2,7/4,45…4,6
4,9/2,9/±4,8
4,95/2,95/4,95
 ток потребления, мА, не более
1,7/1,5/6,5
6,4/6,4/7
 верхняя граничная частота
полосы пропускания, МГц, не
менее
130/120/140
125/120/125
15 (частота
единичного
усиления)
 максимальная скорость
нарастания выходного
напряжения, В/мкс,
не менее
130/120/140
130/120/145
10/10/13
35/40/30
39/45/32
86/85/90
90/66/90
65/20/25-75
74/72/72
68/66/66
70
0,7-0,85/
 время установления выходного
напряжения, нс, не более
 коэффициент усиления, дБ
(RH=1кОм), не менее
 коэффициент подавления
синфазных входных
напряжений, дБ
Предельно-допустимые параметры:
 однополярное напряжение питания
0,7-1,0/0,8-1,15
ИС1, ИС2
ИС3, ИС4
2,7 – 11 В
2,7 – 12 В
 двухполярное напряжение питания
± 1,4 - ± 5,5 В
± 1,4 - ± 6,0 В
±5В
±6В
 дифференциальное входное напряжение, не более
± 3,4 В
± 0,6 В
 выходной ток, не менее
± 50 мА
± 30 мА
 синфазное входное напряжение, не более
Разработка и
изготовление на
отечественном
предприятии по
технологии 0,18 мкм
ряда микросхем
высокочастотных
контроллеров
повышающих и
понижающих
преобразователей
напряжения
Разработка и
изготовление на
отечественном
предприятии
семейства микросхем
быстродействующих
аналого-цифровых
преобразователей на
14 двоичных
разрядов
"Преобразовате
ль-5"
2011-2014 г. г.
"Преобразовате
ль-6"
2011-2014 г. г.
Микросхемы высокочастотных контроллеров повышающих и понижающих преобразователей
напряжения.
Основные параметры:
• входное напряжение: 2,7-5,5В (понижающий преобразователь);
1,2-5,5 В (повышающий преобразователь)
• выходное напряжение – может быть установлено в диапазоне 1,2 В-4,0 В с шагом 0,1 В;
• максимальная тактовая частота 1,6-2,6 МГц;
• температурный диапазон работы -60…+85ºС.
Проектные нормы – 0,18 мкм.
Быстродействующие АЦП. Число разрядов АЦП: 14 бит.
Диапазон входного сигнала, В: 0…1,8 В или 0…2,5 В. Максимальная частота выборок входного
сигнала не менее: 105, 125, 175 МГц. Температура окружающей среды: - 60…+85ºC.
Динамический диапазон по наибольшей гармонике искажений не менее: 60 дБ.
Интегральная нелинейность, ед. МЗР: 3,0 не более. Динамический ток потребления, мА: 260 не
более.
Дифференциальная нелинейность, ед. МЗР: 1,0 не более. Питание: UСС1=1,8 В или 2,5 В.
Апертурное время задержки - устанавливается в ходе ОКР.
Напряжение смещения нуля - устанавливается в ходе ОКР.
ОАО «НИИМЭ и
«Микрон»
ОАО «НИИМЭ и
Микрон»
Разработка серии
микросхем
операционных
усилителей с
дифференциальными
входами и выходами
"Преобразовате
ль-7"
2011-2014 г. г.
Серия быстродействующих широкополосных операционных усилителей с дифференциальными
входами и выходами. Разработке подлежат: ИС1 – широкополосный дифференциальный драйвер;
ИС2 – широкополосный дифференциальный драйвер с выходным напряжением во всем диапазоне
напряжения питания; ИС3 – широкополосный дифференциальный усилитель.
Основные параметры:
ИС1
ИС2
ИС3
 напряжение смещения нуля, мВ, не более
±7
± 2,6
± 2,5
 максимальное выходное напряжение, В, не менее
±3
± 4,45
± 3,3
 ток потребления, мА, не более
12,5
3,6
15
 верхняя граничная частота полосы пропускания, МГц, не
менее
 максимальная скорость нарастания выходного напряжения,
В/мкс
 время установления выходного напряжения, нс, не более
400
80
300
2000
400
1000
20
100
15
 коэффициент усиления, В/В
1,97 –
2,03
Предельно-допустимые параметры:
 однополярное напряжение питания: 2,7 –
 двухполярное напряжение питания: ± 1,4 - ±
11 В;
5,5 В;
 синфазное выходное напряжение: ± 5,5 В;  сопротивление нагрузки, не менее 200 Ом;
 выходной ток не менее 60 мА (ИС1, ИС3); не менее 20 мА (ИС2);
 температурный диапазон работы: -60 … +
85˚С
Значения характеристик специальных факторов: 7.И1 – 3Ус; 7.И6 – 3Ус; 7.И7 – 3Ус; 7.С1 – 1Ус; 7.С4
– 1Ус; 7.К1 – 1К; 7.К4 –1К.
ФГУП «НПП
«Пульсар»
Разработка СБИС
цифрового
квадратурного
модуляторапреобразователя
"Преобразовате
ль-8"
2011-2013 г. г.
Цифровой квадратурный модулятор-преобразователь для применения в системах связи.
Структура СБИС содержит интерполяционные фильтры с коэффициентом интерполяции до 252,
прямой цифровой синтезатор частоты (DDS), используемый в качестве ПЧ-гетеродина, инверсный
sinc-фильтр для компенсации неравномерности АЧХ, ЦАП разрядностью 14 бит. Возможно
получение сигналов со всеми видами модуляции, работа в режиме интерполяции с отключением
DDS, работа в режиме однотонального генератора.
Основные параметры:
 внутренняя тактовая частота – не более 1000 МГц;  разрядность ЦАП – 14 бит;
 дифференциальная нелинейность, МЗР – не более  нелинейность, МЗР – не более 1,5;
0,8;
 выходной ток ЦАП – 8,6-31,6 мА;
 коэффициент интерполяции: 4-252;
 динамический диапазон, свободный от паразитных составляющих (SFDR), дБ – не более 80;
 максимальная скорость входного потока данных – не более 250 млн.выборок/с;
 время выхода из спящего режима - не более 150 мкс;
 электропитание: 1,8; 3,3 В (цифровая часть); 1,8; 3,3 В (аналоговая часть);
 температурный диапазон среды -60…+85ºС;
Корпус 4226.108-2.01.
Разработка 16-ти
разрядного ЦАП с
временем
установления
сигнала 5 мкс
"Преобразовате
ль-9"
2012-2014 г. г.
ФГУП «НЗПП с
ОКБ»
Разработка и освоение в серийном производстве 16-ти разрядного ЦАП с временем установления
сигнала 5 мкс. Предполагаемая к разработке микросхема позволит создать современные системы
обработки сигналов радиолокационных устройств, устройства цифровой связи, устройства ввода и
обработки изображения, встроенных бортовых и наземных системах управления специального
назначения. Напряжение питания: 3,3В +/-10%.
Значения электрических параметров микросхемы (при температуре среды: -60…+100С):
Наименование, обозначение параметра, единица измерения, режим измерения
не
боле
е
Статический ток потребления в режиме «выключено», мкА, UREF =4,096 В,
UCC= 5,5В
ICCS1
1
Динамический ток потребления, мА, при: UREF =4,096 В, UCC=5,5В
IOCC
2
ЗАО "ПКК
Миландр"
Время установления выходного напряжения, мкс, при: UREF =4,096 В, UCC=
5,5 В, RL=5,5 кОм, переход от значения ¼ шкалы к ¾ шкалы с точностью ±
1LSB
tSET
5
II
|±1|
UO
UREF
EDL
|±1|
Разрядность ЦАП, при: UREF =4,096 В, UCC= 5,5 В
EN
16
Интегральная нелинейность, единица младшего разряда, при: UREF =4,096 В,
UCC=5,5В
EIL
|±2|
Ошибка смещения в диапазоне температур, мВ, при: UREF =4,096 В, UCC= 5,5
В
EOFF
±2
Входной ток утечки цифровых входов, мкА
Выходное напряжение, В
Дифференциальная нелинейность, единица младшего разряда,
при: UREF =4,096 В, UCC= 5,5 В
Температурный коэффициент ошибки смещения, мкВ/С
Частота следования импульсов тактовых сигналов, МГц
Разработка
интегральной
микросхемы 12разрядного АЦП с
тактовой частотой
100 МГц
"Преобразовате
ль-15"
2012-2014 г. г.
±5
SCLK
30
Интегральная микросхема широкополосного быстродействующего 12-разрядного аналогоцифрового преобразователя с частотой выборки 100 МГц предназначена для применения в
аппаратуре радио- и проводной связи, систем радиолокации, систем обработки
видеоизображений, бортовых систем обнаружения целей и наведения на цель и др. За счёт большой
полосы пропускания (не менее 200 МГц) входного устройства выборки-хранения ОАО «СКТБ ЭС»
разрабатываемая микросхема АЦП может быть также применена в программноконфигурируемом радиооборудовании (Software Defined Radio) для приёма сигналов с различными
эфирными стандартами, в том числе в широкополосных цифровых приёмниках с
дискретизацией промежуточной частоты, включая аппаратуру для модернизации системы
ГЛОНАСС с новыми форматами сигналов с кодовым разделением.
Значения электрических параметров:





разрядность, бит - 12;
дифференциальная нелинейность1), ЕМР – не менее минус 1,5 и не более + 1,5;
интегральная нелинейность1), ЕМР – не менее минус 2,5 и не более + 2,5;
диапазон входногосигнала2), В (Uсс = 3,3 В) - не менее 2;
погрешность смещения характеристики преобразования в начальной точке шкалы1), мВ
(Uсс = 3,3 В) - не более 20;
 максимальная частота преобразования, МГц - не менее 100;
 полоса частот входного аналогового сигнала1), МГц - до 300;
 отношение сигнал-шум1,3), дБ (Uсс = 3,3 В, Fin = 5 МГц) - не менее 70;
 выходное напряжение низкого уровня, В (Uсс = 3,47 В) - не более 0,4;
 выходное напряжение высокого уровня, В (Uсс = 3,13 В) - не менее 0,4.
Примечания: 1) – нормы на параметры уточняются в процессе выполнения ОКР до проведения
предварительных испытаний. При изменении параметров их значения согласовываются с
организацией, определяемой Заказчиком;
2)
Разработка
микросистемы
анализа слабых
магнитных полей на
основе
многослойных
тонкопленочных
магниторезистивных
наноструктур
"Микрос-1"
2011-2013 г. г.
– входной сигнал представлен в дифференциальном виде;
3)
– для 2-ой и 3-ей гармоник.
Микросхема анализа слабых магнитных полей на основе многослойных тонкопленочных
магниторезистивных наноструктур.
Состав: полупроводниковый кристалл с тонкопленочными магниторезистивными структурами,
схема включения, обеспечивающая требуемые электрические режимы эксплуатации, корпус.
Конструкция – восьмивыводной немагнитный корпус (устанавливается на этапе технического НПК
проекта).
«Технологический
центр МИЭТ»
Основные параметры:
 рабочий диапазон по магнитному полю: -0,1 … + 0,1  нелинейность – не более 2%;
мТл;
 чувствительность – не менее 2,5
 сопротивление мостовой схемы 1,5 – 2,5 кОм;
мВ/В/Э;
 сопротивление катушки подмагничивания, Ом, не менее/номинал/не более:
- первого типа 3,0/9,0/15,0 Ом;
Разработка
унифицированных
рядов высокоточных
с цифровым и
аналоговым
выходами
микроэлектромехани
ческих
преобразователей
линейного
ускорения, угловой
скорости и углового
положения для
систем навигации,
ориентации,
стабилизации,
управления
движением и
наведения
Разработка и
освоение в
производстве
слаботочных
электростатических
реле и СВЧмикрореле на основе
технологий МСТ
"Микрос-2"
2011-2014 г. г.
"Микрос-3"
2011-2014 г. г.
- второго типа 30,0/40,0/50,0 Ом;
Микроэлектромеханические преобразователи:
Линейного ускорения (6 типономиналов);
Диапазон измерений, g, не менее: ±1,2, ±5,0 ±10,0, ±50,0, ±100,0 ±200,0.
Разрешающая способность 0,1% от диапазона.
Частотный диапазон преобразования 70 Гц.
Температура окружающей среды от -60°C до +85°C.
Микроэлектромеханические преобразователи:
Угловой скорости (7 типономиналов):
Диапазон измерений, °, не менее: ±950.
Разрешающая способность 5 угл. мин.
Частотный диапазон преобразования 10…70 Гц.
Микроэлектромеханические преобразователи:
Углового положения (один)
Диапазон измерений, °/с, не менее: ±50, ±100, ±150, ±300, ±500,0 ±2000, ±10000.
Разрешающая способность 0,02…0,05% от диапазона.
Нелинейность передаточной характеристики 0,1%.
Национальный
исследовательский
университет
«МИЭТ»
Разрабатываемые микрореле и СВЧ - микрореле предназначены для комплектования новых и
модернизируемых образцов ВВСТ нового поколения. Микрореле позволят улучшить
массогабаритные характеристики блоков РЭА и увеличить рабочую частоту разрабатываемых
комплексов ВВСТ до 12ГГц. Состав изделия: коммутационная плата; крышка.
Габаритные размеры (без выводов):
 для микрореле, мм, не более: 5х5х3 (уточняются на этапе технического проекта);
 для СВЧ-микрореле, мм, не более: 5,5х5,5х3 мм (уточняются на этапе технического проекта).
Способ монтажа в аппаратуре – монтаж на печатную плату.
ОАО "СКТБ РТ"
Электрические параметры реле:
Наименование параметра, единица измерения,
обозначение
не
не
менее
номина
л
более
Микрореле
Рабочее напряжение, В
Uраб
72
80
88
Напряжение срабатывания, В
Uср
–
–
0,85 Uраб
Напряжение отпускания, В
Uотп
0,1 Uраб
–
–
Время срабатывания, мс
tср
–
–
0,18
Время отпускания, мс
tотп
–
–
0,18
Сопротивление контактов электрической цепи,
Ом
Rк
–
0.5
1
Сопротивление изоляции между
токоведущими цепями, токоведущими цепями
и корпусом, между обмоткой и корпусом,
МОм
Rиз
175
–
–
Электрическая прочность изоляции
(испытательное переменное напряжение
частотой 50 Гц, эффективное значение), В:
Uисп
210
–
–
СВЧ - микрореле
Рабочее напряжение, В
Uраб
72
80
88
Напряжение срабатывания, В
Uср
–
–
0,85 Uраб
Напряжение отпускания, В
Uотп
0,1 Uраб
–
–
Время срабатывания, мс
tср
–
–
0,18
Время отпускания, мс
tотп
–
–
0,18
Сопротивление контактов электрической цепи,
Ом
Rк
–
–
4
Диапазон частот, ГГц
Fраб
6
Затухание (контакты замкнуты), дБ
α
Затухание (контакты разомкнуты), дБ
α
11
Сопротивление изоляции между
токоведущими цепями, токоведущими цепями
и корпусом, между обмоткой и корпусом,
МОм
Rиз
175
Электрическая прочность изоляции
(испытательное переменное напряжение
частотой 50 Гц, эффективное значение), В:
Uисп
210
12
2,5
–
–
–
–
Значения характеристик специальных факторов: 7.И1,7.И6, 7.И7 – 4Ус; 7.С1, 7.С4 - 4УС; 7.К1,7.К1–
1К.
Разработка
микроэлектронного
барометрического
измерителя высоты
на основе
микрокамертонных
высокодобротных
резонаторов
"Микрос-4"
2011-2013 г. г.
Микроэлектронный барометрический измеритель высоты на основе микрокамертонных
высокодобротных резонаторов.
Предназначен для измерения воздушного давления, обеспечивает высокие точностные
характеристики.
Состав: преобразователь давления (чувствительный элемент); узлы обработки сигналов в корпусе.
Конструкция – металлический моноблок с размерами 110х60х60 мм, масса – не более 0,5 кг.
Основные параметры:
• диапазон измеряемого давления 0,5 – 160 кПа; • абсолютная погрешность ± 36Па;
• основная приведенная погрешность измерения ± 0,02%; • порог чувствительности – не более 10
Па;
• диапазон рабочих температур: -60 … +85˚С.
ОАО «НПП
«Радар ммс»
Разработка
многочастотного
микропьезопреобраз
ователя для
гидроакустических
антенн нового
поколения
Разработка
линий
задержек на ПАВструктурах
для
системы
радиочастотной
идентификации
функциональной
подсистемы
управления
материальнотехническим
обеспечением АСУ
ВС РФ
"Микрос-5"
2011-2013 г. г.
"Микрос-6"
2012-2014 г. г.
Многочастотный микропреобразователь для гидроакустических антенн нового поколения,
работающих в области средних (30 – 70 кГц) и высоких частот (300 – 500 кГц).
Состав: малогабаритный модуль многочастотных микропьезопреобразователей с
предварительным преобразованием сигналов приема-передачи и микроэлектронные устройства
предварительного преобразования сигналов приема-передачи. В составе модуля от 8 до 16
микропьезопреобразователей с полосой пропускания 10% от резонансной частоты.
В составе устройств предварительного преобразования:
- коммутатор приема-передачи по числу микрореобразователей;
- полосовые фильтры и предварительный усилитель режима приема на каждый канал;
- многоканальный АЦП;
- многоканальный ЦАП;
- фильтры нижних частот на каждом канале;
- усилитель мощности режима передачи на каждом канале;
- линии передачи сигналов.
Изделие осуществляет по каждому каналу излучение и прием ультразвуковых импульсных
сигналов заданной длительности требуемой формы на одной из двух резонансных частот в
пределах полосы пропускания микропьезопреобразователя, предварительное преобразование
сигналов: фильтрацию, усиление и аналого-цифровое преобразование принятых сигналов; цифроаналоговое преобразование, фильтрацию, усиление и излучение излучаемых сигналов.
Диапазон частот: 30-70 кГц (номинал 50 кГц), 250-500 кГц (номинал 375 кГц).
Коэффициент полезного действия – не менее 0,5.
Удельная акустическая мощность 0,1-0,5 Вт/см2 (номинал 0,3 Вт/см2).
Линии задержки для применения в системах радиочастотной инденсификации для обеспечения
непрерывного бесконтактного контроля за состоянием образцов ВВТ.
Состав и основные характеристики:
• линия задержки на ПАВ на диапазон частот 902 – 928; 2400 - 2500 МГц
• считывающее устройство для системы радиочастотной индентификации.
Дальность действия 10,5 м.
Количество индетифицируемых объектов 1,1×107.
Синусоидальная вибрация с амп. ускорения 2g
Повышенная температура среды 850 C
Пониженная температура среды минус 600 C
ОАО Концерн
"Океанприбор"
ОАО "НПП
"Радар ммс"