ВЫПРЯМЛЕНИЕ ТЕРАГЕРЦОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ ПРИ ВОЗБУЖДЕНИИ ПЛАЗМОНОВ В ДВУМЕРНОЙ ЭЛЕКТРОННОЙ СИСТЕМЕ МЕТОДОМ НАРУШЕННОГО ПОЛНОГО ВНУТРЕННЕГО ОТРАЖЕНИЯ К. В. Машинский1, 2, *, Д. В. Фатеев1, В. В. Попов1, 2 1 Саратовский филиал Института Радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, ул. Зелёная, 38, Саратов, 410019. 2 Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, ул. Астраханская, 83, Саратов, 410012. * E-mail: [email protected] Достижения в области исследования нелинейных свойств плазменных колебаний в двумерных электронных системах (2МЭС) открывают путь к созданию высокочувствительных неохлаждаемых плазмонных детекторов терагерцового (ТГц) излучения [1]. Для плазмонного детектирования ТГц излучения используются структуры на основе полевых транзисторов с двумерным электронным каналом с одиночным затворным электродом [2], с несколькими затворными электродами [3] и с периодическим решеточным затвором [4-6], который используется для эффективного возбуждения плазменных колебаний в 2МЭС [6]. Известно, что в таких структурах существуют два различных плазмонных фотогальванических эффекта, приводящих к выпрямлению ТГц излучения: эффект увлечения электронов бегущей плазменной волной [7,8] и эффект плазмонного храповика в поле стоячей плазменной волны [9]. При этом, второй эффект возникает только в пространственно неоднородной 2МЭС. Оба механизма действуют только в 2МЭС без вертикальной плоскости зеркальной симметрии, которая достигается путем использования электрической или геометрической асимметрии. При этом, в асимметричной 2МЭС возбуждаются и бегущие и стоячие плазменные волны и, таким образом, действуют оба вышеуказанных плазмонных ТГц фотогальванических эффекта. Метод нарушенного полного внутреннего отражения (НПВО) применяется для возбуждения поверхностных и двумерных плазменных волн в ТГц диапазоне [10,11]. В данной работе рассматривается выпрямление терагерцового излучения при возбуждении плазмонов в двумерной электронной системе методом нарушенного полного внутреннего отражения. При таком методе возбуждения можно независимо возбуждать бегущую или стоячую плазменную волны в 2МЭС и, таким образом, изучать эффекты плазмонного увлечения и эффект плазмонного храповика по отдельности, что важно для сравнительного анализа этих эффектов. При возбуждении плазменных волн в 2МЭС методом НПВО плоская однородная электромагнитная волна падает из среды призмы под углом θ относительно нормали на границу раздела призмы и слоя с относительной диэлектрической проницаемостью 2 (вставка в рис. 1, а). При углах падения больших угла ПВО в барьерной среде существуют только эванесцентные поля, которые взаимодействуют со свободными зарядами в 2МЭС, возбуждая плазменные волны. За счет нелинейных свойств плазменные волны в 2МЭС проявляют два эффекта выпрямления ТГц излучения – эффект увлечения и эффект плазмонного храповика. Рис. 1. Плотность электрического тока увлечения электронов (а) и плазмонного храповика (б) в зависимости от угла падения и частоты ТГц волны. На врезке панели (а) представлено схематическое изображение структуры НПВО для возбуждения плазменных волн в 2МЭС. Нелинейная динамика электронов в 2МЭС в гидродинамическом приближении описывается уравнением Эйлера и уравнением непрерывности [12]. Решение гидродинамических уравнений методом теории возмущений позволяет вычислить постоянный ток, индуцированный в 2МЭС осциллирующим электрическим полем. В общем случае, в периодической 2МЭС могут действовать оба различных плазмонных механизма выпрямления ТГц сигнала [9]. В пространственно однородной 2МЭС выпрямление ТГц сигнала происходит только за счет эффекта увлечения электронов бегущей плазмонной волной, а в пространственно неоднородной 2МЭС – за счет эффекта плазмонного храповика под действием стоячей плазменной волны. Расчеты для бегущей и стоячей плазменных волн в 2МЭС велись в рамках предположения об однородном распределении концентрации электронов в 2МЭС. Численные расчеты плотности выпрямленного тока проведены для 2МЭС на основе гетероструктуры GaAs/InGaAs при значении диэлектрической постоянной возбуждающей призмы 2 5000 и толщине барьерного слоя d = 0.25 мкм при значении частоты релаксации импульса электронов 8.77 1011 c-1 . Как видно из рис. 1, резонансное возрастание выпрямленного тока в 2МЭС происходит при углах падения, больших угла полного внутреннего отражения ( 2.5 ). Плазмонное выпрямление ТГц излучения за счет эффекта плазмонного увлечения электронов (рис. 1, а) наиболее эффективно в низкочастотном диапазоне, что согласуется с теоретическими результатами работы [9], полученными в приближении заданного поля. При численных расчетах плотности выпрямленного тока плазмонного храповика (рис. 1, б) предполагалось, что периодическое распределение равновесной концентрации электронов N0 ( x) N0 N0 cos 2qx , где q – волновое число плазмона, сдвинуто по фазе на величину / 4 в плоскости 2МЭС относительно распределения электрического поля стоячей плазменной волны для достижения максимального эффекта плазмонного храповика при каждом значении угла падения внешней ТГц волны. Электрический ток плазмонного храповика стремится к нулю с уменьшением частоты ТГц волны (рис. 1, б), в то время как ток плазмонного увлечения достигает своего максимального значения на низких (суб-ТГц) частотах. Это связано с разной частотной зависимостью двух вышеуказанных эффектов ТГц выпрямления. Таким образом, в данной работе решена задача о выпрямлении терагерцового излучения за счет плазмонных нелинейностей в периодической двумерной электронной системе при возбуждении плазмонов методом нарушенного полного внутреннего отражения. Выбранная модель позволяет изучать независимо различные механизмы плазмонного выпрямления в двумерных электронных системах: эффект плазмонного увлечения электронов и эффект плазмонного храповика. Работа выполнена при поддержке РФФИ (грант 12-02-00813). Библиографический список 1. W. Knap et al. // J. Infrared Milli. Terahz. Waves, 30, 1319 (2009). 2. F. Teppe et al. // Appl. Phys. Lett., 87, 052107 (2005). 3. G.C. Dyer et al. // Appl. Phys. Lett., 100, 083506 (2012). 4. V.V. Popov et al. // Appl. Phys. Lett., 99, 243504 (2011). 5. T. Watanabe et al. // IEEE Sensors Journal, 13, 89 (2013). 6. V.V. Popov // J. Infrared Milli. Terahz. Waves, 32, 1178 (2011). 7. G.R. Aizin, V.V. Popov, O.V. Polischuk // Appl. Phys. Lett. 89, 143512 (2006). 8. G.R. Aizin, D.V. Fateev, G.M. Tsymbalov, V.V. Popov // Appl. Phys. Lett., 91, 163507 (2007). 9. V.V. Popov // Appl. Phys. Lett., 102, 253504 (2013). 10. H. Hirori, M. Nagai, K. Tanaka. // Optics Express, 13, 10801 (2005). 11. V. Bludov // J. Appl. Phys., 112, 084320 (2012) 12. M. Dyakonov, M. Shur. // IEEE Trans. Electron. Device, 43, 1640 (1996). Сведения об авторах Машинский Константин Викторович – студент, дата рождения: 26.06.1992г. Фатеев Денис Васильевич – к.ф.-м.н., с.н.с., дата рождения: 11.06.1983г. Попов Вячеслав Валентинович – д.ф.-м.н., зав.лаб., профессор, дата рождения: 13.01.1949г. Вид доклада: устный