Цифра – 20

5534ТХ014
шифр «Цифра-20»
«Разработка и освоение производства на отечественном предприятии
радиационно-стойкой сверхбольшой интегральной схемы 2...4 канального
приемного тракта со встроенным 18-разрядным аналого-цифровым
преобразователем»
Целью выполнения ОКР является разработка радиационно-стойкой СБИС
типа «система на кристалле» 2…4-канального тракта со встроенным 18-разрядным
АЦП и программируемым АЛУ ЦОС.
Т а б ли ц а 1 – Электрические параметры разрабатываемой СБИС
Наименование параметра (2),
единица измерения,
режим измерения
Буквенное
обозначение
параметра
Норма
параметра
не
не
менее
более
Температура
среды,
°С
Номер
пункта
примечания
Максимальная частота
минус 60
дискретизации АЦП, МГц
f
3
25
1, 3
(UCCA=5 В ± 5%, UCCD=1,8 В ± 5%,
85
UCCDR=1,8 В ± 5%)
Нелинейность, МР
EL01
-3
3
25
1, 3
(UCCA=5 В, UCCD=1,8 В, UCCDR=1,8 В)
Дифференциальная нелинейность, МР
ELD
- 1,75
1,75
25
1, 3
(UCCA=5 В, UCCD=1,8 В, UCCDR=1,8 В)
Отношение сигнал-шум, дБ
(UCCA=5 В, UCCD=1,8 В,
SNR
85
25
1, 3
UCCDR=1,8 В, fIN=25 кГц)
Динамический диапазон, свободный от
помех, дБ
SFDR
90
25
1, 2, 3
(UCCA=5 В, UCCD=1,8 В, UCCDR=1,8 В,
fIN=25 кГц)
Потребляемая мощность, Вт
минус 60
(UCCA=5 В ± 5%, UCCD=1,8 В ± 5%,
Pcc
2,5
25
1, 3
UCCDR=1,8 В ± 5%)
85
Выходное напряжение низкого
минус 60
уровня, В
UOL
0,4
25
1, 3
(UCCA=5 В ± 5%, UCCD=1,8 В ± 5%,
85
UCCDR=1,8 В ± 5%)
Выходное напряжение высокого
минус 60
уровня, В
UCCDR‒
UOH
25
1, 3
(UCCA =5 В ± 5%, UCCD =1,8 В ± 5%,
0,2
85
UCCDR =1,8 В ± 5%)
Примечания
1 Состав и нормы электрических параметров микросхем при приемке и поставке должны быть
уточнены на этапе технического проекта и согласованы с предприятием-потребителем и
организацией, определяемой Заказчиком.
2 Для 2-й и 3-й гармоник.
3 Значения режимных параметров UCCA, UCCDR могут уточняться согласно таблице 2 на этапе ТП.
Т а б ли ц а 2 – Предельно допустимые и предельные режимы эксплуатации СБИС
Наименование
параметра (1),
режима эксплуатации,
единица измерения
Напряжение питания аналоговой
части микросхемы, В
Напряжение питания
цифровой части микросхемы, В
Напряжение питания
выходных буферных схем, В
Входное дифференциальное
напряжение полной шкалы, В p-p
Частота тактирования ядра, МГц
Буквенное
обозначение
параметра
Предельнодопустимая норма
при эксплуатации
Предельная норма
при эксплуатации
не менее
не более
не менее
UCCA
4,75
5,25
6
UCCD
1,71
1,89
1,98
UCCDR
1,71
1,89
1,98
UIDFS
2
2
FCLK
100
2
не более
Номер
пункта
примечания
2
2
Примечания
1 Состав и нормы электрических параметров микросхем при приемке и поставке должны быть уточнены на
этапе технического проекта и согласованы с предприятием-потребителем и организацией, определяемой
Заказчиком.
2 Значения электрических режимов уточняются на этапе технического проекта (в зависимости от типа
используемой технологии возможен вариант UCCA и/или UCCDR =3,3 В ± 5%).