Классификация биполярных и полевых транзисторов

Классификация биполярных и полевых транзисторов.
Классификация и система обозначений.
Классификация транзисторов по их назначению, физическим свойствам, основным электрическим параметрам, конструктивнотехнологическим признакам, роду исходного полупроводникового материала находит свое отражение в системе условных обозначений их
типов. В соответствии с появлением новых классификационных групп транзисторов совершенствуется и система их условных обозначений.
Система обозначений современных типов транзисторов установлена отраслевым стандартом ОСТ 11336.919—81 и базируется на ряде
классификационных признаков. В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код.
Первый элемент обозначает исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор. Для обозначения
исходного материала используются следующие символы:
Г или 1 — для германия или его соединений;
К или 2 — для кремния или его соединений;
А или 3 — для соединений галлия (практически для арсенида галлия, используемого для создания полевых транзисторов);
И или 4 — для соединений индия (эти соединения для производства транзисторов в качестве исходного материала пока не применяются).
Второй элемент обозначения — буква, определяющая подкласс (или группу) транзисторов. Для обозначения подклассов используется
одна из двух букв: Т — для биполярных и П — для полевых транзисторов.
Третий элемент — цифра, определяющая основные функциональные возможности транзистора (допустимое значение рассеиваемой
мощности и граничную либо максимальную рабочую частоту).
Для обозначения наиболее характерных эксплуатационных признаков транзисторов применяются следующие цифры.
Для транзисторов малой мощности (максимальная мощность, рассеиваемая транзистором, не более 0,3 Вт):
1 — с граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой (далее граничной частотой) не более 3
МГц;
2 — с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;
3 — с граничной частотой более 30 МГц.
Для транзисторов средней мощности (максимальная мощность, рассеиваемая транзистором, более 0,3, но не более 1,5 Вт):
4 — с граничной частотой не более 3 МГц;
5 — с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;
6 — с граничной частотой более 30 МГц. Для транзисторов большей мощности (максимальная мощность, рассеиваемая транзистором,
более 1,5 Вт):
7 — страничной частотой не более 3 МГц;
8 — с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;
9 — с граничной частотой более 30 МГц.
Четвертый элемент — число, обозначающее порядковый номер разработки технологического типа транзисторов. Для обозначения
порядкового номера используют двузначные числа от 01 до 99. Если порядковый номер разработки превысит число 99, то применяют
трехзначные числа от 101 до 999.
Пятый элемент — буква, условно определяющая классификацию по параметрам транзисторов, изготовленных по единичной технологии.
В качестве классификационной литеры применяют буквы русского алфавита (за исключением 3, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Ю, Ь, Ъ Э).
Стандарт предусматривает также введение в обозначение ряда дополнительных знаков при необходимости отметить отдельные
существенные конструктивно-технологические особенности приборов.
.В качестве дополнительных элементов обозначения используют следующие символы:
цифра от 1 до 9 — для обозначения модернизаций транзисторов, приводящих к изменению его конструкции или электрических
параметров;
буква С — для обозначения наборов в общем корпусе однотипных транзисторов (транзисторные сборки);
цифра, написанная через дефис,— для бескорпусных транзисторов.
Эти цифры соответствуют следующим модификациям конструктивного исполнения:
1 – с гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки)
2 – с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке)
3 – с жесткими выводами без кристаллодержателя (подложки)
4 – с жесткими выводами на кристаллодержателе (подложке)
5 – с контактными площадками без кристаллодержателя (подложки) и без выводов (кристалл);
б – с контактными площадками' на кристаллодержателе (подложке), но без выводов (кристалл на подложке).
Таким образом, современная система обозначений позволяет по наименованию типа получить значительный объем информации о
свойствах транзистора.
Примеры обозначений некоторых транзисторов:
КТ604А — кремниевый биполярный, средней мощности, высокочастотный, номер разработки 04, группа А;
2Т920А — кремниевый биполярный, большой мощности, высокочастотный, номер разработки 20, группа А;
КТ937А—2 кремниевый биполярный, большой мощности, высокочастотный, номер разработки 37, группа А, бескорпусный, с гибкими
выводами на кристаллодержателе;
2ПС202А-2 — набор маломощных кремниевых полевых транзисторов средней частоты, номер разработки 02, группа А, бескорпусный, с
гибкими выводами на кристаллодержателе.
Для большинства транзисторов, включенных в настоящий Портал, использована система обозначений согласно ранее действовавшим
ГОСТ 10862-64 и ГОСТ 10862-72, которая в своей основе не отличается от описанной. Однако у биполярных транзисторов, разработанных
до 1964 г. и выпускаемых до настоящего времени, условные обозначения типа состоят из двух или трех элементов.
Первый элемент обозначения — буква П, характеризующая класс биполярных транзисторов, или две буквы МП для транзисторов в
корпусе, герметизируемом способом холодной сварки.
Второй элемент — одно-, двух- или трехзначное число, которое определяет порядковый номер разработки и указывает на подкласс
транзистора по роду исходного полупроводникового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной (или
предельной) частоты:
от 1 до 99 – германиевые маломощные низкочастотные транзисторы;
от 101 до 199 – кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы
от 201 до 299 – германиевые маломощные низкочастотные транзисторы;
от 301 до 399 - кремниевые мощные низкочастотные транзисторы;
от 401 до 499 — германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы;
от 501 до 599 — кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы;
от 601 до 699 — германиевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы;
от 701 до 799 — кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
Третий элемент обозначения (у некоторых типов он может отсутствовать) — буква, условно определяющая классификацию по
параметрам транзисторов, изготовленных по единой технологии.
Примеры обозначения некоторых транзисторов:
П213А — германиевый мощный низкочастотный, номер разработки 13, группа А;
П702А — кремниевый мощный высокочастотный, номер разработки 02, группа А.
Классификация транзисторов по функциональному назначению.
В настоящем разделе наряду с нашедшей отражение в системе условных обозначений типов транзисторов классификацией приведена
классификация биполярных транзисторов по частоте: низкочастотные (fгр. < 30 МГц); высокочастотные (30 МГц < /гр < 300 МГц);
сверхвысокочастотные (fгр > 300 МГц).
Биполярные транзисторы в соответствии с основными областями применения подразделяются на следующие группы:
усилительные (сверхчастотные, высоковольтные, высокочастотные линейные); генераторные (высокочастотные, сверхвысокочастотные,
сверхвысокочастотные с согласующими цепями);
переключательные высоковольтные и импульсные высоковольтные).
По своему основному назначению полевые транзисторы делятся на усилительные, генераторные и переключательные. Каждая из
перечисленных групп характеризуется специфической системой параметров и справочных зависимостей, отражающих особенности
применения транзисторов в радиоектронной аппаратуре.
Транзисторы серии ГТ(1Т)3...
Наимен.
Uкбо(и),В
Uкэо(и), В
Iкmax(и), мА
Pкmax(т), Вт
h21э
ГТ(1Т)313А
15
15
30
0.1
20-250
5
300
-
ГТ(1Т)313Б
15
15
30
0.1
20-250
5
450
-
ГТ(1Т)313В
15
15
30
0.1
30-170
5
350
-
ГТ(1Т)328А
15
15
10
0.05
20-200
10
400
7
15
15
10
0.05
40-200
10
300
7
ГТ(1Т)328В
15
15
10
0.05
10-70
10
300
7
ГТ(1Т)346А
20
20
10
0.05
10-150
10
700
3
ГТ(1Т)346Б
20
20
10
0.05
10-150
10
550
5.5
ГТ(1Т)346В
20
20
10
0.05
15-150
10
550
6
ГТ(1Т)328Б
тип
p-np
Uкбо
- Максимально допустимое напряжение коллектор-база
Uкбои
- Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база
Uкэо
- Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер
Iкбо, мкА
fгр., МГц
Кш, Дб
Uкэои
- Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер
Iкmax
- Максимально допустимый постоянный ток коллектора
Iкmax и
- Максимально допустимый импульсный ток коллектора
Pкmax
- Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода
Pкmax т
- Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом
h21э
- Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Iкбо
- Обратный ток коллектора
fгр
- граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
Uкэн
- напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Транзисторы серии ГТ(1Т)3...
Наимен.
Uкбо(и),В
Uкэо(и), В
Iкmax(и), мА
Pкmax(т), Вт
h21э
ГТ(1Т)806А
75
75
15000
2(30)
10-100
15000
10
-
ГТ(1Т)806Б
100
100
15000
2(30)
10-100
15000
10
-
120
120
15000
2(30)
10-100
15000
10
-
ГТ(1Т0806Г
50
50
15000
2(30)
10-100
15000
10
-
ГТ(1Т)806Д
140
140
15000
2(30)
10-100
15000
10
Uкбо(и),В
Uкэо(и), В
Iкmax(и), мА
h21э
Iкбо, мкА
ГТ(1Т)806В
Наимен.
тип
p-np
тип
Pкmax(т), Вт
Iкбо, мкА
fгр., МГц
fгр., МГц
Кш, Дб
Кш, Дб
ГТ(1Т)813А
ГТ(1Т)813Б
ГТ(1Т)813В
p-np
100
100
30000(40000)
1.5(50)
125
125
30000(40000)
1.5(50)
150
150
30000(40000)
1.5(50)
1060
1060
1060
Uкбо
- Максимально допустимое напряжение коллектор-база
Uкбои
- Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база
Uкэо
- Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер
Uкэои
- Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер
Iкmax
- Максимально допустимый постоянный ток коллектора
Iкmax и
- Максимально допустимый импульсный ток коллектора
Pкmax
- Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода
Pкmax т
- Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом
h21э
- Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Iкбо
- Обратный ток коллектора
fгр
- граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
Uкэн
- напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Серия КТ(2Т)5...
16000
5
-
16
5
-
16
5
-
Наимен.
Uкбо(и),В
Uкэо(и), В
Iкmax(и), мА
Pкmax(т), Вт
h21э
КТ(2Т)501А
15
15
300(500)
0.35
20-60
1
5
-
КТ(2Т)501Б
15
15
300(500)
0.35
40-120
1
5
-
КТ(2Т)501В
15
15
300(500)
0.35
80-240
1
5
КТ(2Т)501Г
30
30
300(500)
0.35
20-60
1
5
-
КТ(2Т)501Д
30
30
300(500)
0.35
40-120
1
5
-
30
30
300(500)
0.35
80-240
1
5
КТ(2Т)501Ж
45
45
300(500)
0.35
20-60
1
5
-
КТ(2Т)501И
45
45
300(500)
0.35
40-120
1
5
-
КТ(2Т)501К
45
45
300(500)
0.35
80-240
1
5
КТ(2Т)501Л
60
60
300(500)
0.35
20-60
1
5
-
КТ(2Т)501М
60
60
300(500)
0.35
40-120
1
5
-
КТ(2Т)502А
40
25
150(350)
0.35
40-120
1
350
-
КТ(2Т)502Б
40
25
150(350)
0.35
80-240
1
350
-
60
40
150(350)
0.35
40-120
1
350
-
КТ(2Т)502Г
60
40
150(350)
0.35
80-240
1
350
-
КТ(2Т)502Д
80
60
150(350)
0.35
40-120
1
350
-
КТ(2Т)501Е
КТ(2Т)502В
тип
p-np
p-np
Iкбо, мкА
fгр., МГц
Кш, Дб
4
4
4
КТ(2Т)502Е
90
80
150(350)
0.35
40-120
1
350
-
КТ(2Т)503А
40
25
150(350)
0.35
40-120
1
350
-
КТ(2Т)503Б
40
25
150(350)
0.35
80-240
1
350
-
60
40
150(350)
0.35
40-120
1
350
-
60
40
150(350)
0.35
80-240
1
350
-
КТ(2Т)503Д
80
60
150(350)
0.35
40-120
1
350
-
КТ(2Т)503Е
100
80
150(350)
0.35
40-120
1
350
-
КТ(2Т)504А
400
350
1000(2000)
1(10)
15-100
100
20
-
250
200
1000(2000)
1(10)
15-100
100
20
-
300
275
1000(2000)
1(10)
15-100
100
20
-
300
300
1000(2000)
1(10)
25-140
100
20
-
250
250
1000(2000)
1(10)
25-140
100
20
-
800
800
2000(5000)
0.8(10)
30-150
1000
10
-
600
600
2000(5000)
0.8(10)
30-150
1000
10
КТ(2Т)503В
КТ(2Т)503Г
КТ(2Т)504Б
n-pn
n-pn
КТ(2Т)504В
КТ(2Т)505А
КТ(2Т)505Б
p-np
КТ(2Т)506А
КТ(2Т)506Б
n-pn
Uкбо
- Максимально допустимое напряжение коллектор-база
Uкбои
- Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база
Uкэо
- Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер
-
Uкэои
- Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер
Iкmax
- Максимально допустимый постоянный ток коллектора
Iкmax и
- Максимально допустимый импульсный ток коллектора
Pкmax
- Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода
Pкmax т
- Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом
h21э
- Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Iкбо
- Обратный ток коллектора
fгр
- граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
Uкэн
- напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Серия ГТ(1Т)9...
Наимен.
тип
Uкбо(и),В
Uкэо(и), В
Iкmax(и), мА
Pкmax(т), Вт
ГТ(1Т)905А
75
75
3000(7000)
(6)
ГТ(1Т)905Б
60
60
3000(7000)
(6)
ГТ(1Т)906А
75
75
6000
(15)
ГТ(1Т)906АМ
75
75
6000
(15)
p-n-
h21э
35100
35100
p
Uкбо
- Максимально допустимое напряжение коллектор-база
30150
30150
Iкбо, мкА
fгр., МГц
К ш,
Дб
20000
60
-
20000
60
-
8000
30
-
8000
30
-
Uкбои
- Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база
Uкэо
- Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер
Uкэои
- Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер
Iкmax
- Максимально допустимый постоянный ток коллектора
Iкmax и
- Максимально допустимый импульсный ток коллектора
Pкmax
- Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода
Pкmax т
- Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом
h21э
- Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Iкбо
- Обратный ток коллектора
fгр
- граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
Uкэн
- напряжение насыщения коллектор-эмиттер