Акт экспертизы на товары - Томский политехнический университет

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования
«НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ
ТОМСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ»
Ленина пр., 30, Томск, 634050, тел. (3822) 60-63-33, (3822) 70-17-79, факс (3822) 56-38-65,
E-mail: [email protected] ОКПО 02069303, ОГРН 1027000890168, ИНН/КПП 7018007264/701701001, БИК 046902001
УТВЕРЖДАЮ
Ректор ТПУ
___________ П.С.Чубик
«___»_________ 2015 г.
АКТ
идентификационной оценки
комиссии по экспортному контролю
№ 037/00004-15/ВСЭК
Основание для осуществления экспертизы: контракт №3-389/2014Ку от 06.01.2015.
Иностранный участник: Компания ITAC Ltd, подразделение ShinMaywa Industries,
зарегистрированная по адресу: 1-1, Shinmeiwa-cho, Takarazuka, Hyogo-ken, 665-0052 Japan.
Объект экспертизы: предмет контракта «Разработка, изготовление, поставка
заказчику трех магнетронов, включая три источника питания»
Характеристика и описание объекта:
Объект №1
Магнетрон: предназначен для нанесения тонкопленочных металлических и
диэлектрических покрытий на металлические и диэлектрические поверхности.
Основными элементами магнетрона постоянного тока являются катод-мишень, анод и
магнитная система. Основой магнетрона являются корпус, выполненный из нержавеющей
стали 12Х18Н10Т; распыляемая мишень, размером 967х127х8 с прямым охлаждением.
Вакуумноплотное соединение между корпусом магнетрона и мишенью обеспечивается
уплотнением, выполненным из вакуумной резины. Внутри корпуса магнетрона расположена
магнитная система на основе самарий-кобальтовых магнитов. Для фиксирования положения
магнитов относительно магнитопровода использованы 2 желоба. Для охлаждения мишени и
магнитов используется дистиллированная вода, которая подается во внутреннюю полость
магнетрона через 2 штуцера, закрепленных на дне магнетрона. Комплект поставки – 3 шт.
Технические характеристики: размеры магнетрона – 1000х160х220 мм; размеры мишени –
967х127х8 мм; максимальный ток – 15 А; максимальное напряжение – 650 В; поток воды >12 л/мин; температура воды -<10°С.
Объект №2.
Источник питания: предназначен для питания постоянным или импульсным током
магнетронно-распылительной системы.
Описание объекта: Основными узлами источника питания являются: диодный
выпрямительный мост, источник вторичного электропитания, высоковольтный
Tomsk Polytechnic University (TPU),
Lenin Avenue, 30, Tomsk, 634050, Russia, +7 (3822) 60-63-33, +7 (3822) 70-17-79, fax +7 (3822) 56-38-65,
E-mail: [email protected], www.tpu.ru
преобразователь, высоковольтный трасформатор, выходной ключ, комплект соединительных
проводов.
Комплект поставки – 3 шт. Технические характеристики: электропитание – 3х380В,
50/60 Гц; максимальная выходная мощность – 12 кВт; выходное напряжение 65-650 В с
шагом 1 В; выходной ток – 0,1 – 18,5 А с током 0,01 А; тип выходного напряжения –
отрицательное постоянное или отрицательное импульсное; частота импульсов 1-100 кГц с
шагом 1 кГц.
Анализ принадлежности объектов к товарам, технологиям, включенным в
контрольные списки. Идентификация проводилась по наименованию объекта. При этом
производилось сопоставление объекта экспертизы с позициями и параметрами всех
контрольных списков. Принадлежность объекта экспертизы к контролируемым объектам
внешнеэкономической деятельности определена исходя из наименований позиций и
параметров:
1.
Списка оборудования и материалов двойного назначения и
соответствующих технологий, применяемых в ядерных целях, в отношении которых
осуществляется экспортный контроль, утвержденного указом Президента Российской
Федерации от 14 января 2003 г. №36 (со всеми последующими изменениями, вступившими в
силу на момент составления заключения);
2.
Списка товаров и технологий двойного назначения, которые могут быть
использованы при создании вооружений и военной техники и в отношении которых
осуществляется экспортный
контроль, утвержденного указом Президента РФ от
17.12.2011 г. №1661 (со всеми последующими изменениями, вступившими в силу на момент
составления заключения);
3.
Списка ядерных материалов, оборудования, специальных неядерных
материалов и соответствующих технологий, подпадающих под экспортный контроль,
утвержденного указом Президента РФ от 14 февраля 1996 г. №202 (со всеми последующими
изменениями, вступившими в силу на момент составления заключения);
4.
Списка оборудования, материалов и технологий, которые могут быть
использованы при создании ракетного оружия, и в отношении которых установлен
экспортный контроль, утвержденного указом Президента РФ от 8 августа 2001 г. №1005
(со всеми последующими изменениями, вступившими в силу на момент составления
заключения).
Объект №1. Анализ магнетрона по наименованию и принципу действия выявил
следующее.
Указом №1661 в разделе 1 контролируется 2.2.5. Оборудование, специально
разработанное для осаждения, обработки и активного управления процессом нанесения
неорганических покрытий, слоев и модификации поверхности (за исключением
формирования подложек для электронных схем) с использованием процессов, указанных в
таблице к пункту 2.5.3.6 и отмеченных в примечаниях к ней, а также специально
разработанные для него автоматизированные компоненты установки, позиционирования,
манипулирования и регулирования: 2.2.5.5. Производственное оборудование осаждения
распылением, обеспечивающее плотность тока 0,1 мА/кв.мм или более, со скоростью
осаждения 15 мкм/ч или более;
Рассматриваемый магнетрон не попадает под контроль пп. 2.2.5 и 2.2.5.5, т.к. не
содержит компонентов для активного управления процессом нанесения неорганических
покрытий, слоев и модификации поверхности; кроме того, обеспечиваемая скорость
осаждения (14 нм/ч) не соответствует контролируемым значениям (15 мкм/ч или более).
2.5.3.6. Технологии для осаждения, обработки и активного управления процессом
нанесения внешних слоев неорганических покрытий, иных покрытий и модификации
Tomsk Polytechnic University (TPU),
Lenin Avenue, 30, Tomsk, 634050, Russia, +7 (3822) 60-63-33, +7 (3822) 70-17-79, fax +7 (3822) 56-38-65,
E-mail: [email protected], www.tpu.ru
поверхности (за исключением формирования подложек для электронных схем) с
использованием процессов, указанных в таблице к настоящему пункту и примечаниях к ней.
Особое примечание. Нижеследующая таблица определяет, что технология конкретного
процесса нанесения покрытия подлежит экспортному контролю только при указанных в ней
сочетаниях позиций в колонках «Получаемой покрытие» и «Подложки».
Поставка рассматриваемого магнетрона не попадает под контроль п. 2.5.3.6, т.к. она
не сопровождается передачей технологии нанесения покрытий, включающей методы
активного управления этим процессом, указание конкретных материалов подложек и
покрытий и параметров режима нанесения покрытий.
Указом № 1005 пунктом 15.2.5 контролируются ускорители с энергией ускоренных
электронов свыше 2 МэВ, способные создавать тормозное электромагнитное излучение и
системы, в составе которых имеются такие ускорители.
Рассматриваемый магнетрон не попадает под контроль п. 15.2.5, т.к. обеспечиваемая
им энергия электронов (0,6 кэВ=0,0006 МэВ) не соответствует контролируемым величинам.
В разделе 4 «Товары и технологии, вывоз которых с территории Российской
Федерации контролируется по соображениям национальной безопасности» ограничен
экспорт следующего:
1.5.3.1. Технологии разработки, производства или применения мощных (более 3 МВ
средней мощности) СВЧ-источников;
4.5.3. Технологии разработки, производства или применения источников
микроволнового излучения (в том числе СВЧ-излучения) средней мощностью более 3 МВт с
энергией в импульсе более 10 кДж.
9.5.5. Технологии разработки, производства или применения высокомощных (с пиково
выходной мощностью более 10 ГВт) систем источников электромагнитной энергии радио
частоты:
9.5.8. Технологии разработки, производства или применения систем генерации мощных
(пиковая мощность более 10 ГВт или средняя мощность более 3 МВт) электромагнитных
импульсов неядерными способами, связанные с исследованиями по разработке
электромагнитных способов нелетального воздействия и приведенные ниже: 9.5.8.1.
Технологии разработки, производства или применения компактных источников энергии,
используемых для генерации токовых импульсов;
9.5.8.2. Технологии разработки, производства или применения резонаторов, которые
эффективно преобразуют большую часть энергии плазмы в электромагнитный импульс;
9.5.8.3. Технологии разработки, производства или применения излучателей с
коэффициентом направленного действия 100 и более, работоспособных в процессе
генерации электромагнитного импульса;
9.5.8.4. Технологии разработки или применения мер противодействия при воздействии
электромагнитного импульса на электронику.
Поставка рассматриваемого магнетрона не попадает под контроль пп. 1.5.3.1, 4.5.3,
9.5.5 и 9.5.8, т.к. он является устройством, в котором СВЧ-излучение отсутствует.
Указом №1661 контролируются 1.3.3. Магнитные металлические материалы всех
типов и в любой форме, имеющие какую-нибудь из следующих характеристик: 1.3.3.1.
Начальную относительную магнитную проницаемость 120000 или более и толщину 0,05 мм
или менее 1.3.3.2. Магнитострикционные сплавы, имеющие любую из следующих
характеристик: а) магнитострикцию насыщения более 5 х 10-4; или б) коэффициент
магнитомеханического воздействия (к) более 0,8.
Центральные магниты и внешние магниты, изготовленные из самарий-кобальтового
сплава и имеющие толщину 12 мм, не попадают под контроль п. 1.3.3. и его подпунктов, т.к.
являются готовыми покупными изделиями, а не поставляемым магнитным материалом.
Tomsk Polytechnic University (TPU),
Lenin Avenue, 30, Tomsk, 634050, Russia, +7 (3822) 60 63 33, +7 (3822) 70 17 79, fax +7 (3822) 56 38 65,
E-mail: [email protected], www.tpu.ru
Магнитопровод, изготовленный из стали Ст. 3 и имеющий толщину 10 мм, а также
магнитные шунты, изготовленные из стали Ст.3 и имеющие толщину 1 мм, не попадают под
контроль п. 1.3.3 и его подпунктов, т.к. являются готовыми изделиями, а не поставляемым
магнитным материалом.
Указом № 202 контролируются 2.5.2.9.2.1.4. Магнитные полюсные наконечники
специально разработанные или подготовленные магнитные полюсные наконечники,
имеющие диаметр более 2 м, используемые для обеспечения постоянного магнитного поля в
электромагнитном сепараторе изотопов и для переноса магнитного поля между
расположенными рядом сепараторами.
Центральные, внешние и торцевые магнитные наконечники не попадают под
контроль п. 1.3.3, его подпунктов и п. 2.5.2.9.2.1.4, т.к. их размеры не превышают 85 мм, что
не соответствует контролируемым значениям (более 2 м).
Уплотнение, корпус магнетрона, штуцер, дно, изолятор боковой, прижим, мишень,
желоб, изолятор торцевой, гайки М5, винты М6х25, шайбы М5х1 и винты М5х25 не имеют
связи с контрольными списками.
Вывод: объект экспертизы не соответствует контрольным спискам товаров и
технологий.
Объект № 2.
Анализ источника питания по наименованию и принципу действия.
Указами № 36 и № 202 контролируются 3.1.1. Преобразователи частоты, имеющие все
следующие характеристики: а) многофазный выход мощностью 40 Вт или более; б)
способные работать в интервале частот от 600 до 2000 Гц; в) суммарные нелинейные
искажения ниже 10%; и г) регулировку частоты с точностью лучше (меньше) 0,1%; и г)
регулировку частоты с точностью лучше (меньше) 0,1%
2.5.2.2.4. Специально разработанные или подготовленные преобразователи частоты
(также известные как конвертеры или инвекторы) для питания статоров двигателей,
указанных в пункте 2.5.2.1.2.4, или части, компоненты и подсборки таких преобразователей
частоты, обладающие полным набором следующих характеристик: 1) многофазный выход в
диапазоне от 600 до 2000 Гц; 2) высокая стабильность (стабилизация частоты лучше 0,1%; 3)
низкие нелинейные искажения (менее 2%); 4) коэффициент полезного действия свыше 80%.
Рассматриваемый источник питания не попадает под действие пп. 3.1.1 и 2.5.2.2.4, т.к.
имеет однофазный выход, что не соответствует контролируемому признаку «многофазный
выход».
Указом № 36 контролируются 6.1.2.2. Модульные электрические импульсные
генераторы, имеющие все следующие характеристики: а) предназначенные для
портативного, мобильного или ужесточенного режима использования; б) выполненные в
пыленепроницаемом корпусе; в) способные к выделению запасенной энергии в течение
менее чем 15 мкс; г) дающие на выходе ток свыше 100 А; д) со временем нарастания
импульса менее 10 мкс при сопротивлении нагрузки менее 40 Ом; е) ни один из размеров не
превышает 25,4 см; ж) вес менее 25 кг; и з) приспособленные для использования в
температурном диапазоне от - 50°С до +100° или определенные в качестве пригодных для
авиационно-космического использования.
Рассматриваемый объект не попадает под контроль п.6.1.2.2, т.к. его внешние размеры
больше предельного размера (254 мм), вес источника превышает контролируемую величину
(25 кг), кроме того, источник не приспособлен для работы в контролируемом диапазоне
температур (от -50 до +100°С), т.к. предназначен для работы в лабораторных условиях при
температурах вблизи комнатной (от +10 до +35°С).
Указом № 36 контролируются 3.1.5. Мощные источники постоянного тока, имеющие
обе следующие характеристики: а) способные непрерывно в течение более 8 часов создавать
Tomsk Polytechnic University (TPU),
Lenin Avenue, 30, Tomsk, 634050, Russia, +7 (3822) 60-63-33, +7 (3822) 70-17-79, fax +7 (3822) 56-38-65,
E-mail: [email protected], www.tpu.ru
напряжение 100 В с выходным током более 500 А; и б) со стабильностью тока или
напряжения лучше 0,1% в течение более 8 часов.
Указом № 202 контролируются 2.5.2.9.2.2. Высоковольтные источники питания
специально разработанные или подготовленные высоковольтные источники питания для
источников ионов, обладающие всеми следующими характеристиками: а) могут работать в
непрерывном режиме; б) выходное напряжение 20 000 В или более; в) выходной ток 1 А или
более; г) стабилизация напряжения менее 0,01% в течение 8 часов.
Рассматриваемый источник питания не попадает под действие п.3.1.5 т.к. его ток 18,5
А значительно ниже контролируемого (500 А) и не подпадает под действие п.2.5.2.9.2.2. т.к.
его напряжение 650 В значительно ниже контролируемого параметра 20 кВ.
Конденсаторы контролируются указом № 36, п. 6.1.4. Конденсаторы импульсного
разряда, имеющие любой из следующих наборов характеристик: а) напряжение 1,4 кВ; б)
запас энергии более 10 Дж; в) емкость более 0,5 мкФ; и г) последовательная индуктивность
менее 50 нГ; или а) напряжение более 750 В; б) емкость более 0,25 мкФ; и в)
последовательная индуктивность менее 10 нГ. Конденсатор К75-99с – 1600 В – 20 мкФ не
подпадает под действие п. 6.1.4. т.к. его индуктивность 80 нГ значительно превышает
контролируемое значение 50 нГн.
Указом № 1661 контролируются 3.1.1.5.2. Высокоэнергетические накопительные
конденсаторы: 3.1.1.5.2.1. Конденсаторы с частотой повторения ниже 10 Гц (одноразрядные
конденсаторы), имеющие все следующие характеристики: а) номинальное напряжение 5 кВ
или более; б) плотность энергии 250 Дж/кг или более; и в) полную энергию 25 кДж или
более. 3.1.1.5.2.2. Конденсаторы с частотой повторения 10 Гц и выше (многоразрядные
конденсаторы), имеющие все следующие характеристики: а) номинальное напряжение 5 кВ
или более; б) плотность энергии 50 Дж/кг или более; в) полную энергию 100 Дж или более; и
г) количество циклов заряд-разряда 10 000 или более.
Конденсатор К75-99с – 1600 В – 20 мкФ не подпадает под действие п. 3.1.1.5.2. т.к.
его номинальное напряжение 1,6 кВ ниже контролируемого параметра 5 кВ и более.
Вывод: объект экспертизы не соответствует контролируемым спискам товаров и
технологий.
Выводы:
Объект № 1.
Объект экспертизы – магнетрон – не соответствует контролируемым спискам товаров
и технологий.
Объект № 2.
Объект экспертизы – источник питания – не соответствует контрольным спискам
товаров и технологий.
Председатель комиссии
Фарков О.В.
Заместитель председателя
Байдали С.А.
Члены комиссии:
/_________________/
/_________________/
/_________________/
/_________________/
/_________________/
Tomsk Polytechnic University (TPU),
Lenin Avenue, 30, Tomsk, 634050, Russia, +7 (3822) 60 63 33, +7 (3822) 70 17 79, fax +7 (3822) 56 38 65,
E-mail: [email protected], www.tpu.ru