Банк экзаменационных вопросов по курсу «Проектирование специализированных СБИС»

Банк экзаменационных вопросов по курсу
«Проектирование специализированных СБИС»
1.
Закон Мура. Физические и экономические факторы, ограничивающие рост
степени интеграции.
2.
Формирование структур “кремний на диэлектрике”. SIMOX-технология.
Особенности включения МДП-транзисторов на SIMOX-пластине и их
преимущества по сравнению с традиционными МДП-структурами.
3.
Масштабирование. Предельные размеры МДП-структур.
4.
Квантовые ограничения и ограничения, связанные с процессом
туннелирования.
5.
Ограничения, связанные с пробоем диэлектрика.
6.
Принцип неопределенности. Ограничения, связанные с процессами
литографии.
7.
Термоэмиссионные и автоэмиссионные источники электронов. Их
основные параметры. Конструкции электронных пушек. Яркость.
8.
Виды источников ионных пучков. Их основные параметры, пример
конструкции. Яркость.
9.
Фотолитография в ультрафиолетовой области спектра. Достоинства и
недостатки. Область применимости.
10. Рентгенолитография. Источники рентгеновского излучения. Достоинства и
недостатки. Область применимости.
11. Электронно-лучевая литография. Достоинства и недостатки. Область
применимости.
12. Схема конструкции электронно-лучевой литографической установки.
Назначение основных элементов конструкции.
13. Основные виды аберраций, свойственные электронно-лучевой литографии.
Причины их возникновения.
14. Электростатические линзы. Механизм возникновения линзового эффекта.
Достоинства и недостатки.
15. Магнитные линзы. Механизм возникновения линзового эффекта.
Достоинства и недостатки.
16. Ионная литография. Достоинства и недостатки. Область применимости.
17. Методы переноса рисунка на поверхность пластины.
18. Методы выращивания кристаллов. Подготовительные технологические
операции.
19. Методы определения содержания примесей в кремниевых образцах.
Сравнительный анализ методов.
20. Виды деформаций пластин. Методы измерения деформаций. Пример
установки для измерения деформаций.
21. Виды деформаций пластин. Причины их возникновения.
22. Методы эпитаксии. Достоинства и недостатки. Области применимости.
23. Эпитаксия посредством испарения в сверхглубоком вакууме. Пример
установки. Достоинства и недостатки.
24. Эпитаксия посредством распыления. Пример установки. Достоинства и
недостатки.
25. Молекулярно-лучевая эпитаксия. Пример установки. Достоинства и
недостатки.
26. Эпитаксия посредством пиролитического разложения. Достоинства и
недостатки.
27. Эпитаксия посредством реакций восстановления. Пример установки.
Достоинства и недостатки.
28. Сравнительный анализ влажного и сухого травления.
29. Методы сухого травления. Достоинства и недостатки. Пример установоки
для сухого травления.
30. Методы быстрой термической обработки. Сравнительный анализ методов.
31. Ядерное легирование кремниевых пластин. Основные ядерные реакции.
Область применимости.
32. Сверхпроводимость. Зависимость сопротивления металлов от
температуры. Куперовские пары. Механизм их возникновения.
33. Функция плотности энергетических состояний для нормального и
сверхпроводящего состояний металла. Уровень Ферми, метод его
определения. Энергетическая щель в сверхпроводниках.
34. Фазовая когерентность куперовских пар.
35. Элемент Джозефсона. Туннельный эффект. Обоснование вольт-амперных
характеристик для нормального и сверхпроводящего состояний без учета
тока куперовских пар.
36. Эффекты Джозефсона. Причина возникновения постоянного тока
Джозефсона.
37. Эффекты Джозефсона. Причина возникновения переменного тока
Джозефсона.
38. Квантование магнитного потока. Зависимость тока Джозефсона от
магнитного поля.
39. Криотроны. Конструкции интегральных логических элементов на их
основе.
40. Элементы Джозефсона. Конструкции интегральных логических элементов
на их основе.
41. МОП-структуры с двойной диффузией. Достоинства и недостатки.
42. VМОП-структуры. Достоинства и недостатки.
43. Совмещенные МОП-структуры (СМОП). Интегральные логические
элементы (НЕ, И-НЕ, ИЛИ-НЕ) на их основе.
44. Пути сокращения стоимости специализированных СБИС.
45. Способы реализации специализированных СБИС. Сравнительный анализ.
46. ПЗУ и ПЛМ. Структурные схемы. Отличительные особенности.
47. Гетеропереходы. Резкий и варизонный гетеропереходы.
48. Биполярный интегральный транзистор с варизонным гетеропереходом.
49. Селективно-легированный полевой транзистор Шоттки с высокой
подвижностью носителей.
50. Интегральный МДП-транзистор с субмикронной длиной канала.