МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Государственное образовательное учреждение высшего профессионального

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального
образования «Московский государственный институт электронной техники
(технический университет)»
«УТВЕРЖДАЮ»
Декан факультета ЭКТ
_______________________ /Путря. М.Г./
«_____» _____________________ 2011 г.
РАБОЧАЯ ПРОГРАММА УЧЕБНОЙ ДИСЦИПЛИНЫ
«Технология наноэлектромеханических систем»
Рекомендуется для направления подготовки
210100 «Электроника и наноэлектроника»
Профиль — «Интегральная наноэлектроника»
Квалификация выпускника — бакалавр
Нормативный срок освоения — 4 года
Форма обучения – очная
2011 г.
Лист согласования
Рабочая программа разработана на кафедре "Интегральная электроника и
микросистемы" (ИЭМС) и утверждена на заседании кафедры ___.___.2010 года,
протокол № ___
Зам. заведующего кафедрой ИЭМС
/Крупкина Т.Ю/
Рабочая программа согласована с выпускающей кафедрой ИЭМС
Зам. заведующего кафедрой ИЭМС
/Крупкина Т.Ю/
1.
Цели и задачи дисциплины
Целью дисциплины «Технология наноэлектромеханических систем» является
изучение и практическое освоение знаний в области технологии изготовления микрои наноэлектромеханических систем, специализированных процессах поверхностной и
объемной
микрообработки
кремния,
базовых
физических
принципах
функционирования, характеристиках кремниевых микроэлектронных датчиков и
компонентов микросистем и особенностях их применения. Дисциплина относится к
профессиональному
учебному
циклу
основной
образовательной
программы
бакалавриата.
Задачи дисциплины:
- изучение базовых конструкций и технологии изготовления микро- и
наноэлектронных датчиков и компонентов микросистем;
- изучение физических принципов функционирования микроэлектронных
датчиков и компонентов микросистем;
- изучение основных технических характеристик микроэлектронных
датчиков и компонентов микросистем и областей их рационального применения;
- формирование знаний о достижениях отечественной и зарубежной науки
и техники в области микроэлектронных датчиков и нано- и микросистем.
Место дисциплины в структуре ООП
2.
Дисциплина «Технология наноэлектромеханических систем» является одной из
вариативных составляющих профессионального цикла ФГОС-3. В учебный план
дисциплина
«Технология
наноэлектромеханических
систем»
включается
как
дисциплина по выбору.
Изучению данной дисциплины предшествует формирование общекультурных
и профессиональных компетенций в дисциплинах: математика, физика, химия,
теоретическая физика, материалы электронной техники, физика конденсированного
состояния, основы технологии электронной компонентной базы.
В дисциплине «Технология наноэлектромеханических систем» реализуются
теоретические знания, полученные при их изучении, а именно:
-
"Математика"
–
дифференциальные
уравнения,
математическая статистика, численные методы.
теория
вероятностей
и
- "Физика" – молекулярная теория газов, электромагнетизм, оптика, основы атомной
физики.
- "Химия" – основные сведения о химических реакциях.
- "Теоретическая физика" – классическая и квантовая статистика, квантовая механика.
- "Материалы электронной техники" – основные сведения о полупроводниковых,
металлических
и
диэлектрических
материалах,
используемых
в
технологии
формирования электронной компонентной базы и методах их создания
- "Физика конденсированного состояния" - структура и симметрия кристаллов,
основы зонной теории.
- "Основы технологии электронной компонентной базы" - основные технологические
операции изготовления элементов интегральной микро- и наноэлектроники.
3.
Требования к результатам освоения дисциплины
Процесс изучения дисциплины направлен на формирование следующих компетенций:
Общекультурные компетенции
ОК
способность владеть культурой мышления, способностью к обобщению,
ОК-1
анализу, восприятию информации, постановке цели и выбору путей её
достижения
способность логически верно, аргументировано и ясно строить устную и
ОК- 2
письменную речь
способностью использовать основные законы естественнонаучных
ОК-10
дисциплин в профессиональной деятельности, применять методы
Профессиональные
компетенции
математического анализа
и моделирования,
теоретического и
Общепрофессиональные
компетенции:
экспериментального
исследования
Нучно-исследовательская деятельность:
способность представить адекватную современному уровню знаний научную
ПК
ПК-1
картину мира на основе знания основных положений, законов и методов
естественных наук и математики.
способность выявить естественнонаучную сущность проблем, возникающих
ПК-2
в ходе профессиональной деятельности, привлечь для их решения
соответствующий физико-математический аппарат
готовность учитывать современные тенденции развития электроники, ПК- 3…
измерительной и вычислительной техники, информационных технологий в
своей профессиональной деятельности
способность владеть основными приемами обработки и представления
ПК-5
экспериментальных данных
способность собирать, обрабатывать, анализировать и систематизировать ПК- 6…
научно-техническую
информацию
по тематике
исследования, использовать
Проектно
– конструкторская
деятельность:
достижения отечественной и зарубежной науки, техники и технологии
способность проводить предварительное технико-экономическое
(ПК-6);
обоснование проектов
ПК-8
способность осуществлять сбор и анализ исходных данных для расчета и
ПК-9
проектирования электронных приборов, схем и устройств различного
функционального
назначения
готовностью
выполнять
расчет и проектирование электронных приборов,
ПК-10
схем и устройств различного функционального назначения в соответствии с
техническим разрабатывать
заданием с проектную
использованием
средств документацию,
автоматизации
способностью
и техническую
ПК-11
проектирования
оформлять
законченные проектно-конструкторские работ
готовностью внедрять результаты разработок в производство
способностью
выполнять
работы
по
ПК-13
технологической
подготовке
ПК-14
способностью готовить документацию и участвовать в работе системы
ПК-15
производства материалов и изделий электронной техники
менеджмента качества на предприятии
готовностью организовывать метрологическое обеспечение производства
ПК-16
материалов и изделий электронной техники
способностью
осуществлять
контроль
соблюдения
экологической
ПК-17
способность собирать, анализировать и систематизировать отечественную и
ПК-18
безопасности
зарубежную научно-техническую информацию по тематике исследования в
области электроники
наноэлектроники
способность
строитьи простейшие
физические и математические модели
ПК-19
приборов, схем, устройств и установок электроники и наноэлектроники
различного функционального назначения, а также использовать стандартные
способность
аргументировано
выбиратьмоделирования
и реализовывать на практике
программные средства
их компьютерного
ПК-20
эффективную методику экспериментального исследования параметров и
характеристик приборов, схем, устройств и установок электроники и
готовность анализировать и систематизировать результаты исследований,
наноэлектроники различного функционального назначения
представлять материалы в виде научных отчетов, публикаций, презентаций
ПК-21
способностью
внедрять
результаты
исследований
и
разработок
и
ПК-22
работоспособность
ПК-27
организовывать защиту прав на объекты интеллектуальной собственности
Монтажно- наладочная деятельность:
способность
налаживать,
испытывать,
проверять
измерительного,
диагностического,
технологического
используемого
для
различных
решения
оборудования,
научно-технических,
технологических
и производственных
задач в иобласти
и
готовность к участию
в монтаже, испытаниях
сдаче вэлектроники
эксплуатацию
наноэлектроники
опытных образцов материалов и изделий электронной техники
Срвисно-эксплуатационная деятельность:
способность к сервисному обслуживанию измерительного, диагностического,
ПК-28
ПК-29
технологического оборудования
готовность осуществлять регламентную проверку технического состояния
ПК-30
оборудования, его профилактический осмотр и текущий ремонт ;
способность составлять заявки на запасные детали и расходные материалы, а
ПК-31
также на проверку и калибровку аппаратуры
способность разрабатывать инструкции по эксплуатации используемых
технического
оборудования
и
программного
обеспечения
ПК-32
для
обслуживающего персонала
Профильные компетенции
ПКТ
способностью разрабатывать и исследовать технологию производства
ПКТ-2
изделий микро- и наноэлектроники различного функционального назначения
В результате освоения дисциплины студент должен:
Знать:

базовые конструкции и технологии изготовления КМОП и биполярных ИС;

физические принципы функционирования микроэлектронных датчиков и
компонентов микросистем;

основные
технические
характеристики
микроэлектронных
датчиков
и
компонентов микросистем и областях их рационального применения;

достижения отечественной и зарубежной науки и техники в области
микроэлектронных датчиков и микросистем;

особенности построения микросистем, связанных с переходом на суб- и
нанометровые размеры.
Уметь и демонстрировать способность и готовность:

разрабатывать
технологические
маршруты
формирования
кремниевых
датчиков различных физических величин.
Владеть:

навыками расчета характеристик кремниевых преобразователей физических
величин.
32
32
32
32
другие
реферат
участие в конференциях и
семинарах
16
16
расчетно-графическая работа
40
40
курсовой работа (проект)
другие
лабораторные работы
практические занятия
(семинары)
лекции
ВСЕГО
Общая трудоёмкость (часов)
108
108
3
ЭМИРС
Всего
7
Часов
зач.ед.
Самостоятельная работа
ВСЕГО
4
Семестр
Курс
Аудиторная работа
24
24
Вид промежуточной
аттестации (зачет, экзамен)
Объем дисциплины и виды учебной работы
4.
Экзамен
36
5.
СОДЕРЖАНИЕ ДИСЦИПЛИНЫ
4. Микросистемы –
преобразователи
физических
величин.
Преобразователи
температуры.
5. Микросистемы –
преобразователи
физических
величин.
Преобразователи
давления.
6
Микросистемы
–
преобразователи
физических
величин.
Преобразователи
ускорения.
7
Микросистемы
–
преобразователи
физических
величин.
Преобразователи
угловой
скорости
(микрогироскопы).
8. Микросистемы –
преобразователи
физических
величин.
Преобразователи
состава газов.
ОК: 1,2,
10, ПК:
13,5,6,811,13-22;
ПКТ: 2
ОК: 1,2,
10, ПК:
13,5,6,811,13-22;
ПКТ: 2
ОК: 1,2,
10, ПК:
13,5,6,811,13-22;
ПКТ: 2
ОК: 1,2,
10, ПК:
13,5,6,811,13-22;
ПКТ: 2
ОК: 1,2,
10, ПК:
13,5,6,811,13-22;
ПКТ: 2
ОК: 1,2,
10, ПК:
13,5,6,811,13-22;
ПКТ: 2
2
2
2
1
1
+
2
2
2
1
1
+
2
2
2
1
1
+
2
2
2
1
1
+ +
2
2
2
1
1
+
2
2
2
1
1
+
2
2
2
1
1
+
Текущая аттестация
(рубежный контроль)
+
сдача лаб. работ
1
контрольная
работа
тест
опрос
доклад
1
другие
2
реферат
2
Лекции
2
коллоквиум
расчетно-графическая
работа
участие в конференциях
и семинарах
курсовой работа (проект)
лабораторные занятия
другие
практические занятия
(семинары)
Текущий контроль
успеваемости
ЭМИРС
3.
Технологические
процессы изготовления
кремниевых
микросистем.
Технология
поверхностной
микрообработки.
Контрольные
мероприятия
Самостоятельная работа
ВСЕГО
ОК: 1,2,
1.
Микросистемная 10, ПК:
техника - основные 1понятия и определения. 3,5,6,811,13-22;
ПКТ: 2
2.
Технологические ОК: 1,2,
процессы изготовления 10, ПК:
1кремниевых
3,5,6,8микросистем.
Технология объемной 11,13-22;
ПКТ: 2
микрообработки
кремния.
Аудиторная
работа
ВСЕГО
Шифр формируемой компетенции
№ и наименование модуля
5.1. Тематический план дисциплины и виды занятий
ОК: 1,2,
10, ПК:
13,5,6,811,13-22;
ПКТ: 2
ОК: 1,2,
10, ПК:
10. Микроэлектронные
1сенсоры
магнитного
3,5,6,8поля.
11,13-22;
ПКТ: 2
9.
Особенности
технологических
процессов интеграции
преобразователей
и
микросхем.
11 Применение КМОП
технологии
интегральных схем для
изготовления
магниточувствительных
элементов.
ОК: 1,2,
10, ПК:
13,5,6,811,13-22;
ПКТ: 2
12
Применение
биполярной технологии
интегральных схем для
изготовления
магниточувствительных
элементов.
ОК: 1,2,
10, ПК:
13,5,6,811,13-22;
ПКТ: 2
13 Сенсоры вектора
индукции магнитного
поля.
14
Тонкопленочные
магниторезистивные
датчики
магнитного
поля.
15
Магниточувствительны
е интегральные схемы.
16
Кремниевые
магниточувствительные
микросистемы.
Всего часов
ОК: 1,2,
10, ПК:
13,5,6,811,13-22;
ПКТ: 2
ОК: 1,2,
10, ПК:
13,5,6,811,13-22;
ПКТ: 2
ОК: 1,2,
10, ПК:
13,5,6,811,13-22;
ПКТ: 2
ОК: 1,2,
10, ПК:
13,5,6,811,13-22;
ПКТ: 2
108
2
2
2
1
1
+
2
2
2
1
1
+
2
2
2
1
1
+ +
2
2
2
1
1
+
2
2
2
1
1
+
2
2
2
1
1
+ +
2
2
2
1
1
+
2
2
10
1
9
+
32
32
40 16
24
5.2.
36
(Экз)
Содержание модулей дисциплины
Лекции не предусмотрены
5.3 Практические задания (семинары)
№
модул
я
M1
№
семина
ра
1
M2
2
Содержание раздела
Терминология.
Типы микросистем. Основные направления
развития микросистемной техники. Базовые технологии и
особенности изготовления микросистем.
Жидкостное анизотропное травление кремния. Химические
травители.
Особенности
создаваемой
микрогеометрии,
формируемые
микромеханические
компоненты.
Маски,
M3
3
M4
4
M5
5
M6
6
M7
7
M8
8
M9
9
M10
10
используемые для травления. Методы двухстороннего совмещения
фотолитографических масок. Объемная микрообработка при
помощи сухого травления. Бош-процесс, основные возможности
получения микроструктур.
Основные операции технологического маршрута. Реализуемые
микромеханические компоненты, характерные размеры и
особенности. Основные проблемы формирования поверхностных
микромеханических элементов из поликристаллического кремния.
Методы преодоления проблем внутренних механических
напряжений и эффекта залипания. Основные микросистемы на
элементах поверхностной микромеханики.
Особенности измерения температуры. Температурные шкалы.
Основные типы преобразователей температуры. Возможности
использования элементов ИС в качестве преобразователей
температуры. Схемотехнические и конструктивные принципы
построения преобразователей температуры в составе интегральных
микросхем.
Принципы преобразования давления в кремниевых кристаллах.
Тензорезистивный эффект. Основные конструкции интегральных
тензопреобразователей давления. Конструкции кристаллов с
плоской мембраной и мембраной с «жестким центром»
Основные характеристики акселерометров. Конструктивные
принципы
исполнения
интегральных
акселерометров.
Тензорезистивные и емкостные интегральные акселерометры.
Примеры конструктивно-технологической реализации.
Основные характеристики микрогироскопов. Конструктивные
принципы исполнения. Разработанные и перспективные
технологии изготовления.
Принципы преобразования химического состава в электрический
сигнал. Резистивные и емкостные преобразователи. Особенности
условий функционирования преобразователей газового состава.
Основные
конструктивно-технологические
особенности
изготовления преобразователей газового состава на основе
микрообработки кремния.
Возможности и технологии интеграции тензорезистивных
преобразователей давления, ускорения, микроперемещения и схем
обработки
сигнала.
Реализация
интеграции
элементов
поверхностной микромеханики и ИС. Акселерометры фирмы
“Analog Devices”
Техническая и экономическая целесообразность интеграции ЧЭ и
микросхем на одном кристалле.
Классификация сенсоров магнитного поля, назначение, вид
преобразования, принцип действия. Основные типы интегральных
полупроводниковых сенсоров магнитного поля и области их
применения. Сила Лоренца, эффект Холла. Основные
характеристики
интегральных сенсоров магнитного поля:
диапазон
измерения,
чувствительность,
линейность,
селективность, смещение нуля.
Погрешности измерений:
M11
11
M12
12
M13
13
M14
14
M15
15
M16
16
температурный и временной дрейф параметров, шумы. Критерии
качества сенсоров магнитного поля. Основные типы датчиков
(тока, линейного перемещения, положения, угла поворота, числа
оборотов) реализуемых на основе микроэлектронных сенсоров
магнитного поля.
Конструкции объемного интегрального элемента Холла, МОПэлемента Холла, МОП двухстокового магнитотранзистора,
латерального
двухколлекторного
биполярного
магнитотранзистора,
магнитодиода,
функциональноинтегрированного КМОП магнитосенсора. Структурные схемы
технологических маршрутов формирования различных типов
сенсоров. Технологические особенности формирования сенсоров.
Влияние особенностей КМОП технологии изготовления на
параметры магниточувствительных сенсоров.
Конструкции объемного интегрального элемента Холла,
вертикального элемента Холла, вертикального двухколлекторного
биполярного
магнитотранзистора,
функциональноинтегрированного
магнитосенсора
с
дифференциальным
усилением сигнала. Структурные схемы технологических
маршрутов
формирования
различных
типов
сенсоров.
Технологические особенности формирования сенсоров. Влияние
особенностей биполярной технологии изготовления на параметры
магниточувствительных сенсоров.
Сенсоры для измерения двух и трех компонент вектора индукции
магнитного
поля.
Составные
сенсоры.
Функциональноинтегрированные
сенсоры.
Объем
магниточувствительной
области. Чувствительность. Перекрестная чувствительность и
селективность. Структурные схемы технологических маршрутов и
особенности технологии формирования сенсоров вектора
индукции магнитного поля.
Ось легкого намагничивания. Поле магнитной анизотропии.
Коэрцитивная сила. Коэффициент магниторезистивного эффекта.
Чувствительность. Гигантский магниторезистивный эффект.
Конструкции однослойных и многослойных магниторезистивных
датчиков. Структурные схемы технологических маршрутов
формирования различных типов магниторезистивных датчиков.
Технологические особенности формирования магниторезистивных
датчиков.
Структурные блок-схемы построения. Основные типы выходного
сигнала. Индукция срабатывания и отпускания. Чувствительность.
Точностные характеристики. Технологические особенности
формирования магниточувствительных интегральных схем по
КМОП и биполярной технологиям. Области применения.
Принципы
построения
и
конструктивное
исполнение
магниточувствительных микросистем. Разрешение по магнитному
полю.
Пространственное
разрешение.
Конструктивные
особенности построения и характеристики магниточувствительных
микросистем
матричного
типа.
Применение
магниточувствительных микросистем в
интроскопии и измерительных системах.
системах
магнитной
5.4. Лабораторные занятия
Лабораторные занятия не предусмотрены
6. Самостоятельная работа студентов
№ модуля
дисципли
ны
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
7.
№
п/п
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
Перечень видов СРС
Освоение теоретического материала
Освоение теоретического материала
Освоение теоретического материала
Освоение теоретического материала
Освоение теоретического материала
Освоение теоретического материала
Освоение теоретического материала
Освоение теоретического материала
Освоение теоретического материала
Освоение теоретического материала
Освоение теоретического материала
Освоение теоретического материала
Освоение теоретического материала
Освоение теоретического материала
Освоение теоретического материала
Освоение теоретического материала.
Подготовка к экзамену
Трудоёмкос
ть (часов)
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
10
Примерная тематика курсовых работ (проектов)
Курсовые работы не предусмотрены
8.
Учебно-методическое и информационное обеспечение
дисциплины
Основная литература:
1. Шелепин Н.А. Кремниевые преобразователи физических величин и компоненты
датчиков. Датчики и микроситемы на их основе // микросистемная техника, 2002, №9,
С.2–10.
2. Артамонова Е.А., Балашов А.Г., Ключников А.С., Красюков А.Ю., Поломошнов
С.А. Под ред. Крупкиной Т.Ю. Лабораторный практикум по курсу «Моделирование в
среде TCAD». Ч.1 Введение в приборно-технологическое моделирование М.: МИЭТ,
2009.
Справочник Шпрингера по нанотехнологиям (в трех томах) / Под ред. Б.Бхушана. Том I
/ Москва: Техносфера, 2010. – 864 с.
3. Справочник Шпрингера по нанотехнологиям (в трех томах) / Под ред. Б.Бхушана.
Том II / Москва: Техносфера, 2010. – 832 с.
4. Справочник Шпрингера по нанотехнологиям (в трех томах) / Под ред. Б.Бхушана.
Том III / Москва: Техносфера, 2010. – 1040 с.
Дополнительная литература
1.
Чаплыгин
Ю.А.,
Галушков
А.И.
Введение
в
технологию
кремниевых
микроэлектронных датчиков// Учебное пособие, М.:МИЭТ, 1996.
2.
Галушков
А.И.,
Чаплыгин
Ю.А.
Кремниевые
магниточувствительные
интегральные схемы // н-т. журнал "Известия вузов", Электроника, 1997, №1, С.53-56.
8.
Галушков
А.И.,
Чаплыгин
Ю.А.
Интегральные
магниточувствительные
микросистемы. // н-т. журнал "Известия вузов", Электроника, 2000, №4-5, стр.124127.
3. Ж. Аш, П. Андре, Ж. Бофрон и др. Датчики измерительных систем: В 2-х книгах.
Пер. с франц. М.: Мир, 1992.
4. Ваганов В.И. Интегральные тензопреобразователи. М.: Энергоатомиздат, 1983.
5. Климов Д.М., Васильев А.А., Лучинин В.В., Мальцев П.П. Перспективы развития
микросистемной техники в XXI веке // МИКРОСИСТЕМНАЯ ТЕХНИКА, 1999, №1,
С.3-6.
6. Л.В.Соколов. Твердотельные микроприборы и микросистемы с интегрированными
микромеханическими структурами //ЗАРУБЕЖНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА,
1998, выпуск 2, С.62-78.
1. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. В 2-х т. - М.: Мир, 1984.
2. Зи С. Технология СБИС. В 2-х т. - М.: Мир, 1986.
Программное обеспечение:
Система приборно-технологического моделирования Sentaurus TCAD компании
Synopsys.
Базы данных, информационно-справочные и поисковые системы
1. Коллекция информационных ресурсов МИЭТ: http://www.mocnit.miet.ru/oroksmiet/
2. Поисковые системы: www.google.com
9.
Материально-техническое обеспечение дисциплины
Лабораторные работы проводятся в специализированном Учебно-научном
центре приборно-технологического моделирования. Лаборатория должна быть
оснащена сервером, на котором размещено лицензионное программное обеспечение
(пакет программ TCAD Sentaurus Synopsys), персональными компьютерами класса
Pentium 4, сетевым принтером.
10. Методические рекомендации по организации изучения дисциплины.
Описание активных и интерактивных форм проведения занятий и
инновационных технологий обучения
10.1. Позиционирование модулей
- М1-М3 изучаются в течение всего курса в указанной последовательности, т. к.
логически вытекают один из другого и дают необходимую сумму знаний для
дальнейшего изучения дисциплины
10.2. Календарный график освоения дисциплины (схема реализации модулей при
изучении дисциплины, организация изучения дисциплин)
Виды и содержание учебных занятий
№ семинара
Недели
№ лабораторной работы
№ дом. задания,
сроки выдачи и
выполнения
Текущая аттестация
4
5
1
2
1 неделя
1 (М1)
Консультации с
преподавателем
2 неделя
2 (М2)
Консультации с
преподавателем
_
3
Интерактивные
методы,
компьютерное
тестирование
Интерактивные
методы,
компьютерное
тестирование
Виды и содержание учебных занятий
№ семинара
Недели
№ лабораторной работы
№ дом. задания,
сроки выдачи и
выполнения
Текущая аттестация
4
5
1
2
3 неделя
3 (М3)
Консультации с
преподавателем
Интерактивные
методы,
компьютерное
тестирование
4 неделя
4 (М4)
Консультации с
преподавателем
Интерактивные
методы,
компьютерное
тестирование
5 неделя
5 (М5)
Консультации с
преподавателем
Интерактивные
методы,
компьютерное
тестирование
6 неделя
6 (М6)
Консультации с
преподавателем
Интерактивные
методы,
компьютерное
тестирование
7 неделя
7 (М7)
Консультации с
преподавателем
Интерактивные
методы,
компьютерное
тестирование
8 неделя
8 (М8)
Консультации с
преподавателем
Интерактивные
методы,
компьютерное
тестирование
9 неделя
9 (М9)
Консультации с
преподавателем
Интерактивные
методы,
компьютерное
тестирование
10 неделя
10 (М10)
Консультации с
преподавателем
Интерактивные
методы,
компьютерное
тестирование
11 неделя
11 (М11)
Консультации с
преподавателем
Интерактивные
методы,
компьютерное
тестирование
12 неделя
_
12 (М12)
Консультации с
преподавателем
Интерактивные
методы,
компьютерное
тестирование
3
Виды и содержание учебных занятий
№ семинара
Недели
№ дом. задания,
№ лабораторной работы
сроки выдачи и
выполнения
Текущая аттестация
4
5
1
2
13 неделя
13 (М13)
Консультации с
преподавателем
Интерактивные
методы,
компьютерное
тестирование
14 неделя
14 (М14)
Консультации с
преподавателем
Интерактивные
методы,
компьютерное
тестирование
15 неделя
15 (М15)
Консультации с
преподавателем
Интерактивные
методы,
компьютерное
тестирование
16 неделя
16 (М16)
Консультации с
преподавателем
Не предусмотрены
(подготовка к
экзамену)
3
10.3. Использование активных и интерактивных форм проведения занятий и
инновационных технологий обучения (цели их использования; раздел, тема при
изучении которых применяются активные и интерактивные формы/технология
проведения занятий)
М1-М16
Семинары
М1-М16
Самостоятельная
работа
+
+
раздел в ДП
групповые
проекты
разбор
конкретных
ситуаций
(кейсов)
деловые и
ролевые игры
лабораторный
тренинг
компьютерные
симуляции
лекция - прессконференция
виды занятий
проблемные
лекции
№ модуля
дисциплины
ИВСС
виды активных и интерактивных форм проведения
занятий и инновационных технологий обучения
коды формируе
мых
компетенций
ОК: 1,2, 10, ПК:
1-3,5,6,8-11,1322; ПКТ: 2
ОК: 1,2, 10, ПК:
1-3,5,6,8-11,1322; ПКТ: 2
Целью введения активных и интерактивных форм проведения занятий и
инновационных технологий обучения в учебный процесс по дисциплине
является:
приведение учебного процесса в соответствие с требования ФГОС; формирование
интегральных профессиональных компетенций выпускника; сокращение количества
лекций,
организация
профессионального
самостоятельной
контекста;
переход
работы
от
студентов;
преимущественной
создание
активности
преподавателя к активности учащихся; формирование учебной автономности
студента, его ответственности за процесс и результаты обучения; создание условий,
при которых студенты самостоятельно приобретают новые знания из разных
источников,
учатся пользоваться приобретенными
знаниями для решения
познавательных и практических задач; приобретают коммуникативные умения,
работая в группах, развивают у себя исследовательские умения (умения выявления
проблем, сбора информации, наблюдения, проведения эксперимента, анализа,
построения гипотез, обобщения и др.), системное мышление; способность давать
критическую оценку событий.
Технология проведения занятий состоит в следующем:
Разбор конкретных ситуаций во время семинаров и консультаций (М1-М16).
Проводится рассмотрение рекомендаций по вопросам принципов преобразования,
конструкции, технологии изготовления и определения основных параметров микро- и
наноэлектромеханических систем.
Самостоятельная
работа
студентов
предусматривает
индивидуальную
подготовку студентов к подготовке к учебному индивидуальному тестированию и
экзамену (М1-М16).
10.4.
Оценочные
средства
(в
т.ч.
и
инновационные)
сформированности
общекультурных и профессиональных компетенций
Контроль самостоятельной работы студентов в виде тестирования, сдача экзамена
Разработчик:
К.т.н. _________________ Поломошнов С.А.