«Ивановский государственный химико-технологический университет» Факультет неорганической химии и технологии

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования
«Ивановский государственный химико-технологический университет»
Факультет неорганической химии и технологии
Кафедра технологии приборов и материалов электронной техники
Утверждаю: проректор по УР
_______________ В.В. Рыбкин
«
»
Рабочая учебная программа дисциплины
Технология и оборудование производства
изделий электронной техники
Направление подготовки 240100 Химическая технология
Профиль подготовки
Химическая технология материалов и изделий
электроники и наноэлектроники
Квалификация (степень) Бакалавр
Форма обучения
очная
Иваново, 2010
200 г.
1. Цели освоения дисциплины
Целями освоения дисциплины являются изучение технологии и оборудования для
производства вакуумных, газоразрядных, полупроводниковых и других твердотельных
приборов; способов управления технологическими процессами и качеством готового
изделия; основных направлений совершенствования и развития технологии производства
изделий электронной техники.
2. Место дисциплины в структуре ООП бакалавриата
Дисциплина относится к вариативной части цикла профессиональных дисциплин
профиля, базируется на результатах изучения целого ряда других дисциплин
профессионального цикла: «Техника высокого вакуума», «Физическая электроника и
электронные приборы», «Вакумно-плазменные процессы и технологии», «Технология
материалов электронной техники», «Технология тонких пленок и покрытий», «Процессы
микро и нанотехнологий». Данная дисциплина, по сути, является завершающей в
технологическом блоке. Для успешного усвоения дисциплины студент должен
знать:
принцип действия и конструкции основных приборов вакуумной, газоразрядной и
твердотельной электроники;
свойства и методы обработки материалов, используемых для изготовления отдельных
элементов, узлов, деталей электронных приборов;
способы создания и контроля разрежения в вакуумных и газоразрядных приборах, типы
средств откачки, методы расчета и проектирования вакуумных систем;
базовые технологические процессы, используемые при производстве вакуумных,
газоразрядных, полупроводниковых и других твердотельных электронных приборов;
способы получения тонких пленок и покрытий; методы исследования свойств пленок.
уметь:
применять знания о способах управления фазовыми и химическими превращениями
веществ в технологических процессах, дефектообразованием и электрофизическими
свойствами для получения материалов с заданными характеристиками; выбирать из
основных групп материалов наиболее оптимальные для решения конкретной
профессиональной задачи
рассчитывать и проектировать вакуумные системы, подбирать средства откачки в
зависимости от поставленной задачи;
- применять методы расчета параметров и характеристик, моделирования и проектирования
электронных приборов и устройств твердотельной электроники и наноэлектроники;
- применять базовые технологические процессы для решения профессиональных задач.
владеть:
информацией об областях применения и перспективах развития приборов и устройств
вакуумной и плазменной электроники; методами экспериментальных исследований
параметров и характеристик электронных приборов и устройств твердотельной электроники
и наноэлектроники, экспериментального исследования приборов и устройств; информацией
об областях применения и перспективах развития приборов, устройств и методов квантовой
и оптической электроники;
- экспериментальными методами исследования свойств материалов; информацией о
перспективных направлениях развития основных групп материалов для электронной техники
и их использования в конкретных устройствах и приборах;
- навыками работы на откачном оборудовании и оборудовании для получения тонких
пленок.
3. Компетенции обучающегося, формируемые в результате освоения дисциплины
- способностью и готовностью осуществлять технологический процесс в соответствии с
регламентом и использовать технические средства для измерения основных параметров
технологического процесса, свойств сырья и продукции (ПК-7);
- способен анализировать техническую документацию, подбирать оборудование, готовить
заявки на приобретение и ремонт оборудования (ПК-16);
- способен использовать знание свойств химических элементов, соединений и материалов на
их основе для решения задач профессиональной деятельности (ПК-23);
- готовностью к применению современных технологических процессов и технологического
оборудования на этапах разработки и производства материалов и изделий электронной
техники (ПК-32).
- способностью идентифицировать новые области исследований, новые проблемы в сфере
химии, физики, технологии изготовления и применения электронных приборов и устройств
(ПК-33).
В результате освоения дисциплины обучающийся должен:
•Знать:
- конструкцию, принцип действия и технологию изготовления вакуумных, газоразрядных,
полупроводниковых и других твердотельных приборов;
- способы осуществления основных технологических операций, оборудование, используемое
для проведения различных процессов;
- основные направления развития и совершенствования технологии производства изделий
электронной техники;
- способы контроля качества технологического процесса и готового изделия;
- виды браков, причины появления брака и пути его устранения.
•Уметь:
- проектировать технологический процесс изготовления детали, узла, прибора, электронного
устройства в соответствии с его конструкцией и назначением;
- подбирать оптимальное оборудование для осуществления технологического процесса;
- организовывать контроль качества выполнения отдельных операций и готового изделия;
- анализировать брак, выявлять причины его появления и корректировать технологический
процесс с целью устранения брака.
•Владеть: информацией об основных направлениях развития и совершенствования
различных классов электронных приборов; о новых направлениях в технологии
производства изделий электронной техники; о путях совершенствования базовых
технологических процессов; о новых разработках отечественного и зарубежного
оборудования, используемого в производстве изделий электронной техники.
4. Структура дисциплины «Технология и оборудование производства изделий
электронной техники»
Общая трудоемкость дисциплины составляет 4 зачетных единиц, 144 часа.
Вид учебной работы
Всего
Семестры
часов
8
70
70
Аудиторные занятия (всего)
В том числе:
Лекции
Практические занятия (ПЗ)
Семинары (С)
35
35
-
35
35
-
-
-
-
Лабораторные работы (ЛР)
Самостоятельная работа (всего)
В том числе:
Курсовой проект (работа)
Расчетно-графические работы
Реферат
Индивидуальное задание
Подготовка к текущим занятиям, коллоквиумам
Подготовка к экзамену
Вид промежуточной аттестации (зачет, экзамен)
Общая трудоемкость
час
зач. ед.
74
30
24
20
144
74
30
24
20
з, э
144
4
4
-
-
-
5. Содержание дисциплины
5.1. Содержание разделов дисциплины
МОДУЛЬ 1. Физико-химические основы некоторых общих технологических процессов
производства изделий электронной техники
Классификация электронных приборов. Понятие технологии электронных приборов.
Типовая технологическая схема производства изделий вакуумной и газоразрядной
электроники. Основные группы технологических процессов в технологических схемах
производства электровакуумных, газоразрядных, полупроводниковых и микроэлектронных
приборов.
МОДУЛЬ 2. Технология изготовления электровакуумных приборов.
Производство вакуумных люминесцентных индикаторов (ВЛИ). Тонко- и
толстопленочная технологии в изготовлении анодной платы плоского ВЛИ. Особенности
технологии цилиндрических ВЛИ. Вакуумные люминесцентные индикаторные приборы на
основе автоэмиссионных катодов.
Технология изготовления вакуумных фотоэлектронных приборов: фотоэлектронные
умножители (ФЭУ), электронно-оптические преобразователи (ЭОП). Формирование
фотокатодов и катодов вторичной электронной эмиссии. Развитие ЭОП от приборов
нулевого до четвертого поколения.
Отдельные операции общего технологического процесса и оборудование для их
осуществления: методы получения межсоединений деталей электронных приборов;
герметизация приборов; технологические основы вакуум-термической обработки приборов и
их тренировки.
МОДУЛЬ 3. Технология изготовления газоразрядных приборов.
Классификация газоразрядных приборов. Основные типы газоразрядных лазеров.
Изготовление оптических элементов оптических резонаторов газоразрядных лазеров (окна
Брюстера, интерференционные зеркала). Конструкции активных элементов и технология
изготовления гелий-неонового лазера. Особенности технологии изготовления ионных и
молекулярных газоразрядных лазеров.
Газоразрядные источники света. Конструкции, принцип действия и технология
изготовления люминесцентных ламп, дуговых ртутных ламп, натриевых ламп высокого
давления. Сравнение характеристик ламп накаливания, газоразрядных и твердотельных
источников света.
МОДУЛЬ 4. Технология изготовления средств отображения информации.
Конструкция, принцип действия и технология изготовления цветных плазменных
панелей. Конструктивные и технологические пути повышения качества изображения.
Плазменные панели для наборных экранов коллективного пользования.
Принцип действия, конструкции, используемые материалы и особенности технологии
изготовления жидкокристаллических панелей, электролюминесцентных панелей на
неорганических и органических люминофорах.
МОДУЛЬ 5. Основы технологии полупроводниковых приборов.
Классификация интегральных микросхем (ИМС) по технологии их изготовления:
пленочные и гибридные (ИМС). Использование базовых процессов полупроводниковой
технологии в производстве планарных транзисторов и интегральных микросхем.
5.2 Разделы дисциплины и
(последующими) дисциплинами
междисциплинарные
связи
с
обеспечиваемыми
Данная дисциплина является завершающей в блоке профессиональных дисциплин.
5.3. Разделы дисциплин и виды занятий
№
Наименование раздела дисциплины
п/п
1. Физико-химические основы некоторых
общих
технологических
процессов
производства
изделий
электронной
техники
2. Технология изготовления
электровакуумных приборов
3. Технология изготовления газоразрядных
приборов
4. Технология изготовления средств
отображения информации.
5. Основы технологии полупроводниковых
приборов
Лекц. Практ. Лаб.
зан.
зан.
Семин
СРС
Всего
час.
4
8
-
-
12
24
10
12
-
-
20
42
8
2
-
-
4
14
6
4
-
-
8
18
7
9
-
-
30
46
6. Лабораторный практикум
Лабораторные занятия по данной дисциплине не планируются
7. Практические занятия (семинары)
№ № раздела дисциплины
п/п
Тематика практических занятий (семинаров)
1. Физико-химические
основы 1. Проектирование и расчет вольфрамовых
некоторых
общих катодов.
технологических
процессов 2. Проектирование и расчет оксидных
производства
изделий катодов.
электронной техники
3. Контрольная работа (расчет катодов).
2. Технология изготовления
1. Построение технологической схемы и
электровакуумных приборов
анализ
технологии
и
оборудования
производства приемно-усилительных ламп
(на примере лучевого тетрода 6П36С).
2. Построение технологической схемы и
анализ
технологии
и
оборудования
производства
металлостеклянных
генераторных
ламп
(на
примере
генераторного тетрода ГУ-39А-1).
Трудоемкость
(час.)
8
12
3. Технология и оборудование изготовления
металлокерамических генераторных ламп (на
примере СВЧ триодов ГС-4 и 7007).
3. Технология изготовления
1. Технология изготовления газоразрядных
газоразрядных приборов
приборов, использующих электрические
свойства газового разряда
4. Технология изготовления
1.
Технология
изготовления
средств отображения
электролюминесцентного индикатора.
информации.
2.
Технология
изготовления
жидкокристаллического индикатора.
3. Технология изготовления газоразрядного
индикатора.
4.
Контрольная
работа
(вакуумные
люминесцентные индикаторы).
5. Основы технологии
1.
Проектирование
технологического
полупроводниковых приборов процесса и подбор оборудования для
производства заданной условной структуры
(индивидуальное задание)
2
4
9
8. Примерная тематика курсовых проектов (работ)
Курсовые проекты или работы по данной дисциплине не планируются.
9. Образовательные технологии и методические рекомендации по организации
изучения дисциплины
Чтение лекций по дисциплине проводится в традиционной форме с использованием
мультимедийной презентации, которая содержит слайды с изображением объектов, которые
сложно воспроизвести на доске: схемы и внешний вид оборудования, методы реализации
отдельных технологических процессов, большие схемы и рисунки и т.д. При рассмотрении
вопросов, которые отчасти затрагивались в других курсах, лекцию целесообразно вести в
диалоговой форме, чтобы научить студентов использовать ранее полученные знания при
изучении новых дисциплин, показать преемственность разных курсов и перевести работу
студентов на лекции из пассивной в активную форму.
Практические занятия проводятся либо в традиционной форме (1 модуль), либо в
форме выступления студента с докладом по проектированию технологического процесса
изготовления конкретного прибора (2, 3, 4 модули).
В первом случае на занятиях студентам предлагается вспомнить изученные в курсе
«Физическая электроника и электронные приборы» основы термоэмиссии и основные
математические выражения, используемые для описания этого явления, разбираются
примеры задач по расчету различных термокатодов. Для контроля усвоения материала по
этому разделу проводится контрольная работа.
Во втором случае студентам выдается индивидуальное задание по проектированию
технологического процесса и подбору оборудования для производства отдельного узла или
прибора. Исходными данными являются тип прибора, описание его конструкции и
материалов, используемых при изготовлении основных конструктивных элементов.
Студенту предлагается использовать базовые технологические процессы производства
изделий электронной техники с подбором конкретных режимов и типового оборудования. С
результатами выполнения этого задания студенты выступают на практическом занятии либо
с докладом, либо с презентацией.
По материалу модуля 5 студенты получают индивидуальное задание на
проектирование технологического процесса и подбор оборудования для производства
заданной условной структуры. Практические занятия в этом случае проводятся в форме
индивидуальных консультаций. По результатам выполнения этого задания оформляется
письменная работа, которая содержит:
1. Цель работы;
2. Технологическая схема изготовления заданной структуры с изображением изделия
на каждом этапе;
3. Пооперационное описание технологического процесса;
4. Подобранное для каждой операции оборудование (внешний вид, назначение,
технические характеристики).
Работа сдается на проверку преподавателю.
Программа проведения и варианты заданий для практических занятий и самостоятельной
работы студентов приведены в учебном пособии Т.Г. Шиковой «Технология и оборудование
производства изделий электронной техники» (Иваново, ИГХТУ, 2003 г.)
Практические занятия по дисциплине организованы таким образом, что основная
часть подготовки к ним осуществляется студентом путем внеаудиторной самостоятельной
работы, а на занятиях фактически проводятся индивидуальные консультации по их
выполнению. В связи с необходимостью изучить большой теоретический материал,
преподавателю рекомендуется на лекциях рассмотреть лишь основные моменты, расставить
акценты, а подробности и детали предложить студентам рассмотреть самостоятельно с
помощью автономного гипертекстового электронного учебника http://plasma.isact.ru или
сетевого электронного учебника в СДО ИГХТУ Moodle http://edu.isuct.ru.
10.
Оценочные средства для текущего контроля успеваемости, промежуточной
аттестации по итогам освоения дисциплины и учебно-методическое обеспечение
самостоятельной работы студентов
Всего по текущей работе студент может набрать 50 баллов, в том числе:
- практические занятия – 10 баллов;
- контрольные работы – всего 10 баллов;
- индивидуальное задание – 10 баллов;
- тесты по модулям – 20 баллов.
Зачет проставляется автоматически, если студент набрал по текущей работе не менее 26
баллов. Минимальное количество баллов по каждому из видов текущей работы составляет
половину от максимального.
10.1 Задачи для контрольной работы по расчету термоэмиссионных катодов
приведены в учебном пособии Т.Г. Шиковой «Технология и оборудование производства
изделий электронной техники» для практических занятий и самостоятельной работы
студентов (Иваново, ИГХТУ, 2003 г.)
10.2 Задание для контрольной работы по технологии вакуумных люминесцентных
индикаторов:
Каждому студенту выдается свой (плоский или цилиндрический) индикатор и предлагается
составить технологическую схему и описать технологию изготовления данного индикатора с
учетом его индивидуальных особенностей.
10.3 Варианты индивидуальных заданий по модулю 5 «Основы технологии
полупроводниковых приборов»: спроектировать технологический процесс изготовления
заданной структуры
диффузионное легирование
защитный слой SiO2 (термическое окисление)
ионное легирование
защитный слой SiO2 (пиролиз)
диффузионное легирование
SiO2 – термическое окисление
ионное легирование
SiO2 – пиролиз
SiO2
ÔÑÑ
Al
SiO2
p
SiO2
n- ò èï
+
n
+
p
p
+
p- ò èï
n
n
n- ò èï
p- ò èï
+
NiAu
Затвор
ÔÑÑ
Al
Исток
SiO2
Сток
SiO2
n - ò èï
p - ò èï
GaN
n - ò èï
p- ò èï
Ti
Pt
Au
AlGaN
Сапфировая подложка
10.4 Комплект контрольно-измерительных материалов для текущего,
промежуточного и итогового контроля
Контроль знаний студентов на всех этапах осуществляется путем компьютерного
тестирования. Комплект тестовых заданий по дисциплине состоит из 123 заданий – в
основном закрытого типа. Тестирование проводится по каждому модулю отдельно в течение
семестра. Такой промежуточный помодульный контроль позволяет студентам изучать
большой описательный материал по частям и стимулирует более активную работу в течение
семестра.. Примеры контрольных тестов по каждому модулю приведены ниже.
Тесты для компьютерного контроля студентов
Технология производства ВЛИ
В основе работы ВЛИ лежит
высоковольтная катодолюминесценция
низковольтная катодолюминесценция
фотолюминесценция
электролюминесценция
По принципу работы ВЛИ это –
диод
триод
тетрод
Какой катод используется в ВЛИ ?
оксидный прямого накала
оксидный косвенного накала
вольфрамовый
В каких температурных условиях работает катод ВЛИ?
650-700ºС
800-900ºС
1100-1200ºС
Почему катод ВЛИ работает в условиях недокала?
для увеличения срока службы катода
для того чтобы не маскировать изображение
для уменьшения энергопотребления
для того чтобы не отравлять люминофор парами бария и не перегревать его
С какой целью на внутреннюю поверхность стеклянной колбы ВЛИ наносят прозрачное
проводящее покрытие?
для повышения прозрачности стекла
для снижения рабочего напряжения
для устранения влияния внешних полей на яркость свечения люминофора
Какие металлы напыляют на стекло при изготовлении анодной платы?
алюминий
сурьма
хром
ванадий
Почему при изготовлении анодной платы напыляют два металла?
для увеличения коэффициента отражения
для увеличения электропроводности
для улучшения адгезии основного металла к подложке
Назначение первой фотолитографии в тонкопленочной технологии ВЛИ?
создание заданного рисунка на анодной плате
вскрытие токоразводящих дорожек для последующего анодирования
маскирование токоразводящих дорожек и вскрытие сегментов для нанесения
люминофора
Назначение второй фотолитографии в тонкопленочной технологии ВЛИ?
создание заданного рисунка на анодной плате
вскрытие токоразводящих дорожек для последующего анодирования
маскирование токоразводящих дорожек и вскрытие сегментов для нанесения
люминофора
С какой целью проводится анодирование плат ВЛИ?
увеличение электропроводности токоразводящих дорожек
защита токоразводящих дорожек от электронной бомбардировки
защита токоразводящих дорожек от осаждения люминофора
Операция анодирования в производстве ВЛИ заключается в
напылении пленки оксида алюминия на анодную плату
термическом окислении анодных плат
электрохимическом выращивании оксида алюминия на анодной плате
Какой люминофор наносят на сегменты ВЛИ?
ZnO-Zn
ZnS-Zn
ZnS-Ag
Способ нанесения люминофора седиментация
пульверизация
катафорез
фотопечать
Способ изготовления сеток ВЛИ –
навивка из проволоки
электрохимическое осаждение
фотохимическая штамповка
Способы герметизации плоского ВЛИ –
заварка
пайка стеклоцементом
соединение хромфосфатным цементом
соединение герметиком
Хромфосфатный цемент в технологии ВЛИ используют для
герметизации индикатора
соединения отдельных деталей внутренней арматуры
присоединения выводов к контактным площадкам
Технология производства вакуумных ФЭП
Перечислите вакуумные фотоэлектронные приборы.
фотосопротивление
фотоэлемент
фотодиод
фотоэлектронный умножитель
электронно-оптический преобразователь
фототранзистор
Чем определяется выбор материала колбы или окна вакуумного фотоэлемента (ФЭ)?
диэлектрическими характеристиками
коэффициентом термического расширения
рабочим спектральным диапазоном
С какой целью проводится операция «штенгелевка» колбы при изготовлении сурьмяноцезиевого фотоэлемента?
формирование вывода катода
формирование вывода анода
размещение испарителя сурьмы
размещение цезиевого препарата
Какой препарат используют в качестве источника цезия в ФЭ?
Cs2CrO4
Cs2SO4
Cs2WO4
Где в ФЭ располагается сурьма для формирования фотокатода?
в боковом штенгеле
на аноде
на катоде
Какое соединение обладает максимальной фоточувствительностью?
CsSb
Cs2Sb
Cs3Sb
Как контролируют процесс формирования фотокатода?
по времени
по фототоку
визуально
Операция «сенсибилизация» при изготовлении сурьмяно-цезиевого ФЭ проводится
для увеличения квантового выхода в максимуме чувствительности фотокатода
для смещения «красной» границы фотоэффекта в сторону больших длин волн
для увеличения чувствительности фотокатода в видимой части спектра
Как меняются характеристики фотокатода при использовании не одного, а нескольких
щелочных металлов?
уменьшается квантовый выход в максимуме чувствительности фотокатода
увеличивается квантовый выход в максимуме чувствительности фотокатода
смещается «красная» граница фотоэффекта в сторону больших длин волн
смещается «красная» граница фотоэффекта в сторону меньших длин волн
увеличивается интегральная чувствительность фотокатода
уменьшается интегральная чувствительность фотокатода
В какой последовательности ведется обработка сурьмы парами щелочных металлов при
изготовлении мультищелочного фотокатода?
натрий, калий, цезий
натрий, литий, цезий
калий, натрий, литий
кальций, натрий, цезий
Какой способ нанесения серебра используется при изготовлении оксидно-цезиевого
фотокатода?
вакуум-термическое испарение
химическое осаждение
нанесение пасты, содержащей серебро
Каким способом получают оксид серебра при изготовлении оксидно-цезиевого фотокатода?
нанесение пленки оксида серебра
термическое окисление серебра
окисление серебра в плазме
Укажите, каким фотокатодам соответствуют спектральные характеристики, приведенные на
рисунке.
Назначение ФЭУ.
преобразует оптический сигнал в электрический
преобразует оптический сигнал в электрический и усиливает его
преобразует спектральный состав оптического излучения
Какой способ очистки колб лучше использовать при изготовлении ФЭУ?
химическая очистка в растворах ПАВ
ультразвуковая очистка
плазмохимическая очистка
Какую роль выполняет алюминиевое покрытие в ФЭУ?
защищает фотокатод от боковой засветки
улучшает адгезию фотокатода к стеклу
уменьшает темновой ток
выравнивает потенциал между фотокатодом и модулятором
Какие материалы используются для формирования мультищелочного фотокатода ФЭУ?
алюминий
хром
ванадий
сурьма
соединения щелочных металлов
серебро
Где в ФЭУ располагаются препараты для формирования фотокатода?
в боковых штенгелях
на аноде
под кольцом модулятора
перед первым динодом
Какие материалы используют для изготовления сплавных динодов?
Cu - Al
Cu – Be
Al – Mg
Cu - Mg
Cu - Ag
С какой целью проводится активировка сплавных динодов?
для повышения пластичности сплава
для увеличения электропроводности сплава
для увеличения КВЭ сплава
для очистки поверхности и снятия напряжений
Какие газы лучше использовать для активировки сплавных динодов?
H2
O2
N2
CO2
Ar
H2O
Способ изготовления сетки для динодов типа «жалюзи».
навивка из проволоки
электрохимическое осаждение
фотохимическая штамповка
Назначение ЭОП.
преобразует оптический сигнал в электрический
преобразует оптический сигнал в электрический и усиливает его
преобразует спектральный состав оптического излучения
усиливает яркость изображения
Почему изображение на люминесцентном экране ЭОП может быть нечетким?
из-за низкой яркости наблюдаемого объекта
из-за низкой спектральной чувствительности фотокатода
из-за разной направленности начальных скоростей фотоэлектронов
из-за плохой разрешающей способности люминесцентного экрана
Пути повышения четкости изображения на люминесцентном экране ЭОП.
подсветка наблюдаемого объекта
повышение спектральной чувствительности фотокатода в нужной области спектра
увеличение напряжения между фотокатодом и экраном
улучшение качества люминесцентного экрана
уменьшение расстояния фотокатод – экран
Способ нанесения люминофора в производстве ЭОП.
седиментация (осаждение)
пульверизация
катафорез
фотопечать
Способ нанесения органической пленки на люминесцентный экран в производстве ЭОП.
пульверизация
полив
флотация
центрифугирование
В чем заключается операция герметизации ЭОП?
заварка колбы и бусинковой ножки с собранной внутренней арматурой
соединение люминесцентного экрана с анодным цилиндром
соединение фотокатодного и экранного дисков с колбой ЭОП
Технология производства газоразрядных лазеров
Оптический резонатор - это
газоразрядная трубка с окнами Брюстера
два зеркала, одно их которых полностью отражающее, другое прозрачное
активный элемент с источником питания
система оптических элементов, в пространстве между которыми могут возбуждаться
электромагнитные колебания оптического диапазона
Назначение оптического резонатора
создание инверсной заселенности
осуществление накачки газоразрядного лазера
удлинение пути, проходимого излучением через активную среду
Из предложенного списка выберите атомарные лазеры непрерывного режима работы
CO2 - лазеры
Ar - лазеры
ArF* - лазеры
He-Ne - лазеры
CO - лазеры
He-Cd - лазеры
Kr - лазеры
Cu - лазеры
He-Se - лазеры
Из предложенного списка выберите ионные лазеры непрерывного режима работы
CO2 - лазеры
Ar - лазеры
ArF* - лазеры
He-Ne - лазеры
CO - лазеры
He-Cd - лазеры
Kr - лазеры
Cu - лазеры
He-Se - лазеры
Из предложенного списка выберите молекулярные лазеры непрерывного режима работы
CO2 - лазеры
Ar - лазеры
ArF* - лазеры
He-Ne - лазеры
CO - лазеры
He-Cd - лазеры
Kr - лазеры
Cu - лазеры
He-Se - лазеры
С какой целью окна для вывода лазерного излучения ставят под углом Брюстера?
для снижения потерь на отражение излучения
для снижения потерь на поглощение излучения
для снижения потерь на рассеяние излучения
Под каким углом к разрядной трубке нужно установить выходное окно в He-Ne лазере, если
показатель преломления газовой смеси равен 1, а оптического стекла – 1,5?
46º
56º
66º
Где френелевские потери при выводе лазерного излучения будут больше?
в лазерах УФ диапазона
в лазерах видимого диапазона
в лазерах ИК диапазона
Чему равны френелевские потери при выводе излучения в лазере ИК диапазона, если
показатель преломления газовой смеси равен 1, а материала, из которого изготовлено
выходное окно – 3?
25%
40%
50%
Из предложенного списка выберите материалы, из которых изготавливают выходные окна
лазеров УФ диапазона
ЛК-4
С-52
КУ
КВ
С-95
Пирекс
Ge
Кварц кристаллический
NaCl кристаллический
GaAs
Из предложенного списка выберите материалы, из которых изготавливают выходные окна
лазеров видимого диапазона
ЛК-4
С-52
КУ
КВ
С-95
Пирекс
Ge
Кварц кристаллический
NaCl кристаллический
GaAs
Из предложенного списка выберите материалы, из которых изготавливают выходные окна
лазеров ИК диапазона
ЛК-4
С-52
КУ
КВ
С-95
Пирекс
Ge
Кварц кристаллический
NaCl кристаллический
GaAs
Из предложенных материалов составьте пары, которые можно использовать для
изготовления интерференционных зеркал.
MgF2 (n=1,38)
SiO2 (n=1,46)
ZnS (n=2,35)
TiO2 (n=2,4)
С какой целью осуществляется коррекция волнового фронта?
для получения нужной поляризации лазерного излучения
для подавления излучения на конкурирующем переходе
для уменьшения расходимости лазерного пучка
Для коррекции волнового фронта
тыльную поверхность подложки «выходного» зеркала делают плоской
тыльную поверхность подложки «выходного» зеркала делают сферической
тыльную поверхность подложки «глухого» зеркала делают плоской
тыльную поверхность подложки «глухого» зеркала делают сферической
Тыльную поверхность «выходного» зеркала лазера просветляют
для увеличения коэффициента отражения
для уменьшения коэффициента отражения
для уменьшения потерь на рассеяние излучения
для увеличения мощности излучения
Почему диаметр капилляра He-Ne лазера делают небольшим (1-3 мм)?
для повышения эффективности возбуждения атомов Не
для повышения эффективности передачи энергии от возбужденных атомов Не атомам Nе
для повышения эффективности релаксации нижнего метастабильного состояния атома Nе
Какой тип катодов используется в современных моделях He-Ne лазеров?
оксидный катод прямого накала
оксидный катод косвенного накала
вольфрамовый катод
холодный катод из окисленного алюминия
импрегнированный катод
Почему капилляр He-Ne лазеров с внутренними зеркалами жестко соединяется с стеклянной
трубкой только с одной стороны?
из – за необходимости капилляру свободно перемещаться относительно наружной колбы
вследствие термического расширения
из –за необходимости крепления катода
из –за более простой технологии изготовления
Способ очистки разрядной трубки He-Ne лазера
окунание и выдерживание в моющем растворе
УЗ очистка в органических растворителях
УЗ очистка в парах фреона
плазмохимическая очистка
кистевая мойка
Способы очистки окон и подложек зеркал.
окунание и выдерживание в моющем растворе
УЗ очистка в органических растворителях
УЗ очистка в парах фреона
плазмохимическая очистка
кистевая мойка
Способы соединения оптических элементов с разрядной трубкой.
клеевое соединение
соединение с помощью хромфосфатного цемента
диффузионная сварка
УЗ сварка
точечная сварка
лазерная сварка
заварка с использованием газокислородных горелок
пайка стеклоцементом
посадка на оптический контакт
Перечислите операции, которые можно проводить в процессе вакуум-термической
обработки He-Ne лазера в случае клеевого присоединения оптических элементов.
обезгаживание стекла в печи при температуре 200ºС
обезгаживание стекла в печи при температуре 450ºС
обезгаживание стекла УВЧ генератором с промывкой рабочей газовой смесью
обезгаживание металлических деталей с помощью ВЧ генератора
С какой целью используется обводной канал в активном элементе аргонового лазера?
для компенсации поглощения газа стенками разрядной трубки
для охлаждения разрядной трубки
для компенсации перекачки газа под действием продольного электрического поля
для уменьшения запыления оптических элементов продуктами разрушения электродов
С какой целью в ряде конструкций активного элемента аргонового лазера используется
дозатор инертного газа?
для компенсации поглощения газа стенками разрядной трубки
для компенсации перекачки газа под действием продольного электрического поля
для обеспечения чистоты газового наполнения
для обеспечения заданного давления рабочего газа
Почему трубку ионного лазера помещают, как правило, в соленоид?
для повышения эффективности накачки лазера
для охлаждения разрядной трубки
для подавления излучения на конкурирующих переходах
Какая керамика используется для изготовления разрядного канала аргоновых лазеров?
керамика на основе BeO
керамика на основе Al2O3
керамика на основе TiO2
Какие преимущества перед кварцевым стеклом имеет керамика на основе BeO как материал
для изготовления разрядной трубки аргонового лазера?
выше термостойкость
выше теплопроводность
выше модуль упругости
выше устойчивость к ионной бомбардировке
Какие преимущества перед керамикой на основе BeO имеет графит как материал для
изготовления разрядного канала аргонового лазера?
выше термостойкость
выше теплопроводность
выше модуль упругости
выше устойчивость к ионной бомбардировке
С какой целью в ионных лазерах используются вспомогательные защитные электроды?
для снижения напряжения зажигания разряда
для снижения эффекта перекачки газа
для уменьшения запыления окон Брюстера
Как решается проблема запыления окон Брюстера в He-Cd лазерах?
используют уширение разрядной трубки в катодной области
используют уширение разрядной трубки в анодной области
используют слаботочный разряд между окнами Брюстера и вспомогательными
электродами
располагают катод посередине разрядной трубки
Выберите основные компоненты газовой смеси лазера на СО2.
H2O
CO2
CO
NO
He
Ne
H2
N2
O2
С какой целью активный элемент лазера на СО2 охлаждается?
для повышения эффективности возбуждения молекул СО2
из – за возможного нарушения инверсии при незначительном нагреве газовой смеси
из – за выделения большой мощности на стенках разрядной трубки
из –за необходимости поддержания постоянной температуры стенок капилляра
Чем, в основном, ограничивается срок службы отпаянных лазеров на СО2?
изменение состава газовой смеси
разрушение разрядного канала под действием ионной бомбардировки
запыление оптических элементов изнутри
вытеснение и перекачка газа
Каковы причины изменения состава газовой смеси в отпаянных лазерах на СО2?
поглощение рабочего газа стенками разрядной трубки
выделение в объем разрядной трубки газов и паров из внутренних деталей
разложение СО2 в разряде
диффузия газовой смеси через нагретые стенки разрядной трубки
химическое взаимодействие между компонентами газовой смеси
химическое взаимодействие материала катода с компонентами газовой смеси
Способы поддержания постоянства состава газовой смеси в отпаянных лазерах на СО2.
использование обводного канала
введение в разрядную трубку кислородсодержащих соединений
использование дозатора газовой смеси
использование балластного объема
изготовление электродов из химически инертных материалов
охлаждение разрядного канала
тщательная вакумм-термическая обработка разрядной трубки
введение в состав газовой смеси компонентов, способствующих образованию СО2
Какие катоды используются в лазерах на СО2?
оксидный катод прямого накала
вольфрамовый накальный катод
холодные металлические катоды
холодный катод из окисленного алюминия
импрегнированный катод
Какие материалы предпочтительно использовать для изготовления катодов лазеров на СО2?
Fe
Pt
Ni
Al
Pd
Ag
W
Ta
Au
Из каких материалов изготавливаются «глухие» зеркала лазеров на СО2?
германий
арсенид галлия
селенид цинка
медь
серебро
Технология производства ГИП
Какие ГИП применяются для отображения знакографической информации?
постоянного тока с внешним сканированием разряда
постоянного тока с самосканированием
переменного тока
сегментные
Какой вид разряда используется в газоразрядных индикаторных панелях?
дуговой
искровой
коронный
тлеющий
Из предложенного списка выберите газы, которые используются в газовом наполнении ГИП.
CO2
N2
H2
Hg
H2O
He
Ne
Ar
Xe
Какой газ является основным в газовом наполнении ГИП?
Какой способ очистки анодной и катодной пластин применяют в производстве ИГПП 32/32?
окунанние в моющие растворы
плазмохимическая очистка
кистевая мойка
УЗ мойка
Какое вещество составляет основу контрастного покрытия в люминофорной ГИП ИГПП
32/32?
графит
алунд
стеклоцемент
хром
смолы
Какой способ нанесения контрастного покрытия используется при изготовлении ИГПП
32/32?
пульверизация
катафорез
трафаретная печать
вакуумное напыление
намазывание
Какой способ нанесения люминофора используется при изготовлении ИГПП 32/32?
пульверизация
катафорез
трафаретная печать
вакуумное напыление
намазывание
Какой люминофор используют в ИГПП 32/32?
ZnS - Cu
ZnO - Zn
ZnS - CdS - Cu
Zn2SiO4 - Mn
Из какого металла изготавливаются катоды панелей ИГПП 32/32 и ГИПП 10000?
молибден
хром
алюминий
титан
никель
золото
Какой способ изготовления катодов применяют в производстве панелей ИГПП 32/32 и
ГИПП 10000?
трафаретная печать
вакуумное напыление
вырубка из листа металла
фотохимическая штамповка
нарезка проволоки нужной длины
В какой среде проводят термическую обработку материала катода при производстве панелей
ИГПП 32/32 и ГИПП 10000?
азот
водород
вакуум
формир-газ
воздух
С какой целью готовые катоды ИГПП 32/32 и ГИПП 10000 покрывают алюминием?
для увеличения электропроводности
для защиты от окисления
для защиты от распыления
для уменьшения маскирования изображения
для уменьшения напряжения зажигания разряда
Какой способ герметизации панели применяют в производстве ИГПП 32/32 и ГИПП 10000?
пайка стеклоцементом
соединение с помощью эпоксидных смол
соединение с помощью герметика
заварка
С какой целью в газовое наполнение панели ИГПП 32/32 вводят ртуть?
для поддержания постоянства давления газовой смеси
для поддержания постоянства состава газовой смеси
для снижения интенсивности излучения газового разряда
для уменьшения распыления электродов
для увеличения выхода УФ излучения
Вид люминесценции в люминофорных ГИП.
низковольтная катодолюминесценция
высоковольтная катодолюминесценция
фотолюминесценция
электролюминесценция
Установите соответствие между типом газоразрядной панели и способом создания диодной
газоразрядной ячейки.
ИГПП 32/32
пазы на анодной и катодной пластине
ГИП 10000
диэлектрическая матричная решетка
ГИП переменного тока без памяти пазы на катодной пластине
цветная панель
ребра на одной из стеклянных пластин
пазы на анодной пластине
Преимущества ГИП переменного тока с внутренней памятью перед ГИП постоянного тока.
более высокая яркость изображения
отсутствие зависимости яркости от информационной емкости
более высокая контрастность изображения
практическое отсутствие распыления электродов
более низкие питающие напряжения
более простая технология изготовления
Какие металлы, как правило, используются для изготовления металлических электродов в
ГИП переменного тока?
алюминий
титан
медь
золото
тантал
хром
никель
молибден
Способ формирования серебряных контактных площадок в технологии ГИП переменного
тока.
трафаретная печать
вакуумное напыление
химическое осаждение
электрохимическое осаждение
Назначение слоя ЛПС (легкоплавкого стекла) в ГИП переменного тока с внутренней
памятью.
защищает электроды от распыления
фиксирует зазор между стеклянными пластинами
изолирует электроды одной пластины от электродов другой пластины
создает разделительную емкость
Из предложенных конструкторских и технологических решений плазменных цветных
панелей выберите те, которые направлены на улучшение контраста и цветопередачи.
ячейки "вафельной" (галетной) структуры
несимметричная структура ячеек
нейтральные светофильтры
фильтр Accu Crimson
спектральные светофильтры
черное покрытие на верхней части ребер
пигментация люминофора
Из предложенных конструкторских и технологических решений плазменных цветных
панелей выберите те, которые направлены на увеличение яркости белого цвета.
ячейки "вафельной" (галетной) структуры
несимметричная структура ячеек
нейтральные светофильтры
фильтр Accu Crimson
спектральные светофильтры
черное покрытие на верхней части ребер
пигментация люминофора
Из предложенных конструкторских и технологических решений плазменных цветных
панелей выберите те, которые направлены на устранение паразитной засветки соседних
ячеек.
ячейки "вафельной" (галетной) структуры
несимметричная структура ячеек
нейтральные светофильтры
фильтр Accu Crimson
спектральные светофильтры
черное покрытие на верхней части ребер
пигментация люминофора
Из предложенных конструкторских и технологических решений плазменных цветных
панелей выберите те, которые направлены на создание реалистичных оттенков красного
цвета.
ячейки "вафельной" (галетной) структуры
несимметричная структура ячеек
нейтральные светофильтры
фильтр Accu Crimson
спектральные светофильтры
черное покрытие на верхней части ребер
пигментация люминофора
Технология производства ЖК панелей
Какой электрооптический эффект лежит в основе работы ЖК панели?
эффект вращения плоскости поляризации
эффект динамического рассеяния
эффект перехода холестерик - нематик
эфффект "гость - хозяин"
С какой целью в ЖК панели используют пленки поляризаторов?
для повышения контрастности изображения
для создания нужной ориентации жидкого кристалла
для поляризации света в определенном направлении
Какие материалы могут быть использованы для изготовления пленок поляризаторов?
поливинил
полиимид
ацетилцеллюлоза
йодполивинил
Почему для управления ЖК панелью используется переменное, а не постоянное
напряжение?
для увеличения яркости ЖК ячейки
для увеличения срока службы жидкого кристалла
для снижения времени отклика на поданный сигнал
С какой целью на подложке цветных фильтров используется черная матрица?
для повышения контрастности изображения
для получения металлических вертикальных и горизонтальных линий данных
для скрытия из поля зрения нежелательного изображения
для изоляции субпиксилей друг от друга
Какой способ получения пленки ITO используется при изготовлении ЖК панели?
химическое осаждение их газовой фазы
плазмохимическое осаждение из газовой фазы
катодное распыление
аэрозольный способ
пиролиз
Какую роль выполняет пленка полиимида в ЖК ячейке?
герметизирующая прокладка
защищает цветные фильтры и тонкопленочные транзисторы от воздействия жидкого
кристалла
создает нужную ориентацию жидкого кристалла
превращает неполяризованный свет в плоскополяризованный
Какой вид обработки полимерной пленки используется для придания ей ориентирующего
действия?
химическая очистка
травление
шлифование
процарапывание
Какой метод получения пленок изоляторов и полупроводников используется при создании
тонкопленочного транзистора в производстве ЖК панелей?
химическое осаждение из газовой фазы (ХОГФ)
плазмохимическое осаждение
катодное распыление
термическое испарение
Какое преимущество имеет плазмохимическое осаждение перед ХОГФ?
более простое оборудование для проведения процесса
более низкие рабочие температуры процесса
более низкие требования к чистоте исходных реагентов
более широкие возможности в управлении процессом
В чем преимущества поликристаллического кремния перед аморфным как материала для
канала тонкопленочного транзистора?
более высокое значение удельной проводимости
более высокое значение подвижности носителей заряда
более высокие температуры получения пленок
более упорядоченное расположение доменов
Какие методы получения пленок поликристаллического кремния используют в технологии
ЖК панелей?
ХОГФ при низком давлении
ХОГФ при атмосферном давлении
лазерный отжиг аморфного кремния
термическое испарение кремния
Из предложенного списка выберите материал, который в наибольшей степени подходит для
использования в качестве герметизизирующей прокладки в ЖК панели.
эпоксидная смола
полиимид
эпоксидноноволачный блоксополимер (БЭН)
поливинилбутирол (ПВБ)
Какой способ заполнения ячейки жидким кристаллом используется в технологии ЖК
панелей?
растекание капли
вакуумный способ
разность давлений
под давлением
Итоговый экзамен по дисциплине проводится в две ступени:
- тестовый экзамен (30 закрытых заданий, каждое задание оценивается в 1 балл), на
котором студент должен набрать не менее 26 баллов – оценка «удовлетворительно»;
- письменный экзамен, который проводится по вопросам, приводимым ниже.
Экзаменационный билет включает четыре вопроса из приводимого ниже перечня. Ответ на
каждый вопрос оценивается из 5 баллов. Студент на письменном экзамене может набрать до
20 баллов.
Результат экзамена (максимум 50 баллов) определяется как сумма тестовой и
письменной частей.
Вопросы для подготовки к экзамену по дисциплине
«Технология и оборудование производства изделий электронной техники»
1.
Классификация электронных приборов (ЭП). Основные свойства ЭП,
обусловливающие общие черты технологии. Типовая технологическая схема производства
ЭП.
2.
Нанесение органической пленки методом флотации.
3.
Нанесение органической пленки методом облива и пульверизации.
4.
Нанесение органической пленки методом центрифугирования.
5.
Назначение внутреннего и внешнего проводящего покрытия в электровакуумных
приборах. Основные требования к нему.
6.
Состав коллоидно-графитовой суспензии и технология ее нанесения на внутреннюю и
внешнюю поверхность приборов.
7.
Алюминирование экрана. Функции алюминиевого покрытия. Особенности операции
нанесения.
8.
Выжигание органической пленки. Технология, оборудование.
9.
Технология заварки электровакуумных приборов.
10.
Заварка электровакуумных приборов. Особенности операции и принципиальная
технологическая схема.
11.
Оборудование для заварки ЭВП.
12.
Вакуумно-термическая обработка ЭВП. Назначение операции. Основные этапы.
Способы проведения.
13.
Оборудование для вакуум-термической обработки приборов: откачные посты.
14.
Оборудование для вакуум-термической обработки приборов: откачные машины.
15.
Распыляемые газопоглотители: назначение, основные типы, характеристики,
конструкция.
16.
Описание операций образования зеркала газопоглотителя.
17.
Особенности газопоглотителей, используемых в цветных ЭЛТ. Недостатки
распыляемых газопоглотителей. Способы повышения эффективности газопоглотителей.
18.
Нераспыляемые газопоглотители: назначение, основные типы, характеристики.
Особенности использования.
19.
Тренировка электро-вакуумных приборов. Основные этапы и процессы,
происходящие при их реализации.
20.
Высоковольтный прожиг.
21.
Конструкция, принцип действия и основные узлы ВЛИ.
22.
Технология изготовления анодной платы ВЛИ: тонкопленочная технология.
23.
Технология изготовления анодной платы ВЛИ: толстопленочная технология.
24.
Технологическая схема изготовления ВЛИ. Описание операций (кроме изготовления
анодной платы).
25.
Назначение, конструкция и основные узлы вакуумных фотоэлементов.
26.
Технология изготовления сурьмяно-цезиевого фотоэлемента: получение катодного
ввода, снаряжение фотоэлемента препаратами для получения фотокатода.
27.
Технология изготовления сурьмяно-цезиевого фотоэлемента: формирование
фотокатода, свойства полученного фотокатода.
28.
Технология изготовления многощелочного сурьмянистого фотоэлемента. Свойства
полученного фотокатода.
29.
Технология изготовления оксидно-цезиевого фотокатода. Свойства полученного
фотокатода.
30.
Конструкция, принцип действия и основные узлы ФЭУ.
31.
Основные типы вторичных катодов ФЭУ.
32.
Особенности получения слоев с высоким КВЭ у сплавных динодов.
33.
Технология изготовления динодов типа «жалюзи».
34.
Технологическая схема производства ФЭУ. Описание основных операций (кроме
изготовления динодов).
35.
Назначение, конструкция, принцип действия, основные узлы ЭОП.
36.
Технология изготовления ЭОП до операции «заварка ножки».
37.
Технология изготовления ЭОП после операции «заварка ножки».
38.
Классификация гелий-неоновых лазеров. Механизм создания инверсной заселенности.
39.
Принцип действия лазера. Основные конструктивные элементы.
40.
Оптические резонаторы. Окна Брюстера.
41.
Оптические резонаторы. Зеркала.
42.
Основные конструкции активного элемента гелий-неонового лазера.
43.
Технологическая схема производства гелий-неонового лазера с наружными
зеркалами. Описание основных операций (кроме соединения оптических деталей с разрядной
трубкой).
44.
Технологическая схема производства гелий-неонового лазера с внутренними
зеркалами. Технология соединения оптических деталей с разрядной трубкой.
45.
Механизм создания инверсной заселенности, основные особенности и конструкции
активных элементов лазеров на переходах ионов инертных газов.
46.
Активный элемент ионного лазера с кварцевым разрядным каналом.
47.
Активный элемент ионного лазера с керамическим разрядным каналом.
48.
Активный элемент ионного лазера с графитовым разрядным каналом.
49.
Лазеры на молекулярных переходах: создание инверсной заселенности, основные
особенности, конструкции активных элементов.
50.
. Конструкции активного элемента отпаянного СО2 лазера.
51.
Причины ограниченного срока службы отпаянных СО2-лазеров. Пути повышения
долговечности этих лазеров.
52.
Активные элементы СО2- лазеров с прокачкой.
53.
Какова принципиальная конструкция и принцип действия газоразрядной
индикаторной панели (ГИП)?
54.
Что необходимо учитывать при выборе газового наполнения ГИП? Какие газы в
основном используются для этого?
55.
Проведите сравнительный анализ конструкции, принципа действия и технологии
изготовления плоских ВЛИ и сегментных ГИП.
56.
Приведите классификацию ГИП.
57.
Каким образом реализуется «память» в ГИП?
58.
Как на свойствах газоразрядной панели отражается практическая реализация
«памяти»?
59.
Опишите конструкцию ИГПП 32/32.
60.
Составьте технологическую схему изготовления панели ИГПП 32/32.
61.
Дайте пооперационное описание процесса изготовления катодов ИГПП 32/32.
62.
Опишите технологию изготовления анодной пластины ИГПП 32/32.
63.
Рассмотрите сборочные и заключительные операции изготовления ИГПП 32/32.
64.
Опишите конструкцию ГИПП – 10000.
65.
Составьте технологическую схему изготовления ГИПП – 10000.
66.
Какие недостатки имеют ГИП постоянного тока?
67.
Опишите конструкцию ГИП переменного тока без памяти.
68.
Перечислите основные конструктивные элементы и материалы, из которых они
изготовлены, ГИП переменного тока с внутренней памятью.
69.
Приведите технологическую схему изготовления ГИП переменного тока с внутренней
памятью.
70.
Дайте пооперационное описание процесса изготовления ГИП переменного тока с
внутренней памятью.
71.
Опишите конструкцию и принцип действия цветной плазменной панели.
72.
В чем различие (конструктивное и по принципу работы) цветной плазменной панели
(PDP) постоянного и переменного тока?
73.
Какие требования предъявляются к материалам для электродов PDP? Из каких
материалов можно изготавливать катоды и аноды PDP?
74.
Какие люминофоры используются в цветных плазменных панелях?
75.
Назовите характеристики люминофоров. Что они показывают?
76.
Назовите основные пути повышения эффективности люминофоров для цветных PDP.
77.
Какими способами можно повысить контрастность изображения цветных плазменных
панелей?
78.
В чем причина нарушенной цветопередачи у PDP? Каковы пути решения этой
проблемы?
79.
Почему у цветных PDP понижена яркость белого цвета? Каким образом можно ее
увеличить?
80.
С какой целью была разработана «галетная» (вафельная) структура ячеек PDP?
81.
Какое преимущество дает использование ячеек большей глубины?
82.
Составьте технологическую схему изготовления цветной PDP и предложите
технологические решения ее реализации.
83.
Каков принцип работы жидкокристаллической (ЖК) панели?
84.
Рассмотрите конструкцию и назначение основных элементов ЖК панели.
85.
Составьте технологическую схему изготовления TN TFT панели.
86.
Дайте пооперационное описание процесса изготовления CF подложки.
87.
Составьте технологическую схему изготовления тонкопленочного транзистора.
88.
Опишите технологию изготовления тонкопленочного транзистора на аморфном
кремнии.
89.
Какие недостатки имеет аморфный кремний как материал для изготовления
тонкопленочного транзистора? Чем лучше поликристаллический кремний?
90.
Как отражается на свойствах ЖК панели использование транзисторов на
поликристаллическом кремнии, вместо аморфного?
91.
Какими методами можно получить поликристаллические пленки кремния? Какие из
них можно использовать при производстве ЖК панелей?
92.
Какие требования предъявляются к материалу герметизирующей прокладки? Какие
материалы удовлетворяют этим требованиям?
93.
Как осуществляется герметизация ЖК ячейки?
94.
Как проводится заполнение ячейки жидким кристаллом?
95.
Каким способом осуществляется монтаж схем управления ЖК панелью?
11. Учебно-методическое и информационное обеспечение дисциплины:
а) основная литература:
1. Антонов, В.А. Технология производства электровакуумных и полупроводниковых
приборов .— М.: Высшая школа, 1979 .— 368с. (48)
2. Куркин, В.И. Основы расчета и конструирования оборудования электровакуумного
производства .— М.: Высш.шк., 1980 .— 408с. (7)
3. Моро, У. Микролитография: Принципы, методы, материалы . Ч.2 .— М.: Мир, 1990 .—
632с. (10)
4. Моро, У. Микролитография: Принципы, методы, материалы . Ч.1 .— М.: Мир, 1990 .—
606с. (10)
5. Барыбин, А. А., Сидоров, В.Г. Физико-технологические основы электроники. СПб.: Лань,
2001. 268 с.
6. Таиров, Ю.М. Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов. СПб.:
Лань, 2002. 423с
7. Т.Г. Шикова. Технология и оборудование производства изделий электронной техники.
Учебное пособие. Иваново, изд. ИГХТУ, 2003 г., 68 с.
8. Александров Е.М. ,Сироткин Г.Д. Технология и свойства материалов эмиссионной
электроники. Иваново, ИХТИ,1979.
9. Технология и оборудование производства электровакуумных приборов / Под. ред.
Ю.А.Хруничева.- М., Высшая школа, 1979.
б) дополнительная литература:
1. Гладков А.С., Амосов В.М. Металлы и сплавы для электровакууных приборов. М.,
Энергия, 1978
2. Батыгин В.Н. Вакуумно-плотная керамика и её спаи с металлами, 1973 г.
3. Александрова А.М.Заготовка деталей электровакуумных приборов. М.: Высшая школа,
1980
4. Закиров Ф.Г., Николаев Е.А. Откачка и заварка в электровакуумном производстве. М.:
Высшая школа, 1983.
5. Никонов Б.Л. Оксидный катод. М.: Энергия, 1979.
6. Неорганические люминофоры / Под ред. О.Н. Казанкина. Химия, 1975 г.
7. Федоров В.Б. Производство люминесцентных ламп. Энергия, 1981 г.
8. Майссел Л. Технология тонких пленок. Справочник. Сов.радио, 1977 г.
9. Берри Л., Холл П. Тонкопленочная технология. М.: Энергия, 1972 г.
10. Данилин Б.С. Применение плазмы для получения тонких пленок. Энергоатомиздат, 1989.
11. Красов В.Г. и др. Толстопленочная технология в СВЧ микроэлектроники / Красов В.Г.,
Петраускас Г.Б., Чернозубов Ю.С. -М.: Радио и связь, 1985. -168 с.- (Б-ка технолога
радиоэлектронной аппаратуры).
12. Денисов В.П. Производство электрических источников света – М., Энергия, 1975.-488 с.
в) программное обеспечение
- СИСТЕМНЫЕ ПРОГРАММНЫЕ СРЕДСТВА: Microsoft Windows XP, Microsoft Vista
- ПРИКЛАДНЫЕ ПРОГРАММНЫЕ СРЕДСТВА: Microsoft Office 2007 Pro, FireFox
- СПЕЦИАЛИЗИРОВАННОЕ ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ: СДО Moodle, SunRAV
BookOffice Pro, SunRAV TestOfficePro.
Электронные учебные ресурсы:
- тренировочные и контрольные тесты по каждому модулю;
- автономный гипертекстовый электронный учебник http://plasma.isact.ru;
- сетевой электронный учебник в СДО ИГХТУ Moodle http://edu.isuct.ru.
г) базы данных, информационно-справочные и поисковые системы
- база данных по приборам оптической и квантовой электроники, электровакуумным,
полупроводниковым и газоразрядным приборам http://plasma.isuct.ru.
- электронный справочник по оборудованию в электронной библиотеке (http://plasma.isact.ru,
раздел «Оборудование»).
12.
Материально-техническое обеспечение дисциплины (модуля)
Лекции и практические занятия по дисциплине проводятся в аудитории, оснащенной
видеопроектором. Компьютерное тестирование проводится в дисплейном классе кафедры
(10 ПЭВМ типа Pentium).
Программа составлена в соответствии с требованиями ФГОС ВПО с учетом рекомендаций и
ПрООП ВПО по направлению и профилю подготовки .
Автор (ы)
_____________ (Шикова Т.Г.)
Заведующий кафедрой ТП и МЭТ _____________ (Светцов В.И.)
Рецензент (ы)______________(подпись, ФИО)
Программа одобрена на заседании научно-методического совета факультета неорганической
химии и технологии ИГХТУ от «_____» ________ 201__ года, протокол № ____.
Председатель НМС
_______________ (ФИО)