VEE - Томский политехнический университет

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ
ГОУ ВПО «ТОМСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ»
УТВЕРЖДАЮ
Декан ЭФФ
_____________ Г.С. Евтушенко
«___» ________ 2007 г.
ИЗМЕРЕНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ
ВТОРИЧНОЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ
Методические указания к выполнению лабораторной
работы по дисциплинам: «Физические основы электроники»,
«Вакуумная и плазменная электроника»
для студентов направления 200300 «Биомедицинская инженерия»
и 210100 «Электроника и микроэлектроника».
Томск-2007
УДК 621.385.81
Измерение характеристик и параметров вторичной электронной
эмиссии.
Методические указания к выполнению лабораторной работы по дисциплинам «Физические основы электроники», «Вакуумная и плазменная
электроника» для студентов направления 200300 «Биомедицинская инженерия» и 210100 «Электроника и микроэлектроника».
Томск, изд. ТПУ, 2007. – 15 с.
Составители: И.О. Болотина, Ю.В. Мутовин
Рецензент доцент, к.т.н. С.А. Цехановский
Методические указания рассмотрены и рекомендованы методическим
семинаром кафедры промышленной и медицинской электроники
____ января 2007 г.
Зав. кафедрой ПМЭ
Г.С. Евтушенко
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА
Измерение характеристик и параметров
вторичной электронной эмиссии
1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ
Изучить физику явления вторичной электронной эмиссии, экспериментально снять зависимость коэффициента вторичной эмиссии от
энергии первичных электронов и определить энергетический спектр
вторичных электронов.
2. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ
Вторичная электронная эмиссия (ВЭЭ) это выход электронов с
поверхности твердого тела (металла, полупроводника или диэлектрика)
при облучении его поверхности электронным потоком.
Явление ВЭЭ лежит в основе принципа работы ряда электронных
приборов, например, в фотоэлектронных умножителях, в электроннолучевых трубках с записью изображения в виде потенциального рельефа
и в Оже-спектрометрах.
Электроны, падающие на поверхность твердого тела, называются
первичными, а электроны, вылетевшие из тела, - вторичными. Число
вторичных электронов или величина тока вторичных электронов зависит
от свойств твердого тела, состояния его поверхности, скорости первичных электронов (т.е. от их энергии), а также от угла падения первичных
электронов.
Сложный характер явления ВЭЭ наглядно проявляется в энергетическом спектре вторичных электронов (рис. 2.1). Он представляет собой
зависимость числа вторичных электронов в относительных единицах от
их энергии.
Рис. 2.1
Такие спектры могут быть получены при помощи уникальных дорогостоящих установок: сферических анализаторов с задерживающим
полем, а также анализаторов с отклонением электронов в электрических
или магнитных полях. Как видно из рис. 2.1, спектр может быть разбит
на три характерные области. При средних энергиях первичных электронов ( E1 = 0,1-1 кэВ) наибольшая доля в спектре приходится на медленные истинно вторичные электроны (область - ). Отношение числа этих
электронов к числу первичных электронов называют коэффициентом
истинно вторичной эмиссии (  ).
Процесс возникновения истинно вторичной электронной эмиссии,
заключается в следующем:
Основная масса первичных электронов настолько глубоко проникает в твердое тело (эмиттер), что выйти обратно не может. Двигаясь в
теле эмиттера первичные электроны, теряют часть своей энергии в результате различных взаимодействий, а другую часть отдают вторичным
электронам. Полагают, что энергия передаются в основном не валентным электронам, а электронам более глубоких энергетических зон, т.е.
электронам, расположенным ближе к ядру атома твердого тела (вторичная ионизация твердого тела). При этом происходит так называемый
межзональный переход электронов на свободные уровни энергии зоны
проводимости. Эти вторичные электроны, беспорядочно двигаясь в теле,
взаимодействуют с валентными электронами, постепенно теряют энергию, и значительная часть их при подходе к поверхности твердого тела
обладает энергией, недостаточной для преодоления потенциального барьера. Однако, среди вторичных электронов есть и такие (главным образом из числа возникающих вблизи поверхности), которые сохраняют
при движении к поверхности большую энергию и преодолевают потенциальный барьер, покидают поверхность тела. Они и составляют группу
истинно вторичных электронов.
Области II и III относятся к не упруго и упруго отраженным первичным электронам. В качестве условной границы между областями I и
II выбрано значение энергии вторичных электронов Е2 = 50 эВ. (Очевидно, что такое разграничение имеет смысл лишь при энергии первичных
электронов Е2 > 50 эВ). Коэффициент неупругого отражения (КНО) η
есть отношение числа электронов с энергией Е2 ≥ 50 эВ к числу первичных электронов. КНО обычно включает в себя и коэффициент упругого
отражения (КУО) R – отношение числа электронов, отражённых без
потерь энергии (или с очень малой потерей энергии, меньшей 1 эВ), к
числу первичных электронов. Это допустимо, поскольку при Еp > 50 эВ
КУО R не превышает 10 %.
Слева от пика упруго отражённых электронов (УОЭ), расположенного при Е2≈Е1 имеется группа максимумов, соответствующая первичным электронам, испытавшим при взаимодействии с мишенью дискретные потери энергии, характерные для данного вещества, характеристические потери энергии (ХПЭ).
Небольшие пики в областях I и II обусловлены электронами Оже.
Это электроны с характерной для данного вещества энергией, образующиеся при заполнении вакансий, порождаемых первичными электронами в низколежащих заполненных зонах, электронами из более высоколежащих зон. Такой переход может происходить без излучения рентгеновского фотона. В этом случае высвобождающая энергия передаётся
одному из электронов этой высоколежащей зоны. Если эта энергия
больше энергии связи последнего, то он эмиттируется с характерной кинетической энергией, равной разности переданной ему энергии и энергии связи. Заметим, что по спектру Оже-электронов можно судить об
элементарном составе вещества, что и используется в Ожеспектрометрии.
Спектр истинно вторичных электронов имеет вид кривой с максимумом при некотором значении Е2 = Е2 m. Для металлов и полупроводников Е2 m = 1.5-3 эВ. Полуширина спектра ΔЕ2 = 3-10 эВ.
Форма энергетического спектра истинно вторичных электронов
N(Е2), величины Е2 m и ΔЕ2 у металлов практически не зависят от энергии
первичных электронов при Е1 ≥ 20 эВ. При Е1 < 20 эВ положение максимума Е2 m сдвигается в сторону меньших энергий. При энергии Е1,
меньшей работы выхода φе, максимум исчезает, т.е. спектр состоит в основном из упруго отраженных электронов.
У диэлектриков максимум энергетического спектра сдвинут в сторону меньших энергий (обычно Е2 m≈ 1 эВ) и является более узким, чем у
металлов (ΔЕ2 ≈ 1.5-3 эВ). Таким образом, из металлов испускается более «горячие» вторичные электроны, чем из диэлектриков. Порог собственной ВЭЭ из диэлектриков соответствует ширине запрещённой зоны, т.е. он связан с перебросом электронов из валентной зоны.
В технических приложениях ВЭЭ характеризуют интегральным
коэффициентом σ, включающим коэффициент истинно вторичной эмиссии, а также коэффициенты упругого и неупругого отражения:
σ=δ+η+R. Определяют σ, измеряя ток первичных I1 и полный ток вторичных электронов I2

I1
.
I2
При использовании ВЭЭ в электронной технике необходимо знать
зависимости коэффициента вторичной эмиссии (КВЭ) σ от энергии первичных электронов, их угла падения, а также временную дисперсию
вторичных электронов.
2.1. Зависимость КВЭ от энергии первичных электронов Е1.
Зависимость σ(Е1) имеет вид кривой с максимумом и пологим спадом (рис. 2.2). При малых энергиях первичных электронов рост КВЭ с
увеличением Е1 обуславливается увеличением числа возбуждённых
электронов. При больших энергиях КВЭ уменьшается с увеличением
энергии первичных электронов, так как основная масса вторичных электронов рождается на большей глубине и вероятность их выхода ограничивается столкновением с электронами и атомами вещества.
Для большинства веществ σm>1. Исключением являются Be, C,
Mg, Al и ряд других элементов, у которых σm≤1.
Значения Е1, при которых для веществ с σm>1 коэффициент σ=1,
называют соответственно первой ( E1I ) и второй ( E1II ) критическими
энергиями, а потенциалы 1I и  2II соответственно первым и вторым
критическими потенциалами.

m
1
0
E1I
E1II
E1m
E1
Рис. 2.2.
При электронной бомбардировке диэлектрика или изолированного
проводника последние приобретают такой потенциал, что бомбардирующие их электроны имеют одну из критических энергий. При этом случай, когда первичные электроны имеют первую критическую энергию,
является неустойчивым, так как случайное отклонение энергии в сторону увеличения немедленно приводит к тому, что становится σ>1, и положительный потенциал вторичного эмиттера, а вместе с ним и энергия
бомбардирующих электронов, возрастает. Процесс идёт таким образом,
что σ увеличиваясь, проходит через максимум и вновь уменьшается до
σ=1, что теперь соответствует второй критической энергии. Это положение уже является устойчивым, так как отклонение энергии бомбардирующих электронов в ту или иную сторону вызывает такое изменение σ,
что потенциал эмиттера и упомянутая энергия вновь приобретают значение вторых критических.
Для многих металлов, полупроводников и некоторых диэлектриков зависимость σ(Е1) может быть представлена универсальной кривой
 E 

 F  1  . Это свойство эмиттеров вторичных электронов называется
m
 E1m 
законом подобия ВЭЭ. Но этот закон не является достаточно строгим и
универсальным. В частности, он не выполняется при
E1
 45.
E1m
2.2. Зависимость коэффициента вторичной эмиссии от угла падения первичных электронов.
Нетрудно объяснить зависимость КВЭ от угла падения первичных
электронов α на поверхность поликристалла (рис. 2.3).
Чем больше угол падения α, тем ближе к поверхности возникают
возбуждённые электроны и больше вероятность их выхода. На графике
σ(α) для монокристаллов наблюдаются небольшие локальные минимумы
и максимумы, связанные с большей или меньшей вероятностью выхода
электронов вдоль определённых кристаллографических направлений.
a
e

60 40 20
0
20
40
60
a
Поликристалл.
Рис. 2.3
2.3. Временная дисперсия ВЭЭ.
Временная дисперсия ВЭЭ есть распределение во времени актом
вылета вторичных электронов. Эта величина характеризует инерционность процесса ВЭЭ. Инерционность ВЭЭ необходимо учитывать в приборах, где ВЭЭ используется для усиления сигналов, имеющих вид коротких импульсов или колебаний СВЧ. Распределение актов ВЭЭ аппроксимируют гауссовой кривой, характеризуемой полушириной  s и
временем  s между началом возбуждения (ударом первичного электрона) и максимумом кривой распределения (рис. 2.4). Время  s складывается из времени, необходимого для возбуждения (рождения) внутренних
вторичных электронов, и времени достижения ими поверхности. Для
металлов эти времена составляют соответственно 10-16-10-15 с и 10-14-10-13
с,  s  10 12 с. Для полупроводниковых эмиттеров  s определяется временем жизни неравновесных электронов в зоне проводимости и составляет 10-10-10-8 с.
2.4. Эффективные вторичные эмиттеры.
Для чистых поверхностей металлов σm=0.5-1.8 при Е1m=0.2-0.9 кэВ.
Для полупроводников (без мер снижения работы выхода) I≤ σm≤1.5.
Ряд диэлектриков имеют существенно большие σm, равные 10-30
при 0.6≤ Е1m ≤2.5 кэВ. Все перечисленные группы веществ непригодны в
качестве технических эмиттеров: металлы и полупроводники малоэффективны, а диэлектрики неспособны поддерживать оптимальный потенциал. После зарядки поверхности диэлектрика независимо от поданного напряжения устанавливается устойчивый критический потенциал,
при котором σ=1.
N 2,
отн.ед.
1
0.5
0
s
 s
t
Рис. 2.4
Малые значения σ у металлов и полупроводников связаны с тем,
что движущиеся в эмиттере возбуждённые электроны быстро теряют
свою энергию при взаимодействии либо с электронами проводимости (в
металла и вырожденных полупроводниках n-типа), либо с валентными
электронами, т.е. на ионизационные потери (в узкозонных полупроводниках). В результате их энергия у поверхности оказывается недостаточной для преодоления поверхностного потенциального барьера.
Одним из путей увеличения эффективности вторичных эмиттеров
является уменьшение ионизационных потерь возбуждённых электронов
путём применения материалов с широкой запрещённой зоной. Необходимая величина проводимости обеспечивается легированием донорной
примесью. Этот путь положен в основу действия сплавных вторичных
эмиттеров (AgMg, CuMgAl, AgBeSi и др.). После специальной термической обработки в окислительной среде (активирования) на поверхности
эмиттера образуется тонкий слой окиси щелочного металла (MgO или
BeO) с избыточным числом атомов металла. Оптимальная толщина слоя
окиси составляет примерно 100 нм. У сплавных эмиттеров σm=8-15. Коэффициент вторичной эмиссии стабилен: слабо зависит от температуры
и плотности тока. Сплавные эмиттеры применяются в лампах со вторичной эмиссией и в оконечных каскадах умножительной системы ФЭУ.
Другим путём увеличение эффективности является возможно более полное использование достигших поверхности возбуждённых электронов посредством снижения поверхностного потенциального барьера.
Этому требованию отвечают соединения, используемые для фотокатодов, например, Cs3Sb. Перспективны эмиттеры с отрицательным электронным сродством – сильно легированные дырочные полупроводники с
пониженной работой выхода с помощью дипольного слоя на поверхности (например, GaAs – Cs2O).
3. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ
3.1. Описание лабораторной установки и методики эксперимента.
Приборы, с помощью которых более или менее полно решается
задача исследования вторичной электронной эмиссии, являются весьма
сложными и дорогими научно-исследовательскими установками. В
настоящей работе исследуются некоторые зависимости ВЭЭ на серийном электровакуумном приборе – фотоэлектронном умножителе (ФЭУ).
Основным назначением ФЭУ является регистрация слабых световых потоков. В нём ФЭЭ используется для усиления тока весьма малой
величины, образованного эмитированными с фотокатода электронами.
Для этого ФЭУ содержит умножительную систему, обычно состоящую
из 8-12 последовательно расположенных вторичных эмиттеров, называемых динодами. Коллектором электронов является анод ФЭУ, в цепь которого включается сопротивление нагрузки.
Коэффициент усиления (умножения) ФЭУ находится как произведение коэффициентов вторичной электронной эмиссии отдельных динодов M= σ1 σ2 σ3… σN.
Если КВЭ всех динодов одинаковы, то M=σN, где N – число динодов. Полный коэффициент усиления M ФЭУ может достигать 108.
Лабораторная установка состоит из общего для всех работ стенда,
который содержит основные измерительные приборы и регулируемые
стабилизированные источники питания. В дополнительном блоке установлен ФЭУ-13 со съёмным осветителем, регулируемый источник отрицательного ускоряющего напряжения до 1000 В, которое подаётся на
фотокатод ФЭУ, вольтметр, измеряющий это напряжение, микроамперметр, регистрирующий фототок (первичный ток).
Регулировка фототока осуществляется изменением накала лампочки осветителя с помощью переменного резистора. Принципиальная
схема включения ФЭУ приведена на лицевой панели блока. На этой же
панели установлены гнёзда, которые позволяют соединить дополнительный блок с основным стендом штеккерными проводниками.
При проведении работы экспериментально изучаются следующие
закономерности вторичной эмиссии: зависимость коэффициента вторичной эмиссии от энергии первичных электронов и распределение вторичных электронов по энергиям.
При определении коэффициента вторичной эмиссии второй динод
соединяется с остальными динодами и анодом штекерным проводником
(рис. 3.1). Электроны, эмиттированные фотокатодом при его освещении,
образуют первичный ток I1. Они ускоряются отрицательным напряжением, поданным на фотокатод и бомбардируют 1-ый динод. Для полного
сбора вторичных электронов на параллельно соединённые остальные
диноды и анод подаётся накопительный потенциал. Ток этих электродов
образует полный вторичный ток I2.
Коэффициент вторичной эмиссии (в данном случае первого динода) равен

I2
.
I1
Меняя ускоряющее напряжение Uуск на фотокатоде и измеряя каждый раз I1 и I2, можно определить зависимость σ(E1), где E1  U уск - энергия первичных электронов в электрон вольтах.
Для определения спектра вторичных электронов второй динод отсоединяется от остальных и на него подаётся отрицательный задерживающий потенциал Uз.
Таким образом, второй динод играет роль задерживающей сетки,
пропуская только те вторичные электроны, энергия которых – Ев позволяет преодолеть тормозящее поле второго динода или другими словами,
энергия которых в электрон вольтах превышает U з
mV 2
Eв 
 U зe .
2
Снимая зависимость I2=f(Uз), получаем интегральное распределение вторичных электронов по энергиям. Чтобы найти спектр, необходимо продифференцировать эту зависимость.
Заменяя бесконечно малые приращения I2 и Uз конечными и располагая экспериментальные точки в порядке возрастания абсолютных
значений U з , получим формулы для приближённого дифференцирования функций, заданной таблично
n2 ( E ) I 2i 1  I 2i
 i 1
,
E
U з  U зi
где I 2i 1  I 2i ; U зi 1  U зi - алгебраическая разность соседних отсчётов соответственно вторичного тока и задерживающего напряжения; а Е берётся
для середины интервала, т.е.
E
Uз
i 1
 Uз
.
2
i
Необходимо отметить ряд особенностей экспериментального
определения спектра вторичных электронов.
Как видно из рис. 2.1, спектр имеет неравномерный характер, что
требует правильного выбора точек отсчёта по шкале задерживающих
напряжений.
При дифференцировании резко проявляются случайные погрешности измерений, приводящие к разбросу экспериментальных точек.
Обычные приём избежать этого, заключается в первоначальном построении интегральной кривой, её сглаживании и дальнейшем графическом
дифференцировании. Этот путь достаточно трудоёмкий, а при определении спектра вторичных электронов из-за резкого поведения функций
интегральное распределение приходится строить по участкам с разным
масштабом по оси напряжений Uз.
В лабораторной работе изучается качественный характер спектра
и в целях экономии времени допускается непосредственное дифференцирование функции, заданной таблично. При этом необходимо внимательно и тщательно снимать экспериментальные точки.
3.2. Порядок выполнения работы и методические указания.
3.2.1. Перед началом работы преподаватель проверяет готовность
студентов к занятиям. С теорией и методикой исследований студенты
знакомятся заранее по рекомендуемой литературе и настоящему руководству.
3.2.2. Сборка схемы эксперимента и все коммутации производятся
в обязательном порядке при выключенных основном стенде и дополнительном блоке.
3.2.3. Пользуясь полной принципиальной схемой (рис. 3.1) набрать
макет для исследования коэффициента вторичной эмиссии. Для этого, не
подавая задерживающего напряжения на второй динод, соединить его с
остальными динодами и анодом. Шунт 20 мкА к амперметру не подключать. Установить все ручки регулировки напряжений в крайнее левое положение.
После проверки схемы преподавателем включить стенды, измерительные приборы и источники питания. Дать прогреться приборам в течение 1-2 мин., после чего установить нули амперметров, вольтметров.
Далее проверить калибровку вольтметров и выставить калибровочное число. Переключить вольтметры в режим измерения постоянного
напряжения и на амперметре I2 установить предел 200 мкА. Задать регулируя напряжение источника Е1, на аноде ФЭУ напряжение Uа порядка
200 В. Установить на фотокатоде ускоряющее напряжение 300 В. Регулируя накал лампочки, получить первичный ток, равный 10 мкА.
Уменьшить ускоряющее напряжение до 0 и далее, повышая его до 1000
В через 100 В, снять показания токов I2 и I1. Данные занести в табл. 3.1 и
рассчитать значение σ.
~ Uн
R2
Л1
I1
-1000 В
pA
ФЭУ-13
А
...
ФК
1
R1
2
3
12
pU
pA
I2
20
мкА
U3
pU
+E2
+
pU
E1
общ.
Рис. 3.1
Табл. 3.1
E  U уск
0
100
200
……………..
I2
I1
σ
3.2.4. Выключить дополнительный бок и источники питания основного стенда. Измерительные приборы стенда выключать не рекомендуется. Отсоединить второй динод и подключить его к источнику задерживающего напряжения Е2 стенда. Подключить шунт к амперметру
I2 и установить на последнем предел 0.2 мкА. Конечное значение шкалы
амперметра в этом случае будет соответствовать 20 мкА. Установить регулировку накала в крайнее левое положение. После проверки собранной схемы преподавателем включить стенды. Установить Uуск равным
180 В, а напряжение на аноде Е1 оставить прежним порядка 200 В. Вывести в крайнее левое положение ручки «грубо» и «плавно» регулировки
Е2, т.е. установить задерживающий потенциал примерно равным 0. Регулируя накал лампочки осветителя, добиться отклонения стрелки амперметра I2 в 20 мкА (т.е. до конца шкалы).
Приступить к снятию интегрального распределения вторичных
электронов. Данные заносить в табл. 3.2, предназначенной сразу и для
дифференцирования кривой. Вывести ручку регулировки накала в крайнее левое положение и, не выключая стендов, произвести необходимые
расчёты. После проверки данных преподавателем с его разрешения отключить всю аппаратуру.
Табл. 3.2
Uз, В
1 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 6 8 10
I2, мкА
2
i 1
i
U з  U з  U з , В
3
I 2  I 2i  I 2i1 , мкА
4
dn2 I 2

, отн.
dE U з
5
U зi  U зi 1
,В
2
6
E
1
2
3
4
5
6
20
40
60
80
100
120
140 160
170
175
180
185 190 200
ПРИМЕЧАНИЕ. При снятии экспериментальных точек нет необходимости длительно устанавливать точное значение Uз в соответствии
с таблицей. Допустимо, чтобы напряжения отличались от табличных во
второй значащей цифре. Например, вместо 0.500 может быть установлено 0.512. При этом в верхней строчке таблицы 3.2 необходимо вписать
истинное значение Uз.
3.3. Содержание отчёта
3.3.1. Введение, цель работы.
3.3.2. Технические данные и параметры ФЭУ-13.
3.3.3. Принципиальная схема установки, её краткое описание.
3.3.4. Таблица исходных данных и расчёт коэффициента вторичной эмиссии σ. График зависимости σ(Е1) и его объяснение.
3.3.5. Таблица исходных данных и расчёт спектра вторичных электронов. График зависимости
dn2
E  и его объяснение.
dE
ПРИМЕЧАНИЕ.
Можно
наглядного представления
рекомендовать
следующий
приём
dn2
E  . Шкалу по оси абсцисс взять длиной и
dE
не менее 20 см. Первую половину шкалы до 10 В взять с масштабом 1
В/см, вторую половину до 200 В с масштабом 20 В/см.
3.3.6. Используя полученные данные, решить следующие задачи.
1. Какое напряжение надо было подать на ФЭУ-13 и какой коэффициент усиления он имел бы, если бы на всех динодах междинодное напряжение обеспечивало бы получение максимальное значения σm?
2. Считая коэффициенты вторичной эмиссии всех динодов одинаковыми, по паспортным данным определить междинодное напряжение и каждого динода при максимально допустимом напряжении
питания ФЭУ-13. Сравнить полученное значение σ с экспериментально измеренным и указать возможные причины расхождения.
4. КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ
4.1. Перечислить и дать объяснение основным закономерностям
энергетического спектра электронов ВЭЭ.
4.2. Охарактеризовать временную дисперсию ВЭЭ.
4.3. Объяснить зависимость коэффициента ВЭЭ от угла падения
бомбардирующих электронов.
4.4. Дать понятие закона подобия ВЭЭ.
4.5. Дать понятие критических энергий и критических потенциалов.
4.6. Объяснить особенности ВЭЭ диэлектриков и изолированных
проводящих эмиттеров.
4.7. Охарактеризовать эффективность ВЭЭ обычных (чистых) металлов, полупроводников и диэлектриков. Выяснить причины, по которым они не могут быть использованы в технике.
4.8. Сформулировать пути увеличения эффективности ВЭЭ.
1.
2.
3.
4.
5. РЕКОМЕДУЕМАЯ ЛИТЕРАТУРА
Фридрихов С.А., Мовин С.М. Физические основы электронной техники. – М.: Высшая школа, 1982. – 608 с.
Соболев В.Д. Физические основы электронной техники. – М.: Высшая школа, 1979. – 448 с.
Бронштейн Ш.М., Фрайман Б.С. Вторичная электронная эмиссия. –
М.: Наука, 1969. – 407 с.
Соболев В.Д., Меламид А.В. Фотоэлектронные приборы. – М.: Высшая школа, 1974. – 376 с.
ПРИЛОЖЕНИЕ
Параметры ФЭУ-13
Фотоэлектронный умножитель ФЭУ-13 электровакуумный прибор, в котором поток первичных электронов усиливается посредством
вторичной электронной эмиссии. Основное назначение ФЭУ заключается в преобразовании световых сигналов в электрические сигналы и усилении слабых фототоков.
Число каскадов усиления (N)…………………………..12
Номинальное напряжение анод-катод ( U ак )………….1700 В
Темновой ток…………………………………………….0,4 мкА
мкА
Интегральная чувствительность фотокатода ( K фк )…..50 [
]
Интегральная чувствительность ФЭУ ( KФЭУ
( KФЭУ = K фк  M ; M = 
N
лм
А
)…………6 [ ]
лм
).
ИЗМЕРЕНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ
ВТОРИЧНОЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ
Методические указания
Составители: И.О. Болотина, Ю.В. Мутовин