ВОПРОСЫ ДЛЯ ТЕСТОВ 1. Справедливо следующее соотношение между вероятностями вынужденного поглощения и вынужденного излучения: а) эти величины равны; б) вероятность вынужденного поглощения равна сумме вероятностей вынужденного и спонтанного излучения; в) эти величины равны на одно невырожденное состояние. 2. Коэффициент Эйнштейна для спонтанного излучения: а) пропорционален третьей степени частоты спонтанно испущенного фотона; б) обратно пропорционален частоте спонтанно испущенного фотона; в) не зависит отчастоты спонтанно испущенного фотона. 3. Вероятность вынужденных переходов: а) равна коэффициенту Эйнштейна для соответствующего перехода; б) равна произведению коэффициента Эйнштейна для соответствующего перехода на плотность энергии поля; в) равна сумме коэффициентов Эйнштейна для соответствующего перехода и спонтанного излучения. 4. Процесс вынужденного излучения является: а) двухквантовым; б) двухступенчатым; в) одноквантовым. 5. В случае вынужденного излучения испущенный и падающий фотоны имеют: а) произвольные фазы, направления распространения и поляризации; б) произвольные фазы и одинаковые направления распространения и поляризации; в) одну и ту же фазу, направление распространения и поляризацию. 6. Столкновительная ширина линии пропорциональна: а) давлению газа; б) температуре; в) концентрации газа. 7. Контур однородно уширенной линии описывается: а) функцией Лоренца; б) функцией Гаусса; в) функцией Фойгта. 8. Контур неоднородно уширенной линии описывается: а) функцией Лоренца; б) функцией Гаусса; в) функцией Фойгта. 9. Уширение спектральных линий в газе: а) однородное; б) неоднородное; в) является результатом и однородного, и неоднородного механизмов. 10. В газах: а) вклад однородного уширения в ширину линии всегда больше неоднородного; б) вклады неоднородного и однородного уширений в ширину линии могут быть существенно разными; в) вклад неоднородного уширения в ширину линии всегда больше однородного. 11. В состоянии термодинамического равновесия коэффициент усиления: а) всегда положителен; б) может быть как положительным, так и отрицательным; в) всегда отрицателен. 12. Наличие инверсной населенности: а) является достаточным условием для работы лазера в непрерывном режиме; б) для работы лазера наличие инверсии несущественно; в) не является достаточным условием для работы лазера в непрерывном режиме. 13. Величина порогового коэффициента усиления определяется: а) суммарным уровнем потерь; б) параметром насыщения, определяемым свойствами среды; в) коэффициентами отражения зеркал резонатора. 14. В условиях насыщения двухуровневой квантовой системы разность населенностей: а) близка к нулю, при этом населенность нижнего уровня все же меньше; б) близка к нулю, при этом населенность нижнего уровня все же больше; в) равна нулю. 15. В условиях насыщения двухуровневой квантовой системы разность населенностей: а) близка к нулю, при этом населенность нижнего уровня все же меньше; б) близка к нулю, при этом населенность нижнего уровня все же больше; в) равна нулю. 16. Уменьшение интенсивности проходящего через среду излучения, обусловленное рассеянием на неоднородностях среды, называется: а) внутренними или распределенными потерями; б) дифракционными потерями; в) полезными потерями. 17. Уменьшение интенсивности излучения при его распространении в резонаторе, обусловленное конечными размерами зеркал, называется: а) внутренними или распределенными потерями; б) дифракционными потерями; в) полезными потерями. 18. Величина пороговой мощности накачки при прочих равных условиях: а) больше в случае 4-х уровневой схемы по сравнению с 3-х уровневой; б) больше в случае 3-х уровневой схемы по сравнению с 4-х уровневой; в) одинакова как в случае 4-х уровневой схемы, так и в случае 3-х уровневой схемы. 19. В режиме стационарной генерации: а) величина инверсной населенности всегда больше порогового значения; б) величина инверсной населенности всегда меньше порогового значения; в) величина инверсной населенности всегда равна пороговому значению. 20. При прочих равных условиях предпочтительным является: а) использование 3-х уровневой схемы накачки; б) использование 4-х уровневой схемы накачки; в) обе схемы накачки одинаковы. 21. Время жизни фотона в резонаторе определяется: а) спонтанным временем жизни верхнего лазерного уровня; б) суммарным уровнем потерь; в) интенсивностью поля в резонаторе. 22. С увеличением спонтанного времени жизни верхнего лазерного уровня пороговая мощность накачки: а) возрастает; б) уменьшается; в) не меняется. 23. При увеличении времени жизни нижнего лазерного уровня эффективность 4-х уровневой схемы накачки: а) возрастает; б) уменьшается; в) не меняется. 24. В лазерах используются: а) закрытые резонаторы; б) открытые резонаторы; в) как открытые, так и закрытые резонаторы. 25. С увеличением длины резонатора частотное расстояние между продольными модами: а) увеличивается; б) уменьшается; в) остается неизменным, однако сами моды смещаются. 26. С увеличением длины резонатора продольные моды: а) смещаются в область больших длин волн; б) смещаются в область меньших длин волн; в) не меняются по частоте. 27. Модой резонатора называется: а) стационарное пространственное распределение поля в резонаторе; б) частота стоячей электромагнитной волны в резонаторе; в) стационарное пространственное распределение в резонаторе поля с определенной частотой. 28. Поперечные моды определяют: а) число узлов поля вдоль оси резонатора между его зеркалами; б) пространственную конфигурацию поля в плоскости, перпендикулярной оси резонатора; в) пространственную конфигурацию поля в плоскости, совпадающей с осью резонатора. 29. Гауссовым пучком называется: а) стационарная конфигурация поля в резонаторе; б) спектр частот поля в резонаторе; в) спектр всех поперечных мод. 30. Продольные моды определяют: а) число узлов поля вдоль оси резонатора между его зеркалами; б) пространственную конфигурацию поля в плоскости, перпендикулярной оси резонатора; в) пространственную конфигурацию поля в плоскости, совпадающей с осью резонатора. 31. Конфокальный резонатор: а) устойчив; б) неустойчив; в) в зависимости от соотношений между длиной резонатора и радиусами кривизны зеркал может быть как устойчивым, так и неустойчивым. 32. Лазеры с неустойчивыми резонаторы могут работать: а) только в непрерывном режиме; б) только в импульсном режиме; в) как в импульсном, так и в непрерывном режиме. 33. Лазеры с устойчивыми резонаторы могут работать: а) только в непрерывном режиме; б) только в импульсном режиме; в) как в импульсном, так и в непрерывном режиме. 34. При прочих равных условтях уровень потерь для поперечных мод: а) больше, чем для продольных мод; б) меньше, чем для продольных мод; в) не связан с уровнем потерь продольных мод. 35. При прочих равных условтях расходимость поперечных мод: а) больше, чем расходимость продольных мод; б) меньше, чем расходимость продольных мод; в) не связана с расходимостью продольных мод. 36. Для реализации режима модулированной добротности необходимо, чтобы лазер работал: а) на одной продольной моде; б) модовый состав несущественен; в) на нескольких продольных модах. 37. Для реализации режима модулированной добротности необходимо, чтобы длительность импульса накачки была: а) большей по сравнению со временем релаксации верхнего уровня; б) много большей по сравнению со временем релаксации верхнего уровня; в) меньшей или сравнимой со временем релаксации верхнего уровня. 38. В режиме модулированной добротности переключение потерь должно быть: а) меньшим по сравнению со временем развития импульса; б) большим по сравнению со временем развития импульса; в) сравнимым со временем развития импульса. 39. При прочих равных условиях наиболее короткие импульсы получаются: а) в режиме свободной генерации; б) в режиме модулированной добротности; в) в режиме синхронизации мод. 40. При прочих равных условиях в режиме модулированной добротности наиболее короткие импульсы получаются: а) при использовании электрооптического метода; б) при использовании акустооптического метода; в) при использовании механических методов. 41. Методы модулированной добротности и синхронизации мод предназначены для: а) для получения большой частоты повторения импульсов; б) получения коротких мощных импульсов; в) для стабилизации частоты излучения. 42. В режиме синхронизации мод длительности импульса: а) обратно пропорциональна квадрату ширины линии генерации; б) обратно пропорциональна ширине линии генерации; в) обратно пропорциональна расстоянию между продольными модами. 43. В режиме синхронизации мод временное расстояние между соседними импульсами: а) равно времени одинарного прохода через резонатор; б) обратно пропорциональна ширине линии генерации; в) равно времени двойного прохода через резонатор. 44. Режимые синхронизации мод и модулированной добротности могут быть реализованы: а) только в устойчивых резонаторах; б) только в неустойчивых резонаторах; в) как в устойчивых, так и в неустойчивых резонаторах. 45. Эффект провала Лэмба наблюдается: а) в газовых лазерах, работающих на одной продольной моде; б) в газовых лазерах с неоднородно уширенной за счет доплеровского эффекта линией усиления, работающих на одной продольной моде; в) в газовых лазерах с однородно уширенной за счет столкновений линией усиления, работающих на одной продольной моде. 46. Наиболее широко распространенным механизмом накачки в газовых лазерах является: а) накачка в электрическом разряде; б) оптическая накачка; в) электронно-лучевая накачка. 47. Лазер на двуокиси углерода работает: а) на электронных переходах в молекуле углекислого газа; б) на колебательных переходах в молекуле углекислого газа; в) ) на колебательно-вращательных переходах в молекуле углекислого газа. 48. Азотный лазер работает: а) на электронных переходах в молекуле азота; б) на колебательных переходах в молекуле азота; в) на колебательно-вращательных переходах в молекуле азота. 49. В гелий-неоновом лазере основным механизмом опустошения нижнего лазерного уровня является: а) безызлучательня релаксация при соударениях; б) излучательная релаксация; в) вклады излучательной и безызлучательной релаксации сопоставимы. 50. В гелий-неоновом лазере линия генерации с длиной волны 0.63 мкм уширена, главным образом: а) однородно; б) неоднородно; в) вклады однородного и неоднородного уширения сопоставимы. 51. Лазер на парах меди может работать в режиме: а) непрерывном; б) импульсном ; в) в непрерывном и импульсном. 52. В аргоновом лазере основным механизмом опустошения нижнего лазерного уровня является: а) безызлучательня релаксация при соударениях; б) излучательная релаксация; в) вклады излучательной и безызлучательной релаксации сопоставимы. 53. Аргоновый лазер может работать в режиме: а) непрерывном; б) импульсном; в) в непрерывном и импульсном. 54. В аргоновом лазере охлаждение активной среды: а) воздушное; б) водяное; в) может быть как воздушным, так и водяным. 55. В гелий-неоновом лазере основным механизмом накачки является: а) резонансная передача энергии от возбужденных атомов гелия; б) прямые столкновения атомов неона с электронами разряда; в) реакция Пеннинга. 56. В гелий-кадмиевом лазере основным механизмом накачки является: а) резонансная передача энергии от возбужденных атомов гелия; б) прямые столкновения атомов кадмия с электронами разряда; в) реакция Пеннинга. 57. В лазере на двуокиси углерода содержащийся в смеси азот нужен для: а) опустошения нижнего лазерного уровня; б) накачки верхнего лазерного уровня; в) поддержания разряда. 58. В лазере на окиси углерода к инверсии приводят процессы: а) столкновения молекул СО с электронами разряда; б) VV-обмена; в) столкновения молекул СО с электронами разряда с последующим VV-обменом; г) резонансная передача энергии от молекулярного азота. 59. Лазер на окиси углерода излучает: а) в видимой области спектра; б) в ультрафиолетовой области спектра; в) в инфракрасной области спектра. 60. Водородный лазер излучает излучает: а) в видимой области спектра; б) в ультрафиолетовой области спектра; в) в инфракрасной области спектра. 61. Эксимером называется: а) двухатомная молекула, образованная из атомов разных веществ; б) молекула, находящаяся в возбужденном электронном состоянии; в) молекула, которая может существовать только в возбужденном электронном состоянии. 62. Механизм накачки лазеров на красителях: а) соответствует 3-х уровневой схеме; б) соответствует 4-х уровневой схеме; в) не соответствует ни 3-х, ни 4-х уровневой схеме. 63. Лазеры на красителях могут работать в режиме: а) непрерывном; б) импульсном; в) в непрерывном и импульсном. 64. В лазерах на красителях используется: а) накачка в электрическом разряде; б) оптическая накачка; в) электронно-лучевая накачка; г) химическая накачка. 65. Механизм накачки рубинового лазера: а) соответствует 3-х уровневой схеме; б) соответствует 4-х уровневой схеме; в) не соответствует ни 3-х, ни 4-х уровневой схеме. 66. Механизм накачки неодимового лазера: а) соответствует 3-х уровневой схеме; б) соответствует 4-х уровневой схеме; в) не соответствует ни 3-х, ни 4-х уровневой схеме. 67. В рубиновом лазере используется: а) накачка в электрическом разряде; б) оптическая накачка; в) электронно-лучевая накачка. 68. В неодимовом лазере основным механизмом опустошения нижнего лазерного уровня является: а) безызлучательня релаксация; б) излучательная релаксация; в) вклады излучательной и безызлучательной релаксации сопоставимы. 69. В химическом HF-лазере генерация возникает: а) на колебательно-вращательных уровнях молекулы HF; б) на электронных уровнях молекулы HF; в) на уровнях атома фтора; г) на уровнях атома водорода. 70. HBr-лазер излучает: а) в видимой области спектра; б) в УФ области спектра; в) в ИК области спектра. 71. Активной средой в лазерах на центрах окраски являются: а) диэлектрические кристаллы; б) металлы; в) аморфные структуры. 72. Основным механизмом накачки лазеров на центрах окраски является: а) накачка в электрическом разряде; б) оптическая накачка; в) электронно-лучевая. 73. Характерные мощности излучения лазеров на центрах окраски в непрерывном режиме составляют: а) единицы мВт; б) единицы Вт; в) сотни Вт. 74. Механизм накачки лазеров на центрах окраски: а) соответствует 3-х уровневой схеме; б) соответствует 4-х уровневой схеме; в) не соответствует ни 3-х, ни 4-х уровневой схеме. 75. Характерные мощности излучения полупроводникового лазера на GaAs в непрерывном режиме составляют: а) несколько Вт; б) несколько мВт; в) десятки Вт; г) сотни Вт. 76. Характерные величины порогового тока накачки полупроводникового лазера на GaAs составляют: а) несколько мА; б) несколько А; в) десятки мА; г) сотни А. 77. Технология лазерного отжига заключается: а) в надрезании лазерным излучением полупроводниковых пластин с последующим механическим разломом; б) в очистке поверхности полупроводника; в) в удалении дефектов из полупроводников после ионной имплантации; г) в окислении поверхности материала при его нагреве лазерным излучением в атмосфере. 78. Технология скрайбирования заключается: а) в надрезании лазерным излучением полупроводниковых пластин с последующим механическим разломом; б) в очистке поверхности полупроводника; в) в удалении дефектов из полупроводников после ионной имплантации; г) в окислении поверхности материала при его нагреве лазерным излучением в атмосфере. 79. Наилучшие высокоточные стандарты частоты оптического диапазона получены при использовании: а) лазеров, излучающих в непрерывном режиме; б) лазеров, излучающих в режиме модуляции добротности; в) лазеров, излучающих в режиме синхронизации мод. 80. Одним из наиболее распространенных лазеров в хирургии является: а) аргоновый лазер; б) рубиновый лазер; в) лазер на двуокиси углерода. 81. Одно из основных преимуществ лазерной сварки заключается в: а) высокой скорости сварки; б) обеспечении малого количества поверхностных дефектов сварного шва; в) возможности высококачественной точечной сварки. 82. В лидарных установках используются: а) непрерывные лазеры; б) непрерывные лазеры; в) как непрерывные, так и импульсные лазеры. 83. В лазерных устройствах детектирования веществ, основанных на регистрации флуоресцентного излучения, используются: а) непрерывные лазеры; б) непрерывные лазеры; в) как непрерывные, так и импульсные лазеры. 84. В результате процесса флуоресценции поглощенный электрон излучательно релаксирует: а) в исходное состояние; б) в состояние с большей энергией; в) в любое разрешенное правилами отбора состояние; г) в состояние с меньшей энергией. 85. Вынужденное комбинационное рассеяние света соответствует ситуации, когда: а) на систему воздействует мощное лазерное излучение; б) энергия падающего кванта сильно отличается от расстояния между двумя ближайшими электронными уровнями; в) энергия кванта приблизительно соответствует энергии, необходимой для перевода молекул из одного электронного состояния в другое. 86. Вынужденное комбинационное рассеяние света соответствует ситуации, когда: а) на систему воздействует мощное лазерное излучение; б) энергия падающего кванта сильно отличается от расстояния между двумя ближайшими электронными уровнями; в) энергия кванта приблизительно соответствует энергии, необходимой для перевода молекул из одного электронного состояния в другое. 87. Сечения спонтанного комбинационного рассеяния обычно: а) много больше сечений флуоресценции; б) одинаковы по порядку величин с сечениями флуоресценции; в) много меньше сечений флуоресценции. 88. В лидарных установках чаще всего используются: а) твердотельныеи эксимерные лазеры; б) полупроводниковые и химические лазеры; в) химические лазеры и лазеры на красителях. 89. Метод селективной фотоионизации может быть использован: а) для лазерного разделения изотопов атомов; б) для лазерного разделения изотопов молекул; в) для лазерного разделения изотопов атомов и молекул. 90. При реализации метода селективной фотоионизации столкновения частиц разных изотопов между собой: а) увеличивают эффективность метода; б) уменьшают эффективность метода; в) не влияют на эффективность метода. 91. В методе лазерного термоядерного синтеза излучение лазера: а) разогревает мишень до высоких температур; б) разогревает мишень до высоких температур и сжимает ее до высоких плотностей; в) сжимает мишень до больших плотностей. 92. Какие лазеры являются наиболее предпочтительными для лазерного термоядерного синтеза: а) твердотельные; б) газовые; в) жидкостные. 93. Какие лазеры являются наиболее предпочтительными для очистки поверхностей: а) Nd-лазер, химические и полупроводниковые лазеры; б) CO2 -лазер, жидкостные и эксимерные лазеры; в) CO2 -лазер, Nd-лазер и эксимерные лазеры.