2Т504

Транзисторы
Кремниевые планарные
п-р-п
2Т504А,Б,В-1
Кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п транзисторы типов 2Т504А-1,
2Т504Б-1, 2Т504В-1, бескорпусные, предназначенные для работы в схемах
высоковольтных стабилизаторах напряжений и преобразователях в составе
гибридных интегральных микросхем.
Схема расположения выводов
Электрические параметры транзисторов при приемке и поставке
Наименование параметра,
единица измерения,
(режим измерения)
Буквенное
обозначение
Граничное напряжение,
Норма
не
менее
не
более
UКЭО гр
Температура
С
25 ± 10
(IК =30 мА), В
2Т504А-1
250
2Т504Б-1
150
2Т504В-1
230
Обратный ток коллектора, мА
IКБО
25 ± 10
(UКБ = 400 В) 2Т504А-1
0,1
(UКБ = 250 В) 2Т504Б-1
0,1
(UКБ = 300 В) 2Т504В-1
0,1
Обратный ток эмиттера,
IЭБО
0,1
25 ± 10
(UЭБ = 6 В), мА
Статический коэффициент
h21Э
15
25 ± 10
передачи тока,
(UКБ = 5 В, IЭ = 0,5 А)
Напряжение насыщения
UКЭ нас*
1,4
25 ± 10
UБЭ нас*
2,0
25 ± 10
коллектор-эмиттер, (IК = 0,5 А,
IБ = 0,1 А), В
Напряжение насыщения базаэмиттер, (IК = 0,5 А, IБ = 0,1 А), В
* Нормы на электрические параметры UКЭ нас и UБЭ нас установлены для транзисторов в корпусе КТ-2-7 по ГОСТ 18472.
Транзисторы поставляются с гибкими
выводами без кристаллодержателя по АЕЯР.432140. 377 ТУ
Предельно допустимые значения электрических режимов эксплуатации
Наименование параметра,
единица измерения,
(режим измерения)
Максимально допустимое постоянное
Буквенное
обозна-
Норма
Примечание
чение
UКЭ мах
1
напряжение коллектор-эмиттер,
(RБЭ ≤ 100 Ом), В
2Т504А-1
350
2Т504Б-1
200
2Т504В-1
275
Максимально допустимое постоянное
UКБ мах
1
напряжение коллектор-база,В
2Т504А-1
400
2Т504Б-1
250
2Т504В-1
300
Максимально допустимое постоянное
UЭБ
1
мах
напряжение эмиттер-база, В
2Т504А-1, 2Т504Б-1, 2Т504В-1
Максимально допустимый постоянный ток
6
IК мах
1,2
коллектора, А
2Т504А-1, 2Т504Б-1, 2Т504В-1
Максимально допустимый постоянный ток
1
IБ мах
1
базы, А
2Т504А-1, 2Т504Б-1, 2Т504В-1
Максимально допустимый импульсный ток
0,5
1
IК, И мах
коллектора, (τИ ≤500 мкс, Q ≥ 2), А
2Т504А-1, 2Т504Б-1, 2Т504В-1
Максимально допустимая постоянная рассе-
2
3
PКмах
иваемая мощность коллектора при температуре условного корпуса КТ-2-7 с посадкой
2
Предельно допустимые значения электрических режимов эксплуатации
Наименование параметра,
Буквенное
единица измерения,
обозна-
(режим измерения)
Норма
Примечание
чение
кристалла на эвтектику золото-кремний от
минус 60 до 25°С (с бесконечным теплоотводом), Вт
2Т504А-1, 2Т504Б-1, 2Т504В-1
10
Максимально допустимая постоянная рассе-
PКмах
4
иваемая мощность коллектора при температуре окружающей среды от минус 60 до
25°С (без теплоотвода) в условном корпусе
КТ-2-7 с посадкой кристалла на эвтектику
золото-кремний, Вт
2Т504А-1, 2Т504Б-1, 2Т504В-1
1
Максимально допустимая температура
tПмах
перехода, °С
2Т504А-1, 2Т504Б-1, 2Т504В-1
150
Примечания
1 Во всем диапазоне рабочих температур окружающей среды.
2 При условии непревышения мощности РК
мах.
3 В диапазоне температур условного корпуса КТ-2-7 по ГОСТ 18472 от 25 до 125°С
мощность снижается линейно на 80 мВт/°С.
4 В диапазоне температур окружающей среды от 25 до 125°С в условном корпусе
КТ-2-7 по ГОСТ 18472 мощность снижается линейно на 8 мВт/°С.