Публикации - Казахстанско-Британский технический университет

СПИСОК ОПУБЛИКОВАННЫХ РАБОТ НУСУПОВА К.Х.,
заведующего Лабораторией нанотехнологий
АО «Казахстанско-Британский Технический университет»
В международных зарубежных изданиях:
1. И.К.Бейсембетов, К.Х.Нусупов, Н.Б.Бейсенханов, С.К.Жариков, Б.К.Кенжалиев,
Т.К.Ахметов, Р.Ивлев. Структура наноразмерных пленок углерода и карбида кремния на
кремнии,
полученных
магнетронным
и
ионно-лучевым
распылением
мишени.
//
Наноматериалы и наноструктуры - XXI век. - Издательство "Радиотехника" (Москва). - 2012.
- Т. 3, № 4. - С. 030-035.
2. Kair Kh. Nussupov and Nurzhan B. Beisenkhanov. Ion Synthesis of SiC and Its Instability at
High Temperatures. // In book: Physics and Technology of Silicon Carbide Devices. Dr. Yasuto
Hijikata (Ed.). 2013. Chapter 3. InTech. PP.47-96. ISBN: 978-953-51-0917-4. DOI: 10.5772/51389.
Available
from:
http://www.intechopen.com/books/physics-and-technology-of-silicon-carbide-
devices/ion-synthesis-of-sic-and-its-instability-at-high-temperatures
3. Kair Kh. Nussupov and Nurzhan B. Beisenkhanov. The Formation of Silicon Carbide in the
SiCx Layers (x = 0.03–1.4) Formed by Multiple Implantation of C Ions in Si. // In book: Silicon
Carbide - Materials, Processing and Applications in Electronic Devices. Moumita Mukherjee (Ed.).
2011.
Chapter
4.
InTech.
PP.
69-114.
ISBN:
978-953-307-968-4.
Available
from:
http://www.intechopen.com/books/silicon-carbide-materials-processing-and-applications-inelectronic-devices/the-formation-of-silicon-carbide-in-the-sicx-layers-x-0-03-1-4-formed-bymultiple-implantation-of-c-
4. Бейсембетов И.К., Бейсенханов Н.Б., Дощанов А.М., Жариков С.К., Кенжалиев Б.К.,
Нусупов К.Х. Синтез β-SiC в слоях SiCx (x = 0,03−1,4) многократной имплантацией ионов С
в Si // Вестник ННГУ. – Нижний Новгород. − 2011. − № 2. − С. 38-45. (Импакт-фактор 0.08).
5. Бейсембетов И.К., Бейсенханов Н.Б., Дощанов А.М., Жариков С.К., Кенжалиев Б.К.,
Нусупов К.Х. Синтез пленок со структурой типа алмаза (С, SiC) на кремнии осаждением
либо имплантацией ионов
12
C // Вестник ННГУ. − Нижний Новгород. − 2011. − №3(1). − С.
50-55. (Импакт-фактор 0.08).
6. Nussupov K.Kh., Beisenkhanov N.B., Mit’ K.A., Mukhamedshina D.M., Amreyeva Z.M.
and Omarova Z.B. An influence of plasma treatment on structure properties of thin SiC films on Si
// High Temper.Mat.Processes.− V.14, Iss.1.− 2010.− P.183−194. (Impact Factor 2008 - 0.116).
2
7. Nussupov K.Kh., Beisenkhanov N.B., Valitova I.V., Mit’ K.A., Mukhamedshina D.M.,
Dmitrieva E.A. Structure properties of carbon implanted silicon layers // J. of Materials Science:
Materials in Electronics. − 2008. − 19. − Р. 254−262. (Impact Factor 2008 - 1.1).
8. Nussupov K.Kh., Beisenkhanov N.В., Valitova I.V., Dmitrieva E.A., Zhumagaliuly D.,
Shilenko Е.А.. Structural studies of thin silicon layers repeatedly implanted by carbon ions //Physics
of the Solid State. - 2006. - Vol.48, №7. - Р.1255-1267. Impact Factor 2008 - 0.7. (Нусупов К.Х.,
Бейсенханов Н.Б.,
Валитова И.В.,
Дмитриева Е.А.,
Жумагалиулы Д.,
Шиленко Е.А.
Структурные исследования тонких слоев кремния, многократно имплантированных ионами
углерода //Физика твердого тела. − 2006. − Т. 48, вып.7. − С. 1187−1200. (Импакт-фактор
2006 - 0.690).
9. Бейсенханов Н.Б., Мукашев Б.Н., Нусупов К.Х., Токмолдин С.Ж., Валитова И.В.,
Глазман В.Б., Аймагамбетов А.Б., Дмитриева Е.А. Исследование структурных превращений в
тонких пленках SnOx // Поверхность. − №10. − 2005. − С.93−100. (Импакт-фактор 2009 0,204).
10. Nussupov Kair Method and apparatus for the conveying and positioning of ion
implantation targets”. United States Patent. US 6,414,328 B1. - Jul.2, 2002. - 22 p.
11. Nussupov K.Kh., Bejsenkhanov N.B. and J.Tokbakov. Investigation of Structure and
Phase Transformations in Silicon Implanted by C at Room Temperature // Nucl. Instrum. and
Meth. in Phys. Res. − B103. − 1995. − P. 161−174. (Impact Factor 2008 - 1.041)
12. Nussupov K.Kh., Sigle V.O. and Bejsenkhanov N.B. Investigation of the formation of Si
and SiC crystalline phases in room temperature C implanted Si //Nucl. Instrum. and Meth. in
Phys.Res. − B82. − 1993. − P.69−79. (Impact Factor 2008 - 1.041)
13. Нусупов К.Х., В.О.Сигле, Бейсенханов Н.Б., Токбаков Дж. Неразрушающий метод
измерения концентрации электрически
активных центров в области p-n перехода. //
Электронная техника, 1990, серия 7, ТОПО, вып.5 (162), с.67-70.
14. Нусупов
К.Х.,
Евдокимов
С.Г.
Кассета
для
жидкостной
обработки
полупроводниковых пластин. //Авторское свидетельство № 1253382. Госкомитет СССР по
делам изобретений и открытий. 1986.
15. Мукашев Б.Н., Нусупов К.Х., Кусаинов Ж.А., Смирнов В.В., Токмолдин
С.Ж.Определение степени повреждения имплантированных слоев в кремнии методом
эллипсометрии. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1983, 2, №7, с.68-72.
16. Нусупов К.Х., Часникова С.С., Ахметов М.А. Полупроводниковые ионнолегированные детекторы заряженных частиц. Международная выставка «Наука-83»,
Проспект.
3
17. Mukashev B.N., Nussupov К.Хh., Kusainov Z.A., Tokmoldin S.Z Electrical Properties of
Shallow Implanted Layers in Silicon. // Phys.Stat.Sol., 1983, (a)78, k19-22.
18. Нусупов К.Х., Сигле В.О., Сенин Н. А., Анзон В.П., Евдокимов С.Г., Ахметов М.А.,
Бетекбаев А.А., Тажибаев Б.С. Вакуумная система и мишенный узел ионно-лучевого
ускорителя. Труды института атомной энергии им. И.В.Курчатова. (Для служебного
пользования). М., 1982, с.43-45.
19. Нусупов К.Х., Сигле В.О., Ахметов М.А., Сенин Н.А., Бетекбаев А.А., Ахметов Х.Г.
Расширение энергетического диапазона ускорителя ИЛУ-4 в сторону низких энергий и
перспективы развития установки. Труды института атомной энергии им. И.В.Курчатова. (Для
служебного пользования). М., 1982, с.94-99.
20. Нусупов К.Х., Сигле В.О., Анзон В. П., Сенин Н.А., Евдокимов С.Г., Бетекбаев А.А.,
Тажибаев Б.С., Ахметов М.А., Егоров А.Б. Каскадные генераторы для расширения
энергетического диапазона ускорителя ИЛУ-4 до 240 кэВ. Труды института атомной энергии
им. И.В.Курчатова. (Для служебного пользования). М., 1982, с.28-32.
21. Мукашев Б.Н., Нусупов К.Х., Кусаинов Ж.А., Ахметов М.А., Смирнов В.В.
Исследование профилей распределения фосфора в кремнии при ионном внедрении. // ФТП,
1982, т.16, в.1, с.117-120.
22. Mukashev B.N., Nussupov К.Хh., Tamendarov M.F. On the Identification of Vibrational
Spectra in Hydrogen Silicon. // Phys.Letters, 1982, 87A, № 7, p.376-380.
23. Мукашев Б.Н., Нусупов К.Х., Тамендаров М.Ф. Электрические свойства крем-ния,
легированного внедрением ионов водорода. // Физика и техника полупроводников, 1981,
т.15, с.2089. «Электроника» № Р-3186.
24. Мукашев Б.Н., Нусупов К.Х., Тамендаров М.Ф. Радиационные эффекты в кремнии,
легированном внедрением ионов водорода. // Вопросы атомной науки и техники. Серия:
физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение. 1981, вып.3 (17),
с.17-20.
25. Mukashev B.N., Нусупов К.Х., Kolodin L.G., Spitsyn A.Y., Vavilov V.S. Study of
Primary and Secondary Radiation Defects Formation and Annealing in p-type Silicon. //
Rad.Effects, 1980, 46, № 1,2, p.79-84.
26. Смирнов В.В. Мукашев Б.Н., Тамендаров М.Ф., Нусупов К.Х., Часникова С.С.
Рекомбинационные свойства кремния, легированного ионами водорода. // Физика и техника
полупроводников, 1980, т.14, с.1797-1799.
4
27. Нусупов К.Х., Ахметов М.А., Кусаинов Ж.А., Мукашев Б.Н. Особенности
легирования
кремния
ионами
фосфора
низких
энергий.
//
Физика
и
техника
полупроводников, 1980, т.14, в.4, с.812-814.
28. Mukashev B.N., Nussupov К.Хh., Tamendarov M.F. Divacancy in Silicon Irradiated by
Protons. // Phys.Stat.Sol., 1979, 96, K17-K19.
29. Mukashev B.N., Nussupov К.Хh., Tamendarov M.F.New Infra-Red Absorption Bands in
Hydrogen Implanted Silicon. // Phys.Letters, 1979, 72A, № 4-5, p.381-383.
30. Колодин Л.Г., Мукашев Б.Н., Иванов М.С., Нусупов К.Х. Влияние концентрации
акцепторной примеси и температуры облучения на процессы дефектообразования в кремнии
р-типа, облученном электронами. // Физика и техника полупроводников, 1978, 12, №5, 934.
31. Колодин Л.Г., Мукашев Б.Н., Нусупов К.Х. Кинетика отжига радиационных дефектов в кремнии р-типа при температурах 150-3000К. // Физика и техника полупроводников,
1978, 12, №6.
32. Григорьева Г.М., Колодин Л.Г., Крайнин Л.Б., Мукашев Б.Н. Нусупов К.Х.
Радиационные дефекты в кремнии р-типа облученном протонами с энергией 30 Мэв. //
Физика и техника полупроводников. 1977, 11, 2176.
33. Тамендаров М.Ф., Кусаинов Ж.А., Мукашев Б.Н., Нусупов К.Х. Ориентационная
зависимость дефектообразования в арсениде галлия n-типа, облученном протонами с
энергией 30 Мэв. // Физика и техника полупроводников. 1977, 11, 1963.
34. Нусупов К.Х. и др. Исследование возможности получения специальных полупроводниковых приборов на основе алмаза методом ионной бомбардировки. Отчет
ФИАН.
35. Баядилов Е.М., Вавилов В.С., Кацуров Л.Н., Нусупов К.Х., Краснопевцев В.В.,
Милютин Ю. З. Перераспределение концентрации внедренных ионов Li в Si при
термообработке. (По материалам диссертации). //Физика и техника полупроводников, том 7,
1973 г.
В материалах зарубежных конференций:
36. И.К.Бейсембетов, Н.Б.Бейсенханов, С.К.Жариков, Б.К.Кенжалиев, К.Х.Нусупов,
Т.К.Ахметов. Ионный синтез и свойства пленок карбида кремния и углерода. // Тезисы
докладов IV Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов
«Физические и физико–химические основы ионной имплантации». 23-26 октября 2012 г.
Новосибирск. С. 117.
5
37. И.К.Бейсембетов, Н.Б.Бейсенханов, С.К.Жариков, Б.К.Кенжалиев, К.Х.Нусупов,
Т.К.Ахметов. Ионный синтез тонких пленок карбида кремния. // Тезисы докладов IV
Всероссийс. конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико–
химические основы ионной имплантации». 23-26 октября 2012 г. Новосибирск. С. 61.
38. Нусупов К.Х., Бейсенханов Н.Б., Мить К.А., Глазман В.Б., Амреева З.М., Омарова
З.Б. Формирование тонких слоев SiCx методами ионно-лучевого распыления и ионной
имплантации // Труды VI Межд. конф. “Радиационно-термические эффекты и процессы в
неорганических материалах”. Томск: Изд. ТПУ. С. 746-753. − 2008. − 1040 с.
39. K.Kh. Nussupov, N.B. Beisenkhanov, K.A. Mit’, D.M. Mukhamedshina, Z.M.Amreyeva
and Z.B. Omarova. An influence of plasma treatment on structure properties of thin SiC films on Si.
// Book of abstracts of the 10th European Plasma Conference “High temperature plasma processes”
(HTPP-10), 2008. − Patras, Greece.
40. K.Kh. Nussupov, N.B. Beisenkhanov, K.A. Mit’, E.A. Dmitrieva, D.M. Mukhamedshina
and I.V.Valitova. Structure properties of carbon implanted silicon layers // Book of abstracts 12
th
Inter. Conf. On the Defects-Recognition, Imaging& Physics in Semiconductors. September 9-13,
2007. − Berlin (Germany). − P.98.
41. Nussupov K.Kh., Beisenkhanov N.B. and Tokbakov D.J. The Crystallization Process in a
Carbon Implanted Si // Book of abstracts of ICSCRM 2001, Tsukuba (Japan), Oct.28-Nov.2, 2001.
42. Nussupov K.Kh., Bejsenkhanov N.B., Tokbakov J, Gaigorodova T.V. and Jarikov S.K.
The investigation of Silicon Implanted by high doses of carbon. // Proceedings of the 5th World
Seminar on Heat Treatment and Surface Engineering. IFHT-95. - Sept. 26-29 1995, Isfahan, Iran. p.466-472.
43. Нусупов К.Х., Сигле В.О., Бейсенханов Н.Б. Структурные превращения в кремнии,
имплантированном углеродом // Сборник тезисов Всесоюзной
конф.
"Модификация
твердых тел ионными пучками", г.Новосибирск, 1991. − С.37.
44. Нусупов
К.Х.,
Сигле
В.О.,
Бейсенханов
Н.Б.
Исследование
процессов
кристаллизации имплантированного углеродом кремния // Сборник тезисов Всесоюзной
конф. "Модификация твердых тел ионными
45. K.Kh.Nussupov,
V.O.Sigle,
пучками", г.Новосибирск, 1991. − С.116.
M.A.Achmetov
and
N.B.Bejsenkhanov.
Structural
transformations in carbon implanted silicon // Materials of "6-th International Conference on Ion
Beam Modification of Materials", Tokyo, Japan, 1988. − Р.38.
46. Нусупов К.Х., Сигле В.О., Ахметов М.А., Бейсенханов Н.Б. Неразрушающий метод
измерения концентрации электрически активных центров в области p-n перехода // Сборник
6
тезисов IV отраслевой н-техн.конф. "Пром.технология
и
оборудование
ионной
имплантации", г.Нальчик, 1988. − С.181.
47. Нусупов К.Х., Сигле В.О.,
рентгеновского
метода
анализа
Ахметов М.А.,
Бейсенханов Н.Б. Применение
для исследования ионно-имплантированных слоев. //
Сборник тезисов IV отраслевой н-техн.конф. "Пром.технология и оборудование ионной
имплантации", г.Нальчик, 1988. − С.182.
48. Нусупов К.Х., Сигле В.О., Ахметов М.,А. Бейсенханов Н.Б. Структурные изменения
в Si с большими
концентрациями
ионно-внедренного углерода // Сборник тезисов
Всесоюзн.конф. "Ионно-лучевая модификация материалов." Черноголовка, 1987. − С.34.
49. Нусупов К.Х., Сигле В.О., Токбаков Дж. и Жариков С.К. Инфракрасные спектры
пропус-кания кремния, имплантирован-ного различными дозами углерода./ Материалы 1-й
Региональной конференции республик Сред-ней Азии и Казахстана по радиационной физике
твердого тела. Самарканд. 1991, с.23-26.
50. Нусупов К.Х., Кусаинов Ж.А., Мукашев Б.Н., Смирнов В.В., Токмолдин С.Ж.,
Чокин К.Ш. Профили распределения ионов низ-кой энергии в кремнии и электрические
свойства легированных слоев. Материалы докладов международной конференции по ионной
имплантации полупроводников. Вильнюс, 1983.
51. Нусупов К.Х., Сигле В.О., Ахметов М.А., Тажибаев Б.С., Бетекбаев А.А.Шлюзовый
ввод образцов для ускорителя заряженных частиц. Материалы докладов международной
конференции по ионной имплантации полупроводников. Вильнюс, 1983, с.217-220.
52. Нусупов К.Х., Кусаинов Ж.А., Мукашев Б.Н., Смирнов В.В. Радиационные
нарушения в кремнии, возникающие при внедрении ионов фосфора низких энергий.
Materials of the International working meating on ion implantation in semiconductors and other
materials. Prague, 1981, p.19-20.
53. Нусупов К.Х., Нурманов М.Ш., Часникова С.С. Расчет четырехэлектродной
иммерсион-ной линзы, используемой в ускорителях прямого действия. Materials of the
International working meating on ion implantation in semiconductors and other materials. Prague,
1981, p.183-184.
54. Mukashev B.N., Nussupov К.Хh., Smirnov V.V., Frolov V.V.Low energy ion
implantation into silicon profile measurements and application to the formation of low annealing
temperature implanted layers. Ion Beam Modification of Materials, 1980, Albany, p.E5.
55. Mukashev B.N., Nussupov К.Хh., Tamendarov M.F. Akhmetov M.A., Kusainov Z.A.,
Hydrogen Ion Bombardment Effects in Crystalline Silicon. IEEE Photovolt. Special Confer.,
Florida, USA, 1980, p.390.
7
56. Мукашев Б.Н., Нусупов К.Х., Тамендаров М.Ф.Влияние облучения протонами с
энергией 30 Мэв на электрические свойства арсенида галлия n-типа.
Тезисы доклада
Всесоюзного совещания по исследованию арсенида галлия. Томск, 19-21 сентября 1978 г.
57. Vavilov V.S., Kolodin L.G., Mukashev B.N., Nussupov К.Хh. Study of Primary and
Secondary Radiation Defects Formation and Annealing in p-type Silicon. Abstracts, International
Conference on Defects and Radiation Effects in Semiconductors, Paper E3.11-14, Sept.1978, Nice,
France.
58. Vavilov V.S., Kolodin L.G., Mukashev B.N., Nussupov К.Хh., Spitsyn A.Y., Takibaev
Z.S. Tnischtikbaev K.B.On the interaction of the primary radiation defects with impurities in p-type
silicon. International Conference on Lattice Defects in Semiconductors, 22-25 July 1974, Freiburg,
Fed.Rep. Germany.
59. Такибаев Ж.С., Мукашев Б.Н., Нусупов К.Х., Тныштыкбаев К.Б. Взаимодействие
важнейших дефектов с примесями в кремнии р-типа. «Радиационные повреждения в твердых
телах». Киев, 1974, с.92-94.
60. Такибаев Ж.С., Мукашев Б.Н., Тныштыкбаев К.Б. Взаимодействие важней-ших
дефектов с примесями в кремнии р-типа. «Радиационные повреждения в твердых телах»
(Тезисы докладов республиканского совещания). Часть 1, Киев, 1974 г.
61. Затолокин В. В., Кацуров Л. Н., Краснопевцев В.В., Милютин Ю.З., Нусупов К.Х.,
Профиль
распределения ионов Li в алмазе и в кремнии, полученный мето-дом (р,
)-
резонанса. (По материалам диссертации). В кн. «Физические основы ионно-лучевого
легирования». (Материалы научной конференции, июнь 1971 г.), г.Горький, 1972.
В казахстанских изданиях:
62. Бейсембетов И.К., Нусупов К.Х., Бейсенханов Н.Б., Жариков С.К., Кенжалиев Б.К.,
Сагындыков А.Б., Ахметов Т.К. ИК-спектроскопия слоев кремния, имплантированных
ионами углерода. // Вестник КБТУ. − Алматы. − 2011. − № 2 . − С. 24-28.
63. Нусупов К.Х., Бейсенханов Н.Б., Валитова И.В., Дмитриева Е.А., Шиленко Е.А.
Структура слоев карбида кремния, полученных многократной ионной имплантацией //
Вестник Нац. Акад. наук РК. − 2005. − №1. − С.140−149.
64. Нусупов К.Х., Бейсенханов Н.Б., Жариков С.К. Кристаллизация имплантированного
углеродом (100)Si // Известия МОН РК − НАН РК, серия физ.-мат. − №6. − 2003. − C. 80−86.
65. Нусупов
К.Х.,
Бейсенханов
Н.Б.,
Жариков
С.К.
Кластерная
модель
имплантированного углеродом (100)Si // Известия МОН РК − НАН РК, серия физ.-мат. − №6.
− 2003. − C. 73−79.
8
66. Нусупов К.Х., Бейсенханов Н.Б., Жариков С.К. ИК-исследование (100)Si,
имплантированного ионами углерода с энергией 40 кэВ // Известия МОН РК − НАН РК,
серия физ.-мат. − №2. − 2003. − C. 13−18.
67. Нусупов
К.Х.,
Бейсенханов
Н.Б.,
Жариков
С.К.
ИК-спектроскопия
имплантированного углеродом (100)Si // Известия МОН РК − НАН РК, серия физ.-мат. − №6.
− 2002. − C. 68−72.
68. Нусупов К.Х., Бейсенханов Н.Б., Жариков С.К. LO-фононы и их применение к
анализу имплантированных углеродом слоев кремния // Известия МОН РК − НАН РК, серия
физ.-мат. − №2. − 2002. − С. 88−93.
69. Нусупов К.Х., Бейсенханов Н.Б. Исследование типа проводимости кристаллитов
кремния и карбида кремния в имплантированных углеродом слоях Si // Известия МОН РК −
НАН РК, серия физ.-мат. − 1999. − 2. С. 20−24.
70. Нусупов К.Х., Бейсенханов Н.Б. Выращивание углеродных пленок на поверхности
кремния осаждением масс-сепарированных низкоэнергетических ионов С // Известия МОН
РК − НАН РК, серия физ.-мат. − 1998. − 6. − С. 69−72.
71. Нусупов К.Х. Имплантация кремния высокими дозами углерода: структурные
особенности и фазовые превра-щения. // Автореферат докторской диссертации, Физический
институт им.П.Н.Лебедева РАН, Москва (1996), 43 стр.
72. Nussupov K.Kh., Bejsenkhanov N.B. and Tokbakov J.
Investigation of Structure and
Phase Transformations in Silicon Implanted by C at Room Temperature. - Almaty, Pr-t, HEPY. −
1994. − p. 1−38.
73. Нусупов К.Х., Сигле В.О., Бейсенханов Н.Б. Определение оптимальных условий при
исследовании тонких ионно-имплантированных слоев кремния методом
рентгеновской
дифракции.- Изв. АН РК., 1992, No2, с.17-21.
74. K.Kh.Nussupov, V.O.Sigle and N.B.Bejsenkhanov. Application of X-ray diffraction
method to investigation of ion-implanted silicon layers. Preprint of HEPI of Academy of Sciences
of RK. − Alma-Ata. − 1991. − p.1-21.
75. Нусупов К.Х., Сигле В.О., Токбаков Дж. Нестабильность однородных ионносинтезированных пленок карбида кремния при высокотем-пературной обработке./ Изв. НАН
РК., 1991, No2, с.45-49.
76. Нусупов К.Х., Сигле В.О., Ахметов М.А. и др. Исследование входных окон ионнолегированных детекторов./ Изв. АН Каз.ССР., 1988, No6, с.3-6.
77. Нусупов К.Х., Сигле В.О., Часниковa С.С. и др. Пролетные кремниевые детекто-ры,
созданные ионным легированием./ Изв. АН Каз.ССР., 1987, No2, с.35-38.
9
78. Нусупов К.Х., Сигле В.О., Бейсенханов Н.Б. и др. Отчет НИР: Развитие методов
ионной имплантации с целью получения SiC на Si при высокодозовой имплантации углерода
в кремний. Алма-Ата. − 1986. − 79 с.
79. Нусупов К.Х., Анзон В.П., Сенин Н.А. и др. Дистанционная система управления
аппаратурой, находящейся под высоким напряжением. Изв. АН Каз.ССР., 1986, No6, с.8386.
80. Нусупов К.Х., Сигле В.О., Евдокимов С.Г. и др. Малогабаритный источник
высокого напряжения с защитой от токовых перегрузок. Изв. АН Каз.ССР., 1984, No4, с.6265.
81. Мукашев Б.Н., Нусупов К.Х., Чокин К.Ш., Кусаинов Ж.А., Токмолдин С.Ж.
Исследование профилей распределения ионов низкой энергии, имплантированных в
кремний. Препринт ИФВЭ 83/22, Алма-Ата, 1983, с.15.
82. Нусупов К.Х., Мукашев Б.Н., Кусаинов Ж.А., Ахметов М.А., Бетекбаев А.А.
Получение ионов низких энергий. Препринт ИФВЭ, 821, Алма-Ата, 1982, 25 с.
83. Нусупов К.Х., Мукашев Б.Н., Кусаинов Ж.А. и др.Методы получения ионов низких
энергий. Препринт ИФВЭ АН Каз.ССР, № 82-08, Алма-Ата, 1982, 41 с.
84. Мукашев Б.Н., Нусупов К.Х., Ахметов М.А., Часникова С.С. Создание макета
полупроводникового телескопа, регистрирующего многозарядные частицы высоких энергий
Отчет. Алма-Ата, 1980, ИФВЭ.
85. Мукашев Б.Н., Нусупов К.Х., Кусаинов Ж.А., Колодин Л.Г. Разработка и создание
методом ионного легирования специальных полупроводниковых детекторов для изучения
космического пространства (регистрация и определение характеристик тяжелых заряженных
частиц высоких энергий). Отчет. Алма-Ата, 1980, ИФВЭ.
86. Нусупов К.Х., Нурманов М.Ш., Мукашев Б.Н., Часникова С.С. Расчет и конструкция
четырехэлектродной иммерсионной линзы, используемой в ускорителях прямого действия.
Препринт ИФВЭ 80-07, 1980.
87. Kolodin L.G., Mukashev B.N., Nussupov К.Хh. Radiation Defects in Electron Irradiated
p-type silicon. II The Kinetics of the Annealing Studies at 150-3000К. Preprint HEPI 57-77, AlmaAta, 1977.
88. Kolodin L.G., Ivanov M.S., Mukashev B.N., Nussupov К.Хh. Radiation Defects in
Electron Irradiated p-type silicon. I.Acceptor Impurity Concentration and Irrad.Temperature
Dependence the Change. Preprint HEPI 56-77, Alma-Ata, 1977.
89. Мукашев Б.Н., Нусупов К.Х., Колодин Л.Г., Тамендаров М.Ф., Кусаинов
Ж.А.Исследование возможности повышения радиационной стойкости кремния путем
10
легирования различными донорными и акцепторными примесями. Отчет, Алма-Ата, 1976,
ИФВЭ, 81 с.
В материалах международных и региональных конференций, проведенных в
Казахстане:
90. И.К.Бейсембетов, К.Х.Нусупов, Н.Б.Бейсенханов, С.К.Жариков, Б.К.Кенжалиев,
К.А.Мить, Т.К.Ахметов, Б.Ж.Сеитов. Синтез тонких пленок SiC и С на подложках Si
магнетронным и ионно-лучевым распылением. // Материалы 5-й Международной научнопрактической конференции «Проблемы инновационного развития нефтегазовой индустрии».
г. Алматы. КБТУ. 21-22 февраля 2013 г.
91. И.К.Бейсембетов, Н.Б.Бейсенханов, С.К.Жариков,
Б.К.Кенжалиев, К.Х.Нусупов,
Т.К.Ахметов. ИК-исследование высокотемпературной нестабильности твердых пленок SiC,
синтезированных ионной имплантацией // Материалы 4-й Международной научнопрактической конференции «Проблемы инновационного развития нефтегазовой индустрии».
Алматы. КБТУ. 23-24 февраля 2012 г.
92. К.Х. Нусупов, Н.Б. Бейсенханов, З.М. Амреева, Д.М. Мухамедшина, К.А. Мить, С.К.
Жариков, А.М. Нехорошев, Ю.И. Федичкин. Влияние обработки плазмой на формирование
и процессы кристаллизации карбида кремния в слоях SiCх, полученных методами ионной
имплантации и ионно-лучевого распыления //Ядерная и радиационная физика: Материалы 7ой междунар. конф. – 2009. – Доклады. – Алматы: ИЯФ НЯЦ РК. – 2010. – С. 231-234.
93. К.Х. Нусупов, Н.Б. Бейсенханов, З.М. Амреева, Д.М. Мухамедшина, К.А. Мить, С.К.
Жариков, А.М. Нехорошев, Ю.И. Федичкин. Влияние обработки плазмой на формирование
и процессы кристаллизации карбида кремния в слоях SiCх, полученных методами ионной
имплантации и ионно-лучевого распыления. // Сборник тезисов 7-й Международной
конференции «Ядерная и радиационная физика», 8-11 сентября 2009 г. Алматы, Казахстан.
94. Нусупов К.Х., Бейсенханов Н.Б., Мить К.А., Дмитриева Е.А., Валитова И.В.
Структурный анализ имплантированных углеродом слоев кремния //Ядер.и рад. физ.: Мат.6й межд.конф.− 2007. − Докл. 3 т.− С.459-466. − Алматы: ИЯФ НЯЦ РК. − 2008. Т.2 − 557 с.
95. Нусупов К.Х., Бейсенханов Н.Б., Мить К.А., Глазман В.Б., Амреева З.М., Омарова
З.Б. Синтез тонких слоев карбида кремния методами ионно-лучевого распыления и ионной
имплантации //Матер.10-й межд.конф. “Физика твердого тела». − 2008. − Караганды,
Казахстан. − Изд-во КарГУ. − 2008. − С.257−259.
96. К.Х.Нусупов,
Н.Б.Бейсенханов,
К.А.Мить,
Е.А.Дмитриева,
И.В.Валитова.
Структурный анализ имплантированных углеродом слоев кремния // Сборник тезисов 6-й
11
Международной конференции «Ядерная и радиационная физика», 4-7 июня 2007 г. −
Алматы, Казахстан.
97. К.Х.Нусупов, Н.Б.Бейсенханов, И.В.Валитова, Е.А. Дмитриева. Исследования слоев
кремния многократно имплантированных ионами углерода // Proceedings of the 4-th
International Symposium "Physics @ Chemistry of Carbon Materials/ NanoEngineering". – 2006.
Almaty, Republic of Kazakhstan. – Р.113-114.
98. Nussupov K.Kh., Beisenkhanov N.B., Ovcharenko I.V., Amreeva Z.M., Tnyshtykbaiev
K.B. The structure investigation of thin silicon layers of both high and low concentration of the
implanted carbon //Proc.2nd Euras.Conf.“Nucl.Science and its Application”.− 2002.−Almaty,
Kazakhstan.−V.II “Rad.Phys.of solid state”.− Almaty.− 2003.− P.291−298.
99. Nussupov K.Kh., Beisenkhanov N.B., Ovcharenko I.V., Amreeva Z.M., Kazdaev X.R.
“The structure investigation of thin silicon layers implanted by carbon ions with energy 40 keV”.
Proceedings of the Second Eurasian Conference “Nuclear Science and its Application” 16-19
September 2002 Almaty Republic of Kazakhstan. Presentations Volume II “Radiation physics of
solid state” Almaty 2003 P. 299-305.
100. Nussupov K.Kh., Beisenkhanov N.B., Ovcharenko I.V. and Dmitrieva E.A. Structure
Investigations of Thin Silicon Layers Implanted by Nitrogen Ions // Book of abstracts of 4th
International Conference «Nuclear and Radiation Physics», Almaty, Kazakhstan, September 15-17,
2003. − P.221−223.
101. Nussupov K.Kh., Beisenkhanov N.B., Ovcharenko I.V., Amreeva Z.M., Kazdaev X.R.
The structure investigation of thin silicon layers implanted by carbon ions with energy 40 keV //
Book of abstracts of 2nd Eurasian Conference “Nuclear Science and its Application”, Almaty, 2002.
− P.325−326.
102. Nussupov K.Kh., Beisenkhanov N.B., Ovcharenko I.V., Amreeva Z.M., Tnyshtykbaiev
K.B. “The structure investigation of thin silicon layers of both high and low concentration of the
implanted carbon”. 2-d Eurasian Conference“Nuclear Science and its Application”, Almaty (2002).
С.327-328. Abstracts.
103. Нусупов К.Х., Сигле В.О., Бейсенханов Н.Б. Анализ поверхностного слоя кремния
имплантированного углеродом методом рентгеновской дифракции // Сборник тезисов 2
регион. конф. "Физика твердого тела и новые области ее применения", г.Караганда, 1990. −
С.175.
104. Нусупов К.Х., Снитко О.В., Пасечник Ю.А. и др. Использование спектроскопии
поверхностных и волноводных поляритонов для изучения ионно-имплантированных слоев в
12
полупроводниках./В кн.: Фундаментальные вопросы ионной имплантации (материалы III
Всесоюзной школы 17-23 июня 1985 г., г.Алма-Ата), 1987, с.81-85.
105. Нусупов К.Х., Сигле В.О., Ахметов М.А., Часникова С.С. О некоторых
возможностях низко-энергетической ионной имплантации./ Фундаментальные вопросы
ионной имплантации (материалы III Всесоюзной школы 17-23 июня 1985 г., г.Алма-Ата),
1987, с.36-59.
106. Нусупов К.Х., Сигле В.О., Ахметов М.А., Сенин Н.А., Токбаков Дж. Ионнооптические
системы
для
низ-коэнергетической
ионной
имплантации./
В
кн.:
Фундаментальные воп-росы ионной имплантации (материалы III Всесоюзной школы 17-23
июня 1985 г., г.Алма-Ата), 1987, с.218-233.
107. Колодин Л.Г., Мукашев Б.Н., Нусупов К.Х., Тныштыкбаев К.Б. Рекомбинационные
свойства кремния, облученного электронами и протонами. Материалы третьей научнотеоретической конференции молодых ученых АН Каз.ССР, (Исследования на стыке наук).
Часть 1. Алма-Ата, 1974 г.
108. Кацуров Л.Н., Краснопевцев В.В., Милютин Ю.З., Нусупов К.Х. Исследование
распределе-ния ионов лития в алмазе методом (р,
)-реакции. (По материалам диссертации).
В кн. «Вопросы общей и прикладной физики (труды второй республиканской конференции
по вопросам общей и прикладной физики, 20-24 октября 1969 г.). Изд. «Наука» Каз.ССР,
Алма-Ата, 1972 г.
109. Гаргар К.С., Степанов Ю.Ф., Новиков В.П., Нусупов К.Х.Исследование образования
ртутной пленки на поверх-ности аморфного селена методом авторадиографии и измерения
активности. В кн. «Некоторые вопросы общей и прикладной физики (труды городской
конференции по вопросам общей и прикладной физики, 25-29 октября 1965 г.). Изд. «Наука»
Каз.ССР, Алма-Ата, 1966 г.
110. Корсунский М.И., Гаргар К.С., Степанов Ю.Ф., Нусупов К.Х .Об изменении
проводимос-ти слоев аморфного селена в процессе обработки парами ртути. В кн.
«Некоторые вопросы общей и прикладной физики (труды город-ской конференции по
вопросам общей и прикладной физики, 25-29 октября 1965 г.). Изд. «Наука» Каз.ССР, АлмаАта, 1966 г.
Заведующий Лаборатрией нанотехнологий
АО «Казахстанско-Британский
Технический университет»
Нусупов К.Х.