ИСПЫТАНИЕ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩЕГО НАНОГРАФИТНОГО

ИСПЫТАНИЕ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩЕГО НАНОГРАФИТНОГО ФОТОПРИЕМНИКА ПРИ
ВЫСОКИХ ТЕМПЕРАТУРАХ
Г. М. Михеев, Р. Г. Зонов, А. Н. Образцов1, Д. Г. Калюжный
Институт прикладной механики УрО РАН Россия, 426067, Ижевск, ул. Т. Барамзиной, 34
1
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Физический факультет
Поступила в редакцию 12.09.2007 г.
Представлены результаты испытаний при высоких температурах быстродействующего
фотоприемника на основе нанографитной пленки, выращенной на кремниевой подложке.
Исследована зависимость оптоэлектрического сигнала фотоприемника от температуры T в
диапазоне 300–800 K в условиях вакуума. Экспериментально показано, что в интервале
температур 300–625 K чувствительность фотоприемника при увеличении T уменьшается
примерно на 30%. При дальнейшем увеличении температуры амплитуда оптоэлектрического
сигнала спадает по линейному закону и уменьшается в 2 раза по сравнению с комнатной при T =
740 K. Экстраполяция экспериментальных данных показывает, что оптоэлектрический отклик
фотоприемника исчезает при температурах >1000 K.
Список литературы
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
13.
14.
15.
16.
17.
18.
19.
20.
21.
22.
23.
Zhang Y., Iijima S. // Phys. Rev. Lett. 1999. V. 82. № 17. P. 3472.
Freitag M., Martin Y., Misewich J.A. et al. // Nano Lett. 2003. V. 3. P. 1067.
Cho N., Choudhury K.R., Thapa R.B. et al. // Advanced Materials. 2007. V. 19. P. 232.
Freitag M., Perebeinos V., Chen J. et al. // Nano Lett. 2004. V. 4. № 6. P. 1063.
Freitag M., Chen J., Tersoff J. et al. // Phys. Rev. Lett. 2004. V. 93. № 076803.
Mikheev G.M., Zonov R.G., Obraztsov A.N., Svirko Yu.P. // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 84. №
24. P. 4854.
Михеев Г.М., Зонов Р.Г., Образцов А.Н., Свирко Ю.П. // Письма в ЖТФ. 2004. Т. 30. Вып.
17. С. 88.
Михеев Г.М., Зонов Р.Г., Образцов А.Н., Свирко Ю.П. // ЖЭТФ. 2004. Т. 126. № 5. С. 1083.
Михеев Г.М., Зонов Р.Г., Образцов А.Н. и др. // ПТЭ. 2005. № 3. С. 84.
Михеев Г.М., Зонов Р.Г., Образцов А.Н., Свирко Ю.П. Патент на изобретение № 2273946
РФ // БИ. № 10. 2006.
Михеев Г.М., Зонов Р.Г., Образцов А.Н. и др. // Письма в ЖТФ. 2005. Т. 31. Вып. 3. С. 11.
Mikheev G.M., Zonov R.G., Obraztsov A.N. et al. // Proc. SPIE. 2006. V. 6258. P. 62580Q1.
Михеев Г.М., Зонов Р.Г., Образцов А.Н. и др. // ЖТФ. 2006. Т. 76. Вып. 9. С. 81.
Mikheev G.M., Zonov R.G., Obraztsov A.N. // Proc. SPIE. 2006. V. 6189. P. 484.
Павловский И.Ю., Образцов А.Н. // ПТЭ. 1998. № 1. С. 152.
Ando Y., Zhao X., Ohkohchi M. // Carbon. 1997. V. 35. № 1. P. 153.
Obraztsov A.N., Pavlovsky I.Yu., Volkov A.P. et al. // Diamond Films and Technology. 1998. V.
8. P. 249.
Образцов А.Н., Волков А.П., Павловский И.Ю. и др. // Письма в ЖЭТФ. 1998. Т. 69. С. 381.
Wu Y., Qiao P., Chong T., Shen Z. // Adv. Mater. 2002. № 1. P. 64.
Shang N.G., Au F.C.K., Meng X.M. et al. // Chem. Phys. Lett. 2002. V. 358. P. 187.
Wang J.J., Zhu M.Y., Outlaw R.A. et al. // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 85. № 7. P. 1265.
Михеев Г.М., Зонов Р.Г., Образцов А.Н., Волков А.П. // Изв. вузов. Приборостроение.
2004. Т. 47. № 11. С. 59.
Михеев Г.М., Зонов Р.Г., Образцов А.Н. и др. // Письма в ЖТФ. 2005. Т. 31. Вып. 13. С. 50.